⑴ 在家如何手工製作內存條
這算了吧，如何製作辣條，還是可以給個教程給你。
⑵ 各位前輩，請教一下哈：請問計算機的內存條是如何製作或生產出來的哇....^_^...
在計算機的組成結構中，有一個很重要的部分，就是存儲器。存儲器是用來存儲程序和數據的部件，對於計算機來說，有了存儲器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲器的種類很多，按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器，主存儲器又稱內存儲器（簡稱內存），輔助存儲器又稱外存儲器（簡稱外存）。外存通常是磁性介質或光碟，像硬碟，軟盤，磁帶，CD等，能長期保存信息，並且不依賴於電來保存信息，但是由機械部件帶動，速度與CPU相比就顯得慢的多。內存指的就是主板上的存儲部件，是CPU直接與之溝通，並用其存儲數據的部件，存放當前正在使用的（即執行中）的數據和程序，它的物理實質就是一組或多組具備數據輸入輸出和數據存儲功能的集成電路，內存只用於暫時存放程序和數據，一旦關閉電源或發生斷電，其中的程序和數據就會丟失。
從一有計算機開始，就有內存。內存發展到今天也經歷了很多次的技術改進，從最早的DRAM一直到FPMDRAM、EDODRAM、SDRAM等，內存的速度一直在提高且容量也在不斷的增加。今天，伺服器主要使用的是什麼樣的內存呢？目前，IA架構的伺服器普遍使用的是REGISTERED
快速周期隨機存取存儲器
ECCSDRAM。
既然內存是用來存放當前正在使用的（即執行中）的數據和程序，那麼它是怎麼工作的呢？我們平常所提到的計算機的內存指的是動態內存（即DRAM），動態內存中所謂的「動態」，指的是當我們將數據寫入DRAM後，經過一段時間，數據會丟失，因此需要一個額外設電路進行內存刷新操作。具體的工作過程是這樣的：一個DRAM的存儲單元存儲的是0還是1取決於電容是否有電荷，有電荷代表1，無電荷代表0。但時間一長，代表1的電容會放電，代表0的電容會吸收電荷，這就是數據丟失的原因；刷新操作定期對電容進行檢查，若電量大於滿電量的1/2，則認為其代表1，並把電容充滿電；若電量小於1/2，則認為其代表0，並把電容放電，藉此來保持數據的連續性。
⑶ 內存是怎麼製作的
1. 內存的工作原理
顯然，內存指的是PC中常見的內存條，這一類內存屬於動態隨機訪問存儲器 DRAM (Dynamic Random Access Memory), 它的基本存儲單元非常簡單易懂，由一個N型場效應晶體管(NMOS FET)和一個電容組成。在這里可以把晶體管看成一個理想的開關。 當NMOS晶體管打開時，檢測電容放電造成的電壓改變就是讀取0/1的過程，向電容注入不同電荷就是寫入過程；NMOS晶體管關閉時，電荷保存在電容上，處於存儲狀態。
DRAM的優勢在於其結構簡單，面積小，所以在同樣面積內可以塞入更多存儲單元，存儲密度高，現在內存條的容量都頂得上多年前的硬碟了。大家可以自己算算一根2Gb的內存裡面有多少這樣的單元。 缺點則是：
1. 每次讀取都是破壞性的，電容放電後電荷就尼瑪沒有了啊，所以還要重新寫入一遍啊！！！
2. 電容還尼瑪會漏電啊，一般寫入後幾十個微秒之後就漏得沒法檢測了（現在的電容一般是25pF），整個陣列都要不停的刷新，就是把已經存儲的內容讀一次再寫進去，期間什麼都不能做啊！！！
3. 電容太小導致很多問題，比如速度不能太快啊，會被宇宙粒子打到然後就尼瑪中和了啊 （ Soft error ） ！！！！
4. 沒有電的時候存儲的內容就丟掉了，這直接導致大量停電導致的文檔丟失等杯具。。。。。
（使得存儲器能夠在無電時保留信息，台灣人施敏大師和一個韓國人發明了快閃記憶體Flash memory。半導體業已經貢獻過兩個諾貝爾物理學獎：晶體管和集成電路，施敏怕是這個行業中僅存的還有機會拿獎的人，他的合作者早早掛了甚至連專利費都沒拿多少。）
2. 如何用半導體工藝製作以上的電路？
DRAM製造工藝是通用的集成電路製作工藝的子集，這個問題就可以轉化為「集成電路是如何製造的？」而這個問題就比較復雜了，我爭取用「蓋樓」這個大家都能理解的例子講清楚。
