Ⅰ 下面有關存儲器的說法正確的是()
C選項，主存包括ROM，RAM和cache，而ROM是非易失的。所以C錯了
Ⅱ DDR、RAM和DRAM都是指的內存，那麼它們三者有什麼聯系嗎怎麼會有這三種說法
ram是隨機存儲器。dram是動態隨機存儲器（這和前者沒什麼不同）或者直接隨機存儲器（直接是指和CPU某種程度上直聯）。ddr 是指雙通道的ram。
隨機存取存儲器（英語：Random Access Memory，縮寫：RAM），也叫主存，是與CPU直接交換數據的內部存儲器。它可以隨時讀寫（刷新時除外），而且速度很快，通常作為操作系統或其他正在運行中的程序的臨時數據存儲介質。
RAM工作時可以隨時從任何一個指定的地址寫入（存入）或讀出（取出）信息。它與ROM的最大區別是數據的易失性，即一旦斷電所存儲的數據將隨之丟失。RAM在計算機和數字系統中用來暫時存儲程序、數據和中間結果。
存儲器是數字系統中用以存儲大量信息的設備或部件，是計算機和數字設備中的重要組成部分。存儲器可分為隨機存取存儲器（RAM）和只讀存儲器（ROM）兩大類。
隨機存取存儲器（RAM）既可向指定單元存入信息又可從指定單元讀出信息。任何RAM中存儲的信息在斷電後均會丟失，所以RAM是易失性存儲器。
ROM為只讀存儲器，除了固定存儲數據、表格、固化程序外，在組合邏輯電路中也有著廣泛用途。
Ⅲ ROM，RAM，DRAM，SRAM和FLASH的區別
Flash存儲器又稱為快閃記憶體，是一種非易失性的ROM存儲器，在EEPROM的基礎上發展而來，但不同於EEPROM只能全盤擦寫，快閃記憶體可以對某個特定的區塊進行擦寫，這源於它和內存一樣擁有獨立地址線。快閃記憶體的讀寫速度快，但遠不及RAM存儲器；但它斷電後不會像內存一樣丟失數據，因此適合做外存儲設備。用途：U盤、固態硬碟、BIOS晶元等。
DDR是一種技術，中文為雙倍速率，並不屬於一種存儲器。DDR通常指DDR SDRAM存儲器，全稱為Double Date Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，雙倍速率同步動態隨機存儲器。顧名思義，它有三個重要特性：Double Date Rate、Synchronous和Dynamic。首先是Dynamic（動態），表明存儲元為電容，通過電容的電荷性判斷數據0和1。而由於電容有漏電流，必須隨時對電容進行充電，以防數據丟失，這個過程就叫動態刷新；其次是Synchronous（同步），表明讀寫過程由時鍾信號控制，只能發生在時鍾信號的上沿或下沿，是同步進行的，而不可以在隨意時刻進行；最後是Double Date Rate（DDR），這是DDR內存最重要的特性，即相比SDRAM內存，DDR內存在時鍾的上沿和下沿均可以完成一次數據發射，因此一個周期內可以傳輸兩次數據，所以稱為雙倍速率。因此等效頻率是SDRAM的兩倍。用途：內存條和顯存顆粒，如DDR、DDR2、DDR3、GDDR5。
RAM是Random Access Memory的縮寫，中文為隨機存儲器。這個定義非常廣，凡是可以進行隨機讀寫的存儲器，都可以稱為RAM，和ROM（只讀存儲器）相對。用途：內存、顯存、單片機、高速緩存等等
SRAM是Static Random Access Memory的縮寫，靜態存儲器，和動態存儲器DRAM相對。由於SRAM工作原理是依靠晶體管組合來鎖住電平，並不需要進行刷新，只要不斷電，數據就不會丟失，因此稱為靜態RAM。相比動態RAM，優點：1.不需要刷新操作，省去刷新電路，布線簡單；2.速度遠高於DRAM。缺點：1.容量遠小於DRAM；2.由於晶體管規模遠大於DRAM，成本遠高於DRAM。用途：寄存器、高速緩存、早期內存
