❶ 存儲器一般分為哪三個層次
如果按讀寫方式分為只讀存儲器（ROM）和可擦寫存儲器（RAM）,其中，硬碟、內存等屬於RAM，而BIOS內存，一般光碟等則屬於ROM；如果按存儲類型分可分為外存儲器和內存儲器，其中硬碟、內存等屬於內存儲器，光碟、軟盤、Ｕ盤等則屬於外存儲器；按介質分可分為硬碟、內存、軟盤、光碟等，硬碟和軟盤以軟磁碟片為介質，Ｕ盤、內存等以晶元為介質（讀寫速度極快），光碟則以塑料基片為介質
❷ 計算機內部存儲器按照使用的存儲器讀寫類型，可分為兩類，即（ ）。
B,D
❸ 大神能為我解釋一下「存儲器按讀寫功能分為RAM和ROM，內存有這兩種存儲方式，那外存呢是ROM嗎
ROM和RAM指的都是半導體存儲器。本來的含義是：ROM是Read Only Memory的意思，也就是說這種存儲器只能讀，不能寫。而RAM是Random Access Memory的縮寫。這個詞的由來是因為早期的計算機曾經使用磁鼓作為內存，而磁鼓和磁帶都是典型的順序讀寫設備。RAM則可以隨機讀寫，因此得名。 不過這是30年前的概念了。在半導體和計算技術突飛猛進的30年中，它們的含義都發生了一些變化。 現在ROM通常指非揮發的存儲器，或者說，不掉電。系統停止供電的時候它們仍然可以保持數據。所以光碟也有CD-ROM或者DVD-ROM的說法。而RAM通常都是沒電之後就沒有數據的，典型的就象計算機的內存，需要系統重新啟動的時候從硬碟重新載入數據。有的時候，如果數據可以擦寫，也會借用RAM這個概念，譬如DVD-RAM，其實只是可以擦寫的DVD光碟而已，並非真正的半導體存儲器。
❹ 下列存儲器中，讀寫速度由高到低順序排列正確的是( )。
A.
cache要頻繁訪問RAM 位置的內容及這些數據項的存儲地址，cache總是比主RAM 存儲器速度快，所以當 RAM 的訪問速度低於微處理器的速度時，常使用cache。硬碟的訪問速度是遠遠沒有內存快的。而軟盤更不用說了。 都是淘汰了的東西。。。
❺ 關於存儲器的敘述中正確的是什麼
關於存儲器的敘述中正確的是：CPU只能直接訪問存儲在內存中的數據，不能直接訪問存儲在外存中的數據；中央處理器(CPU)只能直接訪問存儲在內存中的數據，外存中的數據只有先調入內存後，才能被CPU訪問和處理。
存儲器是許多存儲單元的集合，按單元號順序排列。每個單元由若干三進制位構成，以表示存儲單元中存放的數值，這種結構和數組的結構非常相似，故在VHDL語言中，通常由數組描述存儲器。
(5)存儲器通常採用讀寫互鎖邏輯擴展閱讀：
內存儲器有很多類型。隨機存取存儲器(RAM)在計算期間被用作高速暫存記憶區。數據可以在RAM中存儲、讀取和用新的數據代替。當計算機在運行時RAM是可得到的。它包含了放置在計算機此刻所處理的問題處的信息。
大多數RAM是「不穩定的」，這意味著當關閉計算機時信息將會丟失。只讀存儲器(ROM)是穩定的。它被用於存儲計算機在必要時需要的指令集。存儲在ROM內的信息是硬接線的」（即，它是電子元件的一個物理組成部分），且不能被計算機改變。
❻ 4. 存儲器的讀寫操作是怎樣的
1.存儲器通過加法處理器對CS:IP進行處理,得到一個物理地址;
2.通過地址匯流排在內存中找到物理地址,在物理地址內存中找到對應的機器碼即匯編指令
3.機器碼通過數據匯流排到達指令緩沖器
4.執行機器碼
至於是讀還是寫就要看匯編指令是怎麼的了
❼ 幾種存儲器讀寫速度關系
存儲器大體分為兩種：只讀存儲器ROM和隨機存儲器RAM。ROM用得比較多的是NANDFLASH和NOR FLASH，寫入速度NAND比NOR快，讀取速度NOR比NAND快。隨機存儲器分為靜態RAM（SRAM）和動態RAM（DRAM），速度是SRAM>DDR3>DDR2>DDR>SDRAM.
