A. 同步和异步时序电路的区别
同步时序电路和异步时序电路比较，其差异在于后者没有统一的时钟脉冲控制
同步时序电路:电路中各存储单元的更新是在同一时钟信号控制下同时完成.
异步时序电路: 电路中各存储单元无统一的时钟控制,不受同一时钟控制.状态变化的时刻是不稳定的，通常输入信号只在电路处于稳定状态时才发生变化。
B. 问答题 1，同步电路和异步电路的区别是什么
同步电路：存储电路中所有触发器时钟输入接同一个时钟源，所有触发器的状态的变化与所加的时钟脉冲信号同步。
异步电路：电路无统一时钟，触发器的时钟输入与时钟脉冲源相连，状态变化与时钟同步，其他触发器状态变化不同步
C. 同步ram和异步ram的区别
同步SRMA比异步SRAM更快。 内存，或内存储器，又称为主存储器，是关系到计算机运行性能高低的关键部件之一，无疑是非常重要的。为了加快系统的速度，提高系统的整体性能，我们看到，计算机中配置的内存数量越来越大，而内存的种类也越来越多。 内存新技术 计算机指令的存取时间主要取决于内存。对于现今的大多数计算机系统，内存的存取时间都是一个主要的制约系统性能提高的因素。因此在判断某一系统的性能时，就不能单凭内存数量的大小，还要看一看其所用内存的种类，工作速度。 有关内存的名词 关于内存的名词众多。为了便于读者查阅，下面集中进行介绍。 ROM：只读存储器 RAM（Random Access Memory）：随机存储器 DRAM（Dynamic RAM）：动态随机存储器 PM RAM（Page Mode RAM）：页模式随机存储器（即普通内存） FPM RAM（Fast Page Mode RAM）：快速页模式随机存储器 EDO RAM（Extended Data Output RAM）扩充数据输出随机存储器 BEDO RAM（Burst Extended Data Output RAM）：突发扩充数据输出随机存储器 SDRAM（Sychronous Dynamic RAM）：同步动态随机存储器 SRAM（Static RAM）：静态随机存储器 Async SRAM（Asynchronous Static RAM）：异步静态随机存储器 Sync Burst SRAM（Synchronous Burst Stacic RAM）：同步突发静态随机存储器 PB SRAM（Pipelined Burst SRAM）：管道（流水线）突发静态随机存储器 Cache：高速缓存 L2 Cache（Level 2 Cache）：二级高速缓存（通常由SRAM组成） VRAM（Video RAM）：视频随机存储器 CVRAM（Cached Vedio RAM）：缓存型视频随机存储器 SVRAM（Synchronous VRAM）：同步视频随机存储器 CDRAM（Cached DRAM）：缓存型动态随机存储器 EDRAM（Enhanced DRAM）：增强型动态随机存储器 各种内存及技术特点 DRAM 动态随机存储器 DRAM主要用作主存储器。长期以来，我们所用的动态随机存储器都是PM RAM，稍晚些的为FPM RAM。为了跟上CPU越来越快的速度，一些新类型的主存储器被研制出来。它们是EDO RAM、BEDO RAM、SDRAM等。 DRAM芯片设计得象一个二进制位的矩阵，每一个位有一个行地址一个列地址。内存控制器要给出芯片地址才能从芯片中读出指定位的数据。一个标明为70ns的芯片要用70ns的时间读出一个位的数据。并且还要用额外的时间从CPU得到地址信息设置下一条指令。芯片制作技术的不断进步使这种处理效率越来越高。 FPM RAM 快速页模式随机存储器 这里的所谓“页”，指的是DRAM芯片中存储阵列上的2048位片断。FPM RAM是最早的随机存储器，在过去一直是主流PC机的标准配置，以前我们在谈论内存速度时所说的“杠7”，“杠6”，指的即是其存取时间为70ns，60ns。