DRAM是Dynamic Random Access Memory的縮寫，動態存儲器。和上面的定義一樣，由電容存儲數據，需要實時刷新，因此叫動態RAM。和SDRAM的區別在於DRAM可以不需要時鍾信號控制發射，但通常我們不嚴格區分它們，把SDRAM和DRAM都叫做DRAM。DDR SDRAM也屬於一種DRAM。用途：內存、顯存
Ⅳ 常見的儲存器有哪些
易失性存儲器就是和非易失性存儲器的唯一區別在於前者掉電數據會被清除。
1、 易失性存儲器的代表就是RAM，RAM又分DRAM（動態隨機存儲器）和SRAM（靜態隨機存儲器），他們之間不同在於生產工藝的不同，SRAM保存數據是靠晶體管鎖存的，DRAM保存數據靠電容充電來維持。SRAM的工藝復雜，生產成本高，所以貴，容量比較大的RAM我們都選用的是DRAM。而且SRAM速度較快。
2、 RAM既然是存儲器就要傳輸數據，傳輸數據就是通信。通信又分同步通信和非同步通信。前面我們所說的DRAM和SRAM都是非同步通信的，速率沒有SDRAM和SSRAM快。所以現在大容量RAM存儲器是選用SDRAM的。S(Synchronous同步)
3、 現在電腦裡面用的內存條就是RAM。我的電腦台式機用的是DDR3SDRAM，我的手機用的是DDR4 SDRAM，我的嵌入式開發板用的是DDR2 SDRAM。那麼DDR SDRAM和SDRAM的區別在於DDR（double data rate）雙倍速率。SDRAM只在時鍾的上升沿表示一個數據，而DDR SDRAM能在上升沿和下降沿都表示一個數據。DDR也一步步經過改良出現了一代、二代、三代，現在也有四代。
4、 Cache常見於CPU中，cache實質屬於SRAM，所以是造價高，但是速度快，比DRAM快，在電腦中體現在cache（sram）比內存（dram）快，所以cache作為CPU和內存之間通信的橋梁。
5、 那麼cache是怎麼加快CPU和內存的通信的呢？先了解cache是要解決CPU和內存之間的什麼矛盾。矛盾在於：CPU讀取速度快，而內存給的速度慢，這樣CPU要接一會數據等一會，浪費了CPU處理時間。我們把CPU常讀取的內存的數據放到cache中，CPU讀取cahce很快，這樣CPU就免了等待時間，CPU的處理速度就提高了。還有一個問題就是cache怎麼知道哪些是CPU的常用數據？其實cache存儲的是PU剛用過或循環使用的一部分數據，就是做一些數據的緩存。所以cache又叫緩存。
6、 非易失性存儲器常見的有ROM，FLASH，光碟，軟盤，機械硬碟。他們作用相同，只是實現工藝不一樣。
7、 光碟、軟盤和機械硬碟都很好理解，不做解釋。
8、 ROM(Read Only Memory)在以前就是只讀存儲器，就是說這種存儲器只能讀取它裡面的數據無法向裡面寫數據。實際是以前向存儲器寫數據不容易，所以這種存儲器就是廠家造好了寫入數據，後面不能再次修改。現在技術成熟了，ROM也可以寫數據，但是名字保留了下來。
9、ROM分為MASK ROM、OTPROM、EPROM、EEPROM。MASK ROM是掩膜ROM這種ROM是一旦廠家生產出來，使用者無法再更改裡面的數據。OTPROM(One Time Programable ROM)一次可變成存儲器，出廠後用戶只能寫一次數據，然後再也不能修改了，一般做存儲密鑰。EPROM(Easerable Programable ROM)這種存儲器就可以多次擦除然後多次寫入了。但是要在特定環境紫外線下擦除，所以這種存儲器也不方便寫入。EEPROM(Eelectrically Easerable Programable ROM)電可擦除ROM，現在使用的比較多因為只要有電就可擦除數據，就可以寫入數據。
10、 FLASH是一種可以寫入和讀取的存儲器，叫快閃記憶體，FLASH也叫FLASH ROM，有人把FLASH當做ROM。FLASH和EEPROM相比，FLASH的存儲容量大。FLASH的速度比現在的機械硬碟速度快，現在的U盤和SSD固態硬碟都是Nandflash。FLASH又分為Norflash和Nandflash。
