『壹』 DDR GDDR SDDR 有什麼區別
SDDR 自Intel Celeron系列以及AMD K6處理器以及相關的主板晶元組推出後，EDO DRAM內存性能再也無法滿足需要了，內存技術必須徹底得到個革新才能滿足新一代CPU架構的需求，此時內存開始進入比較經典的SDRAM時代。
DDR應該叫DDR SDRAM，人們習慣稱為DDR，部分初學者也常看到DDR SDRAM，就認為是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態隨機存儲器的意思。DDR內存是在SDRAM內存基礎上發展而來的，仍然沿用SDRAM生產體系，因此對於內存廠商而言，只需對製造普通SDRAM的設備稍加改進，即可實現DDR內存的生產，可有效的降低成本。
GDDR是專門為顯卡制定的DDR內存，G就是graphics的簡寫
SDDR3單顆位寬只有GDDR3的一半，但存儲密度卻是GDDR3的兩倍，而且在相同頻率下(比如2000MHz)，SDDR3的核心頻率是GDDR3的一半，因此功耗發熱要低很多。SDDR3目前主流規格為64Mx16Bit和32Mx16Bit，這樣的規格意味著SDDR3比現時流行的GDDR3顯存顆粒擁有更大的單顆容量。
『貳』 求教SDRAM存儲器的結構和工作原理
SDRAM
SDRAM，即Synchronous DRAM（同步動態隨機存儲器），曾經是PC電腦上最為廣泛應用的一種內存類型，即便在今天SDRAM仍舊還在市場佔有一席之地。既然是「同步動態隨機存儲器」，那就代表著它的工作速度是與系統匯流排速度同步的。SDRAM內存又分為PC66、PC100、PC133等不同規格，而規格後面的數字就代表著該內存最大所能正常工作系統匯流排速度，比如PC100，那就說明此內存可以在系統匯流排為100MHz的電腦中同步工作。
與系統匯流排速度同步，也就是與系統時鍾同步，這樣就避免了不必要的等待周期，減少數據存儲時間。同步還使存儲控制器知道在哪一個時鍾脈沖期由數據請求使用，因此數據可在脈沖上升期便開始傳輸。SDRAM採用3.3伏工作電壓，168Pin的DIMM介面，帶寬為64位。SDRAM不僅應用在內存上，在顯存上也較為常見。
『叄』 計算機存儲器的分類
計算機存儲器可以根據存儲能力與電源的關系可以分為以下兩類：
一、易失性存儲器（Volatile memory)是指當電源供應中斷後，存儲器所存儲的數據便會消失的存儲器。主要有以下的類型：
1、動態隨機訪問存儲器，英文縮寫寫作DRAM，一般每個單元由一個晶體管和一個電容組成（後者在集成電路上可以用兩個晶體管模擬）。
特點是單元佔用資源和空間小，速度比SRAM慢，需要刷新。一般計算機內存即由DRAM組成。在PC上，DRAM以內存條的方式出現，DRAM顆粒多為4位或8位位寬，而載有多個顆粒的單根內存條的位寬為64位。
2、靜態隨機存取存儲器，英文縮寫寫作SRAM，一般每個單元由6個晶體管組成，但近來也出現由8個晶體管構成的SRAM單元。特點是速度快，但單元佔用資源比DRAM多。一般CPU和GPU的緩存即由SRAM構成。
二、非易失性存儲器（Non-volatile memory）是指即使電源供應中斷，存儲器所存儲的數據並不會消失，重新供電後，就能夠讀取存儲器中的數據。 主要種類如下：
1、只讀存儲器：可編程只讀存儲器、可擦除可規劃式只讀存儲器、電子抹除式可復寫只讀存儲器
2、快閃記憶體
3、磁碟：硬碟、軟盤、磁帶
(3)edodram是同步存儲器嗎擴展閱讀：
存儲器以二進制計算容量，基本單位是Byte：
1KiB=1,024B=210B
81MiB=1,024KiB=220B=1,048,576B
1GiB=1,024MiB=230B=1,073,741,824B
根據電氣電子工程師協會（IEEE 1541）和歐洲聯盟(HD 60027-2:2003-03)的標准，二進制乘數詞頭的縮寫為「Ki」、「Mi」、「Gi」，以避免與SI Unit國際單位制混淆。
但二進制乘數詞頭沒有廣泛被製造業和個人採用，標示為4GB的內存實際上已經是4GiB，但標示為4.7GB的DVD實際上是4.37GiB。
對於32位的操作系統，最多可使用232個地址，即是4GiB。物理地址擴展可以讓處理器在32位操作系統訪問超過4GiB存儲器，發展64位處理器則是根本的解決方法，但操作系統、驅動程序和應用程序都會有兼容性問題。
