⑴ 第三代半導體晶元龍頭股排名
1、三安光電：LED光電龍頭，也是集成電路新貴。主營業務涵蓋超高亮度LED外延片、晶元、Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料等產品的研發、生產與銷售。旗下MiniLED已實現量產且打入三星供應鏈，在第三代半導體方面，旗下有30萬片/年砷化鎵和6萬片/年氮化鎵外延片生產線和國內第一家六寸化合物半導體晶圓代工廠。
2、聞泰科技：公司將加大在第三代半導體領域投資，大力發展氮化鎵和碳化硅技術。
3、揚傑科技：捷捷微電300623.SZ：公司與中科院微電子研究所、西安電子科大合作研發的是以SiC、GaN為代表第三代半導體材料的半導體器件，具有耐高壓、耐高溫、高速和高效等優點，可大幅降低電能變換中的能量損失，大幅減小和減輕電力電子變換裝置。
4、賽微電子：公司從事第三代半導體業務，主要是指GaN(氮化鎵)材料的生長與器件的設計，公司已成功研製8英寸硅基氮化鎵外延晶圓，且正在持續研發氮化鎵器件。
5、聚燦光電：第三代半導體概念其他的還有： 華天科技、華微電子、鼎龍股份、華峰測控、華特氣體等。
拓展資料：
1、龍頭股指的是某一時期在股票市場的炒作中對同行業板塊的其他股票具有影響和號召力的股票，它的漲跌往往對其他同行業板塊股票的漲跌起引導和示範作用。龍頭股並不是一成不變的，它的地位往往只能維持一段時間。成為龍頭股的依據是，任何與某隻股票有關的信息都會立即反映在股價上。
2、龍頭股必須從漲停板開始，漲停板是多空雙方最准確的攻擊信號，不能漲停的個股，不可能做龍頭.龍頭股必須是在某個基本面上具有壟斷地位。龍頭股流通市要適中，大市值股票和小盤股都不可能充當龍頭。11月起動股流通市值大都在5億左右。龍頭股必須同時滿足日KDJ，周KDJ，月KDJ同時低價金叉。
3、龍頭股通常在大盤下跌末期端，市場恐慌時，逆市漲停，提前見底，或者先於大盤啟動，並且經受大盤一輪下跌考驗。再如12月2日出現的新龍頭太原剛玉，它符合剛講的龍頭戰法，一是從漲停開始，且籌碼穩定，二是低價即3.91元，三是流通市值起動才4.5億，周二才6.4億，從底部起漲，炒到翻倍也不過10億，也就是說不到2－3億的私募資金或游資就可以炒作。四是該股日周月KDJ同時金叉，說明該股主力有備而來。五是該股在大盤恐慌末端，逆市漲停，此時大盤還在下跌，但並沒有影響此股漲停。通過以上介紹可以看出龍頭的起漲過程，也說明下跌並不可怕，可怕的是大盤下跌，沒有龍頭出現。
⑵ 襯底的材料簡介
氮化物襯底材料的研究與開發增大字體復位寬頻隙的GaN基半導體在短波長發光二極體、激光器和紫外探測器，以及高溫微電子器件方面顯示出廣闊的應用前景；對環保，其還是很適合於環保的材料體系。半導體照明產業發展分類所示的若干主要階段，其每個階段均能形成富有特色的產業鏈。世界各國現在又投入了大量的人力、財力和物力，以期望取得GaN基高功率器件的突破，並且居於此領域的制高點。「氮化物襯底材料與半導體照明的應用前景」文稿介紹了氮化物襯底材料與半導體照明的應用前景的部分內容。
GaN、AlN、InN及其合金等材，是作為新材料的GaN系材料。對襯底材料進行評價要就襯底材料綜合考慮其因素，尋找到更加合適的襯底是發展GaN基技術的重要目標。評價襯底材料要綜合考慮襯底與外延膜的晶格匹配、襯底與外延膜的熱膨脹系數匹配、襯底與外延膜的化學穩定性匹配、材料制備的難易程度及成本的高低的因素。InN的外延襯底材料就現在來講有廣泛應用的。自支撐同質外延襯底的研製對發展自主知識產權的氮化物半導體激光器、大功率高亮度半導體照明用LED，以及高功率微波器件等是很重要的。「氮化物襯底材料的評價因素及研究與開發」文稿介紹了氮化物襯底材料的評價因素及研究與開發的部分內容。 GaN是直接帶隙的材料，其光躍遷幾率比間接帶隙的高一個數量級。因此，寬頻隙的GaN基半導體在短波長發光二極體、激光器和紫外探測器，以及高溫微電子器件方面顯示出廣闊的應用前景；對環保，其還是很適合於環保的材料體系。
