Ⅰ 哪種存儲設備使用磁性介質存儲數據
存儲設備使用磁性介質的，主要應該就是常見的sdram，另外機械硬碟也是用磁性介質的。
Ⅱ 為什麼磁性材料可以用來作為存儲器
磁性材料可以具有有磁和失磁兩種狀態，對應二進制的1和0，故所以能用來做存儲介質。
磁表面存儲器是利用塗覆在載體表面的磁性材料具有兩種不同的磁化狀態來表示二進制信息的「0」和「1」。將磁性材料均勻地塗覆在圓形的鋁合金或塑料的載體上就成為磁碟，塗覆在聚酯塑料帶上就成為磁帶。
計算機的外存儲器又稱磁表面存儲設備。所謂磁表面存儲，是用某些磁性材料薄薄地塗在金屬鋁或塑料表面作載磁體來存儲信息。磁碟存儲器、磁帶存儲器均屬於磁表面存儲器。
磁表面存儲器的優點為存儲容量大、單位價格低、記錄介質可以重復使用、記錄信息可以長期保存而不丟失，甚至可以離線存檔、非破壞性讀出，讀出時不需要再生信息。
Ⅲ 存儲信息的硬碟使用的是軟磁性材料還是硬磁性材料
存儲信息的硬碟使用的是硬磁性材料。
硬磁性材料也就是永磁體指磁化後能長久保持磁性的材料 常見的有高碳鋼，鋁鎳鈷合金，鈦鈷合金 還應用於磁記錄，如錄音磁帶，錄象磁帶，電腦磁碟粉等。
軟磁性材料指磁化後，不能保持原有的磁性。如軟鐵，硅鋼，鐵鎳合金等。用來製造變壓器，電磁鐵等。
硬磁性材料的特點是：
1）具有較大的矯頑力，典型值Hc=104～106A/m。
2）磁滯回線較粗，具有較高的最大磁能積(BH)max。
3）剩磁很大。
4）這種材料充磁後不易退磁，適合做永久磁鐵。
5） 硬磁性材料如碳鋼、鋁鎳鈷合金和鋁鋼等。
矯頑磁力大，這意味著磁滯回線包圍的面積較大，磁滯特性非常明顯。把硬磁性材料放在外磁場中充磁後，若將外磁場撤除，仍然能保留較強的磁性，並且這種剩餘磁性不易被消除。
Ⅳ 硬碟使用了鐵磁性材料,U盤使用了鐵電性材料
硬碟使用的材料，以前主要是鋁，現在已經是玻璃，不過真正起作用的不是這些主要材料，而是在盤基上的塗層，這些是鐵磁性的。
U盤使用的是半導體技術，也就是硅原料，簡單來說，U盤的主要記憶體是晶元，也就是跟CPU核心差不多的一種東西。當然，其實應該更傾向於像內存上的晶元，不過U盤晶元的信息在斷電之後不會消失而已。
另外，現在已經有很多U盤使用了微硬碟技術，核心跟硬碟一樣了
Ⅳ 計算機存儲介質一磁碟用的是哪種磁性材料為什麼
摘要 硬碟使用的材料，以前主要是鋁，現在已經是玻璃，不過真正起作用的不是這些主要材料，而是在盤基上的塗層，這些是鐵磁性的。
Ⅵ 儲存器可分為哪三類
儲存器可分為隨機存儲器、只讀存儲器和外存儲器三類。
一、隨機存儲器：隨機存取存儲器（random access memory）又稱作「隨機存儲器」，是與CPU直接交換數據的內部存儲器，也叫主存（內存）。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統或其他正在運行中的程序的臨時數據存儲媒介。
二、只讀存儲器：其英文簡稱是ROM，它所存儲的數據通常都是裝入主機之前就寫好的，在工作的時候只能讀取而不能像隨機存儲器那樣隨便寫入，但是只讀存儲器有的所存儲的數據十分穩定。而且只讀存儲器的結構十分簡單，讀出很簡便，因此一般用於存儲各種的程序與數據的地方。
三、外存儲器：外存儲器包括軟盤存儲器、硬碟存儲器、移動存儲器、快閃記憶體檔（優盤）、移動硬碟、固態硬碟（SSD）、光碟存儲器等。外儲存器是指除計算機內存及CPU緩存以外的儲存器，此類儲存器一般斷電後仍然能保存數據。
(6)以磁性材料作為存儲介質的硬體是擴展閱讀
儲存器主要採用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩態半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材料的存儲元，它可存儲一個二進制代碼。由若干個存儲元組成一個存儲單元，然後再由許多存儲單元組成一個存儲器。