『肆』 什麼是EDO和SDRAM
EDO內存EDO是Extended Data Out（擴展數據輸出）的簡稱，它取消了主板與內存兩個存儲周期之間的時間間隔，每隔2個時鍾脈沖周期傳輸一次數據，大大地縮短了存取時間，使存取速度提高30％，達到60ns。EDO內存主要用於72線的SIMM內存條，以及採用EDO內存晶元的PCI顯示卡。這種內存流行在486以及早期的奔騰計算機系統中，它有72線和168線之分，採用5V工作電壓，帶寬32 bit，必須兩條或四條成對使用，可用於英特爾430FX/430VX甚至430TX晶元組主板上。目前也已經被淘汰，只能在某些老爺機上見到。 SDRAM SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步動態隨機存取存儲器，同步是指Memory工作需要同步時鍾，內部的命令的發送與數據的傳輸都以它為基準；動態是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數據不丟失；隨機是指數據不是線性依次存儲，而是自由指定地址進行數據讀寫。
SDRAM從發展到現在已經經歷了四代，分別是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM.(顯卡上的DDR已經發展到DDR5)
第一代與第二代SDRAM均採用單端（Single-Ended）時鍾信號,第三代與第四代由於工作頻率比較快，所以採用可降低干擾的差分時鍾信號作為同步時鍾。
SDR SDRAM的時鍾頻率就是數據存儲的頻率，第一代內存用時鍾頻率命名，如pc100，pc133則表明時鍾信號為100或133MHz，數據讀寫速率也為100或133MHz。
之後的第二，三，四代DDR（Double Data Rate）內存則採用數據讀寫速率作為命名標准，並且在前面加上表示其DDR代數的符號，PC-即DDR，PC2=DDR2，PC3=DDR3。如PC2700是DDR333，其工作頻率是333/2=166MHz，2700表示帶寬為2.7G。
DDR的讀寫頻率從DDR200到DDR400，DDR2從DDR2-400到DDR2-800，DDR3從DDR3-800到DDR3-1600。
很多人將SDRAM錯誤的理解為第一代也就是 SDR SDRAM，並且作為名詞解釋，皆屬誤導。
SDR不等於SDRAM。
Pin:模組或晶元與外部電路電路連接用的金屬引腳，而模組的pin就是常說的「金手指」。
SIMM：Single In-line Memory Mole,單列內存模組。內存模組就是我們常說的內存條，所謂單列是指模組電路板與主板插槽的介面只有一列引腳（雖然兩側都有金手指）。
DIMM：Double In-line Memory Mole，雙列內存模組。是我們常見的模組類型，所謂雙列是指模組電路板與主板插槽的介面有兩列引腳，模組電路板兩側的金手指對應一列引腳。
RIMM：registered DIMM，帶寄存器的雙線內存模塊，這種內存槽只能插DDR或Rambus內存。
SO-DIMM:筆記本常用的內存模組。
工作電壓：
SDR：3.3V
DDR：2.5V
DDR2：1.8V
DDR3：1.5V
SDRAM內存條的金手指通常是168線，而DDR SDRAM內存條的金手指通常是184線的。
幾代產品金手指的缺口數及缺口位置也不同有效防止反插與錯插，SDRAM有兩個缺口，DDR只有一個缺口。
SDRAM的結構、時序與性能的關系
一、影響性能的主要時序參數
所謂的影響性能是並不是指SDRAM的帶寬，頻率與位寬固定後，帶寬也就不可更改了。但這是理想的情況，在內存的工作周期內，不可能總處於數據傳輸的狀態，因為要有命令、定址等必要的過程。但這些操作佔用的時間越短，內存工作的效率越高，性能也就越好。
非數據傳輸時間的主要組成部分就是各種延遲與潛伏期。通過上文的講述，大家應該很明顯看出有三個參數對內存的性能影響至關重要，它們是tRCD、CL和tRP。每條正規的內存模組都會在標識上註明這三個參數值，可見它們對性能的敏感性。
