⑴ 三星s7怎麼允許程序後台運行
一、首先在三星S7手機桌面點擊「智能管理器」圖標，如下圖所示。
⑵ 我剛買的森海塞爾IE80,前端用三星s7(沒有用專業播放器煲機)，我發現音量小的時候能聽見電流聲。
手機插上耳機有異響，建議您：
1.重新插拔耳機，將耳機正確插入手機中。
2.更換其他音樂播放嘗試。
3.調節媒體音量：應用程序-設定-音量-媒體音量-調大。
4.更換其他原配耳機嘗試。
⑶ 三星s7前置攝像頭效果怎麼樣，怎麼調白平衡和iso
三星s7 前置鏡頭效果挺不錯的，自拍很清晰
不過不確定是否能調iso之類的 如果能調你在相機拍照界面可以看到
⑷ 三星s7用兩個版本處理器有什麼意義
三星全新旗艦手機Galaxy S7/S7 edge將會在北京時間2月22號的凌晨1點發布，S7/S7 edge身上有許多亮點，例如雙曲面Super AMOLED屏幕，IP68級別的三防功能，佳能全像素雙核感測器技術等等，這確實能給用戶不少全新的體驗。而硬體配置作為良好體驗的基礎，旗艦的Galaxy S7/S7 edge又怎能落後呢?關於三星自主設計/製造的處理器，你又知多少呢?今天，筆者和大家一起聊聊三星處理器的發展歷程，以及Galaxy S7/S7 edge的「大腦」:Exynos 8890與驍龍820。
三星自主處理器的發展道路
三星作為半導體領域的IDM廠商，其自身具備IC的設計能力以及生產能力。三星移動處理器（以下簡稱為Soc）發展至今已經經歷了15個年頭，其中不少經典的移動產品像iPhone 1代、iPod nano 2都搭載有三星的Soc。除了Soc之外，三星的產業（移動設備內）還涉及到多方面的設計製造，例如手機上的LPDDR3/4 RAM、eMMC/UFS標準的ROM晶元、OLED屏幕、攝像頭模塊等等，是全球僅有的一家核心部件自給自足的手機廠商。當然，以上提及到的產品都可以出售，三星也有自己的晶圓生產基地，用於自家晶元的生產以及別家Fabless廠商的晶元代工，例如蘋果A9處理器，高通驍龍820處理器等等。關於IDM與Fabless的區別請點擊:
Exynos 4210/4212:三星首款雙核處理器
Exynos 4210/4212有一個為人熟悉的名字:獵戶座，其首次搭載在三星首款雙核手機:Galaxy S2（I9100）上，雖然這款神機年事已高，但CM團隊甚至為其推出了Android 6.0的Nightlies版本。Exynos 4210採用45nm製程節點製造，內置兩顆1.2GHz的arm Cortex-A9核心，集成Mali T400 GPU，支持LPDDR2/3內存，支持30fps/1080p的高清拍攝回放，性能不弱於同期的高通MSM8260以及Nvidia的Tegra 2。
Galaxy S2
除了Galaxy S2，這款處理器也搭載在Galaxy Note以及魅族MX上面。而之後的Exynos 4212更是升級到32nm HKMG製程工藝，主頻提高到1.5GHz。
Exynos 4412:四核心Cortex-A9架構
雖然Exynos 4412同樣採用4210/4212上的Cortex-A9核心，但32nm HKMG的製程工藝卻讓Cortex-A9發揮得更完美，以至於Exynos 4412內置4核A9在性能以及功耗上都取得了更好的平衡，GPU方面Exynos 4412依然集成Mali T400，同樣支持當時最高規格的LPDDR3，整體性能上和高通Snapdragon S4不相上下，但功耗控制卻比S4更優秀。
Galaxy S3
Exynos 4412搭載在Galaxy S3上面，而Galaxy Note2、魅族MX2同樣採用這款處理器。
Exynos 7420:更爭氣的A57+A53架構
Exynos 7420搭載在Galaxy S6系列機型上，是三星首款14nm FinFET LPE工藝的處理器產品，其內置4*A57+4*A53核心，A57主頻高達2.1GHz，集成Mali T760 GPU，也是三星首款支持LPDDR4內存的Soc，因為基於14nm LPE工藝，Exynos 7420性能強勁之餘也非常火熱，但已經比隔壁家的要好。