一個存儲器包含許多存儲單元，每個存儲單元可存放一個位元組。每個存儲單元的位置都有一個編號，即地址，一般用十六進製表示。一個存儲器中所有存儲單元可存放數據的總和稱為它的存儲容量。
Ⅶ 計算機存儲介質一磁碟用的是哪種磁性材料為什麼
根據存儲元件的性能及使用方法不同，存儲器有各種不同的分類方法。
1.按存儲介質分類
作為存儲介質的基本要求，必須具備能夠顯示兩個有明顯區別的物理狀態的性能，分別用來表示二進制的代碼0和1。另一方面，存儲器的存取速度又取決於這種物理狀態的改變速度。目前使用的存儲介質主要是半導體器件和磁性材料，用半導體器件組成的存儲器稱為半導體存儲器。用磁性材料做成的存儲器稱為磁表面存儲器，例如磁碟存儲器和磁帶存儲器。
2.按存取方式分類
如果存儲器中任何存儲單元的內容都能被隨機存取，且存取時間和存儲單元的物理位置無關，這種存儲器稱為隨機存儲器。半導體存儲器和磁芯存儲器都是隨機存儲器。如果存儲器只能按某種順序來存取，也就是說存取時間和存儲單元的物理位置無關，這種存儲器稱為順序存儲器。例如，磁帶存儲器就是順序存儲器。一般來說，順序存儲器的存取周期較長。磁碟存儲器是半順序存儲器。
3.按存儲器的讀寫功能分類
有些半導體存儲器存儲的內容是固定不變的，即只能讀出而不能寫入，因此這種半導體存儲器稱為只讀存儲器 (ROM)。既能讀出又能寫入的半導體存儲器，稱為隨機存儲器 (RAM)。
4.按信息的可保存性分類
斷電後信息即消失的存儲器，稱為非永久記憶的存儲器。斷電後仍能保存信息的存儲器，稱為永久性記憶的存儲器。磁性材料做成的存儲器是永久性存儲器，半導體讀寫存儲器RAM是非永久性存儲器。
5.按串、並行存取方式分類
目前使用的半導體存儲器大多為並行存取方式，但也有以串列存取方式工作的存儲器，如電耦合器件 (CCD)、串列移位寄存器和鎳延遲線構成的存儲器等。
6.按在計算機系統中的作用分類
根據存儲器在計算機系統中所起的作用，可分為主存儲器、輔助存儲器、緩沖存儲器、控制存儲器等
Ⅷ 現代計算機常用的外存儲器採用了磁性材料作為存儲介質，而內存儲器選取了什麼材料製作的集成電路作為存儲
現代計算機常用的外存儲器採用了磁性材料作為存儲介質，而內存儲器選取了半導體材料製作的集成電路作為存儲。
Ⅸ SSD的存儲介質是磁性材料 a. 對 b. 錯
錯。
目前硬碟有固態硬碟（SSD 盤，新式硬碟）、機械硬碟（HDD 傳統硬碟）、混合硬碟（HHD 一塊基於傳統機械硬碟誕生出來的新硬碟）。SSD採用快閃記憶體顆粒來存儲，HDD採用磁性碟片來存儲，混合硬碟(HHD: Hybrid Hard Disk)是把磁性硬碟和快閃記憶體集成到一起的一種硬碟。
而快閃記憶體顆粒不是磁性材料。
Ⅹ 存儲器的類型
根據存儲材料的性能及使用方法的不同，存儲器有幾種不同的分類方法。1、按存儲介質分類：半導體存儲器：用半導體器件組成的存儲器。磁表面存儲器：用磁性材料做成的存儲器。
下面我們就來了解一下存儲器的相關知識。
存儲器大體分為兩大類，一類是掉電後存儲信息就會丟失，另一類是掉電後存儲信息依然保留，前者專業術語稱之為「易失性存儲器」，後者稱之為「非易失性存儲器」。
1 RAM
易失性存儲器的代表就是RAM（隨機存儲器），RAM又分SRAM（靜態隨機存儲器）和DRAM（動態隨機存儲器）。
SRAM
SRAM保存數據是靠晶體管鎖存的，SRAM的工藝復雜，生產成本高，但SRAM速度較快，所以一般被用作Cashe，作為CPU和內存之間通信的橋梁，例如處理器中的一級緩存L1 Cashe, 二級緩存L2 Cashe，由於工藝特點，SRAM的集成度不是很高，所以一般都做不大，所以緩存一般也都比較小。
DRAM
DRAM（動態隨機存儲器）保存數據靠電容充電來維持，DRAM的應用比SRAM更普遍，電腦裡面用的內存條就是DRAM，隨著技術的發展DRAM又發展為SDRAM（同步動態隨機存儲器）DDR SDRAM（雙倍速率同步動態隨機存儲器），SDRAM只在時鍾的上升沿表示一個數據，而DDR SDRAM能在上升沿和下降沿都表示一個數據。
