㈠ 當今主流行存儲器介紹
儲器技術是一種不斷進步的技術，每一種新技術的出現都會使某種現存的技術走進歷史，這是因為開發新技術的初衷就是為了消除或減輕某種特定存儲器產品的不足之處。
舉例來說，快閃記憶體技術脫胎於EEPROM，它的第1個主要用途就是為了取代用於PC機BIOS的EEPROM晶元，以便方便地對這種計算機中最基本的代碼進行更新。
這樣，隨著各種專門應用不斷提出新的要求，新的存儲器技術也層出不窮，從PC機直到數字相機。本文即著眼於對現有的存儲器技術及其未來走向進行考察。
DRAM
嚴重依賴於PC的DRAM市場總是處於劇烈的振盪之中。對目前處於衰退過程中的供應商們來說，降低每比特DRAM生產成本唯一劃算的方法就是縮小DRAM晶元的尺寸。所以，製造商們就不斷地尋找可以縮小DRAM晶元尺寸的方法。
隨著市場的復甦和邊際效益的增長，供應商們會逐漸轉向使用300mm的大圓片。但現在，大多數DRAM生產商都承擔不起在300mm圓片上生產的費用。
就像石油公司都想多賣高品質汽油以獲取高額利潤一樣，DRAM生產商也正在把產品線從SDRAM換成DDR SDRAM，希望賣個高價。在DDR之後又出來一個DDR II，這是一種更先進的DRAM技術，已經受到英特爾的歡迎。出於同樣的原因，存儲器生產商們很快就會升級到DDR II技術。
同樣像石油公司不斷勘探新油田一樣，DRAM生產商也在不斷地開發新的市場，包括通信和消費電子市場在內。他們希望這樣能降低對PC市場的依存度，平穩渡過市場振盪期。
許多生產商都開始針對這些市場開發專門的DRAM產品。
不幸的是，隨著人們開始對各種模塊和伺服器進行升級，PC市場在未來仍將是DRAM應用最主要的推動力。盡管一些生產商認為通信將成為另一個主要的推動力，但根據iSuppli公司的預測，至少在2002年，通信市場在DRAM銷售中所佔的份額將仍低於2%。
生產商對消費電子市場的期望值更高。網路設備和數字電視是DRAM應用增長最迅速的領域，但與PC市場相比，其份額仍然太小了。
但是，不論是消費電子市場還是PC市場，DRAM面臨的最大挑戰都是以下需求：更高的密度、更大的帶寬、更低的功耗、更少的延遲時間以及更低的價格。因此，對DRAM生產商和用戶來說，在消費電子領域中性價比還是最主要的考慮因素。
現在已經有許多公司在開始或已經開始提供專門為各種非PC應用設計的DRAM，包括短延遲DRAM（RL-DRAM）以及各種Rambus DRAM（RDRAM）。這些專用DRAM的產量都很小，單位售價很高。因此，iSuppli相信在非PC領域內，這些專用存儲器永遠不會取代普通的SDRAM和DDR存儲器。所以，對DRAM來說，其未來屬於低價、標准、大量生產的、面向其占最大份額的PC市場的技術。
快閃記憶體和其他非易失性存儲器
目前，非易失性存儲器技術的最高水平是快閃記憶體。如同DRAM依賴於PC市場一樣，快閃記憶體也依賴於手機和機頂盒市場。由於這些設備的需求一直不夠強勁，所以快閃記憶體目前良好的銷售情況只是季節性的，今年下半年就會降下來。
但到明年上半年，手機、數字消費產品以及數字介質的需求會比較強勁，所以快閃記憶體的前景也會變得光明一些。
盡管目前非易失性存儲器中最先進的就是快閃記憶體，但技術卻並未就此停步。生產商們正在開發多種新技術，以便使快閃記憶體也擁有像DRAM和SDRAM那樣的高速、低價、壽命長等特點。
