1. 电路设计时光耦选型需要考虑哪些参数
需要考虑的参数太多了，根据重要性主要有如下几个。
1、首先是延迟时间，这个参数影响传输度。
2、其次是传输比，这个参数影响传递效率
3、再次就是输出阻抗，这个参数影响驱动能力
4、还要考虑的参数有隔离电压、上升时间和下降时间、击穿电压、驱动极性等等。
2. 光耦隔离电路的问题
图2在输出高电平时，电流大，带负载能力强。缺点是如果后面的电路对地短路了，就烧掉光耦了。
图1输出高电平时串了一个电阻，使电流很小，如果后面的电路输入阻抗低，就会造成电压降低，甚至工作不稳定，但光耦是安全的，不会被烧掉。
因此，图2抗干扰能力强，但不够安全。图1电路不容易坏，但带负载能力差。
3. 光耦驱动电路
最好用左边一种，它能兼容CMOS和TTL逻辑，右边一种只能用于CMOS逻辑，用于TTL时下拉电流可能不够，导致低电平电压比较高。
左边一种如果逻辑极性不对，不要改用右边的电路，可以改输入端，让输入通过电阻和光耦对地。
另外，24V逻辑转5V逻辑其实不需要光耦，一个二极管和一个对5V电源的上拉电阻就够了，如果是接内置上拉的单片机等芯片，只需要一个二极管。当然也可以只用一个限流电阻，单片机内部的ESD保护二极管可以将输入电压钳制在0至5V之间。
4. 用光耦做一个电源的开关，控制3V2A的电源通断，怎样设计呢
认真地看了一下常用的光耦pc817的资料，发现它资料上面能通过的电流是50MA，还有4N35等类似的元件，都是差不多的。其实我到现在还没有发现能通过2A电流的光耦，我在电子厂工作了10年了，所以我认为直接用光耦根本就是不可能的。
简单的方法应该是输出的脉冲信号驱动光耦光电二极管，光耦的输出端接如图电路，如果长时间工作要注意散热，灵敏度要求高或电流不足需要达林顿管，脉冲的频率不可以太高的。这个电路我做过实验，绝不是想当然
5. 高速光耦资料
单相逆变器智能功率模块应用电路设计
1 引言
智能功率模块(Intelligent Power Mole，IPM)以开关速度快、损耗小、功耗低、有多种保护功能、抗干扰能力强、无须采取防静电措施、体积小等优点在电力电子领域得到越来越广泛的应用。以PM200DSA060型IPM为例，介绍IPM应用电路设计和在单相逆变器中的应用。
2 IPM的结构
IPM由高速、低功率IGBT、优选的门级驱动器及保护电路构成。其中，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IPM具有GTR高电流密度、低饱和电压、高耐压、MOSFET高输入阻抗、高开关频率和低驱动功率的优点。
根据内部功率电路配置情况。IPM有多种类型，如PM200DSA060型IPM为D型(内部集成2个IGBT)，其内部功能框图如图1所示，内部结构如图2所示。内有驱动和保护电路，保护功能有控制电源欠压锁定保护、过热保护、过流保护和短路保护，当其中任一种保护功能动作时，IPM将输出故障信号FO。
IPM内部电路不含防止干扰的信号隔离电路、自保护功能和浪涌吸收电路，为了保证IPM安全可靠，需要自己设计部分外围电路。
3 IPM的外部驱动电路设计
IPM的外部驱动电路是IPM内部电路和控制电路之间的接口，良好的外部驱动电路对以IPM构成的系统的运行效率、可靠性和安全性都有重要意义。
由IPM内部结构图可见，器件本身含有驱动电路。所以只要提供满足驱动功率要求的PWM信号、驱动电路电源和防止干扰的电气隔离装置即可。但是，IPM对驱动电路输出电压的要求很严格：驱动电压范围为13.5V～16.5V，电压低于13.5V将发生欠压保护，电压高于16.5V可能损坏内部部件；驱动信号频率为5Hz～20kHz，且需采用电气隔离装置，防止干扰：驱动电源绝缘电压至少是IPM极间反向耐压值的2倍(2Vces)；驱动电流达19mA-26mA；驱动电路输出端的滤波电容不能太大，这是因为当寄生电容超过100pF时，噪声干扰将可能误触发内部驱动电路。
图3所示是一种典型的高可靠性IPM外部驱动电路方案。来自控制电路的PWM信号经R1限
流，再经高速光耦隔离并放大后接IPM内部驱动电路并控制开关管工作，FO信号也经过光耦隔离输出。其中每个开关管的控制电源端采用独立隔离的稳压15V电源，且接1只10μF的退耦电容器(图中未画出)以滤去共模噪声。R1根据控制电路的输出电流选取，如用DSP产生PWM，则R1的阻值可为330Ω。R2根据IPM驱动电流选值，一方面应尽可能小以避免高阻抗IPM拾取噪声，另一方面又要足够可靠地控制IPM，可在2kΩ～6.8kΩ内选取。C1为2端与地间的0.1μF滤波电容器，PWM隔离光耦的要求是tPLH<0.8μF，tPHL<0.8μF，CMR>10kV／μs，可选用HCPL4503型、HCPL4504型、PS2041型(NEC)等高速光耦，且在光耦输入端接1只0.1μF的退耦电容器(图中未画出)。FO输出光耦可用低速光耦(如PC817)。IPM的内部引脚功能如表1所示。