❽ 存儲器的讀寫過程是什麼樣的
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5.1 存儲器系統基本知識
作者： 時間： 2008-04-10 來源：
5.1.1存儲器的分類
按照存儲介質不同，可以將存儲器分為半導體存儲器、磁存儲器、激光存儲器。
這里我們只討論構成內存的半導體存儲器。
按照存儲器的存取功能不同，半導體存儲器可分為只讀存儲器（Read Only Memory簡稱ROM）和隨機存儲器（Random Access Memory簡稱RAM）
1.只讀存儲器（ROM）
ROM的特點是把信息寫入存儲器以後，能長期保存，不會因電源斷電而丟失信息。計算機在運行過程中，只能讀出只讀存儲器中的信息，不能再寫入信息。一般地，只讀存儲器用來存放固定的程序和數據，如微機的監控程序、匯編程序、用戶程序、數據表格等。根據編程方式的不同，ROM共分為以下5種：
(1)掩模工藝ROM
這種ROM是晶元製造廠根據ROM要存貯的信息，設計固定的半導體掩模版進行生產的。一旦制出成品之後，其存貯的信息即可讀出使用，但不能改變。這種ROM常用於批量生產，生產成本比較低。微型機中一些固定不變的程序或數據常採用這種ROM存貯。
(2)可一次性編程ROM（PROM）
為了使用戶能夠根據自己的需要來寫ROM，廠家生產了一種PROM。允許用戶對其進行一次編程──寫入數據或程序。一旦編程之後，信息就永久性地固定下來。用戶可以讀出和使用，但再也無法改變其內容。
(3)紫外線擦除可改寫ROM（EPROM）
可改寫ROM晶元的內容也由用戶寫入，但允許反復擦除重新寫入。EPROM是用電信號編程而用紫外線擦除的只讀存儲器晶元。在晶元外殼上方的中央有一個圓形窗口，通過這個窗口照射紫外線就可以擦除原有的信息。由於陽光中有紫外線的成分，所以程序寫好後要用不透明的標簽封窗口，以避免因陽光照射而破壞程序。EPROM的典型晶元是Intel公司的27系列產品，按存儲容量不同有多種型號，例如2716（2KB′8）、2732（4KB′8）、2764（8KB′8）、27128（16KB′8）、27256（32KB′8）等，型號名稱後的數字表示其存儲容量。
(4)電擦除可改寫ROM（EEPROM或E2PROM）
這是一種用電信號編程也用電信號擦除的ROM晶元，它可以通過讀寫操作進行逐個存儲單元讀出和寫入，且讀寫操作與RAM存儲器幾乎沒有什麼差別，所不同的只是寫入速度慢一些。但斷電後卻能保存信息。典型E2PROM晶元有28C16、28C17、2817A等。
(5)快擦寫ROM（flash ROM）
E2PROM雖然具有既可讀又可寫的特點，但寫入的速度較慢，使用起來不太方便。而flash ROM是在EPROM和E2PROM的基礎上發展起來的一種只讀存儲器，讀寫速度都很快，存取時間可達70ns，存儲容量可達16MB~128MB。這種晶元可改寫次數可從1萬次到100萬次。典型flash ROM晶元有28F256、28F516、AT89等。
2.隨機存儲器RAM（也叫讀寫存儲器）
讀寫存儲器RAM按其製造工藝又可以分為雙極型RAM和金屬氧化物RAM。
(1) 雙極型RAM
雙極型RAM的主要特點是存取時間短，通常為幾到幾十納秒（ns）。與下面提到的MOS型RAM相比，其集成度低、功耗大，而且價格也較高。因此，雙極型RAM主要用於要求存取時間短的微型計算機中。
(2) 金屬氧化物（MOS）RAM