60ns的FPM RAM可用于总线速度为66MHz（兆赫兹）的奔腾系统（CPU主频为100，133，166和200MHz）。 快速页模式的内存常用于视频卡，通常我们也叫它“DRAM”。其中一种经过特殊设计的内存的存取时间仅为48ns，这时我们就叫它VRAM。这种经过特殊设计的内存具有“双口”，其中一个端口可直接被CPU存取，而另一个端口可独立地被RAM“直接存取通道”存取，这样存储器的“直接存取通道”不必等待CPU完成存取就可同时工作，从而比一般的DRAM要快些。 EDO RAM 扩充数据输出随机存储器 在DRAM芯片之中，除存储单元之外，还有一些附加逻辑电路，现在，人们已注意到RAM芯片的附加逻辑电路，通过增加少量的额外逻辑电路，可以提高在单位时间内的数据流量，即所谓的增加带宽。EDO正是在这个方面作出的尝试。扩展数据输出(Extended data out??EDO，有时也称为超页模式??hyper－page－mode
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D. 同步触发器和异步触发器的主要区别是
答案是C。两者主要在是否受CP控制、是否有时钟以及是否是用同一个时钟脉冲信号等三方面存在区别。
一、是否受CP控制
同步触发器：同步触发器受CP控制。
异步触发器：异步触发器不受CP控制。
二、是否有时钟
同步触发器：同步触发器有时钟。
异步触发器：异步触发器没有时钟。
三、是否是用同一个时钟脉冲信号
同步触发器：多个触发器用同一个时钟脉冲信号。
异步触发器：多个触发器用不同的时钟脉冲信号。
(4)存储同步异步区别扩展阅读
与常规RS触发器相比，同步RS触发器多出一个端子，称为时钟信号输入端支结构可以使同步RS触发器根据时钟脉冲时序改变输出状态。
当输入端(S、R)状态发生变化.同时只有时钟信号输入端有方波信号时，同步RS触发器状态才会发生改变。即在时钟脉冲下降沿时，触发器才会按照输入状态改变输出状态,反之亦然。
异步触发器是最常用的一种触发器。
UpdatePanel的每个子控件默认都是一个异步触发器。这说明，与这些控件交互所导致的回送会替换为异步回送，将要求UpdatePanel渲染其内容。
AsyncPostBackTrigger有两个属性。第一个属性是ControlID，这是产生事件的控件的ID。第二个属性EventName可选，可以想见，这是导致异步回送的控件事件的事件名称。
如果EventName未初始化，默认为控件最常见的事件（例如，对于按钮控件则是click事件）。
E. 数据灾备同步备份和异步备份的区别
数据级容灾：就是指建立一个异地的数据系统，该系统是本地关键应用数据的一个可用复制。在本地数据及整个应用系统出现灾难时，至少在异地保存有一份可用的关键业务的数据。该数据可以是与本地生产数据的完全实时复制，也可以比本地数据略微落后，但一定是可用的。
应用级容灾：在数据级容灾基础上，在异地建立一套与本地生产系统相当的备份环境，包括主机、网络、应用、IP等资源均有配套，当本地系统发生灾难时，异地系统可以提供完全可用的生产环境。
数据级灾备是应用级灾备的基础，应用级灾备是数据级灾备的升级版，两者最主要的区别在于应用级灾备在数据级灾备的基础上还能够保障业务连续性。尤其是近年来优势明显的CDP容灾备份技术，和力记易以CDP持续数据保护技术为核心，可以构建异地桌面端或服务器端的文件、数据库和应用的全需求平台，能够防范数据丢失、修复数据错误，还能保障业务连续，全方位满足客户不同的数据安全和业务连续性要求。
F. 关于同步置零，异步置零，同步置位，异步置位的区别
区分：
同步置零是指触发器在时钟信号的激励下，在时钟的上升沿或者下降沿时，触发器内的数据被置零。
异步置零是指触发器在激励信号的激励下，在信号的上升沿或者下降沿时，触发器内的数据被置零。
