Ⅰ nand flash和nor flash的區別
NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失快閃記憶體技術。Intel於1988年首先開發出NOR flash技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發表了NAND flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，並且象磁碟一樣可以通過介面輕松升級。但是經過了十多年之後，仍然有相當多的硬體工程師分不清NOR和NAND快閃記憶體。
相「flash存儲器」經常可以與相「NOR存儲器」互換使用。許多業內人士也搞不清楚NAND快閃記憶體技術相對於NOR技術的優越之處，因為大多數情況下快閃記憶體只是用來存儲少量的代碼，這時NOR快閃記憶體更適合一些。而NAND則是高數據存儲密度的理想解決方案。
NOR的特點是晶元內執行(XIP, eXecute In Place)，這樣應用程序可以直接在flash快閃記憶體內運行，不必再把代碼讀到系統RAM中。NOR的傳輸效率很高，在1～4MB的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。
NAND結構能提供極高的單元密度，可以達到高存儲密度，並且寫入和擦除的速度也很快。應用NAND的困難在於flash的管理和需要特殊的系統介面。
性能比較
flash快閃記憶體是非易失存儲器，可以對稱為塊的存儲器單元塊進行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內進行，所以大多數情況下，在進行寫入操作之前必須先執行擦除。NAND器件執行擦除操作是十分簡單的，而NOR則要求在進行擦除前先要將目標塊內所有的位都寫為0。
由於擦除NOR器件時是以64～128KB的塊進行的，執行一個寫入/擦除操作的時間為5s，與此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的塊進行的，執行相同的操作最多隻需要4ms。
執行擦除時塊尺寸的不同進一步拉大了NOR和NADN之間的性能差距，統計表明，對於給定的一套寫入操作(尤其是更新小文件時)，更多的擦除操作必須在基於NOR的單元中進行。這樣，當選擇存儲解決方案時，設計師必須權衡以下的各項因素。
● NOR的讀速度比NAND稍快一些。
● NAND的寫入速度比NOR快很多。
● NAND的4ms擦除速度遠比NOR的5s快。
● 大多數寫入操作需要先進行擦除操作。
● NAND的擦除單元更小，相應的擦除電路更少。
介面差別
NOR flash帶有SRAM介面，有足夠的地址引腳來定址，可以很容易地存取其內部的每一個位元組。
NAND器件使用復雜的I/O口來串列地存取數據，各個產品或廠商的方法可能各不相同。8個引腳用來傳送控制、地址和數據信息。
NAND讀和寫操作採用512位元組的塊，這一點有點像硬碟管理此類操作，很自然地，基於NAND的存儲器就可以取代硬碟或其他塊設備。
容量和成本
NAND flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半，由於生產過程更為簡單，NAND結構可以在給定的模具尺寸內提供更高的容量，也就相應地降低了價格。
NOR flash占據了容量為1～16MB快閃記憶體市場的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的產品當中，這也說明NOR主要應用在代碼存儲介質中，NAND適合於數據存儲，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存儲卡市場上所佔份額最大。
可*性和耐用性
採用flahs介質時一個需要重點考慮的問題是可*性。對於需要擴展MTBF的系統來說，Flash是非常合適的存儲方案。可以從壽命(耐用性)、位交換和壞塊處理三個方面來比較NOR和NAND的可*性。
壽命(耐用性)
在NAND快閃記憶體中每個塊的最大擦寫次數是一百萬次，而NOR的擦寫次數是十萬次。NAND存儲器除了具有10比1的塊擦除周期優勢，典型的NAND塊尺寸要比NOR器件小8倍，每個NAND存儲器塊在給定的時間內的刪除次數要少一些。
位交換
所有flash器件都受位交換現象的困擾。在某些情況下(很少見，NAND發生的次數要比NOR多)，一個比特位會發生反轉或被報告反轉了。
一位的變化可能不很明顯，但是如果發生在一個關鍵文件上，這個小小的故障可能導致系統停機。如果只是報告有問題，多讀幾次就可能解決了。
當然，如果這個位真的改變了，就必須採用錯誤探測/錯誤更正(EDC/ECC)演算法。位反轉的問題更多見於NAND快閃記憶體，NAND的供應商建議使用NAND快閃記憶體的時候，同時使用EDC/ECC演算法。
