A. flash一個地址能存多大數據
flash一個地址能存1Kb和2Kb的，也就是1024位元組和2048位元組，一般來說內部flash大的採用2048位元組一頁，內部flash小的採用1024位元組一頁。
flash是存儲晶元的一種，通過特定的程序可以修改裡面的數據。FLASH在電子以及半導體領域內往往表示Flash Memory的意思，即平時所說的「快閃記憶體」，全名叫Flash EEPROM Memory。
flash存儲器又稱快閃記憶體，它結合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦除可編程的性能，還可以快速讀取數據，使數據不會因為斷電而丟失。
Flash種類：
目前Flash主要有兩種NORFlash和NANDFlash。NORFlash的讀取和我們常見的SDRAM的讀取是一樣，用戶可以直接運行裝載在NORFLASH裡面的代碼，這樣可以減少SRAM的容量從而節約了成本。
NANDFlash沒有採取內存的隨機讀取技術，它的讀取是以一次讀取一塊的形式來進行的，通常是一次讀取512個位元組，採用這種技術的Flash比較廉價。
以上內容參考網路-Flash
B. FLASH存儲器是什麼
什麼是flash
memory存儲器
介紹關於閃速存儲器有關知識
近年來，發展很快的新型半導體存儲器是閃速存儲器(flash
memory)。它的主要特點是在不加電的情況下能長期保持存儲的信息。就其本質而言，flash
memory屬於eeprom(電擦除可編程只讀存儲器)類型。它既有rom的特點，又有很高的存取速度，而且易於擦除和重寫，
功耗很小。目前其集成度已達4mb，同時價格也有所下降。
由於flash
memory的獨特優點，如在一些較新的主板上採用flash
rom
bios，會使得bios
升級非常方便。
flash
memory可用作固態大容量存儲器。目前普遍使用的大容量存儲器仍為硬碟。硬碟雖有容量大和價格低的優點，但它是機電設備，有機械磨損，可靠性及耐用性相對較差，抗沖擊、抗振動能力弱，功耗大。因此，一直希望找到取代硬碟的手段。由於flash
memory集成度不斷提高，價格降低，使其在便攜機上取代小容量硬碟已成為可能。
目前研製的flash
memory都符合pcmcia標准，可以十分方便地用於各種攜帶型計算機中以取代磁碟。當前有兩種類型的pcmcia卡，一種稱為flash存儲器卡，此卡中只有flash
memory晶元組成的存儲體，在使用時還需要專門的軟體進行管理。另一種稱為flash驅動卡，此卡中除flash晶元外還有由微處理器和其它邏輯電路組成的控制電路。它們與ide標准兼容，可在dos下象硬碟一樣直接操作。因此也常把它們稱為flash固態盤。
flash
memory不足之處仍然是容量還不夠大，價格還不夠便宜。因此主要用於要求可靠性高，重量輕，但容量不大的攜帶型系統中。在586微機中已把bios系統駐留在flash存儲器中。
C. 快閃記憶體（flash）指的到底是什麼
快閃記憶體的基本概念
快閃記憶體的英文名稱是"Flash Memory"，一般簡稱為"Flash"，它也屬於內存器件的一種。不過快閃記憶體的物理特性與常見的內存有根本性的差異：目前各類DDR、SDRAM或者RDRAM都屬於揮發性內存，只要停止電流供應內存中的數據便無法保持，因此每次電腦開機都需要把數據重新載入內存；快閃記憶體則是一種不揮發性(Non-Volatile)內存，在沒有電流供應的條件下也能夠長久地保持數據，其存儲特性相當於硬碟，這項特性正是快閃記憶體得以成為各類便攜型數字設備的存儲介質的基礎。
