❶ 標志存儲器有哪幾種標志
應該是在說匯編語言裡面的"標誌寄存器"吧? 如果我沒記錯的話16位寄存器中 第0,2,6,7,10,11分別是:CF,PF,ZF,SF,DF,OF. 他們的中文忘記了.我也懶得打.Google了下網路.直接貼給你了. 第0位 CF：進位（借位）標志位，對無符號運算有意義 第2位 PF：奇偶標志位， 偶數PF=1 第6位 ZF：結果是否是0 第7位 SF：結果是否為負 第10位 DF：方向標志位 DF：0 每次操作後SI、DI遞增，使用CLD置DF為0 DF：1 每次操作後SI、DI遞減，使用STD置DF為1 第11位 OF：溢出標志位，對有符號運算有意義
記得採納啊
❷ 內存的顆粒識別，詳解
您好，現在內存顆粒主要有以下廠家的產品：
samsung(三星),elpida（爾必達）,hynix,（現代）nanya,（藍牙）infineon，（英飛凌）
在內存顆粒上都會有用激光蝕刻上去的相應的logo,您可以看得到，具體各個廠家的產品編碼序列號的意思可以參考下面的內容：
DDR SDRAM：
HYNIX DDR SDRAM顆粒編號：
HY XX X XX XX X X X X X X X - XX X
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 - 13 14
整個DDR
SDRAM顆粒的編號，一共是由14組數字或字母組成，他們分別代表內存的一個重要
參數，了解了他們，就等於了解了現代內存。
顆粒編號解釋如下：
1． HY是HYNIX的簡稱，代表著該顆粒是現代製造的產品。
2． 內存晶元類型：（5D=DDR SDRAM）
3． 處理工藝及供電：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V &
VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）
4． 晶元容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M
4K刷新；56：256M
8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）
5． 內存條晶元結構：（4＝4顆晶元；8＝8顆晶元；16＝16顆晶元；32＝32顆芯
片）
6． 內存bank（儲蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）
7． 介面類型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）
8． 內核代號：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）
9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）
10．封裝類型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））
11．封裝堆棧：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU
＝MCP（UTC））
12．封裝原料：（空白=普通；P=鉛；H＝鹵素；R=鉛+鹵素）
13．速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2
-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）
14．工作溫度：（I=工業常溫（-40 - 85度）；E=擴展溫度（-25 - 85度））
由上面14條註解，我們不難發現，其實最終我們只需要記住2、3、6、13等幾處數
字的實際含義，就能輕松實現對使用現代DDR SDRAM內存顆粒的產品進行辨別。尤
其是第13位數字，它將明確的告訴消費者，這款內存實際的最高工作狀態是多少
。假如，消費者買到一款這里顯示為L的產品（也就是說，它只支持DDR200）
註：有的編碼沒有那麼長，但幾個根本的數字還是有的
LGS的內存可以說是目前市場上見到的最多，也是最廣泛的內存了，所以LGS應該
首先排第一位。
LGS的內存編碼規則：
GM 72 X XX XX X X X X X XXX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
定義：
1、GM代表LGS公司。
2、72代表SDRAM。