Galaxy S6 edge+
當然，除了上述的3款處理器之外，三星還有相當多值得一提的經典處理器，例如業界首款採用Cortex-A15內核的雙核Exynos 5250/四核Exynos 5410，與驍龍810同為A57+A53核心的Exynos 5433。考慮到文章篇幅過長，筆者就不一一解析了。而Exynos 8890作為三星2016年旗艦Soc，它到底是怎樣的呢?莫慌，繼續往下看。
Galaxy S7處理器有多少個版本
據悉，三星Galaxy S7擁有兩個處理器的版本，分別搭載了Exynos 8890以及高通820。而更有消息指國行S7採用的是高通驍龍820版本，而國際版採用的是Exynos 8890，這可能是因為1.國行有電信CDMA制式，而高通820內置的基帶以及捆綁的射頻晶元組支持全網通，三星也就免去了像Galaxy S6外掛高通基帶實現全網通的麻煩事，2.高通驍龍820採用三星14nm FinFET LPP製程工藝製造，換句話來說就是不熱了，三星也更願意使用驍龍820。
Exynos 8890/驍龍820參數解析
Exynos 8890
三星旗艦Soc，Exynos 8890基於三星14nm FinFET LPP工藝，在製程節點上與上代旗艦Exynos 7420相同，而工藝則從FinFET LPE升級到LPP，擁有更低的漏電率，主頻也能進一步拉高。而架構方面，8890內置4*Mongoose+4*A53核心，前面4個Mongoose內核默頻可達2.3GHz（超頻可達2.5GHz）用於提高性能，後面4個A53核心默頻為1.56GHz（超頻可達2.2GHz）用於兼顧功耗。而GPU方面則為Mali T880mp12（據悉存在配備mp16的版本）。
Exynos 8890
而內存方面依舊為雙通道的LPDDR4，值得一提的是Exynos 8890首次集成了基帶，下行支持Cat 12，理論速度達到600Mbps，而上行也支持到Cat 13，理論速度達到150Mbps。是三星自主處理器的又一里程碑。
驍龍820
高通旗艦Soc，同樣基於三星14nm FinFET LPP工藝，內置4*Kryo自主核心，其中2顆主頻為2.2GHz，另外兩顆主頻為1.7GHz，形成尺寸一樣但頻率不同的「大小核心」。GPU方面則是Adreno 530，支持OpenGL ES3.1+，為游戲開發商提供功能更多的API介面。另外，為了兼顧功耗，驍龍820集成了低功耗的Hexagon 680 DSP協處理器，除了協助CPU/GPU運算之外，還用以處理長掛模塊（如GPS衛星）的運算工作，手機安全防護功能等等。
驍龍820
內存則為雙通道LPDDR4，內置的X12 LTE基帶支持下行三載波聚合，上行雙載波聚合技術，下行速度達到600Mbps，採用256 QAM射頻標准，達Cat 12，而上行則達到150Mbps，達到Cat 13標准。配合RF360前端射頻晶元組，支持全網通、LTE-U、VoLTE等最新技術。支持QC3.0快速充電。
Exynos 8890/驍龍820 性能表現
結果來自Geekbench資料庫與GFXbench（全為Offscreen）資料庫。
搭載上述兩款Soc的機型還沒開賣，所以僅能通過理論跑分成績來說明兩者的性能表現。單從數據上看來，Exynos 8890的單核性能與驍龍820相當，但畢竟前者有8個物理核心，後者只有4個，所以在多核性能表現上Exynos 8890領先於驍龍820達26.1%，但GPU方面，驍龍820集成的Adreno 530似乎理論上比Exynos 8890的Mali T880mp12更強，但兩者的差距並不是特別大，相信驍龍820能流暢玩的游戲，Exynos 8890也不會出現卡頓，但這也取決於具體游戲對兩款GPU的優化情況。
Car Chase
Manhattan 3.1
Manhattan
T-Rex
而隨著這兩款Soc的機型大量出貨，其驅動以及軟體/游戲的優化也會陸續跟上，相信具體性能會繼續往上攀升。
Exynos 8890/驍龍820 發熱表現