非易失性存儲器包括鐵電介質存儲器（FRAM或FeRAM）、磁介質存儲器（MRAM）、奧弗辛斯基效應一致性存儲器（OUM）以及聚合物存儲器（PFRAM），對數據處理來說，它們都很有前途，因為它們突破了SRAM、DRAM以及快閃記憶體的局限性。
每種技術都有自己的目標市場，iSuppli公司將在下面逐一進行分析。
FRAM
FRAM是下一代的非易失性存儲器技術，運行能耗低，在斷電後能長期保存數據。它綜合了RAM高速讀寫和ROM長期保存數據的特點。
這項技術利用了鐵電材料可保存信息的特點，使用工業標準的CMOS半導體存儲器製造工藝來生產，直到近日才研發成功。但是，FRAM的壽命是有限的，而其讀取是破壞性的，就是說一旦進行讀取，FRAM中存儲的數據就消失了。
MRAM
MRAM是非易失性的存儲器，速度比DRAM還快。在實驗室中，MRAM的寫入時間可低至2.3ns。
MRAM擁有無限次的讀寫能力，並且功耗極低，可實現瞬間開關機並能延長便攜機的電池使用時間。而且，MRAM的電路比普通存儲器還簡單，整個晶元只需一條讀出電路。
但就生產成本來看，MRAM比SRAM、DRAM及快閃記憶體都高得多。
OUM
OUM是一種非易失性存儲器，可以替代低功耗的快閃記憶體。它擁有很長的讀寫操作壽命，並且比快閃記憶體更易集成。OUM存儲單元的密度極高，讀取操作完全安全，只需極低的電壓和功率即可工作，同現有邏輯電路的集成也相當簡單。用OUM單元製作的存儲器大約可寫入10億次，這使它成為便攜設備中大容量存儲器的理想替代品。
但是，OUM有一定的使用壽命，長期使用會出一些可靠性問題。
PFRAM
PFRAM是一種塑料的、基於聚合物的非易失性存儲器，通過三維堆疊技術可以得到很高的密度，但它的讀寫操作壽命有限。
PFRAM可能會替代快閃記憶體，並且其成本只有NOR型快閃記憶體的10%左右。塑料存儲器的存儲潛力也相當巨大。
今後，生產聚合物存儲器可能會變得像印照片一樣簡單，但今年才剛剛開始對這種存儲器的生產工藝進行研發。PFRAM的讀寫次數也有限，並且其讀取也是破壞性的，就像FRAM一樣。
總之，存儲器技術將會繼續發展，以滿足不同的應用需求。就PC市場來說，更高密度、更大帶寬、更低功耗、更短延遲時間、更低成本的主流DRAM技術將是不二之選。
而在非易失性存儲器領域，供應商們正在研究快閃記憶體之外的各種技術，以便滿足不同應用的需求，而這些技術各有優劣。
㈡ 計算機中有哪些存儲器
型計算機的內存儲器是由半導體器件構成的。從使用功能上分，有隨機存儲器 （Random Access Memory，簡稱 RAM），又稱讀寫存儲器；只讀存儲器（Read Only Memory，簡稱為ROM）。
1.隨機存儲器（Random Access Memory）
RAM有以下特點：可以讀出，也可以寫入。讀出時並不損壞原來存儲的內容，只有寫入時才修改原來所存儲的內容。斷電後，存儲內容立即消失，即具有易失性。 RAM可分為動態（ Dynamic RAM）和靜態（Static RAM）兩大類。DRAM的特點是集成度高，主要用於大容量內存儲器；SRAM的特點是存取速度快，主要用於高速緩沖存儲器。
2．只讀存儲器(Read Only Memory)
ROM是只讀存儲器。顧名思義，它的特點是只能讀出原有的內容，不能由用戶再寫入新內容。原來存儲的內容是採用掩膜技術由廠家一次性寫入的，並永久保存下來。它一般 用來存放專用的固定的程序和數據。不會因斷電而丟失。
3.CMOS存儲器（Complementary Metal Oxide Semiconctor Memory，互補金屬氧化物半導體內存)