Ⅳ 計算機存儲器的分類
計算機存儲器可以根據存儲能力與電源的關系可以分為以下兩類：
一、易失性存儲器（Volatile memory)是指當電源供應中斷後，存儲器所存儲的數據便會消失的存儲器。主要有以下的類型：
1、動態隨機訪問存儲器，英文縮寫寫作DRAM，一般每個單元由一個晶體管和一個電容組成（後者在集成電路上可以用兩個晶體管模擬）。
特點是單元佔用資源和空間小，速度比SRAM慢，需要刷新。一般計算機內存即由DRAM組成。在PC上，DRAM以內存條的方式出現，DRAM顆粒多為4位或8位位寬，而載有多個顆粒的單根內存條的位寬為64位。
2、靜態隨機存取存儲器，英文縮寫寫作SRAM，一般每個單元由6個晶體管組成，但近來也出現由8個晶體管構成的SRAM單元。特點是速度快，但單元佔用資源比DRAM多。一般CPU和GPU的緩存即由SRAM構成。
二、非易失性存儲器（Non-volatile memory）是指即使電源供應中斷，存儲器所存儲的數據並不會消失，重新供電後，就能夠讀取存儲器中的數據。 主要種類如下：
1、只讀存儲器：可編程只讀存儲器、可擦除可規劃式只讀存儲器、電子抹除式可復寫只讀存儲器
2、快閃記憶體
3、磁碟：硬碟、軟盤、磁帶
(5)dram是非易失存儲器嗎擴展閱讀：
存儲器以二進制計算容量，基本單位是Byte：
1KiB=1,024B=210B
81MiB=1,024KiB=220B=1,048,576B
1GiB=1,024MiB=230B=1,073,741,824B
根據電氣電子工程師協會（IEEE 1541）和歐洲聯盟(HD 60027-2:2003-03)的標准，二進制乘數詞頭的縮寫為「Ki」、「Mi」、「Gi」，以避免與SI Unit國際單位制混淆。
但二進制乘數詞頭沒有廣泛被製造業和個人採用，標示為4GB的內存實際上已經是4GiB，但標示為4.7GB的DVD實際上是4.37GiB。
對於32位的操作系統，最多可使用232個地址，即是4GiB。物理地址擴展可以讓處理器在32位操作系統訪問超過4GiB存儲器，發展64位處理器則是根本的解決方法，但操作系統、驅動程序和應用程序都會有兼容性問題。
Ⅵ 固態硬碟和內存條有什麼區別
這個問題需要從技術層面入手才能回答清楚、說透本質，講速度、內部結構只能觸及皮毛。固態硬碟的正式名稱叫快閃記憶體（Flash
Memory），是非易失性存儲器的一種，內存條的正式名稱叫隨機動態存儲器（Dynamic Random Access
Memory，縮寫為DRAM），屬於易失性存儲器。
兩者雖然都是半導體存儲器，但原理卻完全不同。內存的基本單元叫DRAM
CELL，都是由一個晶體管（Transistor）和兩個電容器（Capacitor）組成，原理結構如下圖。
Flash
Memory是東芝公司的藤尾增岡在1980年發明，屬於第五代非易失性存儲器。固態硬碟（Flash
Memory）雖然也是通過存儲電荷完成數據「寫入」，但是由於不是採用電容存儲電荷，斷電之後並不會馬上失去電荷，所以可以長久存儲數據。
總之，內存（DRAM）斷電後會失去存儲的數據，固態硬碟（Flash
Memory）則不會，這是它們最本質的區別。其次，在數據獨寫速度上，內存遠遠超過固態硬碟。不過，存儲數據的固態硬碟如果長期不用，也容易丟失數據，需要時不時拿出來插入電腦，以免數據丟失。
Ⅶ DRAM與 Mobile DRAM 與NAND三者的區別
DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態隨機存取存儲器，最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。 （關機就會丟失數據）