集成電路從其橫切面來看，是分層的，基本使用同種材料實現類似功能，層與層之間通過通孔（via）做電學連接。
這一結構其實很像一座樓房，晶元製造的過程也有點像蓋樓的過程，非常簡化的步驟如下：
1. 設計圖，也就是晶元的版圖（layout）；版圖是一幅分層的俯視圖，包含了每一層的物理形狀信息和層與層間的位置連接關系。版圖被轉化成掩模（mask），每張掩模則是某一層的俯視圖，一顆晶元往往有幾十張掩模。晶元的每層是被同時製作的，就像蓋樓是必須3樓蓋好才能蓋4樓。（本來想放一些自己手頭上的版圖和掩模給大家看看，涉及版權等問題，有興趣的同學自己搜吧）
2. 平整土地。這個沒什麼說的，絕大部分晶元都是從平整的芯圓（wafer）開始的，要對芯圓進行清洗啊什麼的
3. 地基和底層。這是在製造過程中最關鍵最復雜的一步，因為所有重要的有源器件（active device）如晶體管都是在電路的最底層。 首先要劃線（光照Photolithography）界定哪裡要挖掉哪裡要保留，然後挖坑（ecthing刻蝕），在需要的地方做固化（離子注入Ion Implantation），蓋牆鋪管道什麼的（化學沉積和物理沉積CVD&PVD）等等。具體步驟十分復雜，往往需要十幾張掩模才能完成，不過大家可以自行腦補一座大樓怎麼從地上長出來的。
4. 高層。較高的層就相對簡單了，還是劃線決定（光照Photolithography）哪裡要做牆或柱子，哪裡是空間，再沉積金屬把這些東西長出來。這些層次基本都是銅或鋁金屬連接，少有復雜器件。
5. 封頂。做一層金屬化合物固化保護，當然要把連接點（PAD）露出來。
6. 清洗，切割。 這一步蓋樓是沒有的。。。。一塊300毫米直徑的晶圓上可能有成百上千塊晶元，像切蛋糕一樣切下來。
7. 封裝。 有點像外立面裝修，然後給整座樓通水通電通氣。一塊小小的硅晶元就變成了我們經常看到的樣子，需要的信號和電源被連接到一個個焊球或針腳上。封裝是一門很大的學問，對晶元的電氣性能影響巨大。
⑷ 內存卡內存條的製作原理
拿內存條來說吧
內存條上有幾個黑色的方塊，那些就是存儲顆粒，每個存儲顆粒都有一定容量，一條內存總容量就是上面所有存儲顆粒的容量之和。
分兩方面來說，一方面，如果每個存儲顆粒容量相同，存儲顆粒多的容量就更大，比如有的內存只有一面有存儲顆粒，有的內存兩面都有。另一方面，隨著工藝進步，晶體管的體積越來越小，那麼同樣體積的存儲顆粒就可以容納更多的晶體管，也即容量越大，這樣相同數量的存儲顆粒就可以有更大當然容量了。
存儲卡也類似
平常看到的如標准SD卡，它們體積都一樣，但容量不一樣，其實在同樣的工藝下，要增大容量，晶體管數量就要增多，體積也一定會增大。但為了讓不同容量的SD卡能被同樣的設備使用，它們就被加上了外殼，外殼使得它們看起來都是一樣大的。
當然也可以用更先進的工藝，在相同體積的存儲顆粒上製作更大的容量。
像64M和1G的存儲卡這么大的容量跨度，往往上面說的兩個原因都有，用更先進的工藝製作的1G的存儲顆粒也許比用老舊的工藝製作的64M的存儲顆粒體積還小。
⑸ 內存條是怎麼做的！
很好很強大～
以後國家就靠你振興了～
補充：（既然你都補充了，我也補充下吧）
不是很難，是沒有核心技術，沒有製造內存的高效率高質量流水線，是自動化設計比不上人家
目前世界上主要的內存晶元，顆粒廠商
美國
micron 鎂光
smaRt 世邁
kingston 金士頓
corsair 海盜船
德國
qimonda 奇曼達
日本
elpida 爾必達, nec+日立
韓國
samsung 三星，也用sec的標志
hynix 海力士，hyundai+lgs
台灣
Powerchip 力晶
mosel 茂德
kingmax 勝創
nanya 南亞
elixir 南亞易勝
adata 威剛
apacer 宇瞻
香港
leadmax 超勝
大陸
geil 金邦
可以看看市場內存，就一家大陸的金邦。質量好壞先不說，是不是貼牌先不談，你會去買它的內存嗎？
本來打了很多字，全刪了，說太多無意義，問題不是某一個方面的～有時間可以去看看it編年史～
另外，樓上的。