可能很多朋友會對這兩款處理器產生疑問，這么強大的處理器，發熱怎麼樣。鑒於筆者手上也沒有搭載這兩款處理器的相應機型，所以具體發熱狀況暫且不妄下定論。但它們同時採用14nm FinFET LPP工藝製造，相信發熱「理論」上會得到控制，究竟FinFET是什麼?它又有什麼作用呢?筆者來簡單闡述一下。
FinFET顯微圖
其實早在10多年前，就有人提出FinFET這個結構，FinFET主要重新設計了晶體管裡面的S/D兩級以及最為關鍵的Gate結構（什麼是S/D/Gate今天不說，不然文章起碼要多2000字），讓Gate對通/斷的控制力更強，也就是在更先進的製程節點上，減少S/D兩級之間的漏電流，而漏電流會直接影響處理器的功耗。而驍龍810的20nm HKMG工藝，就是Gate控制力低下（對於20nm節點），導致漏電問題嚴重，所以發熱以及功耗得不到良好的控制。
FinFET工藝示意圖
而台積電/三星在16nm/14nm節點上都使用了FinFET技術，增強了Gate對S/D的控制力，減少漏電流。此外，隨著三星14nm FinFET LPE過渡到LPP工藝的成熟，良品率會逐漸上升，成本慢慢下降，也利於三星在晶圓的製造過程中使用更好的工藝去控制功耗。
Exynos 8890與驍龍820的發熱情況本站將會進行相應的測試。
總結:超便攜移動穿戴設備更值得關注
搭載Exynos 8890的Galaxy S7即將發布。另外，在15年12月的驍龍820亞洲首秀上，高通表示已經有超過70款終端採用這顆處理器，相信到現在已經突破了這一數字。
高通/三星/聯發科
而聯發科方面，搭載Helio X20/P20的手機也將在今年的第一季度上市，就國內市場看來，擁有十核心的Helio X20在宣傳上確實會佔到上風，而且X20也會陸續下放到高性價比的千元手機上，這樣X20在同價位手機上將直接面對高通驍龍652/650，而高端市場則主要以驍龍820以及Exynos 8890為主。
另外，這幾年可穿戴等便攜移動終端的普及，台積電等fab廠商已經推出面向超低功耗市場的製程工藝，例如16nm FFC以及28nm HPC/HPC+。這也在考驗著處理器廠商對自家產品線的規劃，高通方面已經推出了14nm的驍龍625、28nm的驍龍435等低功耗處理器，聯發科也發布了16nm的P20以及28nm的P10，這些處理器除了充當手機的「大腦」之外，還在對可穿戴/無人機市場進行試水。
Galaxy S7
而三星方面又會如何呢?傳說中的14nm Exynos 7870表現又會怎樣呢?我們還是好好等待吧!
⑸ 想買個千元以下而頭戴式耳機，前端為三星s7edge。覺得akgy50顏值還是不錯的，有沒有什麼推薦
耳機三星不應該是首選，像Sony、森海塞爾、魔聲、akg都是不錯的。
⑹ 三星S7的參數配置是什麼
如需了解S7的規格參數，請參考以下介紹：1.屏幕：5.1英寸的Super AMOLED屏，解析度：2560 x 1440（Quad HD）。2.外形體積是：142.4 x 69.6 x 7.9mm；重量為152g。3.外殼顏色：金色、黑色、白色、銀色（以實際銷售為准）。4.CPU(處理器)：2.15GHz+1.6GHz，四核處理器。5.內存：總ROM內存為32GB；總RAM內存為4GB；最高支持256GB的MicroSD卡。6.攝像頭：後置攝像頭1200萬像素，前置攝像頭500萬像素。7.藍牙版本：藍牙4.2。8.USB採用2.0介面。9.電池容量為3000mAh。
⑺ 三星s7後殼前端摔了裡面好像進了空氣鼓了起來
手機受到強烈震盪或擠壓後，有可能會照成元器件的虛焊，短路,屏幕局部損壞或排線座虛接、手機殼變形等情況，需要對三星手機硬體實物進行現場檢測，才能具體進行判斷。
為了更針對性的了解並解決手機出現的問題，建議將手機送至就近的三星服務中心進行檢測，服務中心會根據檢測結果確定手機的具體問題、配件、是否在包修范圍及維修價格。
所處地區是否有三星電子服務中心查詢：可訪問三星官網\售後服務欄目，即可查詢到就近的三星授權服務中心的聯系方式及地址