Mobile DRAM（行動內存）是DRAM的一種。DRAM按照產品規格可分為標准型DRAM、利基型DRAM及Mobile DRAM三種。
NAND快閃記憶體是一種比硬碟驅動器更好的存儲方案，這在不超過4GB的低容量應用中表現得尤為明顯。隨著人們持續追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產品，NAND正被證明極具吸引力。NAND快閃記憶體是一種非易失性存儲技術，即斷電後仍能保存數據。它的發展目標就是降低每比特存儲成本、提高存儲容量。
Ⅷ 存儲器的類型
根據存儲材料的性能及使用方法的不同，存儲器有幾種不同的分類方法。1、按存儲介質分類：半導體存儲器：用半導體器件組成的存儲器。磁表面存儲器：用磁性材料做成的存儲器。
下面我們就來了解一下存儲器的相關知識。
存儲器大體分為兩大類，一類是掉電後存儲信息就會丟失，另一類是掉電後存儲信息依然保留，前者專業術語稱之為「易失性存儲器」，後者稱之為「非易失性存儲器」。
1 RAM
易失性存儲器的代表就是RAM（隨機存儲器），RAM又分SRAM（靜態隨機存儲器）和DRAM（動態隨機存儲器）。
SRAM
SRAM保存數據是靠晶體管鎖存的，SRAM的工藝復雜，生產成本高，但SRAM速度較快，所以一般被用作Cashe，作為CPU和內存之間通信的橋梁，例如處理器中的一級緩存L1 Cashe, 二級緩存L2 Cashe，由於工藝特點，SRAM的集成度不是很高，所以一般都做不大，所以緩存一般也都比較小。
DRAM
DRAM（動態隨機存儲器）保存數據靠電容充電來維持，DRAM的應用比SRAM更普遍，電腦裡面用的內存條就是DRAM，隨著技術的發展DRAM又發展為SDRAM（同步動態隨機存儲器）DDR SDRAM（雙倍速率同步動態隨機存儲器），SDRAM只在時鍾的上升沿表示一個數據，而DDR SDRAM能在上升沿和下降沿都表示一個數據。
DDR又發展為DDR2,DDR3,DDR4，在此基礎上為了適應移動設備低功耗的要求，又發展出LPDDR(Low Power Double Data Rate SDRAM)，對應DDR技術的發展分別又有了LPDDR2, LPDDR3, LPDDR4。
目前手機中運行內存應用最多的就是 LPDDR3和LPDDR4，主流配置為3G或4G容量，如果達到6G或以上，就屬於高端產品。
2 ROM
ROM(Read Only Memory)在以前就指的是只讀存儲器，這種存儲器只能讀取它裡面的數據無法向裡面寫數據。所以這種存儲器就是廠家造好了寫入數據，後面不能再次修改，常見的應用就是電腦里的BIOS。
後來，隨著技術的發展，ROM也可以寫數據，但是名字保留了下來。
ROM中比較常見的是EPROM和EEPROM。
EPROM
EPROM(Easerable Programable ROM)是一種具有可擦除功能，擦除後即可進行再編程的ROM內存，寫入前必須先把裡面的內容用紫外線照射IC上的透明視窗的方式來清除掉。這一類晶元比較容易識別，其封裝中包含有「石英玻璃窗」，一個編程後的EPROM晶元的「玻璃窗」一般使用黑色不幹膠紙蓋住， 以防止遭到紫外線照射。
EPROM (Easerable Programable ROM)
EPROM存儲器就可以多次擦除然後多次寫入了。但是要在特定環境紫外線下擦除，所以這種存儲器也不方便寫入。
EEPROM
EEPROM(Eelectrically Easerable Programable ROM)，電可擦除ROM，現在使用的比較多，因為只要有電就可擦除數據，再重新寫入數據，在使用的時候可頻繁地反復編程。
FLASH
FLASH ROM也是一種可以反復寫入和讀取的存儲器，也叫快閃記憶體，FLASH是EEPROM的變種，與EEPROM不同的是，EEPROM能在位元組水平上進行刪除和重寫而不是整個晶元擦寫，而FLASH的大部分晶元需要塊擦除。和EEPROM相比，FLASH的存儲容量更大。
