1. 關於內存DRAM和SRAM同步和非同步是什麼概念
SRAM的特點是工作速度快，只要電源不撤除，寫入SRAM的信息就不會消失，不需要刷新電路，同時在讀出時不破壞原來存放的信息，一經寫入可多次讀出，但集成度較低，功耗較大。SRAM一般用來作為計算機中的高速緩沖存儲器(Cache)。
DRAM是動態隨機存儲器(Dynamic Random Access Memory)，它是利用場效應管的柵極對其襯底間的分布電容來保存信息，以存儲電荷的多少，即電容端電壓的高低來表示「1」和「0」。DRAM每個存儲單元所需的場效應管較少，常見的有4管，3管和單管型DRAM。因此它的集成度較高，功耗也較低，但缺點是保存在DRAM中的信息__場效應管柵極分布電容里的信息隨著電容器的漏電而會逐漸消失，一般信息保存時間為2ms左右。為了保存DRAM中的信息，必須每隔1～2ms對其刷新一次。因此，採用 DRAM的計算機必須配置動態刷新電路，防止信息丟失。DRAM一般用作計算機中的主存儲器。
2. cache主要由什麼半導體晶元組成
cache主要由SRAM半導體晶元組成。
Cache存儲器，又稱之為高速緩沖存儲器，是位於CPU和主存儲器DRAM（Dynamic Random Access Memory）之間，規模較小，但速度很高的存儲器，通常由SRAM（Static Random Access Memory 靜態存儲器）組成。
SRAM，全稱靜態隨機存取存儲器（StaticRandom-AccessMemory），是隨機存取存儲器的一種。所謂的「靜態」，是指這種存儲器只要保持通電，裡面儲存的數據就可以恆常保持。
(2)什麼是非同步存儲器晶元擴展閱讀：
SRAM的類型：
一、根據晶體管類型分類
1、雙極性結型晶體管（用於TTL與ECL）—非常快速但是功耗巨大
2、MOSFET（用於CMOS）—低功耗，現在應用廣泛。
二、根據功能分類
1、非同步—獨立的時鍾頻率，讀寫受控於地址線與控制使能信號。
2、同步—所有工作是時鍾脈沖邊沿開始，地址線、數據線、控制線均與時鍾脈沖配合。
三、根據特性分類
1、零匯流排翻轉（Zero bus turnaround，ZBT）—SRAM匯流排從寫到讀以及從讀到寫所需要的時鍾周期是0
2、同步突發SRAM（synchronous-burst SRAM，syncBurst SRAM）
3、DDR SRAM—同步、單口讀/寫，雙數據率I/O
4、QDR SRAM（Quad Data Rate (QDR) SRAM）—同步，分開的讀/寫口，同時讀寫4個字（word）。
四、根據觸發類型
1、二進制SRAM
2、三進制計算機SRAM
3. 存儲器和存儲器晶元有什麼區別
暈！這個就好比是內存和組成內存的晶元一樣。內存就是存儲器（是臨時的）如果還不明白你找條內存還看下就知道了
4. 什麼是同步形態儲存器特點是什麼
嵌入式簡而言之，就是微微型的計算機。特點就是一個「小」。應用非常廣泛，通信，航空，工業，等等，無處不在。
5. 晶元和存儲器有什麼區別
晶元其實就是存儲器的一種，屬於只讀存儲器，只是晶元是事先寫入程序或代碼，用以實現某種指令。存儲器一般是指硬碟和U盤，光碟、磁帶等存儲數據的介質，可以存入也取出或刪除數據
6. 主存屬於內存還是外存
主存屬於內存。
主存的別稱叫做內存，它是計算機的重要組成部分，是與CPU通信的橋梁。所有程序都在計算機內存中運行，所以內存的性能對計算機有很大的影響。
內存也被稱為存儲器和主存儲器，用於在CPU中臨時存儲操作數據，並與諸如硬碟的外部存儲器交換數據。
只要計算機在運行，CPU就會把需要計算的數據傳送給存儲器進行操作。當操作完成後，CPU將發送結果，並且存儲器的操作也決定計算機的穩定操作。內存由內存晶元、電路板、金手指等組成。
(6)什麼是非同步存儲器晶元擴展閱讀：
內存非同步工作模式有很多意義。在廣義上，當存儲器的工作頻率與CPU的外部頻率不一致時，可以稱為存儲器非同步工作模式。
首先，最早的存儲器非同步工作模式出現在早期的主板晶元組中，這使得存儲器工作在比CPU外部頻率低33 MHz或33 MHz的模式下，從而提高系統存儲器性能或使舊存儲器繼續發揮余熱。
其次，在正常工作模式下，許多主板晶元組還支持非同步存儲器模式，如英特爾910GL晶元組，它只支持533 MHz FSB、133MHz CPU外部頻率。
