⑴ 若儲存器的容量為512k*8位，這地址代碼應該取幾位求詳細步驟！我會追分的！
這個表示512K個位元組 容量就是512K 地址容量就是2的19次方 所以地址線是19條
⑵ 微機原理
1． 世界上第一台電子計算機於1946年誕生於（A）
A．美國 B．德國 C．中國 D．法國
2． 商店裡使用的自動 結帳 系統是一種計算機應用，它屬於（ B）應用類．
A．科學計算 B．數據處理 C．人工智慧 D．自動控制
3． 若二進制數為1011011．101，則其十進制數為（A ）．
A．91．5 B ．91．625 C．733 D．551．5
4． 若X的補碼是 10101010 ，則X原碼為（D ）．
A．10010101 B．10010110 C．00010110 D． 11010110
5． 以下幾個浮點數中，（C ）是已規格化的浮點數．
A．0．0001011 B．0．001011＊2 －1 C．0．1011＊2 －2 D．1011＊2 －7
6． 計算機系統中的存儲器系統是指（ D）．
A．RAM存儲器 B．ROM存儲器 C．主存儲器 D．主存儲器和外存儲器
7． 存儲單元是指（A ）．
A．存放一個二進制信息位的存儲元 B．存放一個機器字的所有存儲元集合 C．存放一個位元組的所有存儲元集合 D．存放兩個位元組的所有存儲元集合
8． 有關ROM的描述，下列說法正確的是（B ）．
A．需要定時作刷新損傷 B．可以讀出也可以寫入 C．僅可讀出，但不能寫入 D．資料讀出後，即遭破壞
9． 某DRAM晶元，其存儲容量為512K＊8位，該晶元的地址線和數據線數目為（D ）
A．8，512 B．512，8 C．18，8 D．19．8
10． 以下四種類型的半導體存儲器中，以傳輸同樣多的字為比較條件，則讀出數據傳輸率最高的是（ C）．
A．DRAM B＞SRAM C．閃速存儲器 D．EPROM
11． 常用虛擬存儲系統由 (B ) 兩級存儲器組成，其中外存是大容量的磁表面存儲器．
A．主存＼外存 B．CACHE＼主存 C．CACHE＼外存 D．通用存儲器＼主存
12． 指令 糸統採用 不同定址方式的目的是（B ）．
A．實現存儲程序和程序控制 B．編程指令長度，擴大空間定址，提高編程靈活性 C．可直接訪問外存 D．提供擴展操作碼的可能並降低指令解碼的難度
13． 單地址指令中，為了完成兩個數的算術運算，除地址碼指明的一個操作數外，另一個常常採用（D ）．
A．堆棧定址方式 B．立即定址方式 C．隱含定址方式 D．間接定址方式
14． 變址定址方式中，操作數的有效地址等於（C ）．
A．基址寄存器內容加上形式地址 B．堆棧指示器內容加上形式地址 C．變址寄存器內容加上形式地址 D．程序記數 器內容 加上形式地址
15． 在下面描述的 RISC 指令系統基本概念中不正確的表達式是（ C）
A．選取使用頻率低的一些復雜指令，指令條數多 B．指令長度固定 C．指令格式種類少 D．只有取數／存數指令訪問存儲器
16． 原碼加減法是指（D ）．
A．操作數用原碼表示，連同符號位直接加減 B．操作數取絕對值，直接相加減，符號位單獨處理 C．操作數用原碼表示，尾數直接相加減，符號位單獨處理 D．操作數用原碼表示，根據兩數符號決定實際操作，符號位單獨處理
17． 原碼乘法是（D ）．
A．先取操作數絕對相乘，符號位單獨處理 B．用原碼表示操作數，然後直接相乘 C．被乘數用原碼表示，乘數取絕對值，然後相乘 D．乘數用原碼表示，被乘數取絕對值，然後相乘
18． 下列運算步驟中，浮點數乘法不需要的步驟是（A ）．
A． 對階 B． 階碼相加 C．尾數相乘 D．結果規格化
19． 通用寄存器組屬於（A ）的組成部件．
A．運算器 B．控制器 C．存儲器 D．適配器
⑶ 若存儲器的容量為512K*8位，則地址代碼應取幾位答案是地址數共4m，地址代碼位數為11+(11-3)=19
1k=1024B，512×1024×8=1024B×1024×4=4MB,512K為2的19次方，19就是地址代碼位數，後面的8為數據輸出輸入端，與地址代碼位數無關
⑷ 512k*8的RAM晶元需要多少條地址線進行定址，需要多少條數據線具體過程
19條地址線，8條數據線，512K為2的19次方，K代表2的10次方，512為2的9次方，後面的8條數據線。
比如：
將8個RAM晶元以並聯方式通過PCB走線連接，可以組成一個8Kx8bit存儲器。要完成所有的定址最少需要13條地址線。完成PBANK片選需要3條地址線。
128根晶元組選擇地址線，其中兩個512*4的RAM晶元共用一根晶元組選擇地址線。晶元組選擇地址線即共用的片選線。
(4)存儲器容量為512k8擴展閱讀：