這個問題對於用NAND存儲多媒體信息時倒不是致命的。當然，如果用本地存儲設備來存儲操作系統、配置文件或其他敏感信息時，必須使用EDC/ECC系統以確保可*性。
壞塊處理
NAND器件中的壞塊是隨機分布的。以前也曾有過消除壞塊的努力，但發現成品率太低，代價太高，根本不劃算。
NAND器件需要對介質進行初始化掃描以發現壞塊，並將壞塊標記為不可用。在已製成的器件中，如果通過可*的方法不能進行這項處理，將導致高故障率。
易於使用
可以非常直接地使用基於NOR的快閃記憶體，可以像其他存儲器那樣連接，並可以在上面直接運行代碼。
由於需要I/O介面，NAND要復雜得多。各種NAND器件的存取方法因廠家而異。
在使用NAND器件時，必須先寫入驅動程序，才能繼續執行其他操作。向NAND器件寫入信息需要相當的技巧，因為設計師絕不能向壞塊寫入，這就意味著在NAND器件上自始至終都必須進行虛擬映射。
軟體支持
當討論軟體支持的時候，應該區別基本的讀/寫/擦操作和高一級的用於磁碟模擬和快閃記憶體管理演算法的軟體，包括性能優化。
在NOR器件上運行代碼不需要任何的軟體支持，在NAND器件上進行同樣操作時，通常需要驅動程序，也就是內存技術驅動程序(MTD)，NAND和NOR器件在進行寫入和擦除操作時都需要MTD。
使用NOR器件時所需要的MTD要相對少一些，許多廠商都提供用於NOR器件的更高級軟體，這其中包括M-System的TrueFFS驅動，該驅動被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等廠商所採用。
驅動還用於對DiskOnChip產品進行模擬和NAND快閃記憶體的管理，包括糾錯、壞塊處理和損耗平衡。
Ⅱ nor flash 和nand flash
其實我也在找這個問題，後來一不小心被我找到了，順便幫助一下樓主，其實還是挺簡單的，，有看不懂的可以問我哈
問：NAND FLASH 是不是無法做XIP，只有 NORFLASH才能？
答：所謂XIP,就是CODE是在FLASH上直接運行. NANDFLASH只是不適合做XIP,但並不是不能做XIP。
要一段CODE能夠正確的運行,要保證它的CODE是連續 的,正確的.
由於一些電氣特性的原因,NOR FLASH能夠做到這一點,不存在壞道或壞塊,所以能夠做XIP。
而對於NAND FLASH, 它只保證它的BLOCK 0是好的,其他的塊並不保證,雖然出錯的幾率比較低,但還是有出錯的可能,所以CODE可能無法連續正確地執行。
但只要你有額外的保障措施,比如說在執行CODE之前去做一 次ECC校驗,來確保CODE是連續正確的.那你也可以做XIP.事實上我就正在這么做,而且也證明是成功的
XiP定義（eXecute In Place）立即執行
XIP定義：
XIP即就地執行的意思，操作系統內核直接在Flash中運行，不需要拷貝到RAM。但是，Flash的存儲器訪問周期要比RAM大得多，在使用XIP技
術後可能會降低程序的運行速度，不過由於CPU的指令預取機制以及Cache機制，實際使用起來並不會明顯降低應用程序的運行速度。XIP的原理很簡單，
即指操作系統或應用程序直接從非易失性存儲器中執行。就當前的技術來說，這里的非易失性存儲器特指NOR型Flash，因為只有N0R型的Flash才可
以隨機存取。文獻［4］中提供了一種通過增加Cache使NAND Flash也可以進行XIP的方案，但需要增加硬體電路，不是一個通用的解決方案。
除了硬體提供支持以外，XIP還需要軟體的支持。操作系統內核和應用程序在運行時，它在內存中的映像可以分為三個部分：代碼段、數據段和堆棧段。代碼段對
應於執行程序中的Text Section，其中包括運行代碼和只讀數據，這個段在內存中一般被標記為只讀。數據段對應於運行文件中的Data
Section和BSS
Section（？？？），其中存放的是各種數據(經過初始化的和未經初始化的)和靜態變數，而堆棧段存放的則用於保存函數調用和局部變數。從以上分析可
知，程序運行時在內存的映像分為兩類：一類是只讀的，如代碼段；另一類是可寫的，如數據段。而Flash雖然是可寫的，但並不能像寫普通RAM一樣進行。
因此，當程序在Flash中運行時，我們仍然需要把部分可寫的數據段放在RAM 中。
XIP是一種能夠直接在閃速存儲器中執行代碼而無須裝載到RAM中執行的機制。這樣減少了內核從閃速存儲器拷貝到RAM的時間，並採用非壓縮映像減少了內
核自解壓的時間。由於閃速存儲器訪問速度低於RAM，採用XIP技術的同時，根據硬體環境對閃速存儲器和RAM使用量進行平衡。
eXecute In Place - XIP
XIP (eXecute In Place ) is a useful option available with uClinux
systems. Its main value lies in providing a means of allowing several
copies of a program to be running without plicating the text segment.