NAND快閃記憶體的存儲單元則採用串列結構，存儲單元的讀寫是以頁和塊為單位來進行（一頁包含若干位元組，若干頁則組成儲存塊，NAND的存儲塊大小為8到32KB），這種結構最大的優點在於容量可以做得很大，超過512MB容量的NAND產品相當普遍，NAND快閃記憶體的成本較低，有利於大規模普及。NAND快閃記憶體的缺點在於讀速度較慢，它的I/O埠只有8個，比NOR要少多了。這區區8個I/O埠只能以信號輪流傳送的方式完成數據的傳送，速度要比NOR快閃記憶體的並行傳輸模式慢得多。再加上NAND快閃記憶體的邏輯為電子盤模塊結構，內部不存在專門的存儲控制器，一旦出現數據壞塊將無法修正，可靠性較NOR快閃記憶體要差。NAND快閃記憶體被廣泛用於移動存儲、數碼相機、MP3播放器、掌上電腦等新興數字設備中。三星、東芝、Renesas和SanDisk是主要的NAND快閃記憶體製造商，其中三星電子憑借價格和技術雙重優勢獲得了絕對領先的市場份額，甚至在去年第三季度超過Intel公司成為全球最大的快閃記憶體製造商。由於受到數碼設備強勁發展的帶動，NAND快閃記憶體一直呈現指數級的超高速增長，NAND可望在2006年超過NOR成為快閃記憶體技術的主導。
數碼快閃記憶體卡：主流數碼存儲介質
數碼相機、MP3播放器、掌上電腦、手機等數字設備是快閃記憶體最主要的市場。前面提到，手機領域以NOR型快閃記憶體為主、快閃記憶體晶元被直接做在內部的電路板上，但數碼相機、MP3播放器、掌上電腦等設備要求存儲介質具備可更換性，這就必須制定出介面標准來實現連接，快閃記憶體卡技術應運而生。快閃記憶體卡是以快閃記憶體作為核心存儲部件，此外它還具備介面控制電路和外在的封裝，從邏輯層面來說可以和閃盤歸為一類，只是快閃記憶體卡具有更濃的專用化色彩、而閃盤則使用通行的USB介面。由於歷史原因，快閃記憶體卡技術未能形成業界統一的工業標准，許多廠商都開發出自己的快閃記憶體卡方案。目前比較常見的有CF卡、SD卡、SM卡、MMC卡和索尼的Memory Stick記憶棒。
CF卡（CompactFlash）
CF卡是美國SanDisk 公司於1994引入的快閃記憶體卡，可以說是最早的大容量攜帶型存儲設備。它的大小隻有43mm×36mm×3.3mm，相當於筆記本電腦的PCMCIA卡體積的四分之一。CF卡內部擁有獨立的控制器晶元、具有完全的PCMCIA-ATA 功能，它與設備的連接方式同PCMCIA卡的連接方式類似，只是CF卡的針腳數多達五十針。這種連接方式穩定而可靠，並不會因為頻繁插拔而影響其穩定性。
CF卡沒有任何活動的部件，不存在物理壞道之類的問題，而且擁有優秀的抗震性能， CF卡比軟盤、硬碟之類的設備要安全可靠。CF卡的功耗很低，它可以自適應3.3伏和5伏兩種電壓，耗電量大約相當於桌面硬碟的百分之五。這樣的特性是出類拔萃的，CF卡出現之後便成為數碼相機的首選存儲設備。經過多年的發展，CF卡技術已經非常成熟，容量從最初的4MB飆升到如今的3GB，價格也越來越平實，受到各數碼相機製造商的普遍喜愛，CF卡目前在數碼相機存儲卡領域的市場佔有率排在第二位。
MMC卡 (MultiMediaCard)
MMC卡是SanDisk公司和德國西門子公司於1997年合作推出的新型存儲卡，它的尺寸只有32mm×24mm×1.4mm、大小同一枚郵票差不多；其重量也多在2克以下，並且具有耐沖擊、可反復讀寫30萬次以上等特點。從本質上看，MMC與CF其實屬於同一技術體系，兩者結構都包括快快閃記憶體晶元和控制器晶元，功能也完全一樣，只是MMC卡的尺寸超小，而連接器也必須做在狹小的卡裡面，導致生產難度和製造成本都很高、價格較為昂貴。MMC主要應用與行動電話和MP3播放器等體積小的設備，而由於體積限制，MMC卡的容量提升較為困難，目前MMC產品以128M容量為主，256MB、512MB主要供應給數碼發燒友及特殊用戶使用。MMC4.0標準的極速1-2GB MMC存儲卡問世，新標準的MMC多媒體存儲卡讀取速度最高達到了150倍速（22.5MB/S），而寫入速度也達到了驚人的120倍速（18MB/S）。MMC4.0標准同樣和原有的MMC存儲卡及SD存儲卡插槽兼容，可廣泛使用在手機、數碼相機、掌上電腦、其他移動數字設備等。MMC4.0標准由MMCA多媒體存儲卡協會在MMC3.2標準的基礎上推出的。
