『壹』 半導體是怎樣存儲信息的
半導體存儲器(semi-conctor memory)
是一種以半導體電路作為存儲媒體的存儲器。
按其製造工藝可分為：雙極晶體管存儲器和MOS晶體管存儲器。
按其存儲原理可分為：靜態和動態兩種。
其優點是：體積小、存儲速度快、存儲密度高、與邏輯電路介面容易。
主要用作高速緩沖存儲器、主存儲器、只讀存儲器、堆棧存儲器等。
半導體存儲器的兩個技術指標是：存儲容量和存取時間。半導體是通過保持電平存儲數據的。
1 電路中用高電平表示1，低電平表示0；
2 同樣的在存儲介質中，寫入電平值，下次讀出判斷是1/0；
3 存儲介質的存儲利用的是浮柵和襯底間電容效應：電容充電，讀出的值就是高電平。電容放電後，讀出的就是低電平
『貳』 1·靜態半導體存儲器與動態半導體存儲器的主要區別是什麼
靜態半導體存儲器存取速度快，但集成度低，通常當緩存來用。
動態半導體存儲器存取速度慢，但集成度高，像內存就是動態半導體存儲器。
『叄』 半導體存儲器有哪些
半導體存儲器(semi-conctor memory)
是一種以半導體電路作為存儲媒體的存儲器,內存儲器就是由稱為存儲器晶元的半導體集成電路組成。
按其功能可分為：隨機存取存儲器（簡稱RAM）和只讀存儲器（只讀ROM）
RAM包括DRAM（動態隨機存取存儲器）和SRAM（靜態隨機存取存儲器），當關機或斷電時，其中的 信息都會隨之丟失。 DRAM主要用於主存（內存的主體部分），SRAM主要用於高速緩存存儲器。
ROM 主要用於BIOS存儲器。
按其製造工藝可分為：雙極晶體管存儲器和MOS晶體管存儲器。
按其存儲原理可分為：靜態和動態兩種。
『肆』 半導體只讀存儲器(ROM)與半導體隨機存取存儲器(RAM)的主要區別在於（ ）。
A、ROM可以永久保存信息，RAM在斷電後信息會丟失
RAM是隨機存儲器，可以隨時讀出或寫入信息。當寫入時，原來的數據將被沖掉。斷電後存儲的數據會消失，無法恢復。ROM是只讀存儲器，只能讀取信息，不能寫入信息，斷電後信息不會丟失。因此，半導體只讀存儲器(ROM)與半導體隨機存取存儲器(RAM)的主要區別在於ROM可以永久保存信息，RAM在斷電後信息會丟失，答案選擇A。
(4)半導體存儲單元和半導體存儲器擴展閱讀：
除少數種類的只讀存儲器（如字元發生器）可通用之外，不同種類的只讀存儲器功能不同。為便於用戶使用和大批量生產，進一步發展出可編程只讀存儲器（PROM）、可擦可編程序只讀存儲器（EPROM）和帶電可擦可編程只讀存儲器（EEPROM）等不同的種類。ROM應用廣泛，諸如Apple II或IBM PC XT/AT等早期個人電腦的開機程序（操作系統）或是其他各種微電腦系統中的軔體（Firmware），所使用的硬體都是ROM。
『伍』 什麼是半導體存儲器有什麼特點
半導體存儲器(semi-conctor memory)是一種以半導體電路作為存儲媒體的存儲器。 按其製造工藝可分為：雙極晶體管存儲器和MOS晶體管存儲器。 按其存儲原理可分為：靜態和動態兩種。 其優點是：體積小、存儲速度快、存儲密度高、與邏輯電路介面容易。 主要用作高速緩沖存儲器、主存儲器、只讀存儲器、堆棧存儲器等。 半導體存儲器的兩個技術指標是：存儲容量和存取時間。
採納哦
『陸』 半導體存儲器的分類
半導體存儲器晶元按照讀寫功能可分為只讀存儲器（Read Only Memory，ROM）和隨機讀寫存儲器（Random Access Memory，RAM）兩大類。
只讀存儲器電路結構簡單，且存放的數據在斷電後不會丟失，特別適合於存儲永久性的、不變的程序代碼或數據（如常數表、函數、表格和字元等），計算機中的自檢程序就是固化在ROM中的。ROM的最大優點是具有不易失性。
不可重寫只讀存儲器
1、掩模只讀存儲器（MROM）
掩模只讀存儲器，又稱固定ROM。這種ROM在製造時，生產廠家利用掩模（Mask）技術把信息寫入存儲器中，使用時用戶無法更改，適宜大批量生產。
掩模只讀存儲器可分為二極體ROM、雙極型三極體ROM和MOS管ROM三種類型。
2、可編程只讀存儲器（PROM）
可編程只讀存儲器（Programmable ROM，簡稱PROM），是可由用戶一次性寫入信息的只讀存儲器，是在MROM的基礎上發展而來的。
隨機讀寫存儲器
1、靜態存儲器（SRAM）
利用雙穩態觸發器來保存信息，只要不斷電信息就不會丟失。靜態存儲器的集成度低，成本高，功耗較大，通常作為Cache的存儲體。
2、動態存儲器（DRAM）
利用MOS電容存儲電荷來保存信息，使用時需要不斷給電容充電才能保持信息。動態存儲器電路簡單，集成度高，成本低，功耗小，但需要反復進行刷新（Refresh）操作，工作速度較慢，適合作為主存儲器的主體部分。
3、增強型DRAM（EDRAM）
EDRAM晶元是在DRAM晶元上集成一個高速小容量的SRAM晶元而構成的，這個小容量的SRAM晶元起到高速緩存的作用，從而使DRAM晶元的性能得到顯著改進。
『柒』 2.半導體存儲器有哪兩種類型
半導體存儲器有RAM和ROM兩種類型。
容量為256*4的RAM有10條地址線。至少8條數據線(16位CPU有16條數據線）
每個地址有一個位元組的存儲單元。
『捌』 存儲器的存儲介質是半導體嗎
存儲器的存儲介質是半導體，一般稱為半導體存儲器，由大量相同的存儲單元和輸入、輸出電路等構成。每個存儲單元有兩個不同的表徵態0和1，用以存儲不同的信息。半導體存儲器是構成計算機的重要部件。同磁性存儲器相比，半導體存儲器具有存取速度快、存儲容量大、體積小等優點，並且存儲單元陣列和主要外圍邏輯電路兼容，可製作在同一晶元上，使輸入輸出介面大為簡化。
半導體存儲器的分類
按功能的不同，半導體存儲器可分為隨機存儲器（RAM）、只讀存儲器（ROM）和串列存儲器三大類。隨著半導體集成電路工藝技術的發展，半導體存儲器容量增長非常快，單片存儲容量已進入兆位級水平，如16兆動態隨機存儲器（DRAM）已商品化，64兆、256兆DRAM在研製中。
『玖』 半導體存儲單元是什麼
不是一個東西。
內存是內部存儲器的簡稱，是相對於外部存儲器而言的。這個概念是單片機或計算機術語，內部和外部是指的單片機或者CPU的內部和外部。因為CPU內部的存儲空間總是有限的，很多時候就需要外部存儲器來補充。當然每個存儲器都需要地址才能去訪問它。
存儲單元就是存儲器的最小單位，一般以字或者位元組為單位。