⑴ 固态硬盘3D闪存到底是多少纳米的
进入3D时代之后，闪存从平面扩展变为垂直方向堆叠，相应的纳米工艺也发生一定回退。比如三星第一代3D闪存（32层堆叠）问世时从当时平面闪存的19nm直接退回到几年前的40nm工艺，单容量相比19nm平面闪存却有一定提升。
一方面，采取老的纳米制程有助于闪存耐久度提升，另一方面纳米工艺制程不再直接影响闪存容量和性能，所以现在闪存颗粒只讲堆叠层数和存储密度，不再将纳米制程放在明面上。不过相信很多朋友还是非常关心具体数值的。存储即可就来透露一下，除了三星之外，美光的第一代3D闪存（32层堆叠）使用的也是40nm工艺，第二代64层堆叠产品才降至20nm。
东芝最早提出了3D闪存结构，在应用推广上晚于三星一些，主要是为了等待技术的成熟。第一代48层堆叠3D闪存（东芝称BiCS2）就使用了19.5nm工艺，当代64层堆叠3D闪存（东芝称BiCS3）则使用当前领先的19nm工艺制造。
BiCS2主要见于手机等移动存储芯片，譬如iPhone7 256G中使用的就是编号为THGBX6T1T82LFXF的东芝闪存芯片。
BiCS23D闪存内部结构：
最新一代的BiCS3，也就是东芝64层3D闪存的存储密度相比2D TLC闪存提升2.8倍，达到每平方毫米面积的晶片可记忆3.4Gb数据。最早使用它的是东芝原厂TR200固态硬盘。由于2.5寸规格空间充裕，TR200的闪存采用了多颗TSOP封装的颗粒，容量不变价格更便宜。TR200也是当前最便宜的原厂3D闪存固态硬盘之一，稳定耐用价格实惠。
东芝BiCS3闪存的内部结构图，电子显微镜扫描：
相比NAND闪存，原本是半导体制程应用急先锋的内存已经落后不少，当前最新的内存芯片还停留在18nm 2D水平上。由于三星的垄断，内存价格始终居高不下，也迟迟没有迈向3D化的动作。
其实早在几年前就已经有3D内存理论被提出，基本原理与3D闪存类似，只不过推进3D化会增加短时内研发成本，而现在高度垄断之下躺着就能赚钱，又怎会积极推动技术跨越呢？
近期内存、固态硬盘价格都有所回落，但从降幅来说，现在固态硬盘显然要比内存更值得买。据市场研究机构分析，近几个月将是闪存价格本年度内的低谷，也就是入手固态硬盘的最佳时机。要不要上车，大家看着办咯。
⑵ iphone6s存储采用什么类型是eMMC 5.0还是 UFS 2.0
从网上拆机的文章看，是Toshiba THGBX5G7D2KLFXG 16 GB 19 nm的存储芯片。
以往的iPhone的风格来看，他都是采用的NAND Flash+自己的主控器，并非eMMC。但这次iPhone6s上门的THGBXxxxx系列，从东芝的存储芯片的命名来看(NAND的开头是TH58)，应该是一颗eMMC。至于说的19nm，应该是eMMC里面的NAND Flash存储单元，是用的19nm的工艺制作的TLC。
⑶ 如何简化PCIe接口设计 - 基于FPGA的19nm闪存PCIe SSD的设计与实现
SSD闪存阵列的吞吐量可高达2.5Gbps。为简化PCIe接口的设计，为闪存芯片的发展提供更大的裕量，设计选用8信道PCIe Gen2/Gen3架构。 PCIe 端点在物理层、数据链路层和事务层中有大量复杂的协议需要处理。幸运的是，在赛灵思7系列FPGA中设计PCIe SG-DMA控制器速度既快又方便。赛灵思已经把PCIe硬核实现在器件的架构中，用于处理全部的PCIe操作。这样设计小组就可以集中精力设计SG- DMA操作本身的功能。PCIe解决方案的集成模块可支持单通道、双通道、四通道和八通道端点配置，最高速度达5Gbps（Gen2），符合PCIe基本规范2.1修订版。表1是7系列FPGA的PCI集成模块的配置。该核可配置为Gen1/Gen2，最多可支持8个信道，从而可提供高达40Gbps的带宽。 表1：7系列FPGA支持的硬核 设计中使用CORE Generator工具来配置和生成PCIe端点IP。该工具包括用户指南、源代码、仿真代码和设计范例，可以帮助迅速使用该核。图2显示了PCIe硬核的顶层功能模块和接口。 图2：PCI Express硬核顶层的功能模块与接口。 SG- DMA核的主要功能是处理来自主机的TLP数据包并做出响应。SG-DMA用作对主机存储器的PCIe主控访问，在主机和本地存储器之间传输数据。主机向 DMA控制器发送命令，控制DMA访问。该命令代码嵌入在特定主机TLP寄存器写操作的数据中。SG-DMA控制器初始化SG-DMA写入请求，响应主机的读取命令，将数据从本地存储器移动到主机存储器。同样，对于主机的写命令，SG-DMA控制器初始化DMA读请求，将数据从主机存储器移动到本地存储器中。图3即是流程的图解。
