⑴ 基本的靜態存儲元陣列學習過程中需要掌握哪些重點
掌握存儲介質，存儲位元，存儲單元。
存儲器是計算機系統中的記憶設備，用來存放程序和數據。存儲介質：目前主要採用半導體器件和磁性材料。存儲位元：一個雙穩態半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材料的存儲元，均可以存儲一位二進制代碼。這個二進制代碼位是存儲器中最小的存儲單位，稱為存儲位元。存儲單元：由若干個存儲位元組成一個存儲單元。由許多存儲單元組成一個存儲器。
⑵ 在c語言中靜態存儲單元與動態存儲單元有什麼區別
曬曬
靜態的內存使用的是棧空間內存,不用程序員自己來分配.動態內存由程序員根據需要來自己分配並收回.
最大的區別在於動態的內存分配時候會用new關鍵字或malloc或calloc函數,之所以要程序員自己來分配內存是由於有時候不能確定程序要使用多少內存,比如要通過用戶或者文件或者資料庫中的查詢結果來確定使用多少數據,這時候程序員無法在程序的編寫的時候就把內存給固定分配出來.這時候必須得讓程序在運行的時候自己來為自己找到可用的內存,就一定要用動態的方式來分配內存.
舉個例子,根據用戶的輸入一個整數來確定用戶要輸入的數組維數,這個整數不是一定確定的數值,我們可以用一個變數n來表示,並用它接受用戶的輸入,再根據n來生成一個整數數組.程序不能寫成int
array[n];的形式,這樣程序是不能編譯通過的,這是因為n是一個不確定的數值.只能用new或malloc來通過用戶的輸入來分配內存.可以寫成這樣：
int
n;
cout
<<
"input
n:";
cin
>>
n;
cout
<<
endl;
int*
iArray
=
new
int[n];
for
(int
i
=
0;
i
<
n;
i++)
{
cin
>>iArray[i];
⑶ 靜態RAM基本存儲電路
那個T3，T4是有源負載，相當於電阻，T3是T1的負載電阻，T4是T2的負載電阻，都是導通的，為T1，T2提供漏極電壓的。而真正導通和截止形成反相的，有兩個穩定狀態的是T1，T2。因為在集成電路內部不方便做電阻，所以，就用這種電路做電阻了。
⑷ 何為靜態存儲器、動態存儲器，它們的區別是什麼
靜態存儲器與動態存儲器主要性能比較如下表:
靜態和動態存儲器晶元特性比較
SRAM DRAM
存儲信息 觸發器 電容
破壞性讀出 非 是
需要刷新 不要 需要
送行列地址 同時送 分兩次送
運行速度 快 慢
集成度 低 高
發熱量 大 小
存儲成本 高 低
動態存儲器的定期刷新:在不進行讀寫操作時,DRAM 存儲器的各單元處於斷電狀態,由於漏電的存在,保存在電容CS 上的電荷會慢慢地漏掉,為此必須定時予以補充,稱為刷新操作
⑸ 儲存中常見的磁碟陣列有哪些
常見的有：raid0、1、5、10、5e，還要一種叫jbod。
具體網路「raid」詞條講的很詳細。
⑹ 常用的存儲設備中什麼屬於靜態存儲器
ssd和硬碟屬於靜態存儲器，ddr屬於動態存儲器。
靜態存儲器是指依靠雙穩態觸發器的兩個穩定狀態保存信息的存儲器。雙穩態電路是有源器件，需要電源才能工作，只要電源正常，就能長期穩定的保存信息，所以稱為靜態存儲器。如果斷電，信息將會丟失，屬於揮發性存儲器，或稱易失性。
動態存儲器是指在指定功能或應用軟體之間共享的存儲器。如果一個或兩個應用軟體佔用了所有存儲器空間，此時將無法為其他應用軟體分配存儲器空間。需要由存儲器控制電路按一定周期對存儲器刷新，才能維系數據保存。
⑺ 靜態存儲和動態存儲的區別
1. 靜態內存
靜態內存是指在程序開始運行時由編譯器分配的內存，它的分配是在程序開始編譯時完成的，不佔用CPU資源。
程序中的各種變數，在編譯時系統已經為其分配了所需的內存空間，當該變數在作用域內使用完畢時，系統會
自動釋放所佔用的內存空間。
變數的分配與釋放，都無須程序員自行考慮。
基本類型，數組
2. 動態內存
用戶無法確定空間大小，或者空間太大，棧上無法分配時，會採用動態內存分配。
處理器不工作,電腦什麼都做不了。
處理器的工作就是處理指令（多條指令就構成一個程序）。
處理器從內存中取指令集（程序）。
問題是如果斷電的話，內存中的指令就會丟失。因而內存歸類為「易失性」介質。
所以我們要把程序、數據存儲在不易失性的介質中，比如硬碟和光碟。
⑻ 動態MOS存儲器與靜態MOS存儲器各有哪些特點
現在的RAM多為MOS型半導體電路，它分為靜態和動態兩種。靜態RAM是靠雙穩態觸發器來記憶信息的；動態RAM是靠MOS電路中的柵極電容來記憶信息的。具有靜態存儲信息功能的MOS隨機存儲器,其存儲單元的核心部分是雙穩電路。只要電源不斷，在單元內的信息便能長期保存，不需要對所存儲的信息作周期性的刷新。
一位靜態存儲單元是由 6個MOS晶體管組成的一位靜態存儲單元。由增強型和耗盡型 MOS晶體管T□～T□連接成雙穩態電路，T□和T□組成向單元存信息或取信息的控制門。由輸入地址信號經解碼後而選出相應的靜態存儲單元。為了把存儲在單元中的信號寫入和讀出，還必須配有一套靜態讀出和寫入電路(讀寫電路)，以及功能控制電路。因此,MOS靜態隨機存儲器在結構上主要包括存儲單元陣列、地址緩沖解碼器、讀出和寫入電路（讀寫電路），以及讀出和寫入控制電路（讀寫控制電路）四個部分
⑼ 什麼是靜態存儲器什麼是動態存儲器
靜態存儲器(SRAM）：讀寫速度快,成本高,需要電源才能工作,斷電信息將丟失,多用於容量較小的高速緩沖存儲器.
動態存儲器（DRAM）：讀寫速度較慢,集成度高,成本低,要求配置動態刷新電路,多用於容量較大的主存儲器.
⑽ 計算機組成原理中的存儲陣列是什麼意思
存儲陣列：由大量的存儲單元組成，每個存儲單元能存放1位二值數據（0,1）。通常存儲單元排列成N行×M列矩陣形式。
它是把多個磁碟組成一個陣列，當作單一磁碟使用，它將數據以分段(striping)的方式儲存在不同的磁碟中，存取數據時，陣列中的相關磁碟一起動作，大幅減低數據的存取時間，同時有更佳的空間利用率。磁碟陣列所利用的不同的技術，稱為RAID level ，不同的level 針對不同的系統及應用，以解決數據安全的問題。
一般高性能的磁碟陣列都是以硬體的形式來達成，進一步的把磁碟快取控制及磁碟陣列結合在一個控制器(RAID controler)或控制卡上，針對不同的用戶解決人們對磁碟輸出/入系統的四大要求：
增加存取速度。
容錯(fault tolerance )，即安全性。
有效的利用磁碟空間。
盡量的平衡CPU，內存及磁碟的性能差異，提高電腦的整體工作性能。
RAID0為例子，如果我用兩個硬組成，500G兩個，總容量1000G，讀寫速度理論是單個的兩倍。不過缺點是一個硬碟壞了，全部數據都找不回來