Indeed the text segment can reside in flash memory and need not be
copied to the system Ram at all. This is useful for tasks that have
large program bodies with many executable instances running in the
system.
Only the Stack, BSS and data segments of an executable needs to be
proced for each running program. The text segment can then reside in
flash memory or, if execution speed is an issue, then the file
system to ram first and mount it from there. If executables in the file
system are compiled to support XIP and also flagged in their headers as
XIP they will load and execute with just a single of the text
segment.
Ⅲ nor flash和nand flash的區別
1. 區別
NOR的特點是晶元內執行(XIP,eXecute In Place)，這樣應用程序可以直接在flash快閃記憶體內運行，不必再把代碼讀到系統RAM中。優點是可以直接從FLASH中運行程序，但是工藝復雜，價格比較貴，NOR的傳輸效率很高，在1～4MB的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。
NAND結構能提供極高的單元密度，可以達到高存儲密度，並且寫入和擦除的速度也很快。應用NAND的困難在於flash的管理和需要特殊的系統介面。優點：大存儲容量，而且便宜。缺點，就是無法定址直接運行程序，只能存儲數據。另外NAND FLASH 非常容易出現壞區，所以需要有校驗的演算法。
任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內進行
（1）NAND器件執行擦除操作是十分簡單的，而NOR則要求在進行擦除前先要將目標塊內所有的位都寫為1。
（2）擦除NOR器件時是以64～128KB的塊進行的，執行一個寫入/擦除操作的時間為5s，NORFLASHSECTOR擦除時間視品牌、大小不同而不同，比如，4MFLASH，有的SECTOR擦除時間為60ms，而有的需要最大6S。與此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的塊進行的，執行相同的操作最多隻需要4ms
（3）當選擇存儲解決方案時，設計師必須權衡以下的各項因素。
●NOR的讀速度比NAND稍快一些。
●NAND的寫入速度比NOR快很多。
●NAND的4ms擦除速度遠比NOR的5s快。
●大多數寫入操作需要先進行擦除操作。
●NAND的擦除單元更小，相應的擦除電路更少。
（4）介面差別
NORflash帶有SRAM介面，有足夠的地址引腳來定址，可以很容易地存取其內部的每一個位元組。
NAND器件使用復雜的I/O口來串列地存取數據，各個產品或廠商的方法可能各不相同。8個引腳用來傳送控制、地址和數據信息。NAND讀和寫操作採用512位元組的塊，這一點有點像硬碟管理此類操作，因此，基於NAND的存儲器就可以取代硬碟或其他塊設備。
（5）容量差別：
NORflash占據了容量為1～16MB快閃記憶體市場的大部分，而NANDflash只是用在8～128MB的產品當中，這也說明NOR主要應用在代碼存儲介質中，NAND適合於數據存儲。
（6）可靠性和耐用性
－壽命(耐用性)
在NAND快閃記憶體中每個塊的最大擦寫次數是一百萬次，而NOR的擦寫次數是十萬次。NAND存儲器除了具有10比1的塊擦除周期優勢，典型的NAND塊尺寸要比NOR器件小8倍，每個NAND存儲器塊在給定的時間內的刪除次數要少一些。
－位交換
所有flash器件都受位交換現象的困擾。位真的改變了，就必須採用錯誤探測/錯誤更正(EDC/ECC)演算法。位反轉的問題更多見於NAND快閃記憶體，在使用NAND快閃記憶體的時候，應使用EDC/ECC演算法。用NAND存儲多媒體信息時倒不是致命的。當然，如果用本地存儲設備來存儲操作系統、配置文件或其他敏感信息時，必須使用EDC/ECC系統以確保可靠性。
－壞塊處理
NAND器件中的壞塊是隨機分布的，NAND器件需要對介質進行初始化掃描以發現壞塊，並將壞塊標記為不可用。在已製成的器件中，如果通過可靠的方法不能進行這項處理，將導致高故障率。