⑷ 求解固态硬盘板子上的内存芯片
根据图片可以看到网友你是多么暴力的拆开了这个金士顿V300的固态硬盘（我从网上看图片知道的型号，四个螺丝孔都被你摧毁了，我看着都心痛）
首先我可以明确的告诉你，还是不要去想怎么拆换芯片了（芯片是用大型的机器一次性封装的，不明白的话，可以上网看视频固态硬盘的制作过程；你也看到那些针脚那么密集，用电烙铁根本就拆不了，拆了之后也装不回去，那些针脚的孔都被焊锡封住了，根本清除不了，全新的存储颗粒也不会在网上卖，大公司通常都是买一次性几千几万的数量购买存储颗粒，然后进行封装，平民的话，，还是算了吧）
存储颗粒的损坏通常都是由主控来发现的。
存储颗粒的损坏解决办法就是预留存储区域，在固态硬盘刚刚购买之后，实际使用的存量会少了一部分（除了格式化程序的空间占用，这就是为什么三星845DC PRO固态硬盘标明容量是800G的原因），这部分区域会预留出来，当有存储颗粒损坏时就会将坏区域的数据转移到预留的区域上，而不是物理上的换芯片。金士顿V300上是没有预留的存储区域的，所以这损坏就是不可逆的了。
以上是我多年来积累的经验，希望你采纳。下面的是我重网上复制下来的，希望你看看。
现在新出货的金士顿V300固态硬盘不仅更新了固件，同时也更换了NAND闪存的供应商，性能很差，不仅比不上其它SF-2281产品，甚至还远不及上之前的同型号产品。
金士顿SSDNow V300固态硬盘虽然不是最快的SF-2281主控产品，不过凭借其品牌影响力以及在价格上的优势，还是成为了市场上最热销的SSD产品之一。不过最近有玩家反馈称，最新出货固件为506版本的V300固态硬盘性能很差，不仅比不上其它SF-2281产品，甚至还远不及上之前的同型号产品，难道是固件出问题了吗？
事情没有那么简单，现在新出货的V300固态硬盘不仅更新了固件，同时也更换了NAND闪存的供应商。实际上考虑到成本因素，金士顿在一开始给V300固态硬盘配置的就是自行切割、自行封装、自定型号的NAND闪存，如果金士顿自己不说，普通玩家即使直接拆解SSD，也无法得知NAND闪存是哪一家供应的。这在固态硬盘领域其实是很常见的事情，但是操作不当的话很可能会砸了自己的招牌。
按照AnandTech的咨询结果显示，原本V300使用的是东芝19nm Toggle 2.0 NAND闪存，而新版V300使用的是美光20nm的异步NAND闪存，这两种闪存在接口速度上有着很大的区别，前者的接口速度可达200MB/s，而后者只有区区50MB/s左右。尽管关于一些技术上的细节还无法确定，但是两种闪存的接口速度相差那么大，肯定会对SSD的性能产生很大影响。
AnandTech做了测试，以AS-SSD不可压缩数据的测试结果为例，新版V300连续读写速度只有170MB/s和85MB/s，4K随机读写只有15MB/s和65MB/s，相比之下，采用东芝闪存的旧版V300却可以跑出475MB/s和150MB/s的连续读写速度，4K随机读写也有20MB/s和110MB/s的成绩，新版V300的性能只有旧版的一半。
让玩家最不爽的是，金士顿并没有公开表示新版V300更换了NAND闪存，仅仅是在面对媒体质疑时表示他们是希望借此降低V300的物料成本，绝对不是故意降低产品性能的，同时他们也在寻求新的NAND闪存供应商。不过这个答复显然不能让人满意，实际上这个问题与闪存供应商无关，如果金士顿为了降低V300的成本，执意选择性能较差的NAND闪存，那么哪一家供应商都不能让V300恢复原本性能。
另外金士顿还透露，他们曾经想过把新版V300命名为V305，以方便玩家区别产品，但最后他们还是放弃了这个想法。我们认为金士顿的这个做法其实是不妥的，新版V300和旧版V300存在着巨大的性能差距，作为专业的存储设备厂商，金士顿自己应该心中有数。原本闪存供应闪或者是闪存类型等信息就没有公布，更换了低性能的闪存却还保留原来的型号，玩家买到的产品自然与心中期待的会有很大的差距，这绝对不利于自家品牌的名声，要知道V300本来就没有性能优势，更换低性能闪存后就连性价比也没有了。
⑸ 有人知道：紫光国芯 跟 长鑫存储是什么关系吗，懂内存的来
西安紫光国芯一直专注于存储器领域，尤其是DRAM存储器的研发和技术积累。该公司在DRAM产品定义、设计、测试、量产和销售上建立了完整成熟的体系，累计二十余款芯片产品和四十余款模组产品，实现了全球的量产和销售。