但它可以匹配工作頻率為133MHz的DDR 266、工作頻率為166MHz的DDR 333和工作頻率為200 MHz的400 MHz的DDR，但只有不同的記憶。
7. 存儲器晶元由哪些電路組成其作用是什麼
用2k*4的RAM晶元組成32KB的外擴存儲器，共需晶元32片。晶元指內含集成電路的矽片，體積很小，常常是計算機或其他電子設備的一部分。存儲器（Memory）是現代信息技術中用於保存信息的記憶設備。其概念很廣，有很多層次，在數字系統中，只要能保存二進制數據的都可以是存儲器；在集成電路中，一個沒有實物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器，如RAM、FIFO等；在系統中，具有實物形式的存儲設備也叫存儲器，如內存條、TF卡等。計算機中全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。
8. 存儲晶元是什麼怎麼沒有聽說存儲晶元被卡脖子
存儲晶元主要包括DRAM晶元和NAND晶元，這個行業確實是拼製造，但並不意味著我們不會被卡脖子。我國投資370億元之巨的福建晉華，主要製造DRAM晶元，在2018年10月30日被美國商務部列入「實體清單」，至今前途未卜。今天我到晉華的官網去逛了逛，發現「大事記」的時間線停在了2018年10月20日，也就是試產運行之日，至今1年半過去，就沒有量產的消息傳出。
半導體設備基本被日美壟斷，成為套在國產存儲晶元企業頭上的緊箍咒。下圖是網上流傳的晉華存儲器生產設備采購清單，可以看出，清一色的日本、美國企業。實際上，全球前10大半導體設備公司，美國佔了5個，日本有4個，歐洲1個。這就意味著，人家一斷供，沒有生產設備，錢再多，你也生產不了先進存儲晶元。總之，看起來沒有CPU等邏輯晶元復雜的存儲晶元，對目前的我國來說，仍然是一塊硬骨頭，還需要多多努力。
9. 同步ram和非同步ram的區別
同步SRMA比非同步SRAM更快。 內存，或內存儲器，又稱為主存儲器，是關繫到計算機運行性能高低的關鍵部件之一，無疑是非常重要的。為了加快系統的速度，提高系統的整體性能，我們看到，計算機中配置的內存數量越來越大，而內存的種類也越來越多。 內存新技術 計算機指令的存取時間主要取決於內存。對於現今的大多數計算機系統，內存的存取時間都是一個主要的制約系統性能提高的因素。因此在判斷某一系統的性能時，就不能單憑內存數量的大小，還要看一看其所用內存的種類，工作速度。 有關內存的名詞 關於內存的名詞眾多。為了便於讀者查閱，下面集中進行介紹。 ROM：只讀存儲器 RAM（Random Access Memory）：隨機存儲器 DRAM（Dynamic RAM）：動態隨機存儲器 PM RAM（Page Mode RAM）：頁模式隨機存儲器（即普通內存） FPM RAM（Fast Page Mode RAM）：快速頁模式隨機存儲器 EDO RAM（Extended Data Output RAM）擴充數據輸出隨機存儲器 BEDO RAM（Burst Extended Data Output RAM）：突發擴充數據輸出隨機存儲器 SDRAM（Sychronous Dynamic RAM）：同步動態隨機存儲器 SRAM（Static RAM）：靜態隨機存儲器 Async SRAM（Asynchronous Static RAM）：非同步靜態隨機存儲器 Sync Burst SRAM（Synchronous Burst Stacic RAM）：同步突發靜態隨機存儲器 PB SRAM（Pipelined Burst SRAM）：管道（流水線）突發靜態隨機存儲器 Cache：高速緩存 L2 Cache（Level 2 Cache）：二級高速緩存（通常由SRAM組成） VRAM（Video RAM）：視頻隨機存儲器 CVRAM（Cached Vedio RAM）：緩存型視頻隨機存儲器 SVRAM（Synchronous VRAM）：同步視頻隨機存儲器 CDRAM（Cached DRAM）：緩存型動態隨機存儲器 EDRAM（Enhanced DRAM）：增強型動態隨機存儲器 各種內存及技術特點 DRAM 動態隨機存儲器 DRAM主要用作主存儲器。長期以來，我們所用的動態隨機存儲器都是PM RAM，稍晚些的為FPM RAM。