（7）易於使用
可以非常直接地使用基於NOR的快閃記憶體。在使用NAND器件時，必須先寫入驅動程序，才能繼續執行其他操作。向NAND器件寫入信息需要相當的技巧，因為設計師絕不能向壞塊寫入，這就意味著在NAND器件上自始至終都必須進行虛擬映射。
（8）軟體支持
在NOR器件上運行代碼不需要任何的軟體支持，在NAND器件上進行同樣操作時，通常需要驅動程序，也就是內存技術驅動程序(MTD)，NAND和NOR器件在進行寫入和擦除操作時都需要MTD。
使用NOR器件時所需要的MTD要相對少一些，許多廠商都提供用於NOR器件的更高級軟體，這其中包括M-System的TrueFFS驅動，該驅動被WindRiverSystem、Microsoft、QNXSoftwareSystem、Symbian和Intel等廠商所採用。驅動還用於對DiskOnChip產品進行模擬和NAND快閃記憶體的管理，包括糾錯、壞塊處理和損耗平衡。
（9）在掌上電腦里要使用NAND FLASH 存儲數據和程序，但是必須有NOR FLASH來啟動。除了SAMSUNG處理器，其他用在掌上電腦的主流處理器還不支持直接由NAND FLASH 啟動程序。因此，必須先用一片小的NOR FLASH 啟動機器，在把OS等軟體從NAND FLASH 載入SDRAM中運行才行
2. 趨勢
NOR Flash 生產廠商有 Intel和ST， Nand Flash廠商有Hynix，micon，Samsung，Toshiba和Fujitsu等。
2006年NAND將占據59%的快閃記憶體市場份額，NOR的市場份額將下降到41%。而到2009年時，NAND的市場份額將上升到65%，NOR的市場份額將進一步下滑到35%。
Nand 主要應用：Compacflash，Secure Digi-tal，Smartmedia，SD，MMC，Xd，PC Card，USB Sticks等。
NOR的傳輸效率很高，在小容量時具有很高的成本效益，更加安全，不容易出現數據故障，因此，主要應用以代碼存儲為主，多與運算相關。
目前，NAND快閃記憶體主要用在數碼相機快閃記憶體卡和MP3播放機中，這兩個市場的增長非常迅速。而NOR晶元主要用在手機和機頂盒中，這兩個市場的增長速度相對較慢。
3. Samsung的S3C2440就能支持從NAND Flash和NOR Flash兩種方式啟動。
Ⅳ NOR和NAND Flash存儲器的區別
應用程序對NOR晶元操作以「字」為基本單位。為了方便對大容量NOR快閃記憶體的管理，通常將NOR快閃記憶體分成大小為128KB或者64KB的邏輯塊，有時候塊內還分成扇區。讀寫時需要同時指定邏輯塊號和塊內偏移。應用程序對NAND晶元操作是以「塊」為基本單位。NAND快閃記憶體的塊比較小，一般是8KB，然後每塊又分成頁，頁的大小一般是512位元組。要修改NAND晶元中一個位元組，必須重寫整個數據塊。
2）NOR快閃記憶體是隨機存儲介質，用於數據量較小的場合；NAND快閃記憶體是連續存儲介質，適合存放大的數據。
3) 由於NOR地址線和數據線分開，所以NOR晶元可以像SRAM一樣連在數據線上。NOR晶元的使用也類似於通常的內存晶元，它的傳輸效率很高，可執行程序可以在晶元內執行( XI P, eXecute In Place)，這樣應用程序可以直接在flash快閃記憶體內運行，不必再把代碼 讀到系統RAM中。由於NOR的這個特點，嵌入式系統中經常將NOR晶元做啟動晶元使用。而NAND共用地址和數據匯流排，需要額外聯結一些控制的輸入輸出，所以直接將NAND晶元做啟動晶元比較難。
4) N AN D快閃記憶體晶元因為共用地址和數據匯流排的原因，不允許對一個位元組甚至一個塊進行的數據清空，只能對一個固定大小的區域進行清零操作；而NOR晶元可以對字進行操作。所以在處理小數據量的I/O操作的時候的速度要快與NAND的速度。比如一塊NOR晶元通 常寫一個字需要10微秒，那麼在32位匯流排上寫512位元組需要1280毫秒；而NAND快閃記憶體寫512位元組需要的時間包括：512×每位元組50納秒+10微秒的尋頁時間+200微秒的片擦寫時間＝234微秒。
5）NAND快閃記憶體的容量比較大，目前最大容量己經達到8G位元組。為了方便管理，NAND的存儲空間使用了塊和頁兩級存儲體系，也就是說快閃記憶體的存儲空間是二維的，比如K9F5608UOA快閃記憶體塊的大小為16K，每頁的大小是512位元組，每頁還16位元組空閑區用來存放錯誤校驗碼空間(有時也稱為out-of-band，OOB空間)；在進行寫操作的時候NAND快閃記憶體每次將一個位元組的數據放入內部的緩存區，然後再發出「寫指令」進行寫操作。由於對NAND快閃記憶體的操作都是以塊和頁為單位的，所以在向NAND快閃記憶體進行大量數據的讀寫時，NAND的速度要快於NOR快閃記憶體。