以內存最主要的操作——讀取為例。tRCD決定了行定址（有效）至列定址（讀/寫命令）之間的間隔，CL決定了列定址到數據進行真正被讀取所花費的時間，tRP則決定了相同L-Bank中不同工作行轉換的速度。現在可以想像一下讀取時可能遇到的幾種情況（分析寫入操作時不用考慮CL即可）：
1、要定址的行與L-Bank是空閑的。也就是說該L-Bank的所有行是關閉的，此時可直接發送行有效命令，數據讀取前的總耗時為tRCD+CL，這種情況我們稱之為頁命中（PH，Page Hit）。
2、要定址的行正好是前一個操作的工作行，也就是說要定址的行已經處於選通有效狀態，此時可直接發送列定址命令，數據讀取前的總耗時僅為CL，這就是所謂的背靠背（Back to Back）定址，我們稱之為頁快速命中（PFH，Page Fast Hit）或頁直接命中（PDH，Page Direct Hit）。
3、要定址的行所在的L-Bank中已經有一個行處於活動狀態（未關閉），這種現象就被稱作定址沖突，此時就必須要進行預充電來關閉工作行，再對新行發送行有效命令。結果，總耗時就是tRP+tRCD+CL，這種情況我們稱之為頁錯失（PM，Page Miss）。
顯然，PFH是最理想的定址情況，PM則是最糟糕的定址情況。上述三種情況發生的機率各自簡稱為PHR——PH Rate、PFDR——PFH Rate、PMR——PM Rate。因此，系統設計人員（包括內存與北橋晶元）都盡量想提高PHR與PFHR，同時減少PMR，以達到提高內存工作效率的目的。
二、增加PHR的方法
顯然，這與預充電管理策略有著直接的關系，目前有兩種方法來盡量提高PHR。自動預充電技術就是其中之一，它自動的在每次行操作之後進行預充電，從而減少了日後對同一L-Bank不同行定址時發生沖突的可能性。但是，如果要在當前行工作完成後馬上打開同一L-Bank的另一行工作時，仍然存在tRP的延遲。怎麼辦？ 此時就需要L-Bank交錯預充電了。
VIA的4路交錯式內存控制就是在一個L-Bank工作時，對下一個要工作的L-Bank進行預充電。這樣，預充電與數據的傳輸交錯執行，當訪問下一個L-Bank時，tRP已過，就可以直接進入行有效狀態了。目前VIA聲稱可以跨P-Bank進行16路內存交錯，並以LRU演算法進行預充電管理。
有關L-Bank交錯預充電（存取）的具體執行在本刊2001年第2期已有詳細介紹，這里就不再重復了。
L-Bank交錯自動預充電/讀取時序圖（可點擊放大）：L-Bank 0與L-Bank 3實現了無間隔交錯讀取，避免了tRP對性能的影響 三、增加PFHR的方法
無論是自動預充電還是交錯工作的方法都無法消除tRCD所帶來的延遲。要解決這個問題，就要盡量讓一個工作行在進行預充電前盡可能多的接收多個工作命令，以達到背靠背的效果，此時就只剩下CL所造成的讀取延遲了（寫入時沒有延遲）。
如何做到這一點呢？這就是北橋晶元的責任了。在上文的時序圖中有一個參數tRAS（Active to Precharge Command，行有效至預充電命令間隔周期）。它有一個范圍，對於PC133標准，一般是預充電命令至少要在行有效命令5個時鍾周期之後發出，最長間隔視晶元而異（基本在120000ns左右），否則工作行的數據將有丟失的危險。那麼這也就意味著一個工作行從有效（選通）開始，可以有120000ns的持續工作時間而不用進行預充電。顯然，只要北橋晶元不發出預充電（包括允許自動預充電）的命令，行打開的狀態就會一直保持。在此期間的對該行的任何讀寫操作也就不會有tRCD的延遲。可見，如果北橋晶元在能同時打開的行（頁）越多，那麼PFHR也就越大。需要強調的是，這里的同時打開不是指對多行同時定址（那是不可能的），而是指多行同時處於選通狀態。我們可以看到一些SDRAM晶元組的資料中會指出可以同時打開多少個頁的指標，這可以說是決定其內存性能的一個重要因素。
Intel 845晶元組MCH的資料：其中表明它可以支持24個頁面同時處於打開狀態
但是，可同時打開的頁數也是有限制的。從SDRAM的定址原理講，同一L-Bank中不可能有兩個打開的行（S-AMP只能為一行服務），這就限制了可同時打開的頁面總數。以SDRAM有4個L-Bank，北橋最多支持8個P-Bank為例，理論上最多隻能有32個頁面能同時處於打開的狀態。而如果只有一個P-Bank，那麼就只剩下4個頁面，因為有幾個L-Bank才能有同時打開幾個行而互不幹擾。Intel 845的MHC雖然可以支持24個打開的頁面，那也是指6個P-Bank的情況下（845MCH只支持6個P-Bank）。可見845已經將同時打開頁數發揮到了極致。