1994年，日本的Nicha公司在GaN/Al2O3上取得突破，1995年，GaN器件第一次實現商品化。1998年，GaN基發光二極體LED市場規模為US$5.0億，2000年，市場規模擴大至US$13億。據權威專家的預計，GaN基LED及其所用的Al2O3襯底在國際市場上的市場成長期將達到50年之久。GaN基LED及其所用的Al2O3襯底具有獨特的優異物化性能，並且具有長久耐用性。預計，2005年GaN基器件的市場規模將擴大至US$30億，GaN基器件所用的Al2O3襯底的市場規模將擴大至US$5億。
半導體照明產業發展分類所示的若干主要階段，其每個階段均能形成富有特色的產業鏈：
（1）第一階段
第一階段（特種照明時代，2005年之前），其中有：儀器儀表指示；金色顯示、室內外廣告；交通燈、信號燈、標致燈、汽車燈；室內長明燈、吊頂燈、變色燈、草坪燈；城市景觀美化的建築輪廓燈、橋梁、高速公路、隧道導引路燈，等等。
（2）第二階段第二階段（照明時代，2005~2010年），其中有：CD、DVD、H-DVD光存儲；激光金色顯示；娛樂、條型碼、列印、圖像記錄；醫用激光；開拓固定照明新領域，衍生出新的照明產業，為通用照明應用打下基礎，等等。（3）第三階段第三階段（通用照明時代，2010年之後），包括以上二個階段的應用，並且還全面進入通用照明市場，佔有30~50%的市場份額。
到達目前為止（處於第一階段，特種照明時代），已紛紛將中、低功率藍色發光二極體(LED)、綠色LED、白光LED、藍紫色LED等實現了量產，走向了商業市場。高功率藍色發光二極體(LED)、激光二極體(LD)和全波段InN-GaN等，將會引發新的、更加大的商機，例如，光存儲、光通訊等。實現高功率藍色發光二極體(LED)、激光二極體(LD)和全波段InN-GaN實用化，並且達到其商品化，這需要合適的襯底材料。因此，GaN材料及器件發展，需要尋找到與GaN匹配的襯底材料，進一步提高外延膜的質量。
另外，就基礎研究和中長期計劃考慮，科技發展越來越需要把不同體系的材料結合到一起，即稱之為異質結材料。應用協變襯底可以將晶格和熱失配的缺陷局限在襯底上，並且為開辟新的材料體系打下基礎。已提出了多種協變襯底的制備技術，例如，自支撐襯底、鍵合和扭曲鍵合、重位晶格過渡層，以及SOI和VTE襯底技術等。預計，在今後的10~20年中，大尺寸的、協變襯底的制備技術將獲得突破，並且廣泛應用於大失配異質結材料生長及其相聯系的光電子器件製造。
世界各國現在又投入了大量的人力、財力和物力，並且以期望取得GaN基高功率器件的突破，居於此領域的制高點。
氮化物襯底材料的評價因素及研究與開發GaN、AlN、InN及其合金等材料，是作為新材料的GaN系材料。對襯底材料進行評價，要就襯底材料綜合考慮其因素，尋找到更加合適的襯底是作為發展GaN基技術的重要目標。 InN的外延襯底材料就現在來講有廣泛應用的，其中有：InN；α－Al2O3(0001)；6H-SiC；MgAl2O4(111)；LiAlO2和LiGaO2；MgO；Si；GaAs(111)等。
Ⅲ-Ⅴ族化合物，例如，GaN、AlN、InN，這些材料都有二種結晶形式：一種是立方晶系的閃鋅礦結構，而另一種是六方晶系的纖鋅礦結構。以藍光輻射為中心形成研究熱點的是纖鋅礦結構的氮化鎵、氮化鋁、氮化銦，而且主要是氮化鎵、氮化鋁、氮化銦的固溶體。這些材料的禁帶是直接躍遷型，因而有很高的量子效率。用氮化鎵、氮化鋁、氮化銦這三種材料按不同組份和比例生成的固溶體，其禁帶寬度可在2.2eV到6.2eV之間變化。這樣，用這些固溶體製造發光器件，是光電集成材料和器件發展的方向。
（1）InN和GaN
因為異質外延氮化物薄膜通常帶來大量的缺陷，缺陷損害了器件的性能。與GaN一樣，如果能在InN上進行同質外延生長，可以大大減少缺陷，那麼器件的性能就有巨大的飛躍。
自支撐同質外延GaN,AlN和AlGaN襯底是目前最有可能首先獲得實際應用的襯底材料。
