1. qlc tlc mlc slc区别是什么
所以闪存又分为SLC、MLC、TLC和QLC。简单的说，NAND闪存的基本原理，QLC容量大，但性能也变差了。PCB板上其余的大部分位置都是NAND Flash闪存芯片了。NAND Flash闪存芯片又分为SLC（单层单元）和MLC（多层单元）NAND闪存。
分别介绍
QLC：QLC或者可以叫4bit MLC，电压有16种变化，但是容量能增加33%，就是写入性能、P/E寿命与TLC相比会进一步降低。具体的性能测试上，美光有做过实验。读取速度方面，SATA接口中的二者都可以达到540MB/S，QLC表现差在写入速度上。
TLC：每个cell单元存储3bit信息，电压从000到001有8种变化，容量比MLC再次增加1/3，成本更低，但是架构更复杂，P/E编程时间长，写入速度慢，P/E寿命也降至1000-3000次，部分情况会更低。寿命短只是相对而言的。
MLC：每个cell单元存储2bit信息，需要更复杂的电压控制，有00,01,10,11四种变化，这也意味着写入性能、可靠性能降低了。其P/E寿命根据不同制程在3000-5000次不等。
SLC：每个Cell单元存储1bit信息，也就是只有0、1两种电压变化，结构简单，电压控制也快速，反映出来的特点就是寿命长，性能强，P/E寿命在1万到10万次之间，但缺点就是容量低而成本高，毕竟一个Cell单元只能存储1bit信息。
2. 带缓存的TLC固态 VS 不带缓存的MLC，哪个更
选MLC,但是别选海力士的MLC,即便你嫌价格贵，非海力士的MLC颗粒，买TLC也最好买三星，寿命至少比海力士高一点点，故障低一丁点。很多人说TLC的PE为1000左右，什么120G的盘等于120X1000=120000G，然后每天写入多少多少都要用多少多少年，但你可知道主控放大读取和写入都是2倍！写入数据需要乘以2？你可以知道颗粒需要看是哪家公司的颗粒？海力士MLC和TLC原自一种颗粒，即低端3D颗粒，是MLC还是TLC，主控决定，TLC最大的缺点就是读取寿命都要算，而早期的MLC读取几乎是无限寿命，海力士MLC不等于我们常规认识的MLC。你可知道颗粒寿命低于40%没有那个厂商自己的所有颗粒保证数据正常。而且在一块SSD里有很多个颗粒，写入数据时也无法做到均衡写入每个颗粒，比如颗粒1寿命还有50%！颗粒2寿命还有30%！消费级主控根本无法计算优先写入还有50%的颗粒。如果遇到写入30%的颗粒，该颗粒已经存在数据写入或读取错误！结果就是系统卡顿，系统日志出现磁盘控制区重置！要均衡的写入颗粒必定大量降低SSD的写入延迟，还不如机械盘。所以企业SSD都是有隐藏加速块的，换句话说就是120G的SSD，实际上是180G，甚至240G，多余的空间是为了写入持续性性能不丢失而准备的，只是我们无法访问，主控去访问而已。至于写入多少，CrystalDiskInfo可以看到总计写入多少数据，和主机写入量刚好是2倍左右，那些媒体拿钱误导消费者什么TLC怎么好，一句话你如果觉得你的电脑数据不值钱，反正有云盘（前提记得经常备份数据），3年左右硬盘坏了换一块就行，那无所谓。实际上我测试过网吧收费机，什么金士顿硬盘，颗粒是某海力士的TLC，大家都去过网吧吧，收费机每天开机24小时不关机，每天刷身份证而已，不允许收银员再收银机上网，做任何事，因为有单独的电脑给他们，而收费机的写入的数据和读取的数据，才多大点，相当于一个家用机的数据而已，远远没有你经常下载电影的数据大，1年左右不超过2年就坏！我手里维护的网吧没有一家列外。
3. 致钛固态硬盘采用的SLC缓存技术有什么用
1、SLC缓存技术是通过主控机制和固件，在闪存颗粒内部划分一部分独立空间，模拟SLC颗粒工作模式，在一定空间和时间内部发挥相当于SLC颗粒的写入性能。
2、简单来说，SLC缓存技术的使用使得TLC、QLC等写入速度慢的颗粒有一个缓冲，使这些类型的固态硬盘看上去写入速度很高。
3、使用这种技术的固态硬盘都会划分出一定空间（如2GB、10GB等）模拟SLC颗粒的读写，但是一旦超过缓存的容量，TLC、QLC本身的真实水平就会展现，这个时候写入就会掉速。
4. 固态硬盘是否需要有缓存
有外部缓存优势是性能一致性更好，也就迹薯是空盘和满盘性能差距不会太大，缺点是掉电容易丢数据，需要额外的掉电保护电路和在固件中加入掉电保护逻辑。