不過，同時打開頁數多了，也對存取策略提出了一定的要求。理論上，要盡量多地使用已打開的頁來保證最短的延遲周期，只有在數據不存在（讀取時）或頁存滿了（寫入時）再考慮打開新的指定頁，這也就是變向的連續讀/寫。而打開新頁時就必須要關閉一個打開的頁，如果此時打開的頁面已是北橋所支持的最大值但還不到理論極限的話，就需要一個替換策略，一般都是用LRU演算法來進行，這與VIA的交錯控制大同小異。
『伍』 計算機的主存儲器是指
計算機主存儲器是ROM（只讀內存）和RAM（隨機存取存儲器）。
主存儲器一般採用半導體存儲器，與輔助存儲器相比有容量小、讀寫速度快、價格高等特點。計算機中的主存儲器主要由存儲體、控制線路、地址寄存器、數據寄存器和地址解碼電路五部分組成。
從70年代起，主存儲器已逐步採用大規模集成電路構成。用得最普遍的也是最經濟的動態隨機存儲器晶元（DRAM）。
(5)edodram是同步存儲器嗎擴展閱讀：
1995年集成度為64Mb（可存儲400萬個漢字）的DRAM晶元已經開始商業性生產，16MbDRAM晶元已成為市場主流產品。DRAM晶元的存取速度適中，一般為50~70ns。有一些改進型的DRAM，如EDO DRAM（即擴充數據輸出的DRAM），其性能可較普通DRAM提高10%以上。
又如SDRAM（即同步DRAM），其性能又可較EDO DRAM提高10%左右。1998年SDRAM的後繼產品為SDRAMⅡ（或稱DDR，即雙倍數據速率）的品種已上市。在追求速度和可靠性的場合，通常採用價格較貴的靜態隨機存儲器晶元（SRAM），其存取速度可以達到了1~15ns。
無論主存採用DRAM還是SRAM晶元構成，在斷電時存儲的信息都會「丟失」，因此計算機設計者應考慮發生這種情況時，設法維持若干毫秒的供電以保存主存中的重要信息，以便供電恢復時計算機能恢復正常運行。
鑒於上述情況，在某些應用中主存中存儲重要而相對固定的程序和數據的部分採用「非易失性」存儲器晶元（如EPROM，快快閃記憶體儲晶元等）構成；對於完全固定的程序，數據區域甚至採用只讀存儲器（ROM）晶元構成；主存的這些部分就不怕暫時供電中斷，還可以防止病毒侵入。
『陸』 第一,二代計算機的主存儲器採用的是什麼
第一代：主存儲器採用磁鼓和磁心存儲器。
第二代：主存儲器採用磁芯，外存儲器已開始使用更先進的磁碟。
第一代是從 1946 年到 50 年代末，其主要特徵是：主機採用電子管器件，主存儲器主要採用磁鼓和磁心存儲器，應用以科學計算為主，軟體技術採用機器語言和符號語言編程，所研製的都是單機系統。
第二代計算機是晶體管數字計算機，大約是1957-1964年，邏輯元件採用晶體管，計算機的體積大大縮小，耗電減少，可靠性提高，性能比第一代計算機有很大的提高。第二代計算機主存儲器採用磁芯，外存儲器已開始使用更先進的磁碟。
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計算機中的主存儲器主要由存儲體、控制線路、地址寄存器、數據寄存器和地址解碼電路五部分組成。從70年代起，主存儲器已逐步採用大規模集成電路構成。用得最普遍的也是最經濟的動態隨機存儲器晶元（DRAM）。
1995年集成度為64Mb（可存儲400萬個漢字）的DRAM晶元已經開始商業性生產，16MbDRAM晶元已成為市場主流產品。DRAM晶元的存取速度適中，一般為50~70ns。有一些改進型的DRAM，如EDO DRAM（即擴充數據輸出的DRAM），其性能可較普通DRAM提高10%以上。
又如SDRAM（即同步DRAM），其性能又可較EDO DRAM提高10%左右。1998年SDRAM的後繼產品為SDRAMⅡ（或稱DDR，即雙倍數據速率）的品種已上市。在追求速度和可靠性的場合，通常採用價格較貴的靜態隨機存儲器晶元（SRAM），其存取速度可以達到了1~15ns。
『柒』 存儲器的分類
一、RAM(Random Access Memory，隨機存取存儲器)