為了跟上CPU越來越快的速度，一些新類型的主存儲器被研製出來。它們是EDO RAM、BEDO RAM、SDRAM等。 DRAM晶元設計得象一個二進制位的矩陣，每一個位有一個行地址一個列地址。內存控制器要給出晶元地址才能從晶元中讀出指定位的數據。一個標明為70ns的晶元要用70ns的時間讀出一個位的數據。並且還要用額外的時間從CPU得到地址信息設置下一條指令。晶元製作技術的不斷進步使這種處理效率越來越高。 FPM RAM 快速頁模式隨機存儲器 這里的所謂「頁」，指的是DRAM晶元中存儲陣列上的2048位片斷。FPM RAM是最早的隨機存儲器，在過去一直是主流PC機的標准配置，以前我們在談論內存速度時所說的「杠7」，「杠6」，指的即是其存取時間為70ns，60ns。60ns的FPM RAM可用於匯流排速度為66MHz（兆赫茲）的奔騰系統（CPU主頻為100，133，166和200MHz）。 快速頁模式的內存常用於視頻卡，通常我們也叫它「DRAM」。其中一種經過特殊設計的內存的存取時間僅為48ns，這時我們就叫它VRAM。這種經過特殊設計的內存具有「雙口」，其中一個埠可直接被CPU存取，而另一個埠可獨立地被RAM「直接存取通道」存取，這樣存儲器的「直接存取通道」不必等待CPU完成存取就可同時工作，從而比一般的DRAM要快些。 EDO RAM 擴充數據輸出隨機存儲器 在DRAM晶元之中，除存儲單元之外，還有一些附加邏輯電路，現在，人們已注意到RAM晶元的附加邏輯電路，通過增加少量的額外邏輯電路，可以提高在單位時間內的數據流量，即所謂的增加帶寬。EDO正是在這個方面作出的嘗試。擴展數據輸出(Extended data out??EDO，有時也稱為超頁模式??hyper－page－mode
打字不易，如滿意，望採納。
10. 主要的四種類型內部存儲器晶元是什麼
按照功能劃分，可以分為四種類型，主要是內存晶元、微處理器、標准晶元和復雜的片上系統（SoCs）。按照集成電路的類型來劃分，則可以分為三類，分別是數字晶元、模擬晶元和混合晶元。
從功能上看，半導體存儲晶元將數據和程序存儲在計算機和數據存儲設備上。隨機存取存儲器（RAM）晶元提供臨時的工作空間，而快閃記憶體晶元則可以永久保存信息，除非主動刪除這些信息。只讀存儲器（ROM）和可編程只讀存儲器（PROM）晶元不能修改。而可擦可編程只讀存儲器（EPROM）和電可擦只讀存儲器（EEPROM）晶元可以是可以修改的。
微處理器包括一個或多個中央處理器（CPU）。計算機伺服器、個人電腦（PC）、平板電腦和智能手機可能都有多個CPU。PC和伺服器中的32位和64位微處理器基於x86、POWER和SPARC晶元架構。而移動設備通常使用ARM晶元架構。功能較弱的8位、16位和24位微處理器則主要用在玩具和汽車等產品中。
標准晶元，也稱為商用集成電路，是用於執行重復處理程序的簡單晶元。這些晶元會被批量生產，通常用於條形碼掃描儀等用途簡單的設備。商用IC市場的特點是利潤率較低，主要由亞洲大型半導體製造商主導。
SoC是最受廠商歡迎的一種新型晶元。在SoC中，整個系統所需的所有電子元件都被構建到一個單晶元中。SoC的功能比微控制器晶元更廣泛，後者通常將CPU與RAM、ROM和輸入/輸出（I/O）設備相結合。在智能手機中，SoC還可以集成圖形、相機、音頻和視頻處理功能。通過添加一個管理晶元和一個無線電晶元還可以實現一個三晶元的解決方案。
晶元的另一種分類方式，是按照使用的集成電路進行劃分，目前大多數計算機處理器都使用數字電路。這些電路通常結合晶體管和邏輯門。有時，會添加微控制器。數字電路通常使用基於二進制方案的數字離散信號。使用兩種不同的電壓，每個電壓代表一個不同的邏輯值。
但是這並不代表模擬晶元已經完全被數字晶元取代。電源晶元使用的通常就是模擬晶元。寬頻信號也仍然需要模擬晶元，它們仍然被用作感測器。在模擬晶元中，電壓和電流在電路中指定的點上不斷變化。模擬晶元通常包括晶體管和無源元件，如電感、電容和電阻。模擬晶元更容易產生雜訊或電壓的微小變化，這可能會產生一些誤差。
混合電路半導體是一種典型的數字晶元，同時具有處理模擬電路和數字電路的技術。微控制器可能包括用於連接模擬晶元的模數轉換器（ADC），例如溫度感測器。而數字-模擬轉換器（DAC）可以使微控制器產生模擬電壓，從而通過模擬設備發出聲音。