FLASH目前應用非常廣泛，U盤、CF卡、SM卡、SD/MMC卡、記憶棒、XD卡、MS卡、TF卡等等都屬於FLASH，SSD固態硬碟也屬於FLASH。
NOR FLAHS & NAND FLASH
Flash又分為Nor Flash和Nand Flash。
Intel於1988年首先開發出Nor Flash 技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面；隨後，1989年，東芝公司發表了Nand Flash 結構，強調降低每比特的成本，有更高的性能，並且像磁碟一樣可以通過介面輕松升級。
Nor Flash與Nand Flash不同，Nor Flash更像內存，有獨立的地址線和數據線，但價格比較貴，容量比較小；而Nand Flash更像硬碟，地址線和數據線是共用的I/O線，類似硬碟的所有信息都通過一條硬碟線傳送一樣，而且Nand Flash與Nor Flash相比，成本要低一些，而容量大得多。
如果快閃記憶體只是用來存儲少量的代碼，這時Nor Flash更適合一些。而Nand Flash則是大量數據存儲的理想解決方案。
因此，Nor Flash型快閃記憶體比較適合頻繁隨機讀寫的場合，通常用於存儲程序代碼並直接在快閃記憶體內運行，Nand Flash型快閃記憶體主要用來存儲資料，我們常用的快閃記憶體產品，如U盤、存儲卡都是用Nand Flash型快閃記憶體。
在Nor Flash上運行代碼不需要任何的軟體支持，在Nand Flash上進行同樣操作時，通常需要驅動程序。
目前手機中的機身內存容量都比較大，主流配置已經有32G~128G存儲空間，用的通常就是Nand Flash，另外手機的外置擴展存儲卡也是Nand Flash。
Ⅸ 「所有外存儲器都是非易失性存儲器」對嗎
是的，但也有DRAM和非易失存儲（Nand-flash, eMMC）結合的，但只有拆開看才知道
Ⅹ 常見的非易失性存儲器有哪幾種
常見的非易失性存儲器有以下幾種：
一、可編程只讀內存：PROM（Programmable read-only memory）
其內部有行列式的鎔絲，可依用戶（廠商）的需要，利用電流將其燒斷，以寫入所需的數據及程序，鎔絲一經燒斷便無法再恢復，亦即數據無法再更改。
二、電可擦可編程只讀內存：EEPROM（Electrically erasable programmable read only memory）
電子抹除式可復寫只讀存儲器（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory，EEPROM）之運作原理類似EPROM，但是抹除的方式是使用高電場來完成，因此不需要透明窗。
三、可擦可編程只讀內存：EPROM（Erasable programmable read only memory）
可利用高電壓將數據編程寫入，但抹除時需將線路曝光於紫外線下一段時間，數據始可被清空，再供重復使用。因此，在封裝外殼上會預留一個石英玻璃所制的透明窗以便進行紫外線曝光。
四、電可改寫只讀內存：EAROM（Electrically alterable read only memory）
內部所用的晶元與寫入原理同EPROM，但是為了節省成本，封裝上不設置透明窗，因此編程寫入之後就不能再抹除改寫。
五、快閃記憶體：Flash memory
是一種電子式可清除程序化只讀存儲器的形式，允許在操作中被多次擦或寫的存儲器。這種科技主要用於一般性數據存儲，以及在電腦與其他數字產品間交換傳輸數據，如儲存卡與U盤。快閃記憶體是一種特殊的、以宏塊抹寫的EEPROM。早期的快閃記憶體進行一次抹除，就會清除掉整顆晶元上的數據。