同步置位是指触发器在时钟信号的激励下，在时钟的上升沿或者下降沿时，触发器内的数据被置位。
异步置位是指触发器在激励信号的激励下，在信号的上升沿或者下降沿时，触发器内的数据被置位。
另外说明一下：
1.所谓的同步，就是指触发器在受到激励信号激励时，输出还要与时钟信号保持一致，即在时钟信号上升沿或下降沿的作用下置零或置位。
2.所谓的异步，就是指触发器输出不必与时钟信号一致，只要有激励信号的上升沿或者下降沿的激励，那么它就会置零或者置位。
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常用的触发器-D触发器简介：
D触发器是一个具有记忆功能的，具有两个稳定状态的信息存储器件，是构成多种时序电路的最基本逻辑单元，也是数字逻辑电路中一种重要的单元电路。
在数字系统和计算机中有着广泛的应用。触发器具有两个稳定状态，即"0"和"1"，在一定的外界信号作用下，可以从一个稳定状态翻转到另一个稳定状态。
触发器有集成触发器和门电路组成的触发器。触发方式有电平触发和边沿触发两种，前者在CP(时钟脉冲)=1时即可触发，后者多在CP的前沿（正跳变0→1）触发。
D触发器的次态取决于触发前D端的状态，即次态=D。因此，它具有置0、置1两种功能。
对于边沿D触发器，由于在CP=1期间电路具有维持阻塞作用，所以在CP=1期间，D端的数据状态变化，不会影响触发器的输出状态。
D触发器应用很广，可用做数字信号的寄存，移位寄存，分频和波形发生器等等。
G. 数字电路电路中，同步电路和异步电路的区别
数字电路电路中，同步电路（即同步时序逻辑电路）和异步电路（即异步时序逻辑电路）有3点不同：
一、两者的概述不同：
1、同步电路的概述：在同步时序逻辑电路中有一个公共的时钟信号，电路中各记忆元件受它统一控制，只有在该时钟信号到来时，记忆元件的状态才能发生变化，从而使时序电路的输出发生变化，而且每来一个时钟信号，记忆元件的状态和电路输出状态才能改变一次。
2、异步电路的概述：异步时序逻辑是电路的工作节奏不一致，不存在单一的主控时钟，主要是用于产生地址译码器、FIFO和异步RAM的读写控制信号脉冲。
二、两者的特点不同：
1、同步电路的特点：同步逻辑最主要的优点是它很简单。每一个电路里的运算必须要在时钟的两个脉冲之间固定的间隔内完成，称为一个 '时钟周期'。只有在这个条件满足下（不考虑其他的某些细节），电路才能保证是可靠的。
2、异步电路的特点：除可以使用带时钟的触发器外，还可以使用不带时钟的触发器和延迟元件作为存储元件；电路状态改变完全有外部输入的变化直接引起。由于异步电路没有统一的时钟，状态变化的时刻是不稳定的，通常输入信号只在电路处于稳定状态时才发生变化。
三、两者的电路分析不同：
1、同步电路的电路分析：均先依据电路图得到电路描述的三大方程，即驱动（激励）方程、状态方程（组）、输出方程，然后依据三大方程得出描述电路逻辑功能的三大图表（通常时序图为实验或仿真条件下的观察图像，分析时可略），最后依据图表描述电路的逻辑功能。
2、异步电路的电路分析：异步时序逻辑电路分析时，还需考略各触发器的时钟信号，当某触发器时钟有效信号到来时，该触发器状态按状态方程进行改变，而无时钟有效信号到来时，该触发器状态将保持原有的状态不变。
H. 什么是同步系统，什么是异步系统
同步和异步是相对于电脑所言的，所谓的同步系统，是指显示屏所显示的内容和电脑显示器同步显示的LED显示屏控制系统；异步系统是指，将计算机编辑好的显示数据事先存储在显示屏控制系统内，计算机关机后不会影响LED显示屏的正常显示，这样的控制系统就是异步控制系统
I. SRAM中同步和异步有什么区别