6）NOR快閃記憶體的可靠性要高於NAND快閃記憶體，這主要是因為NOR型快閃記憶體的介面簡單，數據操作少，位交換操作少，因此可靠性高，極少出現壞區塊，因而一般用在對可靠性要求高的地方。相反的，NAND型快閃記憶體介面和操作均相對復雜，位交換操作也很多，關鍵性數據更是需安錯誤探測/錯誤更正〔EDC/ECC)演算法來確保數據的完整性，因此出現問題的幾率要大得多，壞區塊也是不可避免的，而且由於壞區塊是隨機分布的，連糾錯也無法做到。
7）NAND Flash一般地址線和數據線共用，對讀寫速度有一定影響；而NOR Flash快閃記憶體數據線和地址線分開，所以相對而言讀寫速度快一些。
NAND和NOR晶元的共性首先表現在向晶元中寫數據必須先將晶元中對應的內容清空，然後再寫入，也就是通常說的「先擦後寫」。只不過NOR晶元只用擦寫一個字，而NAND需要擦寫整個塊。其次，快閃記憶體擦寫的次數都是有限的.當快閃記憶體的使用接近使用壽命的時候，經常會出現寫操作失敗；到達使用壽命時，快閃記憶體內部存放的數據雖然可以讀，但是不能再進行寫操作了所以為了防止上面問題的發生，不能對某個特定的區域反復進行寫操作。通常NAND的可擦寫次數高於NOR晶元，但是由於NAND通常是整塊擦寫，塊內的頁面中如果有一位失效整個塊就會失效，而且由於擦寫過程復雜，失敗的概率相對較高，所以從整體上來說NOR的壽命較長。
另一個共性是快閃記憶體的讀寫操作不僅僅是一個物理操作，實際上在快閃記憶體上存放數據必須使用演算法實現，這個模塊一般在驅動程序的MTD' (Memory Technology Drivers)模塊中或者在FTLZ (Flash Translation Layer)層內實現，具體演算法和晶元的生產廠商以及晶元型號有關系。
從使用角度來看，NOR快閃記憶體與NAND快閃記憶體是各有特點的：（1）NOR的存儲密度低，所以存儲一個位元組的成本也較高，而NAND快閃記憶體的存儲密度和存儲容量均比較高；（2）NAND型快閃記憶體在擦、寫文件（特別是連續的大文件）時速度非常快，非常適用於順序讀取的場合，而NOR的讀取速度很快，在隨機存取的應用中有良好的表現。 NOR與NAND各有所長，但兩種優勢無法在一個晶元上得到體現。所以，設計人員在選用晶元時，只能趨其利而避其害，依照使用目的和主要功能在兩者之間進行適當的選擇。
Ⅳ Nand Flash和Nor Flash有什麼區別求解
這是轉載NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失快閃記憶體技術。Intel於1988年首先開發出NOR flash技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發表了NAND flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，並且象磁碟一樣可以通過介面輕松升級。但是經過了十多年之後，仍然有相當多的硬體工程師分不清NOR 和NAND快閃記憶體。 相「flash存儲器」經常可以與相「NOR存儲器」互換使用。許多業內人士也搞不清楚NAND快閃記憶體技術相對於NOR技術的優越之處，因為大多數情況下快閃記憶體只是用來存儲少量的代碼，這時NOR快閃記憶體更適合一些。而NAND則是高數據存儲密度的理想解決方案。 NOR的特點是晶元內執行(XIP, eXecute In Place)，這樣應用程序可以直接在flash快閃記憶體內運行，不必再把代碼讀到系統RAM中。NOR的傳輸效率很高，在1～4MB的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。 NAND結構能提供極高的單元密度，可以達到高存儲密度，並且寫入和擦除的速度也很快。應用NAND的困難在於flash的管理和需要特殊的系統介面。性能比較 flash快閃記憶體是非易失存儲器，可以對稱為塊的存儲器單元塊進行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內進行，所以大多數情況下，在進行寫入操作之前必須先執行擦除。NAND器件執行擦除操作是十分簡單的，而NOR則要求在進行擦除前先要將目標塊內所有的位都寫為0。 由於擦除NOR器件時是以6?～128KB的塊進行的，執行一個寫入/擦除操作的時間為5s，與此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的塊進行的，執行相同的操作最多隻需要4ms。 執行擦除時塊尺寸的不同進一步拉大了NOR和NADN之間的性能差距，統計表明，對於給定的一套寫入操作(尤其是更新小文件時更多的擦除操作必須在基於NOR的單元中進行。這樣，當選擇存儲解決方案時，設計師必須權衡以下的各項因素。 ● NOR的讀速度比NAND稍快一些。 ● NAND的寫入速度比NOR快很多。 ● NAND的4ms擦除速度遠比NOR的5s快。 ● 大多數寫入操作需要先進行擦除操作。 ● NAND的擦除單元更小，相應的擦除電路更少。介面差別 NOR flash帶有SRAM介面，有足夠的地址引腳來定址，可以很容易地存取其內部的每一個位元組。 NAND器件使用復雜的I/O口來串列地存取數據，各個產品或廠商的方法可能各不相同。8個引腳用來傳送控制、地址和數據信息。 NAND讀和寫操作採用512位元組的塊，這一點有點像硬碟管理此類操作，很自然地，基於NAND的存儲器就可以取代硬碟或其他塊設備。容量和成本 NAND flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半，由於生產過程更為簡單，NAND結構可以在給定的模具尺寸內提供更高的容量，也就相應地降低了價格。 NOR flash占據了容量為1～16MB快閃記憶體市場的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的產品當中，這也說明NOR主要應用在代碼存儲介質中，NAND適合於數據存儲，NAND在CompactFlash、 Secure Digital、PC Cards和MMC存儲卡市場上所佔份額最大。可靠性和耐用性 採用flahs介質時一個需要重點考慮的問題是可靠性。對於需要擴展MTBF的系統來說，Flash是非常合適的存儲方案。可以從壽命(耐用性)、位交換和壞塊處理三個方面來比較NOR和NAND的可靠性。 壽命(耐用性) 在NAND快閃記憶體中每個塊的最大擦寫次數是一百萬次，而NOR的擦寫次數是十萬次。NAND存儲器除了具有10比1的塊擦除周期優勢，典型的NAND塊尺寸要比NOR器件小8倍，每個NAND存儲器塊在給定的時間內的刪除次數要少一些。 位交換 所有flash器件都受位交換現象的困擾。在某些情況下(很少見，NAND發生的次數要比NOR多)，一個比特位會發生反轉或被報告反轉了。 一位的變化可能不很明顯，但是如果發生在一個關鍵文件上，這個小小的故障可能導致系統停機。如果只是報告有問題，多讀幾次就可能解決了。 當然，如果這個位真的改變了，就必須採用錯誤探測/錯誤更正(EDC/ECC)演算法。位反轉的問題更多見於NAND快閃記憶體，NAND的供應商建議使用NAND快閃記憶體的時候，同時使用EDC/ECC演算法。 這個問題對於用NAND存儲多媒體信息時倒不是致命的。當然，如果用本地存儲設備來存儲操作系統、配置文件或其他敏感信息時，必須使用EDC/ECC系統以確保可靠性。 壞塊處理 NAND器件中的壞塊是隨機分布的。以前也曾有過消除壞塊的努力，但發現成品率太低，代價太高，根本不劃算。 NAND器件需要對介質進行初始化掃描以發現壞塊，並將壞塊標記為不可用。在已製成的器件中，如果通過可靠的方法不能進行這項處理，將導致高故障率。易於使用 可以非常直接地使用基於NOR的快閃記憶體，可以像其他存儲器那樣連接，並可以在上面直接運行代碼。 由於需要I/O介面，NAND要復雜得多。各種NAND器件的存取方法因廠家而異。 在使用NAND器件時，必須先寫入驅動程序，才能繼續執行其他操作。向NAND器件寫入信息需要相當的技巧，因為設計師絕不能向壞塊寫入，這就意味著在NAND器件上自始至終都必須進行虛擬映射。軟體支持 當討論軟體支持的時候，應該區別基本的讀/寫/擦操作和高一級的用於磁碟模擬和快閃記憶體管理演算法的軟體，包括性能優化。 在NOR器件上運行代碼不需要任何的軟體支持，在NAND器件上進行同樣操作時，通常需要驅動程序，也就是內存技術驅動程序(MTD)，NAND和NOR器件在進行寫入和擦除操作時都需要MTD。 使用NOR器件時所需要的MTD要相對少一些，許多廠商都提供用於NOR器件的更高級軟體，這其中包括M-System的TrueFFS驅動，該驅動被 Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等廠商所採用。 驅動還用於對DiskOnChip產品進行模擬和NAND快閃記憶體的管理，包括糾錯、壞塊處理和損耗平衡。]
Ⅵ NAND flash和NOR flash的區別詳解
NAND flash和NOR flash的區別
一、NAND flash和NOR flash的性能比較
flash快閃記憶體是非易失存儲器，可以對稱為塊的存儲器單元塊進行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內進行，所以大多數情況下，在進行寫入操作之前必須先執行擦除。NAND器件執行擦除操作是十分簡單的，而NOR則要求在進行擦除前先要將目標塊內所有的位都寫為0。由於擦除NOR器件時是以64～128KB的塊進行的，執行一個寫入/擦除操作的時間為5s，與此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的塊進行的，執行相同的操作最多隻需要4ms。執行擦除時塊尺寸的不同進一步拉大了NOR和NADN之間的性能差距，統計表明，對於給定的一套寫入操作(尤其是更新小文件時)，更多的擦除操作必須在基於NOR的單元中進行。這樣，當選擇存儲解決方案時，設計師必須權衡以下的各項因素。
