㈠ 哪個公司第一個發明了第一個半導體存儲器
英特爾在組建起了一支科研生力軍，並運用正確的組織形式開展卓有成效的技術攻關之後 ，在公司創辦僅十年的時光里，便摘取了一串又一串豐碩的果實，這其中便有奠定英特爾 在半導體產業領潮人地位的四項最重要的發明：第一個半導體存儲晶元 、第一個動態隨機存儲器 、第一個 EPROM 和第一個微處理器。
㈡ 從什麼時候開始,計算機以半導體為主存儲器
半導體存儲器從第二代計算機（時間劃分:1958年-1964年）後期，第三代計算機（時間劃分:1965年-1971年）開始就已經是出現了。
㈢ 半導體是怎樣存儲信息的
半導體存儲器(semi-conctor memory)
是一種以半導體電路作為存儲媒體的存儲器。
按其製造工藝可分為：雙極晶體管存儲器和MOS晶體管存儲器。
按其存儲原理可分為：靜態和動態兩種。
其優點是：體積小、存儲速度快、存儲密度高、與邏輯電路介面容易。
主要用作高速緩沖存儲器、主存儲器、只讀存儲器、堆棧存儲器等。
半導體存儲器的兩個技術指標是：存儲容量和存取時間。半導體是通過保持電平存儲數據的。
1 電路中用高電平表示1，低電平表示0；
2 同樣的在存儲介質中，寫入電平值，下次讀出判斷是1/0；
3 存儲介質的存儲利用的是浮柵和襯底間電容效應：電容充電，讀出的值就是高電平。電容放電後，讀出的就是低電平
㈣ 半導體中名詞「wafer」「chip」「die」的聯系和區別是什麼
一、名詞解釋：
wafer：晶圓；是指硅半導體集成電路製作所用的硅晶片，由於其形狀為圓形。
chip：晶元；是半導體元件產品的統稱。
die：裸片 ；是矽片中一個很小的單位，包括了設計完整的單個晶元以及晶元鄰近水平和垂直方向上的部分劃片槽區域。
二、聯系和區別：
篩選後的wafer
(4)第一代半導體的存儲擴展閱讀：
集成電路晶元的生命歷程：晶元公司設計晶元——晶元代工廠生產晶元——封測廠進行封裝測試——整機商采購晶元用於整機生產。
晶元供應商IDM：是集晶元設計、製造、封裝和測試等多個產業鏈環節於一身的企業。
晶元供應商Fabless：是沒有晶元加工廠的晶元供應商，Fabless自己設計開發和推廣銷售晶元，與生產相關的業務外包給專業生產製造廠商。與Fabless相對應的是Foundry和封測廠，主要承接Fabless的生產和封裝測試任務，封測廠有日月光，江蘇長電等。
㈤ 半導體存儲器是從第幾代計算機開始出現的
半導體存儲器從第二代計算機後期，第三代計算機開始就已經是出現了。
㈥ 第一代、第二代、第三代半導體材料分別是
1.第一代半導體材料主要是指硅（Si）、鍺元素（Ge）半導體材料。作為第一代半導體材料的鍺和硅，在國際信息產業技術中的各類分立器件和應用極為普遍的集成電路、電子信息網路工程、電腦、手機、電視、航空航天、各類軍事工程和迅速發展的新能源、硅光伏產業中都得到了極為廣泛的應用，硅晶元在人類社會的每一個角落無不閃爍著它的光輝。
2.第二代半導體材料主要是指化合物半導體材料，如砷化鎵（GaAs）、銻化銦（InSb）；三元化合物半導體，如GaAsAl、GaAsP；還有一些固溶體半導體，如Ge-Si、GaAs-GaP；玻璃半導體（又稱非晶態半導體），如非晶硅、玻璃態氧化物半導體；有機半導體，如酞菁、酞菁銅、聚丙烯腈等。
3.第三代半導體材料主要以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表的寬禁帶半導體材料。在應用方面，根據第三代半導體的發展情況，其主要應用為半導體照明、電力電子器件、激光器和探測器、以及其他4個領域，每個領域產業成熟度各不相同。在前沿研究領域，寬禁帶半導體還處於實驗室研發階段。
(6)第一代半導體的存儲擴展閱讀
Si和化合物半導體是兩種互補的材料，化合物的某些性能優點彌補了Si晶體的缺點，而Si晶體的生產工藝又明顯的有不可取代的優勢，且兩者在應用領域都有一定的局限性，因此在半導體的應用上常常採用兼容手段將這二者兼容，取各自的優點，從而生產出符合更高要求的產品，如高可靠、高速度的國防軍事產品。因此第一、二代是一種長期共同的狀態。
但是第三代寬禁帶半導體材料，可以被廣泛應用在各個領域，消費電子、照明、新能源汽車、導彈、衛星等，且具備眾多的優良性能可突破第一、二代半導體材料的發展瓶頸，故被市場看好的同時，隨著技術的發展有望全面取代第一、二代半導體材料。
