A. 怎樣讀取手機存儲晶元內容
X60，裡面有手機數據恢復的，但是都是需要花錢的。你可以去手機維修咨詢下數據恢復。
還有一些技術辦法：
能不能進REC？如果能進的話就有可能了，進入rec後選擇備份數據，相當於把你的手機做成刷機包，放到內存卡里，然後你找一個和你同型號的手機進行數據恢復，這樣你就能把這部沒有問題的手機恢復成你原來手機的狀態，再把數據通過鈦備份軟體備份下來，這樣你換成什麼安卓手機只有安裝鈦備份再恢復軟體及數據就能用了。數據也不會丟失，安卓系統版本不一樣的兼容性會不一樣，安卓2.3的系統恢復到安卓4.0的系統上可能不能用。先祝你成功。
B. 以前的MP4內存晶元怎麼讀取，或者怎麼連數據4線讀取，以前是不通電池就無法讀取，只能在驅動上怎麼讀
拆下存儲器，用編程器讀取數據備份，然後用數據恢復軟體來試試。
C. 存儲器的讀寫過程是什麼樣的
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5.1 存儲器系統基本知識
作者： 時間： 2008-04-10 來源：
5.1.1存儲器的分類
按照存儲介質不同，可以將存儲器分為半導體存儲器、磁存儲器、激光存儲器。
這里我們只討論構成內存的半導體存儲器。
按照存儲器的存取功能不同，半導體存儲器可分為只讀存儲器（Read Only Memory簡稱ROM）和隨機存儲器（Random Access Memory簡稱RAM）
1.只讀存儲器（ROM）
ROM的特點是把信息寫入存儲器以後，能長期保存，不會因電源斷電而丟失信息。計算機在運行過程中，只能讀出只讀存儲器中的信息，不能再寫入信息。一般地，只讀存儲器用來存放固定的程序和數據，如微機的監控程序、匯編程序、用戶程序、數據表格等。根據編程方式的不同，ROM共分為以下5種：
(1)掩模工藝ROM
這種ROM是晶元製造廠根據ROM要存貯的信息，設計固定的半導體掩模版進行生產的。一旦制出成品之後，其存貯的信息即可讀出使用，但不能改變。這種ROM常用於批量生產，生產成本比較低。微型機中一些固定不變的程序或數據常採用這種ROM存貯。
(2)可一次性編程ROM（PROM）
為了使用戶能夠根據自己的需要來寫ROM，廠家生產了一種PROM。允許用戶對其進行一次編程──寫入數據或程序。一旦編程之後，信息就永久性地固定下來。用戶可以讀出和使用，但再也無法改變其內容。
(3)紫外線擦除可改寫ROM（EPROM）
可改寫ROM晶元的內容也由用戶寫入，但允許反復擦除重新寫入。EPROM是用電信號編程而用紫外線擦除的只讀存儲器晶元。在晶元外殼上方的中央有一個圓形窗口，通過這個窗口照射紫外線就可以擦除原有的信息。由於陽光中有紫外線的成分，所以程序寫好後要用不透明的標簽封窗口，以避免因陽光照射而破壞程序。EPROM的典型晶元是Intel公司的27系列產品，按存儲容量不同有多種型號，例如2716（2KB′8）、2732（4KB′8）、2764（8KB′8）、27128（16KB′8）、27256（32KB′8）等，型號名稱後的數字表示其存儲容量。
(4)電擦除可改寫ROM（EEPROM或E2PROM）
這是一種用電信號編程也用電信號擦除的ROM晶元，它可以通過讀寫操作進行逐個存儲單元讀出和寫入，且讀寫操作與RAM存儲器幾乎沒有什麼差別，所不同的只是寫入速度慢一些。但斷電後卻能保存信息。典型E2PROM晶元有28C16、28C17、2817A等。
(5)快擦寫ROM（flash ROM）
E2PROM雖然具有既可讀又可寫的特點，但寫入的速度較慢，使用起來不太方便。而flash ROM是在EPROM和E2PROM的基礎上發展起來的一種只讀存儲器，讀寫速度都很快，存取時間可達70ns，存儲容量可達16MB~128MB。這種晶元可改寫次數可從1萬次到100萬次。典型flash ROM晶元有28F256、28F516、AT89等。
2.隨機存儲器RAM（也叫讀寫存儲器）
讀寫存儲器RAM按其製造工藝又可以分為雙極型RAM和金屬氧化物RAM。
(1) 雙極型RAM
雙極型RAM的主要特點是存取時間短，通常為幾到幾十納秒（ns）。與下面提到的MOS型RAM相比，其集成度低、功耗大，而且價格也較高。因此，雙極型RAM主要用於要求存取時間短的微型計算機中。
(2) 金屬氧化物（MOS）RAM
用MOS器件構成的RAM又分為靜態讀寫存儲器（SRAM）和動態讀寫存儲器（DRAM）。
j靜態RAM（SRAM）
靜態RAM的基本存儲單元是MOS雙穩態觸發器。一個觸發器可以存儲一個二進制信息。靜態RAM的主要特點是，其存取時間為幾十到幾百納秒（ns），集成度比較高。目前經常使用的靜態存儲器每片的容量為幾KB到幾十KB。SRAM的功耗比雙極型RAM低，價格也比較便宜。
k動態RAM（DRAM）
動態RAM的存取速度與SRAM的存取速度差不多。其最大的特點是集成度特別高。其功耗比SRAM低，價格也比SRAM便宜。DRAM在使用中需特別注意的是，它是靠晶元內部的電容來存貯信息的。由於存貯在電容上的信息總是要泄漏的，所以，每隔2ms到4ms，DRAM要求對其存貯的信息刷新一次。