（2）藍寶石(α-Al2O3)和6H-SiC
α-Al2O3單晶，即藍寶石晶體。(0001)面藍寶石是目前最常用的InN的外延襯底材料。其匹配方向為：InN(001)//α－Al2O3(001),InN[110]//α－Al2O3[100][11,12]。因為襯底表面在薄膜生長前的氮化中變為AlON,InN繞α－Al2O3(0001)襯底的六面形格子結構旋轉30°，這樣其失匹配度就比原來的29%稍有減少。雖然(0001)面藍寶石與InN晶格的失配率高達25%，但是由於其六方對稱，熔點為2050℃，最高工作溫度可達1900℃，具有良好的高溫穩定性和機械力學性能，加之對其研究較多，生產技術較為成熟，而且價格便宜，現在仍然是應用最為廣泛的襯底材料。
6H-SiC作為襯底材料應用的廣泛程度僅次於藍寶石。同藍寶石相比，6H-SiC與InN外延膜的晶格匹配得到改善。此外，6H-SiC具有藍色發光特性，而且為低阻材料，可以製作電極，這就使器件在包裝前對外延膜進行完全測試成為可能，因而增強了6H-SiC作為襯底材料的競爭力。又由於6H-SiC的層狀結構易於解理，襯底與外延膜之間可以獲得高質量的解理面，這將大大簡化器件的結構；但是同時由於其層狀結構，在襯底的表面常有給外延膜引入大量的缺陷的台階出現。
（3）鎂鋁尖晶石(MgAl2O4)
MgAl2O4晶體，即鋁酸鎂晶體。MgAl2O4晶體是高熔點(2130℃)、高硬度（莫氏8級）的晶體材料，屬面心立方晶系，空間群為Fd3m,晶格常數為0.8085nm。MgAl2O4晶體是優良的傳聲介質材料，在微波段的聲衰減低，用MgAl2O4晶體製作的微波延遲線插入損耗小。MgAl2O4晶體與Si的晶格匹配性能好，其膨脹系數也與Si相近，因而外延Si膜的形變扭曲小，製作的大規模超高速集成電路速度比用藍寶石製作的速度要快。此外，國外又用MgAl2O4晶體作超導材料，有很好的效果。近年來，對MgAl2O4晶體用於GaN的外延襯底材料研究較多。由於MgAl2O4晶體具有良好的晶格匹配和熱膨脹匹配，(111)面MgAl2O4晶體與GaN晶格的失配率為9%，具有優良的熱穩定性和化學穩定性，以及良好的機械力學性能等優點，MgAl2O4晶體目前是GaN較為合適的襯底材料之一，已在MgAl2O4基片上成功地外延出高質量的GaN膜，並且已研製成功藍光LED和LD。此外，MgAl2O4襯底最吸引人之處在於可以通過解理的方法獲得激光腔面。
在前面的研究基礎上，近來把MgAl2O4晶體用作InN的外延襯底材料的研究也陸續見之於文獻報道。其之間的匹配方向為：InN(001)//MgAl2O4(111)，InN[110]//MgAl2O4[100]，InN繞MgAl2O4(111)襯底的四方、六方形格子結構旋轉30°。研究表明(111)面MgAl2O4晶體與InN晶格的失配率為15%，晶格匹配性能要大大優於藍寶石，(0001)面藍寶石與InN晶格的失配率高達25%。而且，如果位於頂層氧原子層下面的鎂原子占據有效的配位晶格位置，以及氧格位，那麼這樣可以有希望將晶格失配率進一步降低至7%，這個數字要遠遠低於藍寶石。所以MgAl2O4晶體是很有發展潛力的InN的外延襯底材料。
（4）LiAlO2和LiGaO2
以往的研究是把LiAlO2和LiGaO2用作GaN的外延襯底材料。LiAlO2和LiGaO2與GaN的外延膜的失配度相當小，這使得LiAlO2和LiGaO2成為相當合適的GaN的外延襯底材料。同時LiGaO2作為GaN的外延襯底材料,還有其獨到的優點：外延生長GaN後，LiGaO2襯底可以被腐蝕，剩下GaN外延膜，這將極大地方便了器件的製作。但是由於LiGaO2晶體中的鋰離子很活潑，在普通的外延生長條件下（例如，MOCVD法的化學氣氛和生長溫度）不能穩定存在，故其單晶作為GaN的外延襯底材料還有待於進一步研究。而且在目前也很少把LiAlO2和LiGaO2用作InN的外延襯底材料。
（5）MgO