图3的外部接口电路直接固定在PCB上且靠近模块输入脚，以减少噪声和干扰，PCB上布线的距离应适当，避免开关时干扰引起的电位变化。
另外，考虑到强电可能造成外部驱动电路到IPM引线的干扰，可以在引脚1～4间，3～4间，4—5间根据干扰大小加滤波电容器。
4 IPM的保护电路设计
由于IPM本身提供的保护电路不具备自保护功能。所以要通过外围硬件或软件的辅助电路将内部提供的FO信号转换为封锁IPM的控制信号，关断IPM，实现保护。
4.1 硬件
IPM有故障时，FO输出低电平，通过高速光耦到达硬件电路。关断PWM输出，从而达到保护IPM的目的。具体硬件连接方式如下：在PWM接口电路前置带控制端的3态收发器(如74HC245)，PWM信号经过3态收发器后送至IPM接口电路，IPM的故障输出信号FO经光耦隔离输出送入与非门，再送到3态收发器使能端OE。IPM正常工作时，与非门输出为低电平，3态收发器选通；IPM有故障时，与非门输出为高电平，3态收发器所有输出置为高阻态，封锁各个IPM的控制信号，关断IPM，实现保护。
4.2 软件
IPM有故障时，FO输出低电平，FO信号通过高速光耦送到控制器进行处理，处理器确认后，利用中断或软件关断IPM的PWM控制信号，从而达到保护目的。如在基于DSP控制的系统中，利用事件管理器中功率驱动保护引脚(PDPINT)中断实现对IPM的保护。通常1个事件管理器产生的多路PWM可控制多个IPM工作，其中每个开关管均可输出FO信号。每个开关管的FO信号通过与门，当任一开关管有故障时输出低电平，与门输出低电平，将该引脚连至PDPINT，由于PDPINT为低电平时DSP中断，所有的事件管理器输出引脚均被硬件设置为高阻态，从而达到保护目的。
以上2种方案均利用IPM故障输出信号封锁IPM的控制信号通道。因而弥补了IPM自身保护的不足，有效地保护了器件。
5 IPM的缓冲电路设计
在IPM应用中，由于高频开关过程和功率回路寄生电感等叠加产生的di／dt、dv／dt和瞬时功耗会对器件产生较大的冲击，易损坏器件。因此需设置缓冲电路(即吸收电路)，目的是改变器件的开关轨迹，控制各种瞬态过压，降低器件开关损耗，保护器件安全运行。
图4为常用的3种IPM缓冲电路。图4(a)为单只无感电容器构成的缓冲电路。对瞬变电压有效且成本低，适用于小功率IPM。图4(b)为RCD构成的缓冲电路，适用于较大功率IPM，缓冲二极管D可箝住瞬变电压。从而抑制由于母线寄生电感可能引起的寄生振荡。其RC时间常数应设计为开关周期的l／3，即τ=T/3=1/3f。图4(c)为P型RCD和N型RCD构成的缓冲电路。适用于大功率IPM。功能类似于图4(b)所示的缓冲电路，其回路电感更小。若同时配合使用图4(a)所示的缓冲电路，还能减小缓冲二极管的应力，缓冲效果更好。
在图4(c)中，当IGBT关断时，负载电流经缓冲二极管向缓冲电容器充电，同时集电极电流逐渐减少，由于电容器二端的电压不能突变，所以有效地限制了IGBT集电极电压上升率dv／dt。也避免了集电极电压和集电极电流同时达到最大值。IGBT集电极母线电感、电路及其元件内部的杂散电感在IGBT开通时储存的能量，这时储存在缓冲电容器中。当IGBT开通时。集电极母线电感以及其他杂散电感又有效地限制了IGBT集电极电流上升率di／dt。同样也避免了集电极电压和集电极电流同时达到最大值。此时，缓冲电容器通过外接电阻器和IGBT开关放电，其储存的开关能量也随之在外接电阻器和电路、元件内部的电阻器上耗散。如此。便将IGBT运行时产生的开关损耗转移到缓冲电路，最后在相关电阻器上以热的形式耗散，从而保护IGBT安全运行。
图4(c)中的电阻值和电容值按经验数据选取：如PM200DSA060的电容值为0.22μF一0.47μF，耐压值是IGBT的1.1倍～1.5倍，电阻值为10Ω～20Ω，电阻功率按P=fCU2*10-6计算，其中f为IGBT工作频率，U为IGBT的工作峰值电压，C为缓冲电路与电阻器串联电容。二极管选用快恢复二极管。为了保证缓冲电路的可靠性。可以根据功率大小选择封装好的图4所示的缓冲电路。
