存儲器中cl是什麼

Ⅰ 內存中的CL9啥意思啊

CL是 CAS Latency 的縮寫，是內存的一個指標，CL後面的數值代表從 memory controller（內存控制器）發出讀取存儲器某單元內容的要求後，到數據實際被送到輸出 pin 所需要的時間（單位是時鍾周期）。所以這個值越短越好。CL9 即表示從控制器發出命令到收到數據需要9個時鍾周期。CL9的內存是現今第三代台式電腦內存（DDR3）的主流。

Ⅱ 內存的CL值是什麼

CL是CAS Latency的縮寫，是內存性能的一個重要指標，是內存縱向地址脈沖的反應時間。

當電腦需要向內存讀取數據時，在實際讀取之前一般都有一個「緩沖期」，而「緩沖期」的時間長度，就是這個CL。

內存延遲表示系統進入數據存取操作就緒狀態前等待內存相應的時間，它通常用4個連著的阿拉伯數字來表示，例如「3-4-4-8」。其中第一個數字表示內存讀取數據所需的延遲時，即常說的CL值。

CL設置較低的內存

具備更高的優勢，這可以從總的延遲時間來表現。內存總的延遲時間有一個計算公式，總延遲時間=系統時鍾周期×CL模式數+存取時間（tAC）。

存取時間（tAC）的概念，tAC是Access Time from CLK的縮寫，是指最大CAS延遲時的最大數輸入時鍾，是以納秒為單位的，與內存時鍾周期是完全不同的概念，雖然都是以納秒為單位。存取時間（tAC）代表著讀取、寫入的時間，而時鍾頻率則代表內存的速度。

以上內容參考：網路-內存延遲

Ⅲ 什麼是內存的CL值

CL反應時間是衡定內存的另一個標志。CL是CAS Latency的縮寫，指的是內存存取數據所需的延遲時間，簡單的說，就是內存接到CPU的指令後的反應速度。一般的參數值是2和3兩種。數字越小，代表反應所需的時間越短。

在早期的PC133內存標准中，這個數值規定為3，而在Intel重新制訂的新規范中，強制要求CL的反應時間必須為2，這樣在一定程度上，對於內存廠商的晶元及PCB的組裝工藝要求相對較高，同時也保證了更優秀的品質。因此在選購品牌內存時，這是一個不可不察的因素。

(3)存儲器中cl是什麼擴展閱讀：

CL=2所表示的意義是此時內存讀取數據的延遲時間是兩個時鍾周期當CL=3時。內存讀取數據的延遲時間就應該是三個時鍾周期，因此，這「2」與「3」之間的差別就不僅僅局限於「1」了，而是1個時鍾周期。

工作在相同頻率下的同種內存，將CL設置為2會得到比3更優秀的性能。為了使主板正確地為內存設定CAS延遲時間，內存生產廠商都將其內存在不同工作頻率下所推薦的CAS延遲時間記錄在了內存PCB板上的一塊EEPROM上，這塊晶元就是SPD。當系統開機時，主板BIOS會自動檢測SPD中的信息並最終確定是以CL=2還是CL=3來運行。

Ⅳ 什麼是內存的CL值

CL值。CL是CAS Latency的縮寫，是內存性能的一個重要指標，它是內存縱向地址脈沖的反應時間。當電腦需要向內存讀取數據時，在實際讀取之前一般都有一個「緩沖期」，而「緩沖期」的時間長度，就是這個CL了。內存的CL值越低越好，因此，縮短CAS的周期有助於加快內存在同一頻率下的工作速度。這個CL值和內存運行的頻率也有關系，同樣的內存，比如圖中的DDR333的內存這個CL值為2.5，如果運行在266的頻率下，CL值可以設為2。

Ⅳ 內存條的cl代表什麼意思

兩個一樣的CL指的是內存的延遲，數字越小越好，延遲有四個部分如 4－4－4－12，由於一般前三個數字一樣，最後一個數字是前三個的和（一般是這樣）所以簡寫成CL=4，這兩個性能差不多，不過金士頓1G DDR2 667有兩種，有一種用的是美光D9顆粒，更好價格也貴一些。

採納哦

Ⅵ 內存中的CL是指的什麼

CL是CAS
Latency的縮寫，一般翻譯成CAS潛伏時間，是在北橋(Intel)/CPU(AMD最近的CPU)讀取內存數據時的一個參數，這個參數對於內存的性能有比較大的影響。

Ⅶ 內存條上的CL是什麼

CL是CAS Latency的縮寫，一般翻譯成CAS潛伏時間，是在北橋(Intel)/CPU(AMD最近的CPU)讀取內存數據時的一個參數，這個參數對於內存的性能有比較大的影響。

Ⅷ 內存條cl16表示什麼

內存條cl16代表它的地址脈沖的反應時間是16。

內存條cl值是內存條性能的一個重要指標。它是指內存縱向地址脈沖的反應時間。當電腦需要向內存讀取數據時，它通常用4個連著的阿拉伯數字來表示。

CL是CAS Latency的縮寫，是內存性能的一個重要指標，它是內存縱向地址脈沖的反應時間。當電腦需要向內存讀CL值，當電腦需要向內存讀CL是CAS Latency的縮寫。這個參數越小，內存性能越好，內存延遲通常採用4個數字表示，中間用，以內存延遲時間決定了內存的性能。

內存時序

內存時序是描述同步動態隨機存取存儲器（SDRAM）性能的四個參數：CL、TRCD、TRP和TRAS，單位為時鍾周期。它們通常被寫為四個用破折號分隔開的數字，如16-18-18-36。宏旺半導體了解到，第四個參數經常被省略，而有時還會加入第五個參數：Commandrate（命令速率），通常為2T或1T，也寫作2N、1N。

Ⅸ 微機原理cl什麼意思

微機原理cl，即置信水平，也叫可靠度，或置信度、置信系數，它是指特定個體對待特定命題真實性相信的程度，也就是概率是對個人信念合理性的量度。

《微機原理》是一門專業基礎課程，它的主要內容包括微型計算機體系結構、8086微處理器和指令系統、匯編語言設計以及微型計算機各個組成部分介紹等內容。要求考生對微機原理中的基本概念有較深入的了解，能夠系統地掌握微型計算機的結構、8086微處理器和指令系統。

基礎知識包括：

1、數和數制（二進制、十進制、十六進制和八進制）及其轉換。

2、二進制編碼。

3、二進制邏輯運算。

4、二進制算術運算。

5、BCD碼。

6、計算機中字元表示。

7、計算機的組成結構。

8、補碼、反碼、原碼之間的轉換方法。

存儲結構包括：

1、半導體存儲器的種類。

2、讀寫存儲器（RAM）。

3、只讀存儲器（ROM）。

4、PC/XT的存儲結構。