1. U盤是一種，可移動的半導體集成電路存儲器。 是對還是錯為什麼
你好，是對的。USB是英文Universal Serial Bus的縮寫，中文含義是「通用串列匯流排」，用第一個字母U命名，所以簡稱「U盤」。U盤是半導體存儲器，U盤內集成的是Flash晶元，存儲介質為半導體，為mos管。而mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconctor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。所以你的判斷是對的。如有問題，歡迎繼續討論。祝開心！
2. u盤也屬於磁性存儲介質嗎
不是的。U盤是以快閃記憶體晶元為存儲介質的存儲設備。U盤原理的結構基本上由五部分組成：USB埠、主控晶元、FLASH（快閃記憶體）晶元、PCB底板、外殼封裝。
USB埠負責連接電腦，是數據輸入或輸出的通道；主控晶元負責各部件的協調管理和下達各項動作指令，並使計算機將U盤識別為「可移動磁碟」，是U盤原理的「大腦」；FLASH晶元與電腦中內存條的原理基本相同，是保存數據的實體，其特點是斷電後數據不會丟失，能長期保存；PCB底板是負責提供相應處理數據平台，且將各部件連接在一起。
3. 硬碟，軟盤，磁碟，U盤，有什麼區別啊
磁碟最主要的用途就是保存電腦里的信息。
計算機的存儲器有兩類，一類是內部存儲器，一斷電就會把記住的東西丟失，一類是外部存儲器，斷了電也能存住。
外部存儲器，主要是磁碟，它所存儲的信息不受斷電的影響。磁碟又分為兩類，一類是硬碟，一類是軟盤。
硬碟的容量比較大，也就是說它能記錄的信息比較多，而且一般都裝在機箱裡面。軟盤的容量就相對比較小了，一般放在機箱外面。
計算機上有個特殊的地方叫做軟盤驅動器，要用軟盤的時候就把它放進這個地方，不用的時候可以很方便地拿出來帶走。
硬碟在機箱裡面負責儲存數據，而軟盤用來搬運數據，硬碟的容量大，軟盤的容量小，這就是它們的區別，一般說來，硬碟的容量大約是軟盤的幾百到幾萬倍。
另外硬碟的存取速度比軟盤快得多。存取速度，就是我們向磁碟儲存數據和從磁碟上得到數據的快慢，這個速度越快，我們等待的時間就越少。
u盤又稱快閃記憶體檔，是用來存儲移動數據的，她體積小、重量輕，速度快，不易損壞，是取代軟盤的一種存儲媒介。U盤用計算機的usb介面來存取數據，可以使互不相聯的電腦數據轉移共享,有了網路U盤就可以把你喜歡聽的歌曲，文件，圖片，等等網路上的資源下載到u盤,再轉到別的電腦了.
4. 如何區分u盤的存儲介質（是磁碟還是晶元）有沒有什麼區分的軟體
存儲介質一般分為光存儲（CD，DVD等）、磁存儲（硬碟，磁帶等）和電存儲（內存條、U盤等）。
快閃記憶體（Flash
ROM），是一種採用集成電路的可多次擦寫的存儲器。廣泛用於U盤、
數碼設備的存儲卡等領域。有體積小便於攜帶，不怕震動，不磨損，保存時間長等優點。和其他存儲設備相比主要缺點是速度慢，容量小。隨著科技的進步，這些缺點也在逐漸被克服，高端的快閃記憶體容量已經達到4GB以上，擦些速度也達到每秒鍾幾十兆。
5. U盤屬於什麼媒體
咨詢記錄 · 回答於2021-11-05
6. 存儲介質是什麼
存儲介質是指存儲數據的載體。比如軟盤、光碟、DVD、硬碟、快閃記憶體、U盤、CF卡、SD卡、MMC卡、SM卡、記憶棒（Memory Stick）、xD卡等。目前最流行的存儲介質是基於快閃記憶體（Nand flash）的，比如U盤、CF卡、SD卡、SDHC卡、MMC卡、SM卡、記憶棒、xD卡等。
轉自網路
詳情參考
http://ke..com/link?url=TQXEsGye-Ntf-
7. U盤的存儲介質是什麼意思哪種比較好啊
優盤由控電路和快閃記憶體記憶體組成
要講解快閃記憶體的存儲原理，還是要從EPROM和EEPROM說起。
EPROM是指其中的內容可以通過特殊手段擦去，然後重新寫入。其基本單元電路（存儲細胞）如下圖所示，常採用浮空柵雪崩注入式MOS電路，簡稱為FAMOS。它與MOS電路相似，是在N型基片上生長出兩個高濃度的P型區，通過歐姆接觸分別引出源極S和漏極D。在源極和漏極之間有一個多晶硅柵極浮空在SiO2絕緣層中，與四周無直接電氣聯接。這種電路以浮空柵極是否帶電來表示存1或者0，浮空柵極帶電後（譬如負電荷），就在其下面，源極和漏極之間感應出正的導電溝道，使MOS管導通，即表示存入0。若浮空柵極不帶電，則不形成導電溝道，MOS管不導通，即存入1。