參考資料網路——半導體材料
㈦ 半導體是怎麼存儲數據的
半導體是通過保持電平存儲數據的。
1 電路中用高電平表示1，低電平表示0；
2 同樣的在存儲介質中，寫入電平值，下次讀出判斷是1/0；
3 存儲介質的存儲利用的是浮柵和襯底間電容效應：電容充電，讀出的值就是高電平。電容放電後，讀出的就是低電平。
㈧ 半導體存儲器有幾類，分別有什麼特點
1、隨機存儲器
對於任意一個地址，以相同速度高速地、隨機地讀出和寫入數據的存儲器（寫入速度和讀出速度可以不同）。存儲單元的內部結構一般是組成二維方矩陣形式，即一位一個地址的形式(如64k×1位)。但有時也有編排成便於多位輸出的形式（如8k×8位）。
特點：這種存儲器的特點是單元器件數量少，集成度高，應用最為廣泛（見金屬-氧化物-半導體動態隨機存儲器）。
2、只讀存儲器
用來存儲長期固定的數據或信息，如各種函數表、字元和固定程序等。其單元只有一個二極體或三極體。一般規定，當器件接通時為「1」,斷開時為「0」，反之亦可。若在設計只讀存儲器掩模版時,就將數據編寫在掩模版圖形中，光刻時便轉移到硅晶元上。
特點：其優點是適合於大量生產。但是，整機在調試階段，往往需要修改只讀存儲器的內容，比較費時、費事，很不靈活（見半導體只讀存儲器）。
3、串列存儲器
它的單元排列成一維結構，猶如磁帶。首尾部分的讀取時間相隔很長，因為要按順序通過整條磁帶。半導體串列存儲器中單元也是一維排列，數據按每列順序讀取，如移位寄存器和電荷耦合存儲器等。
特點：砷化鎵半導體存儲器如1024位靜態隨機存儲器的讀取時間已達2毫秒，預計在超高速領域將有所發展。
(8)第一代半導體的存儲擴展閱讀：
半導體存儲器優點
1、存儲單元陣列和主要外圍邏輯電路製作在同一個硅晶元上，輸出和輸入電平可以做到同片外的電路兼容和匹配。這可使計算機的運算和控制與存儲兩大部分之間的介面大為簡化。
2、數據的存入和讀取速度比磁性存儲器約快三個數量級,可大大提高計算機運算速度。
3、利用大容量半導體存儲器使存儲體的體積和成本大大縮小和下降。
㈨ 第一代半導體材料和第二代半導體材料
第一代半導體材料主要是指硅、鍺元素半導體材料，第二代半導體材料主要是指化合物半導體材料，如砷化鎵(GaAs)、銻化銦（InSb）；三元化合物半導體，如GaAsAl、GaAsP；還有一些固溶體半導體，如Ge-Si、GaAs-GaP；玻璃半導體(又稱非晶態半導體），如非晶硅、玻璃態氧化物半導體；有機半導體，如酞菁、酞菁銅、聚丙烯腈等。
㈩ 從計算機發展史看,第一代到第四代各有哪些特徵
1、第1代：電子管數字機（1946—1958年）
特點是體積大、功耗高、可靠性差。速度慢（一般為每秒數千次至數萬次）、價格昂貴，但為以後的計算機發展奠定了基礎。
2、第2代：晶體管數字機（1958—1964年）
特點是體積縮小、能耗降低、可靠性提高、運算速度提高（一般為每秒數10萬次，可高達300萬次）、性能比第1代計算機有很大的提高。
3、第3代：集成電路數字機（1964—1970年）
特點是速度更快（一般為每秒數百萬次至數千萬次），而且可靠性有了顯著提高，價格進一步下降，產品走向了通用化、系列化和標准化等。應用領域開始進入文字處理和圖形圖像處理領域。
4、第4代：大規模集成電路機（1970年至今）
硬體方面，邏輯元件採用大規模和超大規模集成電路（LSI和VLSI）。軟體方面出現了資料庫管理系統、網路管理系統和面向對象語言等。
由於集成技術的發展，半導體晶元的集成度更高，每塊晶元可容納數萬乃至數百萬個晶體管，並且可以把運算器和控制器都集中在一個晶元上、從而出現了微處理器，並且可以用微處理器和大規模、超大規模集成電路組裝成微型計算機。
(10)第一代半導體的存儲擴展閱讀：
隨著科技的進步，各種計算機技術、網路技術的飛速發展，計算機的發展已經進入了一個快速而又嶄新的時代，計算機已經從功能單一、體積較大發展到了功能復雜、體積微小、資源網路化等。
計算機的未來充滿了變數,性能的大幅度提高是不可置疑的，而實現性能的飛躍卻有多種途徑。不過性能的大幅提升並不是計算機發展的唯一路線，計算機的發展還應當變得越來越人性化，同時也要注重環保等等。
參考資料來源：網路-計算機