RAM的特點是：電腦開機時，操作系統和應用程序的所有正在運行的數據和程序都會放置其中，並且隨時可以對存放在裡面的數據進行修改和存取。它的工作需要由持續的電力提供，一旦系統斷電，存放在裡面的所有數據和程序都會自動清空掉，並且再也無法恢復。
根據組成元件的不同，RAM內存又分為以下十八種：
01.DRAM（Dynamic RAM，動態隨機存取存儲器）
這是最普通的RAM，一個電子管與一個電容器組成一個位存儲單元，DRAM將每個內存位作為一個電荷保存在位存儲單元中，用電容的充放電來做儲存動作，但因電容本身有漏電問題，因此必須每幾微秒就要刷新一次，否則數據會丟失。存取時間和放電時間一致，約為2~4ms。因為成本比較便宜，通常都用作計算機內的主存儲器。
02.SRAM（Static RAM，靜態隨機存取存儲器）
靜態，指的是內存裡面的數據可以長駐其中而不需要隨時進行存取。每6顆電子管組成一個位存儲單元，因為沒有電容器，因此無須不斷充電即可正常運作，因此它可以比一般的動態隨機處理內存處理速度更快更穩定，往往用來做高速緩存。
03.VRAM（Video RAM，視頻內存）
它的主要功能是將顯卡的視頻數據輸出到數模轉換器中，有效降低繪圖顯示晶元的工作負擔。它採用雙數據口設計，其中一個數據口是並行式的數據輸出入口，另一個是串列式的數據輸出口。多用於高級顯卡中的高檔內存。
04.FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM，快速頁切換模式動態隨機存取存儲器）
改良版的DRAM，大多數為72Pin或30Pin的模塊。傳統的DRAM在存取一個BIT的數據時，必須送出行地址和列地址各一次才能讀寫數據。而FRM DRAM在觸發了行地址後，如果CPU需要的地址在同一行內，則可以連續輸出列地址而不必再輸出行地址了。由於一般的程序和數據在內存中排列的地址是連續的，這種情況下輸出行地址後連續輸出列地址就可以得到所需要的數據。FPM將記憶體內部隔成許多頁數Pages，從512B到數KB不等，在讀取一連續區域內的數據時，就可以通過快速頁切換模式來直接讀取各page內的資料，從而大大提高讀取速度。在96年以前，在486時代和PENTIUM時代的初期， FPM DRAM被大量使用。
05.EDO DRAM（Extended Data Out DRAM，延伸數據輸出動態隨機存取存儲器）
這是繼FPM之後出現的一種存儲器，一般為72Pin、168Pin的模塊。它不需要像FPM DRAM那樣在存取每一BIT 數據時必須輸出行地址和列地址並使其穩定一段時間，然後才能讀寫有效的數據，而下一個BIT的地址必須等待這次讀寫操作完成才能輸出。因此它可以大大縮短等待輸出地址的時間，其存取速度一般比FPM模式快15%左右。它一般應用於中檔以下的Pentium主板標准內存，後期的486系統開始支持EDO DRAM，到96年後期，EDO DRAM開始執行。。
06.BEDO DRAM（Burst Extended Data Out DRAM，爆發式延伸數據輸出動態隨機存取存儲器）
這是改良型的EDO DRAM，是由美光公司提出的，它在晶元上增加了一個地址計數器來追蹤下一個地址。它是突發式的讀取方式，也就是當一個數據地址被送出後，剩下的三個數據每一個都只需要一個周期就能讀取，因此一次可以存取多組數據，速度比EDO DRAM快。但支持BEDO DRAM內存的主板可謂少之又少，只有極少幾款提供支持（如VIA APOLLO VP2），因此很快就被DRAM取代了。
07.MDRAM（Multi-Bank DRAM，多插槽動態隨機存取存儲器）
MoSys公司提出的一種內存規格，其內部分成數個類別不同的小儲存庫 (BANK)，也即由數個屬立的小單位矩陣所構成，每個儲存庫之間以高於外部的資料速度相互連接，一般應用於高速顯示卡或加速卡中，也有少數主機板用於L2高速緩存中。
08.WRAM（Window RAM，窗口隨機存取存儲器）
韓國Samsung公司開發的內存模式，是VRAM內存的改良版，不同之處是它的控制線路有一、二十組的輸入/輸出控制器，並採用EDO的資料存取模式,因此速度相對較快，另外還提供了區塊搬移功能（BitBlt），可應用於專業繪圖工作上。
09.RDRAM（Rambus DRAM，高頻動態隨機存取存儲器）