1、NOR的讀速度比NAND稍快一些。
2、NAND的寫入速度比NOR快很多。
3、NAND的4ms擦除速度遠比NOR的5s快。
4、大多數寫入操作需要先進行擦除操作。
5、NAND的擦除單元更小，相應的擦除電路更少。
二、NAND flash和NOR flash的介面差別
NOR flash帶有SRAM介面，有足夠的地址引腳來定址，可以很容易地存取其內部的每一個位元組。
NAND器件使用復雜的I/O口來串列地存取數據，各個產品或廠商的方法可能各不相同。8個引腳用來傳送控制、地址和數據信息。NAND讀和寫操作採用512位元組的塊，這一點有點像硬碟管理此類操作，很自然地，基於NAND的存儲器就可以取代硬碟或其他塊設備。
三、NAND flash和NOR flash的容量和成本
NAND flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半，由於生產過程更為簡單，NAND結構可以在給定的模具尺寸內提供更高的容量，也就相應地降低了價格。
NOR flash占據了容量為1～16MB快閃記憶體市場的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的產品當中，這也說明NOR主要應用在代碼存儲介質中，NAND適合於數據存儲，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存儲卡市場上所佔份額最大。
四、NAND flash和NOR flash的可靠性和耐用性
採用flahs介質時一個需要重點考慮的問題是可靠性。對於需要擴展MTBF的系統來說，Flash是非常合適的存儲方案。可以從壽命(耐用性)、位交換和壞塊處理三個方面來比較NOR和NAND的可靠性。
五、NAND flash和NOR flash的壽命(耐用性)
在NAND快閃記憶體中每個塊的最大擦寫次數是一百萬次，而NOR的擦寫次數是十萬次。NAND存儲器除了具有10比1的塊擦除周期優勢，典型的NAND塊尺寸要比NOR器件小8倍，每個NAND存儲器塊在給定的時間內的刪除次數要少一些。
六、位交換
所有flash器件都受位交換現象的困擾。在某些情況下(很少見，NAND發生的次數要比NOR多)，一個比特位會發生反轉或被報告反轉了。一位的變化可能不很明顯，但是如果發生在一個關鍵文件上，這個小小的故障可能導致系統停機。如果只是報告有問題，多讀幾次就可能解決了。當然，如果這個位真的改變了，就必須採用錯誤探測/錯誤更正(EDC/ECC)演算法。位反轉的問題更多見於NAND快閃記憶體，NAND的供應商建議使用NAND快閃記憶體的時候，同時使用
七、EDC/ECC演算法
這個問題對於用NAND存儲多媒體信息時倒不是致命的。當然，如果用本地存儲設備來存儲操作系統、配置文件或其他敏感信息時，必須使用EDC/ECC系統以確保可靠性。
八、壞塊處理
NAND器件中的壞塊是隨機分布的。以前也曾有過消除壞塊的努力，但發現成品率太低，代價太高，根本不劃算。
NAND器件需要對介質進行初始化掃描以發現壞塊，並將壞塊標記為不可用。在已製成的器件中，如果通過可靠的方法不能進行這項處理，將導致高故障率。
九、易於使用
可以非常直接地使用基於NOR的快閃記憶體，可以像其他存儲器那樣連接，並可以在上面直接運行代碼。
由於需要I/O介面，NAND要復雜得多。各種NAND器件的存取方法因廠家而異。在使用NAND器件時，必須先寫入驅動程序，才能繼續執行其他操作。向NAND器件寫入信息需要相當的技巧，因為設計師絕不能向壞塊寫入，這就意味著在NAND器件上自始至終都必須進行虛擬映射。
十、軟體支持
當討論軟體支持的時候，應該區別基本的讀/寫/擦操作和高一級的用於磁碟模擬和快閃記憶體管理演算法的軟體，包括性能優化。
在NOR器件上運行代碼不需要任何的軟體支持，在NAND器件上進行同樣操作時，通常需要驅動程序，也就是內存技術驅動程序(MTD)，NAND和NOR器件在進行寫入和擦除操作時都需要MTD。
使用NOR器件時所需要的MTD要相對少一些，許多廠商都提供用於NOR器件的更高級軟體，這其中包括M-System的TrueFFS驅動，該驅動被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等廠商所採用。
驅動還用於對DiskOnChip產品進行模擬和NAND快閃記憶體的管理，包括糾錯、壞塊處理和損耗平衡。