l集成RAM（i RAM）
集成RAM――Integrated RAM，縮寫為i RAM，這是一種帶刷新邏輯電路的DRAM。由於它自帶刷新邏輯，因而簡化與微處理器的連接電路，使用它和使用SRAM一樣方便。
m非易失性RAM（NVRAM）
非易失性RAM――Non-Volatile RAM，縮寫為NVRAM，其存儲體由SRAM和EEPROM兩部分組合而成。正常讀寫時，SRAM工作；當要保存信息時（如電源掉電），控制電路將SRAM的內容復制到EEPROM中保存。存入EEPROM中的信息又能夠恢復到SRAM中。
NVRAM既能隨機存取，又具有非易失性，適合用於需要掉電保護的場合。
5.1.2存儲器的主要性能指標
1.存貯容量
不同的存儲器晶元，其容量不一樣。通常用某一晶元有多少個存貯單元，每個存貯單元存貯若干位來表示。例如，靜態RAM6264的容量為8KB′8bit，即它有8K個單元（1K＝1024），每個單元存貯8位（一個位元組）數據。
2.存取時間
存取時間即存取晶元中某一個單元的數據所需要的時間。在計算機工作時，CPU在讀寫RAM時，它所提供的讀寫時間必須比RAM晶元所需要的存取時間長。如果不能滿足這一點，微型機則無法正常工作。
3.可靠性
微型計算機要正確地運行，必然要求存儲器系統具有很高的可靠性。內存的任何錯誤就足以使計算機無法工作。而存儲器的可靠性直接與構成它的晶元有關。目前所用的半導體存儲器晶元的平均故障間隔時間（MTBF）大概是（5′106∽1′108）小時左右。
4.功耗
使用功耗低的存儲器晶元構成存儲器系統，不僅可以減少對電源容量的要求，而且還可以提高存貯系統的可靠性。
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D. 手機存儲晶元拆下來怎麼讀取並轉移到另一個存儲晶元里
這個要看是那種方式的，
一般可以用把晶元安到合適的U盤上，
有的是可以直接讀取的，
有的是無法恢復數據的，
只能在原來的主板上使用的！
E. 如何把一個硬體的晶元的數據讀取出來
燒寫程序是要寫在存儲器上的，晶元上有固化的一組指令，啟動後就載入指定的數據然後開始運行。類似主板的BIOS,要滿足的條件是晶元能讀取存儲器的內容，並且有存儲裝置(能寫入數據的)這樣就能根據晶元的功能寫程序了。
F. 晶元存儲數據的原理
Flash晶元並不是像光碟那樣把信息刻上去的。為了更加清楚地說明，我首先讓你知道計算機的信息是怎樣儲存的。計算機用的是二進制，也就是0與1。在二進制中，0與1可以組成任何數。而電腦的器件都有兩種狀態，可以表示0與1。比如三極體的斷電與通電，磁性物質的已被磁化與未被磁化，物質平面的凹與凸，都可以表示0與1。硬碟就是採用磁性物質記錄信息的，磁碟上的磁性物質被磁化了就表示1，未被磁化就表示0，因為磁性在斷電後不會喪失，所以磁碟斷電後依然能保存數據。而內存的儲存形式則不同，內存不是用磁性物質，而是用RAM晶元。現在請你在一張紙上畫一個「田」，就是畫一個正方形再平均分成四份，這個「田」字就是一個內存，這樣，「田」裡面的四個空格就是內存的儲存空間了，這個儲存空間極小極小，只能儲存電子。。好，內存現在開始工作。內存通電後，如果我要把「1010」這個信息保存在內存（現在畫的「田」字）中，那麼電子就會進入內存的儲存空間里。「田」字的第一個空格你畫一點東西表示電子，第二個空格不用畫東西，第三個空格又畫東西表示電子，第四個格不畫東西。這樣，「田」的第一格有電子，表示1，第二格沒有，表示0，第三格有電子，表示1，第四格沒有，表示0，內存就是這樣把「1010」這個數據保存好了。電子是運動沒有規律的物質，必須有一個電源才能規則地運動，內存通電時它很安守地在內存的儲存空間里，一旦內存斷電，電子失去了電源，就會露出它亂雜無章的本分，逃離出內存的空間去，所以，內存斷電就不能保存數據了。再看看U盤，U盤里的儲存晶元是Flash晶元，它與RAM晶元的工作原理相似但不同。現在你在紙上再畫一個「田」字，這次要在四個空格中各畫一個頂格的圓圈，這個圓圈不是表示電子，而是表示一種物質。好，Flash晶元工作通電了，這次也是保存「1010」這個數據。電子進入了「田」的第一個空格，也就是晶元的儲存空間。電子把裡面的物質改變了性質，為了表示這個物質改變了性質，你可以把「田」內的第一個圓圈塗上顏色。由於數據「1010」的第二位數是0，所以Flash晶元的第二個空間沒有電子，自然裡面那個物質就不會改變了。第三位數是1，所以「田」的第三個空格通電，第四個不通電。現在你畫的「田」字，第一個空格的物質塗上了顏色，表示這個物質改變了性質，表示1，第二個沒有塗顏色，表示0，以此類推。當Flash晶元斷電後，物質的性質不會改變了，除非你通電擦除。當Flash晶元通電查看儲存的信息時，電子就會進入儲存空間再反饋信息，電腦就知道晶元裡面的物質有沒有改變。就是這樣，RAM晶元斷電後數據會丟失，Flash晶元斷電後數據不會丟失，但是RAM的讀取數據速度遠遠快於Flash晶元。