3、V代表3V電壓。
4、內存單位容量和刷新單位：其中：16：16M，4K刷新；17：16M，2K刷新；28：
128M，4K刷新；64： 64M，16K刷新。65：64M，8K刷新；66：64M，4K刷新。
5、數據帶寬：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位。
6、晶元組成：1：1BAND，2：2BANK，4：4BANK，8：8BANK
7、I／O界面：一般為1
8、產品系列：從A至F。
9、功耗：空白則是普通，L是低功
10、封裝模式：一般為T（TSOP）
11、速度：其中：8：8NS，7K：10NS（CL2），7J（10NS，CL2&3），10K（10NS[
一說15NS]，PC66）， 12（12NS，83HZ），15（15NS，66HZ）
二、HY（現代HYUNDAI）
現代是韓國著名的內存生產廠，其產品在國內的佔用量也很大。
HY的編碼規則：
HY 5X X XXX XX X X X X－ XX XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
定義：
1、HY代表現代。
2、一般是57，代表SDRAM。
3、工藝：空白則是5V，V是3V。
4、內存單位容量和刷新單位：16：16M4K刷新；64：64M，8K刷新；65：64M，4K
刷新；128：128M， 8K刷新；129：128M，4K刷新。
5、數據帶寬：40：4位，80：8位，16：16位，32：32位。
6、晶元組成：1：2BANK，2：4BANK；3：8BANK；
7、I／O界面：一般為0
8、產品線：從A－D系列
9、功率：空白則為普通，L為低功耗。
10、封裝：一般為TC（TSOP）
11、速度：7：7NS，8：8NS，10P：10NS（CL2&3），10S：10NS，（PC100，CL3）
，10：10NS，12： 12NS，15：15NS
三、SEC（三星SAMSUNG）
做為韓國著名的電器廠商，三星的重要性不必多說，在內存方面，三星的產量雖
然不及上兩者大，但是三星一直專注於高品質、高性能的產品。三星的標識不是
很容易的就可以讀出來，而且三星的產品線較全，所以品種非常多，此處僅供普
通SDRAM參考。
SEC編碼規則：
KM4 XX S XX 0 X X XT－XX
1 2 3 4 5 6 7 89 10 11
1、KM代表SEC三星，此處編碼一般均為4。
2、數據帶寬：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位。
3、一般均為S
4、這個數乘以S前邊的位數就是內存的容量。
5、一般均為0
6、晶元組成：2：2BANK，3：4BANK
7、I／O界面：一般為0
8、版本號
9、封裝模式：一般為T：TSOP
10、功耗：F低耗，G普通
11、速度：7：7NS，8：8NS，H：10NS（CL2&3），L：10NS（CL3），10：10NS。
四、MT（MICRON美凱龍）
美凱龍是美國著名的計算機生產商，同時也是一家計算機設備製造商，其內存的
產品聞名全美國，被廣泛的機器所採用。美凱龍內存的品質優異，但價格較韓國
的產品略高。
MT48 XX XX M XX AX TG－XX X
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
1、MT代表美凱龍MICRON
2、48代表SDRAM。
3、一般為LC：普通SDRAM
4、此數與M後位數相乘即為容量。
5、一般為M
6、位寬：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位
7、AX代表write Recovery(twr)，A2則代表twr=2clk
8、TG代表TSOP封裝模式。
9、速度：7：7NS，75：7．5NS，8X：8NS（其中X為從A到E：讀取的周期分別是：
333，323，322， 222，222，所以D和E較好），10：10NS
10、如有L則為低功耗，空白則為普通。
五、HITACHI（日立HITACHI）
日立是日本的著名的微電子生產廠，其內存雖然在市場上佔有量不大，但品質還
是不錯的！
HM 52 XX XX 5 X X TT－ XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9
1、HM代表日立。
2、52代表SDRAM，51則為EDO
3、容量
4、位寬：40：4位，80：8位，16：16位