同步SRMA比异步SRAM更快。 内存，或内存储器，又称为主存储器，是关系到计算机运行性能高低的关键部件之一，无疑是非常重要的。为了加快系统的速度，提高系统的整体性能，我们看到，计算机中配置的内存数量越来越大，而内存的种类也越来越多。 内存新技术 计算机指令的存取时间主要取决于内存。对于现今的大多数计算机系统，内存的存取时间都是一个主要的制约系统性能提高的因素。因此在判断某一系统的性能时，就不能单凭内存数量的大小，还要看一看其所用内存的种类，工作速度。 有关内存的名词 关于内存的名词众多。为了便于读者查阅，下面集中进行介绍。 ROM：只读存储器 RAM（Random Access Memory）：随机存储器 DRAM（Dynamic RAM）：动态随机存储器 PM RAM（Page Mode RAM）：页模式随机存储器（即普通内存） FPM RAM（Fast Page Mode RAM）：快速页模式随机存储器 EDO RAM（Extended Data Output RAM）扩充数据输出随机存储器 BEDO RAM（Burst Extended Data Output RAM）：突发扩充数据输出随机存储器 SDRAM（Sychronous Dynamic RAM）：同步动态随机存储器 SRAM（Static RAM）：静态随机存储器 Async SRAM（Asynchronous Static RAM）：异步静态随机存储器 Sync Burst SRAM（Synchronous Burst Stacic RAM）：同步突发静态随机存储器 PB SRAM（Pipelined Burst SRAM）：管道（流水线）突发静态随机存储器 Cache：高速缓存 L2 Cache（Level 2 Cache）：二级高速缓存（通常由SRAM组成） VRAM（Video RAM）：视频随机存储器 CVRAM（Cached Vedio RAM）：缓存型视频随机存储器 SVRAM（Synchronous VRAM）：同步视频随机存储器 CDRAM（Cached DRAM）：缓存型动态随机存储器 EDRAM（Enhanced DRAM）：增强型动态随机存储器 各种内存及技术特点 DRAM 动态随机存储器 DRAM主要用作主存储器。长期以来，我们所用的动态随机存储器都是PM RAM，稍晚些的为FPM RAM。为了跟上CPU越来越快的速度，一些新类型的主存储器被研制出来。它们是EDO RAM、BEDO RAM、SDRAM等。 DRAM芯片设计得象一个二进制位的矩阵，每一个位有一个行地址一个列地址。内存控制器要给出芯片地址才能从芯片中读出指定位的数据。一个标明为70ns的芯片要用70ns的时间读出一个位的数据。并且还要用额外的时间从CPU得到地址信息设置下一条指令。芯片制作技术的不断进步使这种处理效率越来越高。 FPM RAM 快速页模式随机存储器 这里的所谓“页”，指的是DRAM芯片中存储阵列上的2048位片断。FPM RAM是最早的随机存储器，在过去一直是主流PC机的标准配置，以前我们在谈论内存速度时所说的“杠7”，“杠6”，指的即是其存取时间为70ns，60ns。60ns的FPM RAM可用于总线速度为66MHz（兆赫兹）的奔腾系统（CPU主频为100，133，166和200MHz）。 快速页模式的内存常用于视频卡，通常我们也叫它“DRAM”。其中一种经过特殊设计的内存的存取时间仅为48ns，这时我们就叫它VRAM。这种经过特殊设计的内存具有“双口”，其中一个端口可直接被CPU存取，而另一个端口可独立地被RAM“直接存取通道”存取，这样存储器的“直接存取通道”不必等待CPU完成存取就可同时工作，从而比一般的DRAM要快些。 EDO RAM 扩充数据输出随机存储器 在DRAM芯片之中，除存储单元之外，还有一些附加逻辑电路，现在，人们已注意到RAM芯片的附加逻辑电路，通过增加少量的额外逻辑电路，可以提高在单位时间内的数据流量，即所谓的增加带宽。EDO正是在这个方面作出的尝试。扩展数据输出(Extended data out??EDO，有时也称为超页模式??hyper－page－mode