用MOS器件構成的RAM又分為靜態讀寫存儲器（SRAM）和動態讀寫存儲器（DRAM）。
j靜態RAM（SRAM）
靜態RAM的基本存儲單元是MOS雙穩態觸發器。一個觸發器可以存儲一個二進制信息。靜態RAM的主要特點是，其存取時間為幾十到幾百納秒（ns），集成度比較高。目前經常使用的靜態存儲器每片的容量為幾KB到幾十KB。SRAM的功耗比雙極型RAM低，價格也比較便宜。
k動態RAM（DRAM）
動態RAM的存取速度與SRAM的存取速度差不多。其最大的特點是集成度特別高。其功耗比SRAM低，價格也比SRAM便宜。DRAM在使用中需特別注意的是，它是靠晶元內部的電容來存貯信息的。由於存貯在電容上的信息總是要泄漏的，所以，每隔2ms到4ms，DRAM要求對其存貯的信息刷新一次。
l集成RAM（i RAM）
集成RAM――Integrated RAM，縮寫為i RAM，這是一種帶刷新邏輯電路的DRAM。由於它自帶刷新邏輯，因而簡化與微處理器的連接電路，使用它和使用SRAM一樣方便。
m非易失性RAM（NVRAM）
非易失性RAM――Non-Volatile RAM，縮寫為NVRAM，其存儲體由SRAM和EEPROM兩部分組合而成。正常讀寫時，SRAM工作；當要保存信息時（如電源掉電），控制電路將SRAM的內容復制到EEPROM中保存。存入EEPROM中的信息又能夠恢復到SRAM中。
NVRAM既能隨機存取，又具有非易失性，適合用於需要掉電保護的場合。
5.1.2存儲器的主要性能指標
1.存貯容量
不同的存儲器晶元，其容量不一樣。通常用某一晶元有多少個存貯單元，每個存貯單元存貯若干位來表示。例如，靜態RAM6264的容量為8KB′8bit，即它有8K個單元（1K＝1024），每個單元存貯8位（一個位元組）數據。
2.存取時間
存取時間即存取晶元中某一個單元的數據所需要的時間。在計算機工作時，CPU在讀寫RAM時，它所提供的讀寫時間必須比RAM晶元所需要的存取時間長。如果不能滿足這一點，微型機則無法正常工作。
3.可靠性
微型計算機要正確地運行，必然要求存儲器系統具有很高的可靠性。內存的任何錯誤就足以使計算機無法工作。而存儲器的可靠性直接與構成它的晶元有關。目前所用的半導體存儲器晶元的平均故障間隔時間（MTBF）大概是（5′106∽1′108）小時左右。
4.功耗
使用功耗低的存儲器晶元構成存儲器系統，不僅可以減少對電源容量的要求，而且還可以提高存貯系統的可靠性。
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❾ 在微型計算機中，內存儲器，通常採用...存儲器
在微型計算機中，內存儲器，通常採用半導體存儲器。
一個完整的微型計算機系統包括硬體系統和軟體系統兩大部分。硬體系統由運算器、控制器、存儲器（ 含內存、外存和緩存）、各種輸入輸出設備組成，採用「 指令驅動」方式工作。
半導體存儲器特點是體積小，速度快，有電可存，無電清空，即電腦在開機狀態時內存中可存儲數據，關機後將自動清空其中的所有數據。
(9)存儲器通常採用讀寫互鎖邏輯擴展閱讀
半導體存儲器技術指標主要有：
1. 存儲容量：存儲單元個數M×每單元位數N。
2. 存取時間：從啟動讀(寫)操作到操作完成的時間。
3. 存取周期：兩次獨立的存儲器操作所需間隔的最小時間。
4. 平均故障間隔時間MTBF（可靠性）。
5. 功耗：動態功耗、靜態功耗。