MgO晶體屬立方晶系，是NaCl型結構，熔點為2800℃。因為MgO晶體在MOCVD氣氛中不夠穩定，所以對其使用少，特別是對於熔點和生長溫度更高的InN薄膜。
（6）GaAs
GaAs(111)也是目前生長InN薄膜的襯底材料。襯底的氮化溫度低於700℃時，生長InN薄膜的厚度小於0.05μm時，InN薄膜為立方結構，當生長InN薄膜的厚度超過0.2μm時，立方結構消失，全部轉變為六方結構的InN薄膜。InN薄膜在GaAs(111)
襯底上的核化方式與在α－Al2O3(001)襯底上的情況有非常大的差別，InN薄膜在GaAs(111)襯底上的核化方式沒有在白寶石襯底上生長InN薄膜時出現的柱狀、纖維狀結構，表面上顯現為非常平整。
（7）Si
單晶Si，是應用很廣的半導體材料。以Si作為InN襯底材料是很引起注意的，因為有可能將InN基器件與Si器件集成。此外，Si技術在半導體工業中已相當的成熟。可以想像，如果在Si的襯底上能生長出器件質量的InN外延膜，這樣則將大大簡化InN基器件的製作工藝，減小器件的大小。
（8）ZrB2
ZrB2是2001年日本科學家首次提出用於氮化物外延新型襯底。ZrB2與氮化物晶格匹配，而且其具有匹配的熱膨脹系數和高的電導率。主要用助熔劑法和浮區法生長。
自支撐同質外延襯底的研製對發展自主知識產權的氮化物半導體激光器、大功率高亮度半導體照明用LED，以及高功率微波器件等是很重要的。
⑶ 氮化鎵是金屬材料嗎
氮化鎵（GAN)是什麼？
氮化鎵（GAN）是第三代半導體材料的典型代表，在T=300K時為，是半導體照明中發光二極體的核心組成部份。氮化鎵是一種人造材料，自然形成氮化鎵的條件極為苛刻，需要2000多度的高溫和近萬個大氣壓的條件才能用金屬鎵和氮氣合成為氮化鎵 ，在自然界是不可能實現的。
大家都知道，第一代半導體材料是硅，主要解決數據運算、存儲的問題；第二代半導體是以砷化鎵為代表，它被應用到於光纖通訊，主要解決數據傳輸的問題；第三代半導體則就是以氮化鎵為代表，它在電和光的轉化方面性能突出，在微波信號傳 輸方面的效率更高，所以可以被廣泛應用到照明、顯示、通訊等各大領域。1998年，美國科學家研製出了首個氮化鎵晶體管。
氮化鎵（GAN)的性能特點
高性能：主要包括高輸出功率、高功率密度、高工作帶寬、高效率、體積小、重量輕等。目前第一代和第二代半導體材料在輸出功率方面已經達到了極限，而GaN半導體由於在熱穩定性能方面的優勢，很容易就實現高工作脈寬和高工作比，將天線單 元級的發射功率提高10倍。
高可靠性：功率器件的壽命與其溫度密切相關，溫結越高，壽命越低。GaN材料具有高溫結和高熱傳導率等特性，極大的提高了器件在不同溫度下的適應性和可靠性。GaN器件可以用在650°C以上的軍用裝備中。
低成本：GaN半導體的應用，能夠有效改善發射天線的設計，減少發射組件的數目和放大器的級數等，有效降低成本。目前GaN已經開始取代GaAs作為新型雷達和干擾機的T/R（收/發）模塊電子器件材料。美軍下一代的AMDR（固態有源相控陣雷達） 便採用了GaN半導體。氮化鎵禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩定性等優越性質，使得它成為迄今理論上電光、光電轉換效率最高的材料體系，並可以成為制備寬波譜、高功率、高效率的微電 子、電力電子、光電子等器件的關鍵基礎材料。
GaN較寬的禁帶寬度(3.4eV) 及藍寶石等材料作襯底，散熱性能好，有利於器件在大功率條件下工作。隨著對Ⅲ族氮化物材料和器件研究與開發工作的不斷深入，GaInN超高度藍光、綠光LED技術已經實現商品化，現在世界各大公司和研究機構都紛紛 投入巨資加入到開發藍光LED的競爭行列。
氮化鎵的應用
氮化鎵作為半導體發光二極體應用於LED照明也已經在中國發展得風起雲涌。目前市場上大規模應用於LED照明的氮化鎵晶元距離氮化鎵真正的「神奇能量」還相距甚遠。GaN半導體可以使得汽車、消費電子、電網、高鐵等產業系統所使用的各類電機、 逆變器、AC/DC轉換器等變得更加節能、高效。GaN用在大功率器件中可以降低自身功耗的同時提高系統其它部件的能效，節能20%-90%。