COMS內存是一種只需要極少電量就能存放數據的晶元。由於耗能極低，CMOS內存可以由集成到主板上的一個小電池供電，這種電池在計算機通電時還能自動充電。因為CMOS晶元可以持續獲得電量，所以幾十在關機後，他也能保存有關計算機系統配置的重要數據。
㈢ 破壞性讀出的存儲器有哪些
破壞性讀出的存儲器有：動態RAM，靜態RAM，cache是易失性的，ROM,磁碟，光碟是非易失性的。
這樣的產品只允許寫入一次，所以也被稱為「一次可編程只讀存儲器」(One Time Progarmming ROM，OTP-ROM)。
CD-ROM（Compact Disc Read-Only Memory）只讀光碟是計算機上使用的一種光碟。這種光碟只能寫入一次數據，信息將永久保存在光碟上。使用時，信息將通過光碟機讀取。CD格式最初是為音樂存儲和播放而設計的。
存儲系統的層次結構：
為提高存儲器的性能，通常把各種不同存儲容量、存取速度和價格的存儲器按層次結構組成多層存儲器，並通過管理軟體和輔助硬體有機組合成統一的整體，使所存放的程序和數據按層次分布在各存儲器中。
主要採用三級層次結構來構成存儲系統，由高速緩沖存儲器Cache、主存儲器和輔助存儲器組成。圖中自上向下容量逐漸增大，速度逐級降低，成本則逐次減少。
整個結構可看成主存一輔存和Cache-主存兩個層次。在輔助硬體和計算機操作系統的管理下，可把主存一輔存作為一個存儲整體，形成的可定址存儲空間比主存儲器空間大得多。
由於輔存容量大，價格低，使得存儲系統的整體平均價格降低。Cache-主存層次可以縮小主存和CPU之間的速度差距，從整體上提高存儲器系統的存取速度。
㈣ 內存儲器R+O+M的功能是什麼
摘要 ROM（（「只讀內存」的簡稱））是指只讀存儲器。
㈤ 指出下列存儲器哪些是易失性的哪些是非易失性的哪些是讀出破壞性的哪些是非讀出破壞性的
動態RAM，靜態RAM，cache是易失性的
ROM,磁碟，光碟是非易失性的
㈥ ram和rom的區別
主要區別是，性質不同、特點不同、應用不同，具體如下：
一、性質不同
1、ram
RAM是隨機存取存儲器，也叫主存，是與CPU直接交換數據的內部存儲器。
2、rom
ROM是只讀存儲器，以非破壞性讀出方式工作，只能讀出無法寫入信息。
二、特點不同
1、ram
特點是易揮發性，即掉電失憶。如果突然停電或者沒有保存就關閉了文件，RAM會使之前沒有保存的文件消失。
2、rom
特點與RAM 相反。如果突然停電或者沒有保存就關閉了文件，ROM可以隨機保存之前沒有儲存的文件。
三、應用不同
1、ram
RAM可以隨時讀寫（刷新時除外），而且速度很快，通常作為操作系統或其他正在運行中的程序的臨時數據存儲介質。
2、rom
ROM所存數據通常是裝入整機前寫入的，整機工作過程中只能讀出，不像隨機存儲器能快速方便地改寫存儲內容。ROM所存數據穩定 ，斷電後所存數據也不會改變，並且結構較簡單，使用方便，因而常用於存儲各種固定程序和數據。
㈦ 簡述存儲器讀出操作和寫入操作的工作過程（用來提交作業的，想要簡潔點），謝謝了！
進行寫操作時，假定CPU要把數據寄存器（DR）中的內容00100110，即26H寫入寄存器08H單元，即：
①CPU的地址寄存器(AR) 先把地址08H放到數據匯流排上, 經解碼器選中08H 單元；
②CPU把數據寄存器中的內容26H放到數據匯流排上；
③CPU向寄存器發送寫控制信號，在該信號的控制下，將內容08H寫入被定址的08H單元。