5、一般為5
6、產品系列：A－F
7、功耗：L為低耗，空白則為普通
8、TT為TSOP封裝模式
9、速度：75：7．5NS，80：8NS，A60：10NS（CL2&3），B60：10NS（CL3）
六、SIEMENS（西門子）
西門子是德國最大的產業公司，其產品包羅萬向，西門子的電子產品也是歐洲最
大的品牌之一（另一是PHILIPS）。西門子的內存產品多為台灣的OEM廠商製造的
，產品品質還算不錯。
HYB39S XX XX 0 X T X －X
1 2 3 4 5 6 7 8 9
1、HYB代表西門子
2、39S代表SDRAM
3、容量
4、位寬：40：4位，80：8位，16：16位
5、一般為0
6、產品系列
7、一般為T
8、L為低耗，空白為普通
9、速度：
6：6NS，7：7NS，7．5：7．5NS，8：8NS（CL2），8B：10NS（CL3），10：10NS
七、FUJITSU（富士通FUJITSU）
富士通是日本專業的計算機及外部設備製造商，他的內存產品主要是供應OEM商，
市場上僅有少量零售產品。
MB81 X XX XX X2 X－XXX X FN
1 2 3 4 5 6 7 8 9
1、MB81代表富士通的SDRAM
2、PC100標準的多為F，普通的內存為1
3、容量
4、位寬：4：位，8：8位，16：16位，32：32位
5、晶元組成：22：2BANK，42：4BANK
6、產品系列
7、速度：60：6NS，70：7NS，80：8NS，102：10NS（CL2&3），103：10NS（CL3
），100：10NS，84： 12NS，67：15NS
八、TOSHIBA（東芝）
東芝是日本著名的電器製造商，其在高端領域也有產品，例如計算機產品及通訊
衛星等等。TOSHIBA的內存產品在市場上見到的不多。
TC59S XX XX X FT X－XX
1 2 3 4 5 6 7 8
1、TC代表東芝
2、59S代表普通SDRAM
3、容量：64：64MBIT，128：128MBIT
4、位寬：04：4位，08：8位，16：16位，32：32位
5、產品系列：A－B
6、FT為TSOP封裝模式
7、空白為普通，L為低功耗
8、速度；75：7．5NS，80：8NS，10：10NS（CL3）
九、MITSUBISHI（三菱）
三菱是日本的一家汽車製造公司，因其多元化發展，所以在IT業和家電業也有產
品，三菱的微集成電路技術不同一般，所以其在內存領域也佔有一席之地，因為
速度、品質優異，而成為INTEL的PII／PIIICPU的緩存供應商。普通SDRAM方面，
因為較貴，所以市場上少見。
M2 V XX S X 0 X TP－XX X
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
1、M2代表三菱產品
2、I／O界面。一般為V
3、容量
4、一般為S，說明是SDRAM
5、位寬：2：4位，3：8位，4：16位
6、一般為0
7、產品系列
8、TP代表TSOP封裝
9、速度：
8A：8NS，7：10NS（CL2&3），8：10NS（CL3），10：10NS。
10、空白為普通，L為低耗。
❸ 目前內存條、內存顆粒廠都有哪些
內存顆粒目前由美光(Micron)，三星(SAMSUNG)，現代(Hynix)，英飛凌(Infineon)，勤茂(TwinMOS)，南亞(NANYA)，華邦(Winbond)，茂矽(MOSEL)，ELPIDA等半導體大廠提供。內存條大多隻是內存條牌子而不是內存顆粒，也有內存顆粒廠商出自己的內存牌子，例如美光Micron，就有英睿達Crucial以及鉑勝Ballistix內存。
❹ 金士頓內存kvr16n11s8/4-sp各個字母是什麼意思
KVR的意思是金士頓經濟型，16代表頻率是1600，CAS延時是11，S代表是內存顆粒單列，8代表的意思是DRAM類型，意思是8-8*DRAN晶元 ，/4代表的意思是內存的容量4G，SP是窄版節能型。
由於內存在標簽上並沒有具體統一的格式，所以在識別時候有些麻煩。一般的標簽都必須有的信息為容量(2048MB)、頻率(1066MHz)、延遲(5-6-6-18)、電壓(2.10V)等信息，這些也都是最基本的參數。
(4)存儲晶元有s的logo擴展閱讀：
內存條通常有8MB，16MB，32MB，64MB，128MB，256MB等容量級別，從這個級別可以看出，內存條的容量都是翻倍增加的。
目前，64MB，128MB內存已成為了主流配置，而用於諸如圖形工作站的內存容量則已高達256MB或512MB，甚至更高。SDRAM內存條有雙面和單面兩種設計，每一面採用8顆或者9顆(多出的一顆為ECC驗)SDRAM晶元。
