1. NAND快閃記憶體中NAND的英文全名是什麼還有NOR的全名
NAND其實不是縮寫，是Not AND，意思是為：是與非。NOR的意思就是：是或非。
快閃記憶體結合了EPROM的高密度和EEPROM結構的變通性的優點。
EPROM是指其中的內容可以通過特殊手段擦去，然後重新寫入。其基本單元電路如下圖所示。常採用浮空柵雪崩注入式MOS電路，簡稱為FAMOS。它與MOS電路相似，是在N型基片上生長出兩個高濃度的P型區，通過歐姆接觸分別引出源極S和漏極D。
在源極和漏極之間有一個多晶硅柵極浮空在 絕緣層中，與四周無直接電氣聯接。這種電路以浮空柵極是否帶電來表示存1或者0，浮空柵極帶電後（例如負電荷），就在其下面。
源極和漏極之間感應出正的導電溝道，使MOS管導通，即表示存入0.若浮空柵極不帶電，則不能形成導電溝道，MOS管不導通，即存入1。
NAND快閃記憶體是一種比硬碟驅動器更好的存儲設備，在不超過4GB的低容量應用中表現得尤為明顯。隨著人們持續追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產品，NAND被證明極具吸引力。
NAND快閃記憶體是一種非易失性存儲技術，即斷電後仍能保存數據。它的發展目標就是降低每比特存儲成本、提高存儲容量。
2. 手機裡面的NAND是啥意思
這里說的16G絕對不是我們PC機經常說的內存，128MB的RAM才是內存。而16GB的空間相當於電腦的硬碟，用於給用戶存儲數據用的。NAND是一種快閃記憶體，也是用於存儲東西的。但是它存儲的東西是操作系統、啟動程序和文件系統。
我們一般不會直接去操作NAND，我們存儲東西就是用那個16G的空間。希望我的回答能夠解決你的疑惑。
謝謝
3. nand flash是什麼意思
flash存儲器是嵌入式硬體系統所使用的存儲設備，相當於PC機的硬碟，斷電後仍然能夠保存數據。一般固件（或者說，嵌入式軟體）就是保存在裡面的。
4. 什麼叫NAND快閃記憶體什麼叫NOR快閃記憶體 這兩者有什麼區別
NAND快閃記憶體是一種非易失性存儲技術，即斷電後仍能保存數據。它的發展目標就是降低每比特存儲成本、提高存儲容量。NOR Flash是一種非易失快閃記憶體技術，是Intel在1988年創建。
區別
1、快閃記憶體晶元讀寫的基本單位不同
應用程序對NOR晶元操作以「字」為基本單位。為了方便對大容量NOR快閃記憶體的管理，通常將NOR快閃記憶體分成大小為128KB或者64KB的邏輯塊，有時候塊內還分成扇區。讀寫時需要同時指定邏輯塊號和塊內偏移。
應用程序對NAND晶元操作是以「塊」為基本單位。NAND快閃記憶體的塊比較小，一般是8KB，然後每塊又分成頁，頁的大小一般是512位元組。要修改NAND晶元中一個位元組，必須重寫整個數據塊。
2、應用不同
NOR快閃記憶體是隨機存儲介質，用於數據量較小的場合；NAND快閃記憶體是連續存儲介質，適合存放大的數據。
3、速度不同
N AN D快閃記憶體晶元因為共用地址和數據匯流排的原因，不允許對一個位元組甚至一個塊進行的數據清空，只能對一個固定大小的區域進行清零操作；而NOR晶元可以對字進行操作。所以在處理小數據量的I/O操作的時候的速度要快與NAND的速度。
5. nands的意思是什麼_
你要找的是hands嗎？
hands
n.人手; 手( hand的名詞復數 ); （工具等的）把; 幫助;
希望採納哦！
6. nand flash 是什麼意思
flash存儲器是嵌入式硬體系統所使用的存儲設備，相當於PC機的硬碟，斷電後仍然能夠保存數據。一般固件（或者說，嵌入式軟體）就是保存在裡面的。
包括Nor flash和Nand flash。各有優缺點。Nand flash容量較大。
7. 手機參數里的NAND什麼意思
NAND快閃記憶體是一種比硬碟驅動器更好的存儲方案，這在不超過4GB的低容量應用中表現得猶為明顯。隨著人們持續追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產品，NAND正被證明極具吸引力。
16G手機存儲容量！
8. NAND什麼意思
NAND快閃記憶體是一種比硬碟驅動器更好的存儲設備，在不超過4GB的低容量應用中表現得猶為明顯。隨著人們持續追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產品，NAND被證明極具吸引力。NAND快閃記憶體是一種非易失性存儲技術，即斷電後仍能保存數據。它的發展目標就是降低每比特存儲成本、提高存儲容量。
拓展資料：
快閃記憶體結合了EPROM的高密度和EEPROM結構的變通性的優點。
EPROM是指其中的內容可以通過特殊手段擦去，然後重新寫入。其基本單元電路如下圖所示。常採用浮空柵雪崩注入式MOS電路，簡稱為FAMOS。它與MOS電路相似，是在N型基片上生長出兩個高濃度的P型區，通過歐姆接觸分別引出源極S和漏極D。
在源極和漏極之間有一個多晶硅柵極浮空在 絕緣層中，與四周無直接電氣聯接。這種電路以浮空柵極是否帶電來表示存1或者0，浮空柵極帶電後（例如負電荷），就在其下面，源極和漏極之間感應出正的導電溝道，使MOS管導通，即表示存入0.若浮空柵極不帶電，則不能形成導電溝道，MOS管不導通，即存入1。