‘壹’ NPN三极管的问题!!!!!
从线路逻辑上看，通过IN控制发射极接地或者接24V来实现OUT输出5V和低电平，是可行的。存在的问题可能是：这个NPN三极管的EB结耐压有点要求苛刻，一般NPN三极管的EB结耐压多为6V左右，超过8V的少见。你这里如果加上24V电压，EB结击穿了是很可能发生的。
‘贰’ 用9013三极管做共射放大电路，怎么样设置偏置RcRb电阻值，电源用6伏
给你一个参考电路。
本电路中Rc用1至2K欧，发射极电阻Re用300欧姆，上偏置电阻用50K欧，下偏置电阻用10K欧。供电用6V时，静态工作电流约为1mA.
‘叁’ 怎样使三极管处于最佳放大状态
三极管最佳放大状态要考虑以下几种情况：
1、工作频率：
选取的三极管截止频率要大于电路的工作频率
2、三极管的静态电流：
电路中三极管的静态电流要选取在β值较均匀的那一段。（这个就要参考使用的晶体管参数曲线）
3、考虑前后级输入、输出阻抗的匹配。
4、输出动态范围：
如一楼所说，静态电压取1/2Vcc，这样可以取得最大的动态范围。
5、环境温度影响：
环境温度影响可以在电路设计时予以考虑，使环境温度产生的温漂现象减低到可容许的范围。
(3)怎么配置三极管扩展阅读：
三极管的主要参数：
特征频率：当f=fT时，三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT，电路将不正常工作。
fT称作增益带宽积，即fT=βfo。若已知当前三极管的工作频率fo以及高频电流放大倍数，便可得出特征频率fT。随着工作频率的升高，放大倍数会下降．fT也可以定义为β=1时的频率。
电压/电流：用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围。
hFE：电流放大倍数。
VCEO：集电极发射极反向击穿电压，表示临界饱和时的饱和电压。
PCM：最大允许耗散功率。
封装形式：指定该管的外观形状，如果其它参数都正确，封装不同将导致组件无法在电路板上实现。
‘肆’ 三极管各极的电阻怎样设置
首先要明白 放大和开关的工作状态
开关就是在截止和饱和导通之间切换，所以放大时，集电极电流未饱和，开关时，集电极电流饱和了。
可以根据集电极饱和电流确定偏置电阻。
如图。饱和电流 VCC/R1=5MA
假设三极管放大倍数为100，那么饱和时基极电流为50UA，那么此时基极电阻应为VCC/50UA=100K。这是一个临界值。大于此值，电流不会饱和，处于放大状态，小于此值，电流就会饱和了，三极管可以工作在开关状态，。图中，三极管就是开关了！
三极管基极和发射极之间就是一个正向的PN结，不论是开关还是放大，管子都是导通的，也就是说PN结导通，压降为0.7.也就是UBE被钳制在0.7V
‘伍’ NPN三极管现在代换用PNP的接法是下图那样嘛
通常情况下不会用NPN和PNP互相代换的。其原因:
1，一个三极管在电路中正常工作是需要配置各极电压的，所以外围还有很多元件为其服务。而NPN和PNP的参数相差甚远，所以代换时还要对外围元件做相应改动。
2.常用的三极管价格低廉，同种相近性能的管子能找到很多，也就不用改动外围配置，直接代换就可以了。
‘陆’ multisim 虚拟三极管
没看到电路很难判断原因。在三极管的参数中，比较重要的是电流放大倍数，在spice中是BF，三极管的默认参数中电流放大倍数是100，所谓的虚拟三极管实际是全部参数取默认值的默认三极管（use default）。按照你用的实际器件改下这个参数试试吧！
‘柒’ 三极管的作用是什么呢 加上拉 下拉电阻为啥呢
三极管是个开关。。基极高电平。芯片2 3脚低电平。。基极低电平。芯片2 3脚，高电平。。至于芯片的2 3脚高低电平有啥作用。。去翻芯片资料。。。
上拉电阻是增加输出电流的、或者稳定电平的。 不知道你的后接电路不好判断。。