氮化鎵的未來發展
GaN寬禁帶電力電子器件代表著電力電子器件領域發展方向，材料和工藝都存在許多問題有待解決，即使這些問題都得到解決，它們的價格肯定還是比硅基貴。預計到2019年，硅基GaN的價格可能下降到可與硅材料相比擬的水平。由於它們的優異特 性可能主要用於中高端應用，與硅全控器件不可能全部取代硅半控器件一樣，SiC和GaN寬禁帶電力電子器件在將來也不太可能全面取代硅功率MOSFET、IGBT和GTO(包括IGCT)。SiC電力電子器件將主要用於1200V以上的高壓工業應用領域；GaN電力電 子器件將主要用於900V以下的消費電子、計算機/伺服器電源應用領域。
GaN作為第三代半導體材料，其性質決定了將更適合4G乃至未來5G等技術的應用。從現在的市場狀況來看，GaAs仍然是手機終端PA和LNA等的主流，而LDMOS則處於基站RF的霸主地位。但是，伴隨著Si材料和GaAs材料在性能上逐步達到極限，我們預計 GaN半導體將會越來越多的應用在無線通信領域中。
⑷ 昱科是日本的品牌嗎
不是日本的，是美國的。
2011年，西數以43億美元收購日立環球存儲技術公司（HGST），深圳的公司更名為昱科環球存儲科技（深圳）有限公司。
合並後的新公司將保持西部數據名稱，總部也仍然設在西部數據公司現有總部美國加州Irvine市。
西部數據主要高管，包括CEO首席執行官John Coyne，COO首席運營官Tim Leyden，CFO首席財務官Wolfgang Nickl都將繼續留任，而HGST公司CEO Steve Miligan將在合並完成後擔任新公司總裁，直接向John Coyne報告。
(4)gan存儲擴展閱讀：
昱科環球存儲科技(深圳)有限公司成立於1998年01月16日，注冊地位於深圳市福田區保稅區藍花道7號，法人代表為張士清。
經營范圍包括一般經營項目是：許可經營項目是：
1、製造和銷售信息存儲/顯示產品（包括但不限於磁阻磁頭/巨組磁阻磁頭（MR/GMR）、MR/GMR磁頭平衡環組件（HGA）、MR/GMR磁頭堆棧組件（HSA）、磁頭驅動器組件（TAA）和平面液晶顯示器）及其他信息技術產品、裝置、元器件（以下簡稱「有關產品」）。
包括經由有關主管部門批准後委託福田保稅區（「保稅區」）以外的實體從事部分加工業務；
2、進行有關產品的內銷和外銷；與保稅區內實體及保稅區內的貿易代理商從事貿易業務；與保稅區以外具有進出口經營權的實體直接進行貿易。
3、就有關產品提供維修、售後服務及有關技術服務。
4、從事信息技術行業的開發和研究工作。
5、為從事上述經營范圍內的業務而采購、進口零部件和元器件並提供倉儲。
6、向其他HGST 的實體及其合資企業提供服務。
7、內銷比例可達100％。
⑸ 當前計算機內存儲器使用的是什麼材料
晶圓
由於是晶體材料，其形狀為圓形，所以稱為晶圓。襯底材料有硅、鍺、GaAs、InP、GaN等。由於硅最為常用，如果沒有特別指明晶體材料，通常指硅晶圓。
在硅晶片上可加工製作成各種電路元件結構，而成為有特定電性功能的集成電路產品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。
(5)gan存儲擴展閱讀
經常會看到有些以尺寸表示的晶圓廠，如12英寸晶圓廠，8英寸晶圓廠。12英寸指的是晶圓的直徑，差不多相當於300mm，晶圓尺寸越大，製造難度越高，切割的出來的晶元也會更多。隨著晶元尺寸越來越小，一塊晶圓上可以切割出數千個晶元。
12英寸目前是市場的主流，將近七成的晶圓產能為12英寸，8英寸的產能逐漸減少。接下來就是包括光刻，製作晶體管，晶圓切割，測試，封裝等一系列復雜工序，最後得到晶元成品。
⑹ 光電子材料
光電子材料
optoelectronic material