Ⅶ nandflash和norflash的區別
NANDflash和NORflash的區別
兩種並行FLASH
Flash存儲器又稱快閃記憶體，是一種可以在線多次擦除的非易失性存儲器，即掉電後數據不會丟失，具體積小、功耗低、抗振性強等優點，為嵌入式系統中典型的兩種存儲設備。
1、NOR型Flash：如SST39VF160，可以直接讀取晶元內存儲器的數據，速度比較快，但價格較高；晶元內執行（XIP，eXecute
In
Place），應用程序可以直接在Flash上運行，不必再把代碼讀到系統RAM中；
2、NAND型Flash：如K9F2808U0C，內部數據以塊為單位存儲，地址線和數據線共用，使用控制信號選擇；極高的單元密度，可以達到高存儲密度，並且寫入和擦除的速度也快，應用NAND型的困難在於Flash的管理需要特殊的系統介面。
3、細述二者的差別：
（1）、介面差別：
NOR型Flash採用的SRAM介面，提供足夠的地址引腳來定址，可以很容易的存取其片內的每一個位元組；NAND型Flash使用復雜的I/O口來串列的存取數據，各個產品或廠商的方法可能各不相同，通常是採用8個I/O引腳來傳送控制、地址、數據信息。
（2）、讀寫的基本單位：
NOR型Flash操作是以「字」為基本單位，而NAND型Flash以「頁面」為基本單位，頁的大小一般為512位元組。
（3）、性能比較：
NOR型Flash的地址線和數據線是分開的，傳輸效率很高，程序可以在晶元內部執行，NOR型的讀速度比NAND稍快一些；NAND型Flash寫入速度比NOR型Flash快很多，因為NAND讀寫以頁為基本操作單位。
（4）、容量和成本：
NAND型Flash具有較高的單元密度，容量可以做得比較大，加之其生產過程更為簡單，價格較低；NOR型Flash占據了容量為1～16MB快閃記憶體市場的大部分，而NAND型Flash只是用在8～128MB的產品中，這也說明NOR主要用在代碼存儲介質中，NAND適合數據存儲在CompactFlash、PC
Cards、MMC存儲卡市場上所佔的份額最大。
（5）、軟體支持：
NAND型和NOR型Flash在進行寫入和擦除時都需要MTD（Memory
Technology
Drivers，MTD已集成在Flash晶元內部，它是對Flash進行操作的介面。），這是它們的共同特點；但在NOR型Flash上運行代碼不需要任何的軟體支持，而在NAND型Flash上進行同樣操作時，通常需要驅動程序，即內存技術驅動程序MTD。
Ⅷ 請問nand flash和nor flash有什麼不同
1、寫入/擦除操作的時間不同
【nand flash】：擦除NAND器件以8～32KB的塊進行，執行同一寫入/擦除的操作時間為4ms
【nor flash】：擦除NOR器件是以64～128KB的塊進行，執行同一個寫入/擦除操作的時間為5s
2、介面不同
【nand flash】：nand flash使用較為復雜的I/O口來串列地存取數據，並且各個產品或廠商的方法可能各不相同。
【nor flash】：nor flash為SRAM介面，擁有足夠的地址引腳用於定址。
3、容量成本不同
【nand flash】：NAND flash的單元尺寸大約為NOR器件的一半，由於生產過程更為簡單，因此價格較低。
【nor flash】：NOR flash單元尺寸較大，生產過程也較為復雜，因此價格較高。
4、耐用性不同
【nand flash】：NAND快閃記憶體中每個塊的最大擦寫次數是一百萬次。
【nor flash】：NOR快閃記憶體中每個塊的最大擦寫次數是十萬次。
Ⅸ 誰能告訴我存儲器dataflash norflash nandflash EEPROM這些的區別啊
norflash,nandflash,EEPROM都是些非易失性存儲器，它們都是基於懸浮柵晶體管結構，但具體實現工藝上有差異。
EEPROM:(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory),我把它譯作電擦電寫只讀存儲器，也有書本譯作「電可擦可編程只讀存儲器」。特點是可掉電存儲數據，缺點是存儲速度較慢，且早期的EEPROM需高壓操作，現在的EEPROM一般片內集成電壓泵，讀寫速度小於250納秒，使用很方便。
FLASH：一般譯為「快閃記憶體」，你可以理解為是EEPROM的一種，但存儲速度較快，製作工藝優良，U盤的核心元件就是它。NandFlash一般比較大，而NorFlash都比較小，並且NorFlash比較貴，並且NorFlash寫的速度比較慢，但讀的速度比較快 ，而NandFlash讀的速度比較慢，寫的速度比較快.nandflash用於存儲，而norflash除了存儲數據功能外，還可以直接在上面運行程序。
至於dataflash則是一個抽象概念，可以由norflash nandflash EEPROM構成。