紫光内存已经上架两个系列三款型号，其中台式机内存单条容量4GB、8GB，笔记本内存单条容量4GB，均为无马甲普条，频率2400MHz，延迟时序17-17-17，电压1.2V。4GB DDR4 2400 台式机版本售价129元，8GB售价219元，笔记本4GB DDR4 2400售价129元。
长鑫存储正使用其10G1工艺技术(即19nm工艺)来制造4GB和8GB的DDR4内存芯片，目标是在2020年第一季度上市。长鑫存储还将使用同样的技术将在2020年下半年制造LPDDR4X内存。该公司的技术路线图包括17nm的DDR4、LPDDR4X、DDR5和LPDDR5内存。
采用长鑫国产DDR4内存芯片/颗粒的光威弈PRO内存条现已在光威官网上架。这款光威弈PRO系列DDR4 3000台式机内存条采用了长鑫DDR4内存芯片，时序为16-18-18-38，有8G/16G两种容量版本。值得注意的是此前长鑫国产DDR4芯片/LPDDR4X芯片/内存模组也已经上线，官方也开通了销售资讯通道。
⑹ 64G内存是多少纳米芯片
内存大小和制程没有什么直接的关联，不过能做64g的基本上都是海力士三星这几个大厂，目前用的工艺是10x或者10y，也就是常说的19nm和17nm工艺，值得一提的是目前很火的国内长鑫也在19nm，在尝试突破17
⑺ 存储芯片是什么材料做的
对存储行业而言，存储芯片主要以两种方式实现产品化：
1、ASIC技术实现存储芯片
ASIC(专用集成电路)在存储和网络行业已经得到了广泛应用。除了可以大幅度地提高系统处理能力，加快产品研发速度以外，ASIC更适于大批量生产的产品，根椐固定需求完成标准化设计。在存储行业，ASIC通常用来实现存储产品技术的某些功能，被用做加速器，或缓解各种优化技术的大量运算对CPU造成的过量负载所导致的系统整体性能的下降。
2、FPGA 技术实现存储芯片
FPGA（现场可编程门阵列）是专用集成电路（ASIC）中级别最高的一种。与ASIC相比，FPGA能进一步缩短设计周期，降低设计成本，具有更高的设计灵活性。当需要改变已完成的设计时，ASIC的再设计时间通常以月计算，而FPGA的再设计则以小时计算。这使FPGA具有其他技术平台无可比拟的市场响应速度。
新一代FPGA具有卓越的低耗能、快速迅捷（多数工具以微微秒-百亿分之一秒计算）的特性。同时，厂商可对FPGA功能模块和I/O模块进行重新配置，也可以在线对其编程实现系统在线重构。这使FPGA可以构建一个根据计算任务而实时定制软核处理器。并且，FPGA功能没有限定，可以是存储控制器，也可以是处理器。新一代FPGA支持多种硬件，具有可编程I/O，IP（知识产权）和多处理器芯核兼备。这些综合优点，使得FPGA被一些存储厂商应用在开发存储芯片架构的全功能产品。
⑻ 工业芯片存储容量
不知道问的是具体哪个型号呢？参考一下，长江存储目前获得闪存芯片订单，可生产8GB容量的SD存储卡。
存储芯片大厂三星正式宣布已开始量产96层堆叠、单Die 32GB容量的第五代V-NAND闪存芯片。
相比之下，当下的中国大陆的国产存储产业仍处于刚刚起步阶段。紫光旗下的西安紫光国芯有DDR3、DDR4内存颗粒生产，不过技术来源还是已经破产的奇梦达，并不能算是自主技术。
⑼ 有纳米芯片吗为什么说纳米材料的存储能力是无限的
真正的纳米芯片 应该是作为一个完整的功能系统的芯片整体尺寸 数量级在纳米范围内 而目前最先进的半导体工艺尺寸为33nm 且仍处于实验室阶段 主流尺寸为45nm 这里的工艺尺寸指的是 集成电路的最小线宽的大小 就是说一个晶体管的沟道的长度 而一个完整的系统级芯片 至少需要上千万个晶体管搭建
你说纳米尺寸的芯片 有吗？
存储能力而言 首先目前的存储器技术不变的情况下 工艺缩小以为这存储器规模，集成度可以相应扩大 但其上升速度有限。
纳米材料的出现 从根本改变集成电路采用晶体管记忆二值逻辑的存储机理 量子器件 意味着更小的存储单元 其更多的状态 导致多值逻辑的应用
比如说 两个晶体管 最多表示00 01 10 11 四个数，而一个量子器件的状态相比起来 那就。。。。
⑽ 芯片存储数据的原理是什么
1、 sram 里面的单位是若干个开关组成一个触发器, 形成可以稳定存储 0, 1 信号, 同时可以通过时序和输入信号改变存储的值。
2、dram, 主要是根据电容上的电量, 电量大时, 电压高表示1, 反之表示0
芯片就是有大量的这些单元组成的, 所以能存储数据。
所谓程序其实就是数据. 电路从存储芯片读数据进来, 根据电路的时序还有电路的逻辑运算, 可以修改其他存储单元的数据