在光電子技術領域應用的，以光子、電子為載體，處理、存儲和傳遞信息的材料。光電子技術是結合光學和電子學技術而發展起來的一門新技術，主要應用於信息領域，也用於能源和國防領域。已使用的光電子材料主要分為光學功能材料、激光材料、發光材料、光電信息傳輸材料（主要是光導纖維）、光電存儲材料、光電轉換材料、光電顯示材料（如電致發光材料和液晶顯示材料）和光電集成材料。
（一）新型光電子材料及相關基礎材料、關鍵設備和特種光電子器件
1、光電子基礎材料、生長源和關鍵設備
研究目標：突破新型生長源關鍵制備技術，掌握相關的檢測技術；突破半導體光電子器件的基礎材料制備技術，實現產業化。
研究內容及主要指標：
1) 高純四氯化硅(4N)的純化技術和規模化生產技術(B類，要求企業負責並有配套投入)
2) 高純(6N)三甲基銦規模化生產技術(B類，要求企業負責並有配套投入)
3) 可協變(Compliant)襯底關鍵技術(A類)
4) 襯底材料制備與加工技術(B類)
重點研究開發外延用藍寶石、GaN、SiC等襯底材料的高標拋光產業化技術（Epi-ready級）；大尺寸（>2"）藍寶石襯底材料制備技術和產業化關鍵技術。藍寶石基GaN器件晶元切割技術。
5) 用於平板顯示的光電子基礎材料與關鍵設備技術(A類)
大面積(對角線>14〃)的定向排列碳納米管或納米棒薄膜生長的關鍵技術; 等離子體平板顯示用的新型高效熒光粉的關鍵技術。
2、人工晶體和全固態激光器技術
研究目標：研究探索新型人工晶體材料與應用技術，突破人工晶體的產業化關鍵技術，研製大功率全固態激光器，解決產業化關鍵技術問題。
研究內容及主要指標：
1) 新型深紫外非線性光學晶體材料和全固態激光器(A類);
2) 面向光子/聲子應用的人工微結構晶體材料與器件 (A類);
3) 研究開發瓦級紅、藍全固態激光器產業化技術(B類)，高損傷閾值光學鍍膜關鍵技術(B類)，基於全固態激光器的全色顯示技術(A類);
4) 研究開發大功率半導體激光器陣列光纖耦合模塊產業化技術(B類);
5) Yb系列激光晶體技術(A類)。
3、新型半導體材料與光電子器件技術
研究目標：重點研究自組裝半導體量子點、ZnO晶體和低維量子結構、窄禁帶氮化物等新型半導體材料及光電子器件技術。
研究內容及主要指標：
1) 研究ZnO晶體、低維量子結構材料技術，研製短波長光電子器件 (A類)
2) 自組裝量子點激光器技術 (A類)
3) Ⅲ-Ⅴ族窄禁帶氮化物材料及器件技術(A類)
4) 光泵浦外腔式面發射半導體激光器(A類)
4、 光電子材料與器件產業化質量控制技術(A類)
研究目標：發展人工晶體與全固態激光器、GaN基材料及器件表徵評價技術，解決產業化質量控制關鍵技術。
研究內容：重點研究人工晶體與全固態激光器、GaN基材料及器件質量監測新方法與新技術，相關產品測試條件與數據標准化研究。
5、光電子材料與器件的微觀結構設計與性能預測研究(A類)
研究目標：提出光電子新材料、新器件的構思，為原始創新提供理論概念與設計
研究內容：針對光電子技術的發展需求，結合本主題的研製任務，採用建立分析模型、進行計算機模擬，在不同尺度（從原子、分子到納米、介觀及宏觀）范圍內，闡明材料性能與微觀結構的關系，以利性能、結構及工藝的優化。解釋材料制備實驗中的新現象和問題，預測新結構、新性能，預報新效應，以利材料研製的創新。低維量子結構材料新型表徵評價技術和設備。
（二）通信用光電子材料、器件與集成技術
1、集成光電子晶元和模塊技術
研究目標：突破並掌握用於光電集成(OEIC)、光子集成(PIC)與微光電機械(MOEMS)方面的材料和晶元的關鍵工藝技術，以典型器件的研製帶動研究開發工藝平台的建設和完善，探索集成光電子系統設計和工藝製造協調發展的途徑，促進晶元、模塊和組件的產業化。
研究內容及主要指標：
1) 光電集成晶元技術
(1)速率在2.5Gb/s以上的長波長單片集成光發射機晶元及模塊關鍵技術(A類)
(2) 高速 Si基單片集成光接收機晶元及模塊關鍵技術(A類)
2) 基於平面集成光波導技術的OADM晶元及模塊關鍵技術(A類)