另外，由于母线电感、缓冲电路及其元件内部的杂散电感对IPM尤其是大功率IPM有极大的影响，因此愈小愈好。要减小这些电感需从多方面入手：直流母线要尽量地短；缓冲电路要尽可能地靠近模块；选用低电感的聚丙烯无极电容器、与IPM相匹配的快速缓冲二极管及无感泄放电阻器。
6 IPM在单相全桥逆变器中的应用
图5所示的单相全桥逆变电路主要由逆变电路和控制电路组成。逆变电路包括逆变全桥和滤波电路，其中逆变全桥完成直流到交流的变换，滤波电路滤除谐波成分以获得需要的交流电：控制电路完成对逆变桥中开关管的控制并实现部分保护功能。
图中的逆变全桥由4个开关管和4个续流二极管组成，工作时开关管在高频条件下通断。开关瞬间开关管电压和电流变大，损耗大，结温升高，加上功率回路寄生电感、振荡及噪声等，极易导致开关管瞬间损坏，以往常用分立元件设计开关管的保护电路和驱动电路，导致电路庞大且不可靠。
笔者采用一对PM200DSA060双单元IPM模块分别代替图中V1、D1、V2、D2组合和V3、D3、V4、D4组合构成全桥逆变电路，利用DSP对IPM的控制，完成了中频率20kW、230V逆变器的设计和调试，采用了如上所述的驱动电路、图4(c)中的缓冲电路和基于DSP控制的软件IPM保护电路。设计实践表明：使用IPM可简化系统硬件电路、缩短系统开发时间、提高可靠性、缩小体积，提高保护能力。
6. 关于光耦电路的原理
光耦电路即光电耦合器一般由三部分组成，光的发射、光的接收及信号放大。输入的电信号驱动发光二极管（LED），使之发出一定波长的光，被光探测器接收而产生光电流，再经过进一步放大后输出。这就完成了电—光—电的转换，从而起到输入、输出、隔离的作用。
在光耦电路设计中，有两个参数需要格外注意，一个是反向电压Vr，是指原边发光二极管所能承受的最大反向电压，超过此反向电压，可能会损坏LED。而一般光耦中，这个参数只有5V左右，在存在反压或振荡的条件下使用时，要特别注意不要超过反向电压。
另外一个参数是光耦的电流传输比是指在直流工作条件下，光耦的输出电流与输入电流之间的比值。光耦的CTR类似于三极管的电流放大倍数，是光耦的一个极为重要的参数，它取决于光耦的输入电流和输出电流值及电耦的电源电压值，
这几个参数共同决定了光耦工作在放大状态还是开关状态，其计算方法与三极管工作状态计算方法类似。若输入电流、输出电流、电流传输比设计搭配不合理，可能导致电路不能工作在预想的工作状态。
光耦电路中C-E饱和电压Vce(sat)，即光敏三极管的集电极-发射极饱和压降。正向工作电压Vf(ForwardVoltage)，Vf是指在给定的工作电流下，LED本身的压降。常见的小功率LED通常以If=10mA来测试正向工作电压，当然不同的LED，测试条件和测试结果也会不一样。
(6)光耦外围电路如何配置扩展阅读；
线形光耦介绍，光隔离是一种很常用的信号隔离形式。常用光耦器件及其外围电路组成。由于光耦电路简单，在数字隔离电路或数据传输电路中常常用到，如UART协议的20mA电流环。对于模拟信号，光耦因为输入输出的线形较差，并且随温度变化较大，限制了其在模拟信号隔离的应用。
对于高频交流模拟信号，变压器隔离是最常见的选择，但对于支流信号却不适用。一些厂家提供隔离放大器作为模拟信号隔离的解决方案，如ADI的AD202，能够提供从直流到几K的频率内提供0.025%的线性度，但这种隔离器件内部先进行电压-频率转换。
对产生的交流信号进行变压器隔离，然后进行频率-电压转换得到隔离效果。集成的隔离放大器内部电路复杂，体积大，成本高，不适合大规模应用。
7. 关于光耦的一些问题
如图：R要根据你所接电压和电机M的工作电流来调整！单片机输出电压为5V所以R1一般用1/8W 500欧左右。（最好在M电机两端并一个二极管以保护电机停转时的反向电流将光耦击穿。
8. 用光耦PC817 如何设计12脚加直流5V电源，需要串个多大的电阻，34脚要输出直流5V电压，如何设计电路。
楼上那位你好像在胡说八道啊！！你是老师的话，就是误人子弟啊。PC817的发光二极管是1.1V左右的。如果5V驱动，只串几欧姆的电阻，这个光耦马上烧掉发光管。还说老师呢。。。无言
PC817用5mA驱动，在电源到光耦1脚串入470~1K的电阻都可以。
34脚这边，最大驱动能力50mA.如果够得话，直接集电极接5V，发射极接输出。用在单片机等可以。
如果要带比较重的负载。请加功率管放大，可以加个MOS管，用SI4410就很好，电流达到3A都没问题。。 。