‘壹’ 存储器可分为几种，其中存取周期最短的是哪个
存储器总体上可以分为外存和内存两种
其中，外存设备主要有硬盘、优盘、光盘等，读写速度慢，容量大，价格低，一般由光磁材质制作而成；
而内存就是我们所说的内存条，又可细分为ROM和RAM存储器，前者成为只读存储器，后者为随机存储器，值得一提的是，内存读写速度非常快，也就是存取周期最短，容量较小，价格很高，基本上都是由半导体材料制作而成。
‘贰’ 存储周期最短的存储器
存取周期最短的存储器是内存储器。存取周期是存储器进行一次完整的读/写操作所允许的最短时间间隔。存取周期越短，则存取速度越快。内存储器的速度最快，所以它的存取周期最短，其次是硬盘，最慢的是软盘。
内存是计算机中重要的部件之一，它是外存与CPU进行沟通的桥梁。计算机中所有程序的运行都是在内存中进行的，因此内存的性能对计算机的影响非常大。
内存(Memory)也被称为内存储器和主存储器，其作用是用于暂时存放CPU中的运算数据，以及与硬盘等外部存储器交换的数据。只要计算机在运行中，操作系统就会把需要运算的数据从内存调到CPU中进行运算，当运算完成后CPU再将结果传送出来，内存的运行也决定了计算机的稳定运行。 内存条是由内存芯片、电路板、金手指等部分组成的。
‘叁’ 在计算机中什么是内存存取时间和存储周期
存取时间，指的是CPU读或写内存内数据的过程时间。
以读取为例，从CPU发出指令给内存时，便会要求内存取用特定地址的数据，内存响应CPU后便会将CPU所需要的数据送给CPU，一直到CPU收到数据为止，便成为一个读取的流程。
存储周期：连续启动两次读或写操作所需间隔的最小时间
内存的存取周期一般为60ns-120ns。单位以纳秒（ns）度量，换算关系1ns=10-6ms=10-9s，常见的有60ns、70ns、80ns、120ns等几种，相应在内存条上标为-6、-7、-8、-120等字样。这个数值越小，存取速度越快。
(3)存储周期最短是多少扩展阅读
存储器的两个基本操作为“读出”与“写入”，是指将存储单元与存储寄存器(MDR)之间进行读写。存储器从接收读出命令到被读出信息稳定在MDR的输出端为止的时间间隔，称为“取数时间TA”。两次独立的存取操作之间所需最短时间称为“存储周期TMC”。半导体存储器的存取周期一般为6ns～10ns。
其中存储单元(memory location)简称“单元”。为存储器中存储一机器字或一字节的空间位置。一个存储器划分为若干存储单元，并按一定顺序编号，称为“地址”。如一存储单元存放一有独立意义的代码。即存放作为一个整体来处理或运算的一组数字，则称为“字”。
字的长度，即字所包含的位数，称为“字长”。如以字节来划分存储单元，则一机器字常须存放在几个存储单元中。存储单元中的内容一经写入，虽经反复使用，仍保持不变。如须写入新内容，则原内容被“冲掉”，而变成新写入的内容。
‘肆’ 储器中存储周期最短的是 A）内存储器 B）光盘存储器 C）硬盘存储器 D）软盘存储器
内存储器，如内存，关机断电信息消失，时间最短。
‘伍’ 存储器中，存取周期最短的是哪个
片内随机存储器，也就是平时也叫做缓存。作为外部的数据要经过这里，然后经过处理器进行逻辑算术计算，有利于降低成本，提高运行效率。
‘陆’ 计算机的存取周期是什么
存取周期：存贮器连续二次独立的“读”或“写”操作所需的最短时间，单位来纳秒（ns,1ns=10-9s）。存储器完成一次“读”或“写”操作所需的时间称为存储器的访问时间（或读写时间）。
‘柒’ 下列存储器中，存取周期最短的是（） A：硬盘存储器 B：CD-ROM C：DRAM D：SRAM
SRAM。
SRAM主要用于二级高速缓存（Level2 Cache)。它利用晶体管来存储数据。与DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面积中SRAM的容量要比其他类型的内存小。
SRAM是静态存储方式，以双稳态电路作为存储单元，SRAM不像DRAM一样需要不断刷新，而且工作速度较快，但由于存储单元器件较多，集成度不太高，功耗也较大。
(7)存储周期最短是多少扩展阅读
SRAM可分为五大部分：存储单元阵列（core cells array），行/列地址译码器(decode），灵敏放大器(Sense Amplifier），控制电路（control circuit），缓冲/驱动电路（FFIO）。
存取周期为存储器的性能指标之一，直接影响电子计算机的技术性能。存储周期愈短，运算速度愈快，但对存储元件及工艺的要求也愈高。
例如磁芯存储器的存取周期为零点几到几个微秒。半导体存储器的存取周期通常在几十到几百毫微秒之间。那么半导体存储器的性能比磁芯存储器的性能要好。
‘捌’ 存储周期是指
存储周期：连续启动两次操作所需间隔的最小时间
体现主存的速度 （纳秒ns）
存储器的两个基本操作为读出与写入，是指将信息在存储单元与存储寄存器(MDR)之间进行读写。存储器从接收读出命令到被读出信息稳定在MDR的输出端为止的时间间隔，称为取数时间TA；两次独立的存取操作之间所需的最短时间称为存储周期TMC。内存的存取周期一般为60ns-120ns。单位以纳秒（ns）度量，换算关系1ns=10-3ms=10-6s，常见的有60ns、70ns、80ns、120ns等几种，相应在内存条上标为-6、-7、-8、-120等字样。这个数值越小，存取速度越快，但价格也便随之上升。在选配内存时，应尽量挑选与CPU系统总线时钟周期相匹配的内存条
存储周期，通常用访问周期T（又称存取周期、存取时间等）表示。
存储系统的存储周期与命中率H的关系非常大。
命中率：可以简单地定义为在M1存储器中访问到的概率，它一般用模拟实验的方法得到。选择一组有代表性的程序，在程序执行过程中分别统计对M1存储器的访问次数N1和对M2存储器的访问次数N2，然后代入下面的（3－1）关系式计算。
·······（3－1）
整个存储系统的访问周期可以用M1和M2两个存储器的访问周期T1，T2和命中率H来表示：
T＝H·T1＋(1－H)·T2 （3－2）
当命中率H→1时，T→T1，即存储系统的访问周期T接近于速度比较快的M1存储器的访问周期T1。
‘玖’ 下列存储器中，存取周期最短的是_ A：硬盘存储器 B：CD-ROM C：DRAM D：SRAM
D：SRAM
A,和B,不用说吧,一定不可能的.硬盘存储,和CDROM存储,都是慢极了的,,,那就只有.C
和D了,,那看下,DRAM,和SRAM的不同吧..
SRAM的速度非常快，在快速读取和刷新时可以保持数据完整性，即保持数据不丢失。SRAM在PC平台上就只能用于CPU内部的一级缓存以及内置的二级缓存。而我们所说的“系统内存”使用的应该是DRAM。
DRAM的应用比SRAM要广泛，结构较SRAM要简单许多，无论是集成度、生产成本以及体积，DRAM都比SRAM具有优势
。
‘拾’ 下列几种存储器中,存取周期最短的是
内存储器 内存直接和cpu传输，所有的数据得经过内存然后传到cpu，他慢了整体性能肯定跟不上，硬盘是外存储器，他的数据是经过南桥经内存到cpu处理，他在快也没内存快，就算他比内存快，内存慢了处理速度还是跟不上