3) 平面光波導器件的自動化耦合封裝關鍵技術(B類)
4) 基於微光電機械(MOEMS)晶元技術的8′8以上陣列光開關關鍵技術(A類)
5) 光電子晶元與集成系統(Integrated System)的無生產線設計技術研究(A類)
2、 通信光電子關鍵器件技術
研究目標：針對干線高速通信系統和密集波分復用系統、全光網路以及光接入網系統的需要，重點進行一批技術含量高、市場前景廣闊的目標產品和單元技術的研究開發，迅速促進相應產品系列的形成和規模化生產，顯著提高我國通信光電子關鍵器件產業的綜合競爭能力。
研究內容及主要指標：
(1) 速率在10Gb/s以上的高速光探測器組件(PIN-TIA) 目標產品和規模化生產技術，直接調制DFB-LD目標產品和規模化生產技術，光轉發器(Transponder)目標產品和規模化生產技術；(均為B類，要求企業負責並有配套投入)
(2) 40通道、0.8nm間隔EDFA動態增益均衡關鍵技術(A類)；
(3) InGaNAs高性能激光器研究(A類)；
(4) 光波長變換器關鍵技術和目標產品(B類)；
(5) 可調諧激光器目標產品(A類)；
(6) 用於無源光網路(EPON)的突發式光收發模塊關鍵技術和目標產品(B類)。
3、光纖製造新技術及新型光纖
研究目標：研究開發並掌握具有自主知識產權的光纖預制棒製造技術；研究開發新一代通信光纖，推動光纖通信系統在高速、大容量骨幹網以及接入網中的應用。
研究內容和主要指標：
1) 光纖預制棒製造新技術(B類，要求企業負責並有配套投入)；
2) 新型特種光纖(A類)。
（三）面向信息獲取、處理、利用的光電子材料與器件
1．GaN材料和器件技術
研究目標：重點突破用於藍光激光器襯底的GaN體單晶生長技術。
研究內容及主要指標：
大面積、高質量GaN體單晶生長技術。
2、超高亮度全色顯示材料與器件應用技術
研究目標：研究開發用於場致電子發射平板顯示器（FED）材料和器件結構，以及超高亮度冷陰極發光管製作和應用的關鍵技術。
說明：等離子體平板顯示器和高亮度、長壽命有機發光器件（OLED）和FED的產業化關鍵技術將於"平板顯示專項"中考慮。
研究內容及主要指標：
1) 超高亮度冷陰極發光管製作和應用的關鍵技術(A類);
2) 研製FED用的、能夠在低電壓下工作的新型冷陰極電子源結構、新型冷陰極電子發射材料(A類)。
3、超高密度光存儲材料與器件技術
研究目標：發展具有自主知識產權的超高密度、大容量、高速度光存儲材料和技術，達到國際先進水平，為發展超高密度光存儲產業打下基礎。
研究內容及主要指標：
1) DVD光頭用光源和非球面透鏡等產業化關鍵技術(B類)；
2) 新型近場光存儲材料和器件(A類)。
4、光感測材料與器件技術
研究目標：以特殊環境應用為目的，實現感測元器件的產業化技術開發；研究開發新型光電感測器。
研究內容及主要指標：
1) 光纖光柵溫度、壓力、振動感測器的產業化技術(B類，要求企業負責並有配套投入);
2) 銻化物半導體材料及室溫無製冷紅外焦平面探測器技術(A類);
3) 大氣監測用高靈敏紅外探測器及其列陣(A類) ;
4) 基於新概念、新原理的光電探測技術(A類);
5、新型有機光電子材料及器件
研究目標：研究開發新型有機半導體材料及其在光顯示等領域的應用。
研究內容及主要指標：：
1) 有機非線性光學材料及其在全光光開關中的應用(A類);
2) 有機半導體薄膜晶體管材料與器件技術(A類)。
⑺ 氮化鎵這種材料有哪些應用呢
氮化鎵可以說是目前研製微電子器件、光電子器件的先進半導體材料了。它具有很多優點，比如寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率，而且它的化學穩定性非常好，又有很強的抗輻照能力，因此是很受歡迎在電子器件製造領域很受喜愛。據說LED顯示技術行業領先的利亞德就參股了生產氮化銨的Saphlux公司。
⑻ 關於GAN生成式對抗網路中判別器的輸出的問題
...