SD卡（Secure Digital）
SD卡的英文全稱是Secure Digital Card，意為安全數碼卡，它由日本松下公司、東芝公司和美國SanDisk公司共同研製。SD卡仍屬於MMC標准體系，SD比MMC卡多了一個進行數字版權保護的暗號認證功能（SDMI規格），故而得名。
SD卡的尺寸為32mm×24mm×2.1mm，面積與MMC卡相同、只是略厚一些而已。但SD卡的容量比MMC卡高出甚多，SanDisk和松下公司都已推出容量高達1GB的SD卡。不過當前的主流還是64M、128M和256M容量，512MB以上的產品還相當昂貴。讀寫速度快是SD卡的另一個優點，它的最高讀寫速度已突破20MB/s、幾乎達到快閃記憶體讀寫速度的極限。此外，SD卡還保持對MMC卡的兼容，支持SD卡的插口大多數都可以支持MMC卡。更重要的是，SD卡比MMC卡易於製造，在成本上有不少優勢，SD卡得到了廣泛應用，在MP3播放器、行動電話、數碼相機、掌上電腦及攜帶型攝像機，目前SD卡介面支持者除了東芝、松下和SanDisk外，還包括卡西歐、惠普、摩托羅拉、NEC、先鋒和Palm等公司。
SM卡（SmartMedia）與xD卡
SM卡被稱為"智能型媒體卡"，尺寸為37mm×45mm×0.76mm， SM卡的功能較為單一，用戶必須使用配有讀寫及控制功能的專用設備才能對其操作，SM卡規范的升級變化比較大。
D. 什麼是FLASH存儲器
什麼是Flash Memory存儲器
介紹關於閃速存儲器有關知識 近年來，發展很快的新型半導體存儲器是閃速存儲器(Flash Memory)。它的主要特點是在不加電的情況下能長期保持存儲的信息。就其本質而言，Flash Memory屬於EEPROM(電擦除可編程只讀存儲器)類型。它既有ROM的特點，又有很高的存取速度，而且易於擦除和重寫， 功耗很小。目前其集成度已達4MB，同時價格也有所下降。
由於Flash Memory的獨特優點，如在一些較新的主板上採用Flash ROM BIOS，會使得BIOS 升級非常方便。 Flash Memory可用作固態大容量存儲器。目前普遍使用的大容量存儲器仍為硬碟。硬碟雖有容量大和價格低的優點，但它是機電設備，有機械磨損，可靠性及耐用性相對較差，抗沖擊、抗振動能力弱，功耗大。因此，一直希望找到取代硬碟的手段。由於Flash Memory集成度不斷提高，價格降低，使其在便攜機上取代小容量硬碟已成為可能。 目前研製的Flash Memory都符合PCMCIA標准，可以十分方便地用於各種攜帶型計算機中以取代磁碟。當前有兩種類型的PCMCIA卡，一種稱為Flash存儲器卡，此卡中只有Flash Memory晶元組成的存儲體，在使用時還需要專門的軟體進行管理。另一種稱為Flash驅動卡，此卡中除Flash晶元外還有由微處理器和其它邏輯電路組成的控制電路。它們與IDE標准兼容，可在DOS下象硬碟一樣直接操作。因此也常把它們稱為Flash固態盤。 Flash Memory不足之處仍然是容量還不夠大，價格還不夠便宜。因此主要用於要求可靠性高，重量輕，但容量不大的攜帶型系統中。在586微機中已把BIOS系統駐留在Flash存儲器中。
http://bbs.zol.com.cn/index20060220/index_17_241442.html
E. Flash和RAM的區別是什麼
一、指代不同
1、RAM：也叫主存，是與CPU直接交換數據的內部存儲器。
2、Flash：快閃記憶體（英語：flash memory），是一種電子式可清除程序化只讀存儲器的形式，允許在操作中被多次擦或寫的存儲器。
二、特點不同
1、RAM：可以隨時讀寫（刷新時除外），而且速度很快，通常作為操作系統或其他正在運行中的程序的臨時數據存儲介質。
2、Flash：主要用於一般性數據存儲，以及在計算機與其他數字產品間交換傳輸數據，如儲存卡與U盤。
三、原理不同
