當前位置:首頁 » 服務存儲 » 半導體存儲單元和半導體存儲器
擴展閱讀
webinf下怎麼引入js 2023-08-31 21:54:13
堡壘機怎麼打開web 2023-08-31 21:54:11

半導體存儲單元和半導體存儲器

發布時間: 2022-04-20 00:40:33

『壹』 半導體是怎樣存儲信息的

半導體存儲器(semi-conctor memory)
是一種以半導體電路作為存儲媒體的存儲器。
按其製造工藝可分為:雙極晶體管存儲器和MOS晶體管存儲器。
按其存儲原理可分為:靜態和動態兩種。
其優點是:體積小、存儲速度快、存儲密度高、與邏輯電路介面容易。
主要用作高速緩沖存儲器、主存儲器、只讀存儲器、堆棧存儲器等。
半導體存儲器的兩個技術指標是:存儲容量和存取時間。半導體是通過保持電平存儲數據的。
1 電路中用高電平表示1,低電平表示0;
2 同樣的在存儲介質中,寫入電平值,下次讀出判斷是1/0;
3 存儲介質的存儲利用的是浮柵和襯底間電容效應:電容充電,讀出的值就是高電平。電容放電後,讀出的就是低電平

『貳』 1·靜態半導體存儲器與動態半導體存儲器的主要區別是什麼

靜態半導體存儲器存取速度快,但集成度低,通常當緩存來用。
動態半導體存儲器存取速度慢,但集成度高,像內存就是動態半導體存儲器。

『叄』 半導體存儲器有哪些

半導體存儲器(semi-conctor memory)
是一種以半導體電路作為存儲媒體的存儲器,內存儲器就是由稱為存儲器晶元的半導體集成電路組成。
按其功能可分為:隨機存取存儲器(簡稱RAM)和只讀存儲器(只讀ROM)
RAM包括DRAM(動態隨機存取存儲器)和SRAM(靜態隨機存取存儲器),當關機或斷電時,其中的 信息都會隨之丟失。 DRAM主要用於主存(內存的主體部分),SRAM主要用於高速緩存存儲器。
ROM 主要用於BIOS存儲器。
按其製造工藝可分為:雙極晶體管存儲器和MOS晶體管存儲器。
按其存儲原理可分為:靜態和動態兩種。

『肆』 半導體只讀存儲器(ROM)與半導體隨機存取存儲器(RAM)的主要區別在於( )。

A、ROM可以永久保存信息,RAM在斷電後信息會丟失

RAM是隨機存儲器,可以隨時讀出或寫入信息。當寫入時,原來的數據將被沖掉。斷電後存儲的數據會消失,無法恢復。ROM是只讀存儲器,只能讀取信息,不能寫入信息,斷電後信息不會丟失。因此,半導體只讀存儲器(ROM)與半導體隨機存取存儲器(RAM)的主要區別在於ROM可以永久保存信息,RAM在斷電後信息會丟失,答案選擇A。

(4)半導體存儲單元和半導體存儲器擴展閱讀:

除少數種類的只讀存儲器(如字元發生器)可通用之外,不同種類的只讀存儲器功能不同。為便於用戶使用和大批量生產,進一步發展出可編程只讀存儲器(PROM)、可擦可編程序只讀存儲器(EPROM)和帶電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)等不同的種類。ROM應用廣泛,諸如Apple II或IBM PC XT/AT等早期個人電腦的開機程序(操作系統)或是其他各種微電腦系統中的軔體(Firmware),所使用的硬體都是ROM。

『伍』 什麼是半導體存儲器有什麼特點

半導體存儲器(semi-conctor memory)是一種以半導體電路作為存儲媒體的存儲器。 按其製造工藝可分為:雙極晶體管存儲器和MOS晶體管存儲器。 按其存儲原理可分為:靜態和動態兩種。 其優點是:體積小、存儲速度快、存儲密度高、與邏輯電路介面容易。 主要用作高速緩沖存儲器、主存儲器、只讀存儲器、堆棧存儲器等。 半導體存儲器的兩個技術指標是:存儲容量和存取時間。

採納哦

『陸』 半導體存儲器的分類

半導體存儲器晶元按照讀寫功能可分為只讀存儲器(Read Only Memory,ROM)和隨機讀寫存儲器(Random Access Memory,RAM)兩大類。

只讀存儲器電路結構簡單,且存放的數據在斷電後不會丟失,特別適合於存儲永久性的、不變的程序代碼或數據(如常數表、函數、表格和字元等),計算機中的自檢程序就是固化在ROM中的。ROM的最大優點是具有不易失性。

不可重寫只讀存儲器

1、掩模只讀存儲器(MROM)

掩模只讀存儲器,又稱固定ROM。這種ROM在製造時,生產廠家利用掩模(Mask)技術把信息寫入存儲器中,使用時用戶無法更改,適宜大批量生產。

掩模只讀存儲器可分為二極體ROM、雙極型三極體ROM和MOS管ROM三種類型。

2、可編程只讀存儲器(PROM)

可編程只讀存儲器(Programmable ROM,簡稱PROM),是可由用戶一次性寫入信息的只讀存儲器,是在MROM的基礎上發展而來的。


隨機讀寫存儲器

1、靜態存儲器(SRAM)

利用雙穩態觸發器來保存信息,只要不斷電信息就不會丟失。靜態存儲器的集成度低,成本高,功耗較大,通常作為Cache的存儲體。

2、動態存儲器(DRAM)

利用MOS電容存儲電荷來保存信息,使用時需要不斷給電容充電才能保持信息。動態存儲器電路簡單,集成度高,成本低,功耗小,但需要反復進行刷新(Refresh)操作,工作速度較慢,適合作為主存儲器的主體部分。

3、增強型DRAM(EDRAM)

EDRAM晶元是在DRAM晶元上集成一個高速小容量的SRAM晶元而構成的,這個小容量的SRAM晶元起到高速緩存的作用,從而使DRAM晶元的性能得到顯著改進。

『柒』 2.半導體存儲器有哪兩種類型

半導體存儲器有RAM和ROM兩種類型。
容量為256*4的RAM有10條地址線。至少8條數據線(16位CPU有16條數據線)
每個地址有一個位元組的存儲單元。

『捌』 存儲器的存儲介質是半導體嗎

存儲器的存儲介質是半導體,一般稱為半導體存儲器,由大量相同的存儲單元和輸入、輸出電路等構成。每個存儲單元有兩個不同的表徵態0和1,用以存儲不同的信息。半導體存儲器是構成計算機的重要部件。同磁性存儲器相比,半導體存儲器具有存取速度快、存儲容量大、體積小等優點,並且存儲單元陣列和主要外圍邏輯電路兼容,可製作在同一晶元上,使輸入輸出介面大為簡化。

半導體存儲器的分類

按功能的不同,半導體存儲器可分為隨機存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)和串列存儲器三大類。隨著半導體集成電路工藝技術的發展,半導體存儲器容量增長非常快,單片存儲容量已進入兆位級水平,如16兆動態隨機存儲器(DRAM)已商品化,64兆、256兆DRAM在研製中。

『玖』 半導體存儲單元是什麼

不是一個東西。
內存是內部存儲器的簡稱,是相對於外部存儲器而言的。這個概念是單片機或計算機術語,內部和外部是指的單片機或者CPU的內部和外部。因為CPU內部的存儲空間總是有限的,很多時候就需要外部存儲器來補充。當然每個存儲器都需要地址才能去訪問它。
存儲單元就是存儲器的最小單位,一般以字或者位元組為單位。