自己去搜索 漢芯 ～別的話就不多說了～
⑹ 內存條是用什麼材料做的，它的存儲原理是什麼
您好
內存條就是一個電路板
焊上幾個貼片晶元
工作原理二進制
很很多的小單元組合起來
每個單元
只有兩種情況
一種是通電
讀為1
斷電為0
。因為單元多
就可以存儲大量的數據。
計算機工作的時候
需要高速傳輸
用戶的命令
通過鍵盤
進入南橋
到北橋
再傳到
處理器進行計算
然後通過北橋（新式的直接傳）傳入內存
再轉送
到南橋
至顯示器
或者到硬碟存儲介面
存起來
理解為
內存是你的工作台（臨時寄放點，處理器的一二級緩存是更前面的臨時寄放點）
處理器是你的手
硬碟是旁邊的儲備箱。
⑺ 內存條製作
估計沒戲
小廠的誰去買
品質估計難以恭維
⑻ 手機內存卡怎麼製作
你把他原處的位子文件夾刪了，肯定會轉到別的文件夾里的，如果內存卡所以文件夾里都沒有了那說明你以把它們全刪了，播放器里的是虛的根本就放不出歌！只有刪了重下！下次不要隨意刪內存卡里的文件夾！ 那就說明那文件依然在內存卡的文件夾里！沒事！找到後移回到你指定的文件夾里就可以了，因為你之前刪了他原本所在的那張文件夾所以他會自動轉到另一個文件夾！ 額，說得我有點糊塗了，你的是什麼手機你手機里的文件夾可以存歌嗎？（指的是手機內存，並非內存卡） 那你手機里的全部歌原本都能在文件里找的嗎？我以前剛買手機時播放器里的一些歌在內存卡里找不到的！是那裡的人幫下的，其實找不到文件也沒關系只要沒影響你手機的其它功能就不必在意啊！
⑼ 我想自己裝一個內存條 怎麼做
1、首先需要知道主板上哪一個是內存插槽，如下圖所示，已經紅框標註：
(9)存儲條的製作擴展閱讀：
內存條組成：
RAM由存儲矩陣、地址解碼器、讀/寫控制器、輸入/輸出、片選控制等幾部分組成。
（1）存儲矩陣。如圖所示，RAM的核心部分是一個寄存器矩陣，用來存儲信息，稱為存儲矩陣。
（2）地址解碼器。地址解碼器的作用是將寄存器地址所對應的二進制數譯成有效的行選信號和列選信號，從而選中該存儲單元。
（3）讀/寫控制器。訪問RAM時，對被選中的寄存器進行讀操作還是進行寫操作，是通過讀寫信號來進行控制的。讀操作時，被選中單元的數據經數據線、輸入/輸出線傳送給CPU（中央處理單元）；寫操作時，CPU將數據經輸入/輸岀線、數據線存入被選中單元。
（4）輸入/輸出。RAM通過輸入/輸岀端與計算機的CPU交換數據，讀出時它是輸岀端，寫入時它是輸入端，一線兩用。由讀/寫控制線控制。
輸入/輸出端數據線的條數，與一個地址中所對應的寄存器位數相同，也有的RAM晶元的輸入/輸出端是分開的。通常RAM的輸出端都具有集電極開路或三態輸出結構。
（5）片選控制。由於受RAM的集成度限制。一台計算機的存儲器系統往往由許多RAM組合而成。CPU訪問存儲器時，一次只能訪問RAM中的某一片（或幾片），即存儲器中只有一片（或幾片）RAM中的一個地址接受CPU訪問，與其交換信息。
而其他片RAM與CPU不發生聯系，片選就是用來實現這種控制的。通常一片RAM有一根或幾根片選線，當某一片的片選線接入有效電平時，該片被選中，地址解碼器的輸出信號控制該片某個地址的寄存器與CPU接通；當片選線接入無效電平時，則該片與CPU之間處於斷開狀態。
⑽ 內存條是由什麼和什麼組成的
(1) 印刷電路板PCB 內存顆粒的物理載體，多層結構，一般為4、6、8層，層數越多，成本越高，但干擾越少，工作越穩定。 �6�1 (2)內存顆粒及封裝 內存晶元是內存條的靈魂，其結構和封裝對速度、電氣性能、散熱效果及抗干擾等影響極大。晶元面積與封裝面積的比值是衡量封裝先進程度的主要指標，比值越接近1越理想。 �6�1(3)SPD晶元 8腳的SOIC封裝（3mm×4mm）256位元組的EEPROM晶元，保存著內存生產廠家在內存出廠時所設定的有關內存的相關資料，通常有內存條的容量、晶元模塊的生產廠商、標稱運行頻率、是否具備ECC校驗等基本信息。主板晶元組通過識別SPD內的信息，判斷內存的相關性能並完成BIOS中內存的設定。SPD方便了系統對內存的檢測，確保內存處於正常的工作狀態。 �6�1(4)金手指 內存與插槽的物理連接點，採用金、錫等金屬材料製成的導電觸片。