摘要
生成式對抗網路GAN（Generative adversarial networks）目前已經成為人工智慧學界一個熱門的研究方向.GAN的基本思想源自博弈論的二人零和博弈，由一個生成器和一個判別器構成，通過對抗學習的方式來訓練.目的是估測數據樣本的潛在分布並生成新的數據樣本.在圖像和視覺計算、語音和語言處理、信息安全、棋類比賽等領域，GAN正在被廣泛研究，具有巨大的應用前景.本文概括了GAN的研究進展，並進行展望.在總結了GAN的背景、理論與實現模型、應用領域、優缺點及發展趨勢之後，本文還討論了GAN與平行智能的關系，認為GAN可以深化平行系統的虛實互動、交互一體的理念，特別是計算實驗的思想，為ACP（Artificial societies，computational experiments，and parallel execution）理論提供了十分具體和豐富的演算法支持.
更多
出版源
《自動化學報》 , 2017 , 43 (3) :321-332
⑼ hgst是什麼硬碟
HGST是日立公司硬碟，全名：日立環球存儲科技。
日立環球存儲科技公司創立於2003年，基於IBM和日立就存儲科技業務進行戰略性整合而創建的。存儲業務是日立的五項核心業務之一。
2012年8月4日，隨著日立環球存儲科技的收購，日立現在也將名稱進行更改，原「日立環球存儲科技」正式被命名為HGST，歸屬為西部數據旗下獨立營運部門。
(9)gan存儲擴展閱讀：
HGST硬碟命名規則
HGST硬碟命名規則，以DLTA-307075為例
1、「D」表示該設備為磁碟。
2、由兩位字母組成，它代表硬碟的系列代號。例如LT代表Deskstar 75GXP或Deskstar 40GV；PT代表Deskstar 37GP或Deskstar 34GXP；更老的
型號代碼還有：JN則代表Deskstar 25GP 和 Deskstar 22GXP；TT代表16GP和14GXP。
3、由一位字母組成，它代表硬碟的介面類型。介面類型主要有以下幾種：A、S、U、C。A=ATA；S或U=Ultra SCSI、Ultra SCSI Wide或Ultra
SCSI SCA；C=SSA（Serial Storage Architecture）。
4、由一位數字組成，它代表硬碟的外形尺寸。2代表2.5英寸盤（筆記本電腦硬碟，Travelstar）；3代表3.5英寸盤（桌面級或伺服器級硬碟，
Deskstar 或 Ultrastar）。
5、由一或二位數字組成，它代表硬碟的主軸轉速。05（5）代表5400rpm；07（7）代表7200rpm。
6、由三或四位數字組成，它代表硬碟的容量，其中的075代表75GB。
⑽ C語言指針 gan'gan'xue
首先你頭文件的寫作方式不對，標准庫 #include<stdio.h>
其次你沒弄明白一下這個幾個標示代表著什麼：
*p 指針所存儲地址的值： 即為 8；
p 指針所存儲的值地址
&p 則為指針本身存儲的地址
本題中你使用指針所存儲的值的地址輸出成了int類型，本身是16進制的值被輸出成了十進制就是你現在的值了！其實際的值應該是19FF38 剛好是一個自動變數的值
所以你把 printf("%d",p);改成printf("%d",*p);就會輸出你所期待的值了！