无缓存优势是掉电相对不容易丢失数据，以及更好的成本控制，缺点就是4k性能会比较姿卜者难看，而且弊并性能一致性不够好，不适合高负载的场合，比如数据库服务器等。
SSD的缓存分为两种，一种是DRAM缓存，另一种是SLC缓存。
有些固态硬盘为了在节省成本的同时可以把DRAM缓存作为宣传筹码，选择了不管何种容量都只配备256MB缓存的方式，这种情况下只能直接管理256GB的闪存空间，依然存在一些不足。
所以除了观察固态硬盘是否搭载DRAM缓存芯片之外，大家还应通过芯片表面的编号查询它的具体容量，确保买到的是按照1GB：1MB完整配备DRAM缓存的高性能产品。
目前SLC缓存基本所有TLC固态硬盘都有。目前大部分固态硬盘的SLC缓存，并不是真的使用了SLC颗粒作为缓存，而是使用TLC模拟SLC来提升连续读写速度。
5. 固态硬盘有缓存和没有缓存有什么区别
有外部缓存优势是性能一致性更好，也就是空盘和满盘性能差距不会太大，缺点是掉电容易丢数据，需要额外的掉电保护电路和在固件中加入掉电保护逻辑。
无缓存优势是掉电相对不容易丢失数据，以及更好的成本控制，缺点就是4k性能会比较难看，而且性能一致性不够好，不适合高负载的场合，比如数据库服务器等。
不过总之日常家用没有任何区别就是了，东芝Q系列无缓存设计只是东芝对自家颗粒性能的自信以及节约成本的表现而已，家用不用纠结这些。
SSD的缓存分为两种，一种是DRAM缓存，另一种是SLC缓存。
DRAM缓存是使用DRAM芯片（也就是内存颗粒）作为缓存，固态硬盘上的DRAM芯片一般不会用来直接缓存数据，DRAM主要是用来储存FTL缓存映射表，这个映射表表达了闪存单元物理地址同文件系统逻辑地址之间的关系。
所有固态硬盘都有FTL映射表，不同之处在于无DRAM的SSD通常把表的主体放在闪存中，随用随取，效率较低。
高端固态硬盘会把FTL映射表完整地放入DRAM缓存中，通常需要按照1GB:1MB的比例配置DRAM缓存。
有些固态硬盘为了在节省成本的同时可以把DRAM缓存作为宣传筹码，选择了不管何种容量都只配备256MB缓存的方式，这种情况下只能直接管理256GB的闪存空间，依然存在一些不足。
所以除了观察固态硬盘是否搭载DRAM缓存芯片之外，大家还应通过芯片表面的编号查询它的具体容量，确保买到的是按照1GB：1MB完整配备DRAM缓存的高性能产品。
目前SLC缓存基本所有TLC固态硬盘都有。目前大部分固态硬盘的SLC缓存，并不是真的使用了SLC颗粒作为缓存，而是使用TLC模拟SLC来提升连续读写速度。
TLC的读写速度较慢，为了提升连续写入时固态硬盘的表现，主控会先将数据写入SLC缓存中，当缓存写满后，才会像TLC闪存中写入，这样就会造成写入速度的断崖式下跌，此时的速度被称为缓外速度，缓外速度的高低也是衡量SSD性能的重要指标。
假设一块SSD配备10GB的SLC缓存，我向固态硬盘中写入20GB的文件时，前10GB的数据先被写入到缓存中，后10GB的数据则会直接写入到TLC中。速度会呈现出下图这种形式：
虽然日常不会经常向SSD中反复写入大文件，但是缓存外写入性能直接反映了NAND颗粒的品质以及GC策略的优劣。缓外速度高的SSD比速度低的盘质量要好。
6. 我的M.2固态硬盘是TLC类型，为什么读写速度很快，感觉像SLC的
固态硬盘的读写速度与接口、协议、闪存类型、主控有关，目前TLC闪存的固态硬盘最强的应该是三星980PRO，读取速度7000MB/S，写入速度5000MB/S。你的固态硬盘读写速度是多少？能比这个还快？
7. TLC固态硬盘中的缓存有什么用
TLC固态硬盘缓存是一个非常重要的元器件，缓存不仅可以提升TLC固态硬盘的性能，也能一定程度上延长TLC固态硬盘的寿命，就像浦科特的M7V缓存采用DDR3
256MB，搭配他们家的PlexNitro和PlexTurbo可以让你的固态硬盘数据跑分爆表。
8. 我的iPhone 6是tlc内存，怎么办
有的小伙伴在看到网上的一些关于 TLC 的评测以后，内心充满想要去换机的念头。就目前而言，苹果并未对闪存为 TLC的可以更换作出任何回应。如果你只是想凭此去更换机器的话，结果很明显。当然，如果你的 iPhone6 正好遇到有其它的硬件性能故障的话，那恭喜你，你可以去找苹果售后重新更换一部手机。如果更换回来的手机依然是 TLC 闪存的话，那估计这位小伙伴会疯掉的。