Rambus公司獨立設計完成的一種內存模式，速度一般可以達到500~530MB/s，是DRAM的10倍以上。但使用該內存後內存控制器需要作相當大的改變，因此它們一般應用於專業的圖形加速適配卡或者電視游戲機的視頻內存中。
10.SDRAM（Synchronous DRAM，同步動態隨機存取存儲器）
這是一種與CPU實現外頻Clock同步的內存模式，一般都採用168Pin的內存模組，工作電壓為3.3V。 所謂clock同步是指內存能夠與CPU同步存取資料，這樣可以取消等待周期，減少數據傳輸的延遲，因此可提升計算機的性能和效率。
11.SGRAM（Synchronous Graphics RAM，同步繪圖隨機存取存儲器）
SDRAM的改良版，它以區塊Block，即每32bit為基本存取單位，個別地取回或修改存取的資料，減少內存整體讀寫的次數，另外還針對繪圖需要而增加了繪圖控制器，並提供區塊搬移功能（BitBlt），效率明顯高於SDRAM。
12.SB SRAM（Synchronous Burst SRAM，同步爆發式靜態隨機存取存儲器）
一般的SRAM是非同步的，為了適應CPU越來越快的速度，需要使它的工作時脈變得與系統同步，這就是SB SRAM產生的原因。
13.PB SRAM（Pipeline Burst SRAM，管線爆發式靜態隨機存取存儲器）
CPU外頻速度的迅猛提升對與其相搭配的內存提出了更高的要求，管線爆發式SRAM取代同步爆發式SRAM成為必然的選擇，因為它可以有效地延長存取時脈，從而有效提高訪問速度。
14.DDR SDRAM（Double Data Rate二倍速率同步動態隨機存取存儲器）
作為SDRAM的換代產品，它具有兩大特點：其一，速度比SDRAM有一倍的提高；其二，採用了DLL（Delay Locked Loop：延時鎖定迴路）提供一個數據濾波信號。這是目前內存市場上的主流模式。
15.SLDRAM （Synchronize Link，同步鏈環動態隨機存取存儲器）
這是一種擴展型SDRAM結構內存，在增加了更先進同步電路的同時，還改進了邏輯控制電路，不過由於技術顯示，投入實用的難度不小。
16.CDRAM（CACHED DRAM，同步緩存動態隨機存取存儲器）
這是三菱電氣公司首先研製的專利技術，它是在DRAM晶元的外部插針和內部DRAM之間插入一個SRAM作為二級CACHE使用。當前，幾乎所有的CPU都裝有一級CACHE來提高效率，隨著CPU時鍾頻率的成倍提高，CACHE不被選中對系統性能產生的影響將會越來越大，而CACHE DRAM所提供的二級CACHE正好用以補充CPU一級CACHE之不足，因此能極大地提高CPU效率。
17.DDRII (Double Data Rate Synchronous DRAM，第二代同步雙倍速率動態隨機存取存儲器)
DDRII 是DDR原有的SLDRAM聯盟於1999年解散後將既有的研發成果與DDR整合之後的未來新標准。DDRII的詳細規格目前尚未確定。
18.DRDRAM (Direct Rambus DRAM)
是下一代的主流內存標准之一，由Rambus 公司所設計發展出來，是將所有的接腳都連結到一個共同的Bus，這樣不但可以減少控制器的體積，已可以增加資料傳送的效率。
二、ROM(READ Only Memory，只讀存儲器)
ROM是線路最簡單半導體電路，通過掩模工藝，一次性製造，在元件正常工作的情況下，其中的代碼與數據將永久保存，並且不能夠進行修改。一般應用於PC系統的程序碼、主機板上的 BIOS (基本輸入/輸出系統Basic Input/Output System)等。它的讀取速度比RAM慢很多。
根據組成元件的不同，ROM內存又分為以下五種：
1.MASK ROM（掩模型只讀存儲器）
製造商為了大量生產ROM內存，需要先製作一顆有原始數據的ROM或EPROM作為樣本，然後再大量復制，這一樣本就是MASK ROM，而燒錄在MASK ROM中的資料永遠無法做修改。它的成本比較低。
2.PROM（Programmable ROM，可編程只讀存儲器）
這是一種可以用刻錄機將資料寫入的ROM內存，但只能寫入一次，所以也被稱為「一次可編程只讀存儲器」(One Time Progarmming ROM，OTP-ROM)。PROM在出廠時，存儲的內容全為1，用戶可以根據需要將其中的某些單元寫入數據0(部分的PROM在出廠時數據全為0，則用戶可以將其中的部分單元寫入1)， 以實現對其「編程」的目的。