1、RAM：當存儲器中的數據被讀取或寫入時，所需要的時間與這段信息所在的位置或所寫入的位置無關。相對的，讀取或寫入順序訪問（Sequential Access）存儲設備中的信息時，其所需要的時間與位置就會有關系。它主要用來存放操作系統、各種應用程序、數據等。
2、Flash：利用快閃記憶體（Flash Memory）技術達到存儲電子信息的存儲器，應用在數碼相機，掌上電腦，MP3等小型數碼產品中作為存儲介質，所以樣子小巧。
F. Flash內存:是什麼內存，有什麼作用
Flash內存即Flash Memory，全名叫Flash EEPROM Memory，又名快閃記憶體，是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息）的存儲器，數據刪除不是以單個的位元組為單位而是以固定的區塊為單位，區塊大小一般為256KB到20MB。快閃記憶體是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與快閃記憶體不同的是，它能在位元組水平上進行刪除和重寫而不是按區塊擦寫，這樣快閃記憶體就比EEPROM的更新速度快，所以被稱為Flash erase EEPROM，或簡稱為Flash Memory。由於其斷電時仍能保存數據，快閃記憶體通常被用來保存設置信息，如在電腦的BIOS（基本輸入輸出程序）、PDA（個人數字助理）、數碼相機中保存資料等。另一方面，快閃記憶體不像RAM（隨機存取存儲器）一樣以位元組為單位改寫數據，因此不能取代RAM。 快閃記憶體卡（Flash Card）是利用快閃記憶體（Flash Memory）技術達到存儲電子信息的存儲器，一般應用在數碼相機，掌上電腦，MP3等小型數碼產品中作為存儲介質，所以樣子小巧，有如一張卡片，所以稱之為快閃記憶體卡。根據不同的生產廠商和不同的應用，快閃記憶體卡大概有SmartMedia（SM卡）、Compact Flash（CF卡）、MultiMediaCard（MMC卡）、Secure Digital（SD卡）、Memory Stick（記憶棒）、XD-Picture Card（XD卡）和微硬碟（MICRODRIVE）這些快閃記憶體卡雖然外觀、規格不同，但是技術原理都是相同的。 實際應用中的快閃記憶體主要分為NOR和NAND兩種。NOR有著較快的數據讀取速度，但數據寫入速度卻很慢。在電子產品中一般作為程序存儲器。而NAND雖然數據讀取速度比NOR慢，但數據寫入速度卻比NOR快的多，因此在電子產品中一般作為數據存儲器
G. flash存儲原理
.1Nand Flash的特點
由於Nand Flash生產工藝的原因，出廠晶元中會隨機出現壞塊。壞塊在出廠時已經被初始化，並在特殊區域中標記為不可用，在使用過程中如果出現壞塊，也需要進行標記。晶元廠商保證出廠時，Block 0不為壞塊，但在使用過程中可能損壞。對於壞塊而言，存儲的信息可能會丟失，不能正常使用。另外在Nand Flash擦除或者編程過程中，出現操作失敗後，表示該塊不能正常使用，也應標記成壞塊。所以在一般情況下，在操作NAND Flash之前，先要檢查一下要操作的是否是壞塊，以免壞塊標記被破壞。此外，為了保證存儲信息的可靠性，從Nand Flash中讀取的數據還可以引入ECC校驗，ECC碼一般存放在該頁的spare區。
2 Nor Flash
2.1 Nor Flash的特點
Nor Flash的特點是讀取速度快，擦寫操作慢，不存在壞塊，數據保存安全。
3經驗案例
3.1 Nor Flash中不要使用memcpy而要使用flash read介面
原因：盡量使用統一介面操作flash，避免出現數據不一致的情況。
3.2 使用cramfs/squashfs做根分區，有些機器不能正常啟動
原因：使用Nand Flash時，必須考慮壞塊的因素。某些文件系統，如cramfs、squashfs，本身不帶有壞塊處理，在遇到根文件分區有壞塊時，就不能正常啟動。解決方法：在Linux驅動層增加針對cramfs、squashfs的壞塊處理補丁。