內存又稱主存，是CPU能直接定址的存儲空間，由半導體器件製成。內存的特點是存取速率快。內存是電腦中的主要部件，它是相對於外存而言的。
❺ ssku 是什麼品牌
SB主控晶元(MCU),相當於CPU,通過HID協議和電腦溝通,2-存儲晶元,可以理解為內存上的顆粒,3-頻率驅動部分,可以理解為脈搏,實際上是晶振和周邊電路,現在大部分已經把晶振集成到主控晶元里了。但是,U盤行業有些技術含量不高(山寨盤）或是很多仿製 造假的（自己絲印品牌的logo)廠家，採用的主控USB晶元很多用的是殘次品或返修品,就會造成上述現象,還有一種情況是主控晶元和存儲 晶元不兼容,這個一般是主控晶元的版本和存儲晶元的搭配有問題，主要是電路搭配方面，造成的原因是有些設計技術水平很差的山寨盤,一般不會關注每次到貨的主控晶元版本(呵呵,關鍵是他們拿不到原廠晶元的SPEC更新)所以就想當然地按照舊版本晶元設計新版本晶元的周邊電路（當然舊版本晶元不代表質量有問題,因為晶元原廠為了市場或修正bug,需要更新外觀相同但是內部集成電路或Firmwar不同的主控)，因為這一點造成U盤問題很多，同時也是造成為 什麼都是同樣容量,但是不同品牌不同規格的U盤，傳輸數據竟然相差很多;還有一種問題現象是復制大數據的時候死機或提示容量不足甚至數據突然丟失。(申明,上述解釋是從下面這個店鋪摘的)，給大家推薦一品牌,台灣PQI(勁永國際)，08年才在中國大陸上市，他們的產品設計都高端精品,承諾「終身保固」（呵呵，什麼叫終身保固,「保固」應該是保修吧)，情人節前,我從淘寶網上搜到一個叫"ALi秋秋」的店鋪（給我和我女朋友買了一對情侶U盤,設計太經典了，速度簡直太快了；誰要是有興趣的話可以通過淘寶的旺旺添加「ALi秋秋」,在店鋪里可以看到很多新上市的產品（掌櫃好像是台灣PQI中國區運營中心的)
❻ 存儲晶元包括
存儲晶元，是嵌入式系統晶元的概念在存儲行業的具體應用。因此，無論是系統晶元還是存儲晶元，都是通過在單一晶元中嵌入軟體，實現多功能和高性能，以及對多種協議、多種硬體和不同應用的支持。按照不同的技術，存儲器晶元可以細分為EPROM、EEPROM、SRAM、DRAM、FLASH、MASK ROM和FRAM等。
存儲器技術是一種不斷進步的技術，隨著各種專門應用不斷提出新的要求，新的存儲器技術也層出不窮，每一種新技術的出現都會使某種現存的技術走進歷史，因為開發新技術的初衷就是為了消除或減弱某種特定存儲器產品的不足之處。
例如，快閃記憶體技術脫胎於EEPROM，它的一個主要用途就是為了取代用於PC機BIOS的EEPROM晶元，以便方便地對這種計算機中最基本的代碼進行更新。 盡管目前非揮發性存儲器中最先進的就是快閃記憶體，但技術卻並未就此停步。
生產商們正在開發多種新技術，以便使快閃記憶體也擁有像DRAM和SDRAM那樣的高速、低價、壽命長等特點。總之，存儲器技術將會繼續發展，以滿足不同的應用需求。就PC市場來說，更高密度、更大帶寬、更低功耗、更短延遲時間、更低成本的主流DRAM技術將是不二之選。
而在其它非揮發性存儲器領域，供應商們正在研究快閃記憶體之外的各種技術，以便滿足不同應用的需求，未來必將有更多更新的存儲器晶元技術不斷涌現。
❼ SM是哪個儲存器的標識符
sm話音存儲器：Speech Memory的縮寫
❽ 帶S標識的晶元也是威剛的內存嗎
1、威剛本身不生產內存顆粒，只是用買來的內存顆粒封裝成內存條。而帶大S標識的是美光的晶元，鎂光有一家子公司Spectek，是專門處理美光檢測中不合格的降級顆粒。這些降級內存顆粒會打上Spectek的大S標志，被稱為大S顆粒。大S顆粒都是美光的降級片。
2、不過不能一概而論降級片就是垃圾。如果美光生產3200MHz頻率的內存顆粒，把達不到要求的給Spectek降級成2400MHz標准處理售賣，那你不能說這些顆粒達不到3200MHz要求就是垃圾顆粒，只能說是不符合3200MHz要求的顆粒。不過也有些大S顆粒是更低端的內存篩選標准篩選下來的，良率特低，這些就是垃圾顆粒了。
3、因此大S顆粒魚龍混雜，也是很多山寨內存條喜歡用的內存顆粒，新手最好避開這種大S顆粒。
❾ 嵌入式存儲晶元下面的EMMC,TSD，FSD分別是什麼意思代表著什麼
emmc是新一代的手機存儲方案，比較經濟的同時性能也很好。
❿ 這是什麼牌子的固態電容c 裡面 有個s ,這個logo
16V270uf，找這個規格電容就可以，跟牌子沒關系，一樣用。正負極別焊錯了就OK。似乎是日系三洋。