此外，有的小伙伴在看了网上的有关 TLC 闪存的报道以后，突然之间，感觉自己的 iPhone6 开始卡顿了。其实个人认为这是一个心理作用，我的 iPhone6 64G 为 MLC 闪存，在平时使用时，也会遇到卡顿的情况。所以说，就卡顿而言，并不是只有在 TLC 上才出现，其它闪存类型上也会出现。其实，卡顿的话，一是跟你当前运行的应用有关系，二是跟苹果的系统优化有一定的关系。
另外，有的小伙伴会相信网上的关于 TLC 使用寿命短的传言，只能写入500次数据，心理顿时一片灰暗，进而加深自己对于采用 TLC 闪存的 iPhone6 手机不好的认定。
上面说了这么多，可能很多小伙伴还是会坚决地认定 TLC 闪存不是不好。总结为二点，一是性能不好，二是寿命短。如果你也是这样的想法，请大家继续往下看一些关于闪存存储方面的相关知识。正所谓，不到黄河不死心。
先向大家简单说下闪存存储的大体结构，它是由闪存颗粒芯片与主主控芯片组成的。从闪存芯片的寿命来讲，SLC>MLC>TLC这是不争的事实，但除了闪存自身的寿命而言，主控芯片对闪存的寿命有不可忽视的作用。
主控芯片的使命就是平均所有闪存单元的写入次数，从而延长它的寿命。所以主控芯片的算法在此时对于当前的闪存而言，就变得极为重要。可能有的小伙伴不太明白前面说了一些什么？举一个（个人认为）比较形象一点的例子，你现在有二个杯子，每个杯子可以使用3次，总共可以使用6次。如果你是一次性地使用一个杯子3次，那第一个杯子也就不能使用了，也就意味着它的寿命很短，就好比大家说的 TLC 闪存寿命短一样。如果你是二个杯子换着用，这样的结果使得二个杯子的使用寿命都得以延长。对于手机上的闪存而言，很少有人会把它全部用完，主控芯片会根据自身的优化算法，尽量使用所有闪存单元（如之前例子中的杯子）达到平均的使用次数。由于闪存容量大了以后，有数以万计的存储单元，而并不是向我们之前例子中只有二个杯子，在经过主控写入优化以后，均衡对闪存存储单元进行写入，这样就会大大延长它的使用寿命。其实，当有了主控芯片的优化写入以后，在我们向手机写入500次以后，平均到闪存存储单元的次数会远远小于500次。
所以闪存在实际的使用过程中，大多数情况是主控芯片坏了，闪存还没坏，无论机器用的是 MLC 也好，还是 TLC 也罢，一旦负责闪存读写的主控罢工，手机都会坏掉。一块闪存的寿命在理论上大概是在10年左右，试想一下，你的一部 iPhone6 会使用10年么？当前人们更换手机的速度，有一年一换的，最多也就不过三四年一换。对于这样的更换手机周期的速度来算，无论是 MLC 还是 TLC 闪存，你都不要不必去担心它的寿命。
9. 固态硬盘TLC和QLC有什么不同
qlc好。区别如下：
1、稳定性与寿命方面
QLC由于单位存储密度更大，是TLC的两倍，所以其电压更难控制，从而影响到性能以及稳定性；而Intel 660P采局纤用QLC闪存的写入总数据量大约为100TBW，只是同样容量西部数据SN500采用TLC闪存的三分之一左右，因而我们也能段腊行够对比出QLC寿命相较于TLC会低很多。
2、性能方面
虽然采用QLC闪存颗粒的SSD在缓存容量内也能够达到与TLC相近的读写速度，但是一旦缓存耗尽后其持续写入速度将会大幅下跌，甚至速度会不敌传统的机械硬盘。
3、成本方面
不过QLC闪存颗粒也不是没握哗有优势，它的生产成本相较于TLC更低，虽然目前QLC的技术可能还不够成熟，但是也许在未来随着成本的下降，取代机械硬盘也不是没有可能。当然，这还需要时间去验证，作为消费的我们也不用着急，如果QLC技术发展更为成熟，肯定会有很多闪存厂商争先恐后推出容量更大，价格更优的SSD。
10. tlc缓外速度有多少
一般来说，tlc固态缓外速度在1000M/s。
延展资料：缓外速度指硬盘模拟的slc缓存消耗完之后的连续写入速度。
slc和mlc固态的速度曲线为一条直线，这个速度就是缓外速度，他们没有模拟缓存，全盘都是直写。tlc和qlc的固态会出腊宏现1-2次掉速，qlc和tlc固态不是全盘直扮烂写的，因为轮缺册这两种颗粒直写的速度比较拉垮，为了改善用户体验，厂家会先让tlc颗粒按照slc模式工作一段时间，然后进行tlc直写，磁盘接近满盘时把一开始按照slc模式写入的数据转化成tlc模式，同时用tlc直写填充最后剩余的容量，这三段速度依次降低。我们常说的缓外速度一般是第二段和第三段。