3.EPROM（Erasable Programmable，可擦可編程只讀存儲器）
這是一種具有可擦除功能，擦除後即可進行再編程的ROM內存，寫入前必須先把裡面的內容用紫外線照射它的IC卡上的透明視窗的方式來清除掉。這一類晶元比較容易識別，其封裝中包含有「石英玻璃窗」，一個編程後的EPROM晶元的「石英玻璃窗」一般使用黑色不幹膠紙蓋住， 以防止遭到陽光直射。
4.EEPROM（Electrically Erasable Programmable，電可擦可編程只讀存儲器）
功能與使用方式與EPROM一樣，不同之處是清除數據的方式，它是以約20V的電壓來進行清除的。另外它還可以用電信號進行數據寫入。這類ROM內存多應用於即插即用（PnP）介面中。
5.Flash Memory（快閃記憶體）
這是一種可以直接在主機板上修改內容而不需要將IC拔下的內存，當電源關掉後儲存在裡面的資料並不會流失掉，在寫入資料時必須先將原本的資料清除掉，然後才能再寫入新的資料，缺點為寫入資料的速度太慢。
『捌』 EDORAM,MDRAM,SDRAM,SGRAM,VRAM,WRAM,DDR翻譯成中文是什麼
RAM 隨機存取內存，現在一般統稱為「內存」。
EDORAM 擴展數據輸出內存
MDRAM 多槽動態內存
SDRAM 同步動態內存
SGRAM 同步圖形動態內存
VRAM 顯示內存，簡稱「顯存」
WRAM 窗口式顯示內存
DDR 雙倍速率
『玖』 PC機的主存儲器類型有哪些 EDO DRAM ,SDRAM,RDRAM,DDR SDRAM,這些英文是什麼意思
DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態隨機存取存儲器最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。 （關機就會丟失數據）
SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。SRAM不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內部的數據即會消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，且功耗較大。所以在主板上SRAM存儲器要佔用一部分面積。
DRAM是內存的主要介質，SRAM是CACHE（快速緩存）的主要介質。
EDO DRAM（Extended Data Output RAM），擴展數據輸出內存。早期內存的一種。現在沒有了。
SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步動態隨機存儲器，也是內存的一種，現在也不生產了。
DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態隨機存儲器的意思。DDR內存是在SDRAM內存基礎上發展而來的，仍然沿用SDRAM生產體系，因此對於內存廠商而言，只需對製造普通SDRAM的設備稍加改進，即可實現DDR內存的生產，可有效的降低成本。
有1代，2代，3代 也就是人們常說的DDR1代內存，DDR2代內存，DDR3代內存，現在3代內存最火。
RDRAM Rambus動態隨機存取內存，美國Rambus公司開發的一種動態隨機存取內存晶元技術。基本RDRAM(Base RDRAM)在1995年推出，數據傳輸速度為600MB/秒。協同RDRAM(Concurrent RDRAM)在1997年推出，數據傳輸速度提高到700MB/秒。1998年，直接RDRAM(Direct RDRAM)再次把數據傳輸速度提高到1.6GB/秒。協同RDRAM一直被用於電子游戲機，而直接RDRAM則被用於個人電腦。 Rambus公司自己並不直接生產RDRAM晶元，而是通過發放許可證讓其他內存晶元製造商生產這種內存晶元產品。英特爾公司對Rambus公司進行了投資，並參入了RDRAM晶元的設計工作。
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