讀操作完成後，04H單元中的內容97H仍保持不變這種特點稱為非破壞性讀出。因此他允許多次獨處同一內容。寫入操作將破壞該單元中原來存放的內容，即由新內容26H代替了原內容，原內容被清除。
㈧ 何為靜態存儲器，動態存儲器，它們的區別是什麼
靜態存儲器與動態存儲器主要性能比較如下表: 靜態和動態存儲器晶元特性比較 SRAM DRAM 存儲信息 觸發器 電容 破壞性讀出 非 是 需要刷新 不要 需要 送行列地址 同時送 分兩次送 運行速度 快 慢 集成度 低 高 發熱量 大 小
㈨ 存儲器有哪些
構成存儲器的存儲介質主要採用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩態半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材料的存儲元，它可存儲一個二進制代碼。由若干個存儲元組成一個存儲單元，然後再由許多存儲單元組成一個存儲器。
根據存儲材料的性能及使用方法的不同，存儲器有幾種不同的分類方法。
1．按存儲介質分類
半導體存儲器：用半導體器件組成的存儲器。
磁表面存儲器：用磁性材料做成的存儲器。
2．按存儲方式分類
隨機存儲器：任何存儲單元的內容都能被隨機存取，且存取時間和存儲單元的物理位置無關。
順序存儲器：只能按某種順序來存取，存取時間與存儲單元的物理位置有關。
3．按存儲器的讀寫功能分類
只讀存儲器(ROM)：存儲的內容是固定不變的，只能讀出而不能寫入的半導體存儲器。
隨機讀寫存儲器(RAM)：既能讀出又能寫入的半導體存儲器。
4．按信息的可保存性分類
非永久記憶的存儲器：斷電後信息即消失的存儲器。
永久記憶性存儲器：斷電後仍能保存信息的存儲器。
5．按在計算機系統中的作用分類
主存儲器（內存）：用於存放活動的程序和數據，其速度高、容量較小、每位價位高。
輔助存儲器（外存儲器）：主要用於存放當前不活躍的程序和數據，其速度慢、容量大、每位價位低。
緩沖存儲器：主要在兩個不同工作速度的部件起緩沖作用。
㈩ 幾種新型非易失性存儲器
關鍵詞： 非易失性存儲器；FeRAM；MRAM；OUM引言更高密度、更大帶寬、更低功耗、更短延遲時問、更低成本和更高可靠性是存儲器設計和製造者追求的永恆目標。根據這一目標，人們研究各種存儲技術，以滿足應用的需求。本文對目前幾種比較有競爭力和發展潛力的新型非易失性存儲器做了一個簡單的介紹。
圖1 MTJ元件結構示意圖鐵電存儲器(FeRAM)
鐵電存儲器是一種在斷電時不會丟失內容的非易失存儲器，具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優點。
當前應用於存儲器的鐵電材料主要有鈣鈦礦結構系列，包括PbZr1-xTixO3，SrBi2Ti2O9和Bi4-xLaxTi3O12等。鐵電存儲器的存儲原理是基於鐵電材料的高介電常數和鐵電極化特性，按工作模式可以分為破壞性讀出(DRO)和非破壞性讀出(NDRO)。DRO模式是利用鐵電薄膜的電容效應，以鐵電薄膜電容取代常規的存儲電荷的電容，利用鐵電薄膜的極化反轉來實現數據的寫入與讀取。鐵電隨機存取存儲器(FeRAM)就是基於DRO工作模式。這種破壞性的讀出後需重新寫入數據，所以FeRAM在信息讀取過程中伴隨著大量的擦除/重寫的操作。隨著不斷地極化反轉，此類FeRAM會發生疲勞失效等可靠性問題。目前，市場上的鐵電存儲器全部都是採用這種工作模式。