DDR又發展為DDR2,DDR3,DDR4，在此基礎上為了適應移動設備低功耗的要求，又發展出LPDDR(Low Power Double Data Rate SDRAM)，對應DDR技術的發展分別又有了LPDDR2, LPDDR3, LPDDR4。
目前手機中運行內存應用最多的就是 LPDDR3和LPDDR4，主流配置為3G或4G容量，如果達到6G或以上，就屬於高端產品。
2 ROM
ROM(Read Only Memory)在以前就指的是只讀存儲器，這種存儲器只能讀取它裡面的數據無法向裡面寫數據。所以這種存儲器就是廠家造好了寫入數據，後面不能再次修改，常見的應用就是電腦里的BIOS。
後來，隨著技術的發展，ROM也可以寫數據，但是名字保留了下來。
ROM中比較常見的是EPROM和EEPROM。
EPROM
EPROM(Easerable Programable ROM)是一種具有可擦除功能，擦除後即可進行再編程的ROM內存，寫入前必須先把裡面的內容用紫外線照射IC上的透明視窗的方式來清除掉。這一類晶元比較容易識別，其封裝中包含有「石英玻璃窗」，一個編程後的EPROM晶元的「玻璃窗」一般使用黑色不幹膠紙蓋住， 以防止遭到紫外線照射。
EPROM (Easerable Programable ROM)
EPROM存儲器就可以多次擦除然後多次寫入了。但是要在特定環境紫外線下擦除，所以這種存儲器也不方便寫入。
EEPROM
EEPROM(Eelectrically Easerable Programable ROM)，電可擦除ROM，現在使用的比較多，因為只要有電就可擦除數據，再重新寫入數據，在使用的時候可頻繁地反復編程。
FLASH
FLASH ROM也是一種可以反復寫入和讀取的存儲器，也叫快閃記憶體，FLASH是EEPROM的變種，與EEPROM不同的是，EEPROM能在位元組水平上進行刪除和重寫而不是整個晶元擦寫，而FLASH的大部分晶元需要塊擦除。和EEPROM相比，FLASH的存儲容量更大。
FLASH目前應用非常廣泛，U盤、CF卡、SM卡、SD/MMC卡、記憶棒、XD卡、MS卡、TF卡等等都屬於FLASH，SSD固態硬碟也屬於FLASH。
NOR FLAHS & NAND FLASH
Flash又分為Nor Flash和Nand Flash。
Intel於1988年首先開發出Nor Flash 技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面；隨後，1989年，東芝公司發表了Nand Flash 結構，強調降低每比特的成本，有更高的性能，並且像磁碟一樣可以通過介面輕松升級。
Nor Flash與Nand Flash不同，Nor Flash更像內存，有獨立的地址線和數據線，但價格比較貴，容量比較小；而Nand Flash更像硬碟，地址線和數據線是共用的I/O線，類似硬碟的所有信息都通過一條硬碟線傳送一樣，而且Nand Flash與Nor Flash相比，成本要低一些，而容量大得多。
如果快閃記憶體只是用來存儲少量的代碼，這時Nor Flash更適合一些。而Nand Flash則是大量數據存儲的理想解決方案。
因此，Nor Flash型快閃記憶體比較適合頻繁隨機讀寫的場合，通常用於存儲程序代碼並直接在快閃記憶體內運行，Nand Flash型快閃記憶體主要用來存儲資料，我們常用的快閃記憶體產品，如U盤、存儲卡都是用Nand Flash型快閃記憶體。
在Nor Flash上運行代碼不需要任何的軟體支持，在Nand Flash上進行同樣操作時，通常需要驅動程序。
目前手機中的機身內存容量都比較大，主流配置已經有32G~128G存儲空間，用的通常就是Nand Flash，另外手機的外置擴展存儲卡也是Nand Flash。