在地址位多處理器協議中（ADDR/IDLEMODE位為1），最後一個數據位後有一個附加位，稱之為地址位。數據塊的第一個幀的地址位設置為1，其他幀的地址位設置為0。地址位多處理器模式的數據傳輸與數據塊之間的空閑周期無關（參看圖在SCICCR寄存器中的位3——ADDR/IDLE MODE位）。一根地址線只能表示1和0。
⑸ 若存儲器的的容量為512K*8位，則地址代碼應取幾位
1、大多存儲器是按照位元組來定址的，每位元組8位。
2、512k位元組的容量應該用19位地址碼，2^19=524288位元組，可定址512k。
⑹ 有關計算機組成原理的題目，我想問一下「512K×8位」指的是什麼K和位、位元組、MB不是可以轉化的嗎
512Kx8位表示晶元的容量。512K表示晶元的定址范圍可以達到512K，8位表示系統數據匯流排有8位。
1KB=1024Bytes=2的10次方Bytes
1MB=1024KB=2的20次方Bytes
1GB=1024MB=2的30次方Bytes
1TB=1024GB=2的40次方Bytes
(6)存儲器容量為512k8擴展閱讀：
根據計算機的不同，字長有固定的和可變的兩種。固定字長，即字長度不論什麼情況都是固定不變的；可變字長，則在一定范圍內，其長度是可變的。
計算的字長是指它一次可處理的二進制數字的數目。計算機處理數據的速率，自然和它一次能加工的位數以及進行運算的快慢有關。如果一台計算機的字長是另一台計算機的兩倍，即使兩台計算機的速度相同，在相同的時間內，前者能做的工作是後者的兩倍。
一般地，大型計算機的字長為32-64位，小型計算機為12-32位，而微型計算機為4-16位。字長是衡量計算機性能的一個重要因素。
⑺ 某DRAM晶元，其存儲容量為512×8位，問該晶元的地址線和數據線的數目分別是多少
如果存儲容量為512×8，則有8條數據線；因為2^19=512k，則有19條地址線。
512表示可以存儲512×1024=2^19位數據，同時讀寫8位數據。
DRAM晶元是動態隨機存取存儲器，DRAM只能保存短時間的數據，需要定期刷新，DRAM要比SRAM復雜得多，因為在DRAM的數據存儲過程中，存儲的信息需要不斷刷新，這是它們之間最大的區別。
(7)存儲器容量為512k8擴展閱讀：
DRAM晶元類型：
DRAM可分為多種類型，常用的有fpram/fastpage、edoram、DDR-ram、RDRAM、SGRAM和wram等，本文介紹了其中一種。
DDR RAM（日期率RAM）也稱為DDR SDRAM，這種改進的ram與SDRAM基本相同，不同之處在於它可以在一個時鍾中讀寫兩次數據，從而使數據傳輸速度加倍。
這是目前使用最多的計算機，而且它具有成本優勢，事實上，它超過了英特爾Rambus DRAM的另一個內存標准。在許多高端顯卡中，為了提高帶寬，還配備了高速DDR-ram，可以大大提高3D加速卡的像素渲染能力。
⑻ 某DRAM晶元，其存儲容量為512K×8位，該晶元的地址線和數據線的數目是
晶元有10條地址線和8條數據線。
由於DRAM晶元的存儲容量為512K×8位，其數據存儲的最小單位為8位，即1位元組。因此，數據線總共需要8位，即8條數據線，通常為D（0）～D（7）。
同時，可以知道內存的512K位，從2＾19＝524，288＝512K，所以我們可以用19個地址的順序來表示DRAM的地址。
然而，DRAM的內部存儲單元大多採用行和行結構，即在時分復用中，地址線傳輸行和行信號，因此地址線的數量應該減少到10個地址線。地址值是冗餘的。
DRAN的內部存儲單元結構如下圖所示：
(8)存儲器容量為512k8擴展閱讀：
DRAM（動態隨機存取存儲器），即動態隨機存取存儲器。數據只能保存很短的時間。為了保存數據，DRAM使用電容存儲，因此必須定期刷新數據，如果存儲單元沒有刷新，那麼存儲的信息就會丟失。（關機時會丟失數據）
DRAM的存儲結構採用二維矩陣結構，將DRAM的地址數據讀入兩部分：行地址數據和列地址數據。
DRAM的結構和列地址行分時工作大大提高了DRAM地址行的利用率和DRAM的集成度，大大減少了DRAM引腳的數量。
⑼ 如果有一個存儲容量為512KB的存儲器,請說明這些數字分別表示什麼含義
存儲器以存放8位二進制數為一個單元，稱為一個位元組，Byte。1KB是1024個位元組，即1024B，512KB=512×1024B=524288B。這種寫法數很大，所以，還是寫成512KB好記好讀。
⑽ 一個512k×8位的存儲器有多少個存儲單選
524288個儲存單元。
一般應具有存儲數據和讀寫數據的功能，以8位二進製作為一個存儲單元，也就是一個位元組。每個單元有一個地址，是一個整數編碼，可以表示為二進制整數。程序中的變數和主存儲器的存儲單元相對應。變數的名字對應著存儲單元的地址，變數內容對應著單元所存儲的數據。存儲地址一般用十六進制數表示，而每一個存儲器地址中又存放著一組二進制（或十六進制）表示的數，通常稱為該地址的內容。