EEPROM基本存儲單元電路的工作原理如下圖所示。與EPROM相似，它是在EPROM基本單元電路的浮空柵的上面再生成一個浮空柵，前者稱為第一級浮空柵，後者稱為第二級浮空柵。可給第二級浮空柵引出一個電極，使第二級浮空柵極接某一電壓VG。若VG為正電壓，第一浮空柵極與漏極之間產生隧道效應，使電子注入第一浮空柵極，即編程寫入。若使VG為負電壓，強使第一級浮空柵極的電子散失，即擦除。擦除後可重新寫入。
快閃記憶體的基本單元電路如下圖所示，與EEPROM類似，也是由雙層浮空柵MOS管組成。但是第一層柵介質很薄，作為隧道氧化層。寫入方法與EEPROM相同，在第二級浮空柵加以正電壓，使電子進入第一級浮空柵。讀出方法與EPROM相同。擦除方法是在源極加正電壓利用第一級浮空柵與源極之間的隧道效應，把注入至浮空柵的負電荷吸引到源極。由於利用源極加正電壓擦除，因此各單元的源極聯在一起，這樣，快擦存儲器不能按位元組擦除，而是全片或分塊擦除。 到後來，隨著半導體技術的改進，快閃記憶體也實現了單晶體管（1T）的設計，主要就是在原有的晶體管上加入了浮動柵和選擇柵，
在源極和漏極之間電流單向傳導的半導體上形成貯存電子的浮動棚。浮動柵包裹著一層硅氧化膜絕緣體。它的上面是在源極和漏極之間控制傳導電流的選擇/控制柵。數據是0或1取決於在硅底板上形成的浮動柵中是否有電子。有電子為0，無電子為1。
快閃記憶體就如同其名字一樣，寫入前刪除數據進行初始化。具體說就是從所有浮動柵中導出電子。即將有所數據歸「1」。
寫入時只有數據為0時才進行寫入，數據為1時則什麼也不做。寫入0時，向柵電極和漏極施加高電壓，增加在源極和漏極之間傳導的電子能量。這樣一來，電子就會突破氧化膜絕緣體，進入浮動柵。
讀取數據時，向柵電極施加一定的電壓，電流大為1，電流小則定為0。浮動柵沒有電子的狀態（數據為1）下，在柵電極施加電壓的狀態時向漏極施加電壓，源極和漏極之間由於大量電子的移動，就會產生電流。而在浮動柵有電子的狀態（數據為0）下，溝道中傳導的電子就會減少。因為施加在柵電極的電壓被浮動柵電子吸收後，很難對溝道產生影響。
8. U盤的存儲介質是什麼
存儲介制是指移動硬碟內部所採用硬碟介制的類型。
目前移動硬碟內所採用的硬碟類型主要有三種：3.5寸台式機硬碟；2.5寸筆記本硬碟；1.8寸微型硬碟。
其中3.5寸台式機硬碟，就是DIY市場內最為廣泛的硬碟產品，專門應用於台式機系統，是三種硬碟中尺寸最大、重量最大的一個。由為是設計給台式機使用，對於防震方面並沒有特殊的設計，此類產品應用於移動硬碟內部，一定程度上降低了數據的安全性，而且攜帶也不大方便，不過在價格和容量方面還具備一定的優勢。
2.5寸筆記本硬碟則是專門為筆記本設計的，在防震方面也有專門的設計，抗震性能不錯，尺寸、重量都較小，在目前移動硬碟中應用最多。
1.8英寸微型硬碟，也是針對筆記本設計的，抗震方面不成什麼問題，而且尺寸、重量也是三者中最小的，但其價格還處於較高的層次，普及還比較困難，更適合特殊需要的用戶，而且容量也比較小。
9. U盤內的存儲介質是FLASH還是磁軌
U盤內的存儲介質是一種稱之為flash晶元的電子器件，類似於EPROM和EEPROM，相對於EPEOM和EEPROM來說，flash更易於擦寫。
對於硬碟和光碟以及軟盤來說才有磁軌的說法，因為它們是利用物理介質來記錄數據的。
10. 剛才我們老師說U盤屬於磁存儲器。我覺得應該是半導體存儲器呀！哪位
U盤是半導體存儲器，USB是英文Universal Serial Bus的縮寫，中文含義是「通用串列匯流排」，用第一個字母U命名，所以簡稱「U盤」。U盤內集成的是Flash晶元，存儲介質為半導體，為mos管。而mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconctor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。
半導體存儲器和磁芯存儲器最大的不同，就是半導體存儲器體積小，容量大，速度快，磁芯存儲器是體積大，容量小，速度慢。半導體存儲器用半導體的通斷狀態來記錄數據,體積可以做的很小，容量卻很大。磁芯存儲器是華裔王安於1948年發明的，磁芯的英文名稱就是core，磁芯存儲器就叫作core memory。磁芯存儲器用磁芯的磁極方向來存儲數據,體積大,速度慢,容量小，性能遠不上半導體存儲器，所以逐步被淘汰，現在很少使用。