㈠ AMD CPU过热，是主板问题还是CPU还是风扇
1、老一代的CPU，因为AMD用的架构不同,集成比INTEL多的东西
如
HT总线
、
内存控制器
等，使CPU的
集成度
加大，晶体管多了，发热也随之增大。而INTEL的不同，FSB和内存控制器都在
主板北桥
里的，所以集成度不大，发热也少很多。
2、如今新的CPU，intel也集成了内存控制器等，但是
发热量
控制还是要比AMD的CPU好，那是因为Intel的制程工艺普遍是22nm和14nm，而AMD目前是28nm。第二intel都是低
外频
高倍频，而AMD正好相反。提高外频需要加电压多，所以温度高。
3、如今AMD在走当年intel的老路了，高频低能长流水线。且AMD的cpu一般缓存都比较大，高主频与大缓存也让处理器功耗大涨。
4、核心数量的关系。核心越多，且主频越高，发热量越大。如今AMD为了体现性价比优势，打着双打单，四打二的方法，导致堆叠的核心越多，发热量越大
㈡ 为什么amd的缓存比intel的高那么多特别是二级缓存谢谢了，大神帮忙啊
AMD 缓存设计主要靠一二级的，就像仓库，一级是小仓库，放不下了就轮到二级，因为一级缓存成本高，所以靠二级，二级越大越好，但AMD的三级缓存由于构架问题导致速度不快(比二级慢很多)在游戏上有提升 ,不是特别重要,一般二缓单个核心是 512K或1M/英特尔设计是一级放指令的代号(目录)而不是数据,二三级才是放数据的,速度也差不多,三缓越大越好
㈢ amd无限缓存怎么开
AMD无限缓存开启方法:
进bios，进入advanced。
在advanced的PCI settings里面找到above 4G Deconding。
将选项选择为Enabled。
打开之后就会有个 Re-Size BAR Support，也一样的打开，选择auto就行了。
AMD RDNA2架构的一个独特亮点就是加入了无限缓存(Infinity Cache)，只需不高的显存位宽、带宽即可满足性能需求，而且容量越大、游戏分辨率越高，效果越明显。
下一代的RNDA3架构必然延续这一设计，并继续做大，而在锐龙、霄龙准备加入3D堆叠缓存的同时，RDNA3也会效仿。
据曝料，AMD RDNA3架构会融入3D堆叠的无限缓存，而且容量最高达512MB，是目前的整整4倍。
总结如下：
Navi 31大核心拥有完整的512MB，Navi 32、Navi 33会分别精简到384MB、256MB。
至于显存，预计它们会分别是256-bit、192-bit、128-bit的位宽，继续使用GDDR6，而不需要上更高频率的GDDR6X。
不过值得一提的是，Navi 31本身还会采用MCM双芯整合封装方式，等于每个核心的无限缓存还是256MB。
㈣ amd无限缓存怎么开
AMD无限缓存开启方法:
进bios，进入advanced。
在advanced的PCI settings里面找到above 4G Deconding。
将选项选择为Enabled。
打开之后就会有个 Re-Size BAR Support，也一样的打开，选择auto就行了。
AMD RDNA2架构的一个独特亮点就是加入了无限缓存(Infinity Cache)，只需不高的显存位宽、带宽即可满足性能需求，而且容量越大、游戏分辨率越高，效果越明显。
下一代的RNDA3架构必然延续这一设计，并继续做大，而在锐龙、霄龙准备加入3D堆叠缓存的同时，RDNA3也会效仿。
据曝料，AMD RDNA3架构会融入3D堆叠的无限缓存，而且容量最高达512MB，是目前的整整4倍。
总结如下：
Navi 31大核心拥有完整的512MB，Navi 32、Navi 33会分别精简到384MB、256MB。
至于显存，预计它们会分别是256-bit、192-bit、128-bit的位宽，继续使用GDDR6，而不需要上更高频率的GDDR6X。
不过值得一提的是，Navi 31本身还会采用MCM双芯整合封装方式，等于每个核心的无限缓存还是256MB。
㈤ AMD的CPU为什么发热大
1、老一代的CPU，因为AMD用的架构不同,集成比INTEL多的东西 如HT总线、内存控制器等，使CPU的集成度加大，晶体管多了，发热也随之增大。而INTEL的不同，FSB和内存控制器都在主板北桥里的，所以集成度不大，发热也少很多。
2、如今新的CPU，intel也集成了内存控制器等，但是发热量控制还是要比AMD的CPU好，那是因为Intel的制程工艺普遍是22nm和14nm，而AMD目前是28nm。第二intel都是低外频高倍频，而AMD正好相反。提高外频需要加电压多，所以温度高。
3、如今AMD在走当年intel的老路了，高频低能长流水线。且AMD的cpu一般缓存都比较大，高主频与大缓存也让处理器功耗大涨。
4、核心数量的关系。核心越多，且主频越高，发热量越大。如今AMD为了体现性价比优势，打着双打单，四打二的方法，导致堆叠的核心越多，发热量越大。
㈥ zen+3D 功耗
zen3D功耗600W。AMD将会把3D堆叠缓存加入到Zen3加处理器之中，从而提升CPU的性能，然而或许是制程的限制，这一代处理器的功耗还是出现了极大的提升，现在更是有消息称AMD未来要发布的EPYC处理器的功耗将会达到600瓦。
zen3D的特点
AMD表示他们选择了9微米的微凸点μbump间距，这比未来10微米的英特尔FoverosDirect技术要密集一些。AMD展示了现有和未来的3D堆叠技术，随着垂直晶圆间或芯片间连接的TSVThroughSiliconVia键合量的增加，该技术将专注于更复杂的3D堆叠设计。
IT之家了解到，AMD还列出了所有现有的堆叠技术，包括英特尔的fooverosEMIB技术，这意味着AMD考虑在其处理器中使用这种技术AMD预计其3D芯片堆叠技术将提供3倍的互连能效和15倍的互连密度。