Ⅰ 中國攻克最先進128層快閃記憶體：它到底強在哪何時能跟三星掰手腕
晶元分為存儲晶元和非存儲晶元，其中存儲晶元的種類很多，按用途可分為主存儲晶元和輔助存儲晶元。前者又稱內存儲晶元（內存），可以與CPU直接交換數據，速度快、容量小、價格高。後者為外存儲晶元（外存），指除內存及緩存以外的儲存晶元。此類儲存晶元一般斷電後仍然能保存數據，速度慢、容量大、價格低。
Ⅱ 華為手機是不是百分百國產的
在商品全球化的今天，集成度高的任何產品都不可能做到百分百的國產，三星、蘋果也是一樣的，現在品牌屬於哪個國家的定性說法是，產品的注冊公司以及核心技術屬於哪個國家。比如蘋果是美國公司，其品牌價值受益方是美國並且蘋果擁有產品的主要核心技術比如IOS以及設計和概念等等。三星同理。
華為是國產化程度最高的手機品牌，同時也是民族工業的佼佼者，主要原因有：
第一，華為沒有上市，是全球500強中唯一沒有上市的企業，企業本身沒有依靠外來融資，不像阿里巴巴，騰訊等。阿里巴巴日本人控股最多，馬雲本人只有8% 。
第二，華為在07年的時候已經是世界上擁有專利技術最多的企業 之一，排行第四，同時是每年全球申請專利最多的企業。其核心競爭能力很強。我08在歐洲留學，他們的通訊器材、設備基本全是華為的了，那個時候華為還沒有手機業務。對於華為來說終端設備，類似於手機的製造和生產只是他最小的業務。所以華為是世界上第一大通訊製造商，手機作為副業，他也是世界上第三大手機生產廠商，僅次於蘋果和三星。
第三，之前說華為自主研發能力很強，其中在手機終端上的表現是，華為的手機多數使用的是自主研發生產的海思處理器，其中具有品牌效力的旗艦系列全部選用海思並且成功打入國際市場。在歐洲具有很強的影響力，2013歐洲數碼大會上華為的P6也被評為了年度最佳數碼產品（我說的這些是有據可查的，噴子滾遠）。經過市場檢驗後表現還是值得肯定的，至於兼容性不好什麼的那些都是扯淡，你可以自己看測評。我喜歡數碼產品測評過很多設備，除了谷歌眼鏡之類很難弄到的貨，別的旗艦產品我基本都玩過，包括向別人借的和自己買的還有幫別人刷的。海思還是值得國人支持的，比什麼龍芯之類的長臉的太多。麒麟910在X1上的我已經測試過，很好。。。
第四，華為作為民族企業，在國內的售價比在國外賣的貴的多，良心企業不像聯想，被國人養肥了回頭坑國人。。。華為的Ascend系列歐洲市場賣了很多，得到了普遍認可，前兩天發布的P7也挺不錯，我打算買一個或者借一個測試一下。P6我使用過感覺還是不錯的。
Ⅲ 摩爾定律已死 半導體行業發展會停滯嗎
1965年，英特爾聯合創始人戈登-摩爾(Gordon
Moore)觀察到，集成電路中的元件集成度每12個月就能翻番。此外，確保每晶體管價格最低的單位晶元晶體管數量每12個月增長一倍。1965年，單位晶元50個晶體管可以帶來最低的每晶體管成本。摩爾預計，到1970年，單位晶元可集成1000個元件，而每晶體管成本則將下降90%。
在對數據進行提煉和簡化之後，這一現象就被稱作「摩爾定律」：單位晶元晶體管數量每12個月增長一倍。
摩爾的觀察並非基於任何科學或工程原理。這僅僅反映了行業發展趨勢。然而，在隨後的發展中，半導體行業並沒有將摩爾定律當作描述性、預測性的觀察，而是視為規定性、確定性的守則。整個行業必須實現摩爾定律預測的目標。
然而，實現這一目標無法依靠僥幸。晶元開發是一個復雜過程，需要用到來自多家公司的機械、軟體和原材料。為了確保所有廠商根據摩爾定律制定同樣的時間表，整個行業遵循了共同的技術發展路線圖。由英特爾、AMD、台積電、GlobalFoundries和IBM等廠商組成的行業組織半導體協會從
1992年開始發布這樣的路線圖。1998年，半導體行業協會與全球其他地區的類似組織合作，成立了「國際半導體技術路線圖」組織。最近的一份路線圖於
2013年發布。
摩爾定律提出的預測早在很久之前就已出現過問題。1975年，摩爾本人更新了摩爾定律，將半導體行業的發展周期從12個月增加至24個月。在隨後30年中，通過縮小晶元上元件的尺寸，晶元發展一直遵循著摩爾定律。
摩爾定律的終結
然而到00年代，很明顯單純依靠縮小尺寸的做法正走到尾聲。不過，通過其他一些技術，晶元的發展仍然符合摩爾定律的預測。在90納米時代，應變硅技術問世。在45納米時代，一種能提高晶體管電容的新材料推出。在22納米時代，三柵極晶體管使晶元性能變得更強大。
不過，這些新技術也已走到末路。用於晶元製造的光刻技術正面臨壓力。目前，14納米晶元在製造時使用的是193納米波長光。光的波長較長導致製造工藝更復雜，成本更高。波長13.5納米的遠紫外光被認為是未來的希望，但適用於晶元製造的遠紫外光技術目前仍需要攻克工程難題。
即使遠紫外光技術得到應用，目前也不清楚，晶元集成度能有多大的提高。如果縮小至2納米，那麼單個晶體管將只有10個原子大小，而如此小的晶體管可靠性很可能存在問題。即使這些問題得到解決，功耗也將繼續造成困擾。隨著晶體管的連接越來越緊密，晶元功耗將越來越大。
應變硅和三柵極晶體管等新技術歷經了10多年的研究才得到商用。遠紫外光技術被探討的時間更長。而成本因素也需要考慮。相應於摩爾定律，我們還有一個洛克定律。根據後一定律，晶元製造工廠的成本每4年就會翻番。新技術的發展可能將帶來更高的晶元集成度，但製造這種晶元的工廠將有著高昂的造價。
近期，我們已經看到這些因素給晶元公司造成了現實問題。英特爾原計劃於2016年在Cannonlake處理器中改用10納米工藝，這小於當前
Skylake晶元採用的14納米工藝。去年7月，英特爾調整了計劃。根據新計劃，英特爾將推出另一代處理器Kaby
Lake，並沿用此前的14納米工藝。Cannonlake和10納米工藝仍在計劃之中，但被推遲至2017年下半年發布。
與此同時，新增的晶體管變得越來越難用。80至90年代，新增晶體管帶來的價值顯而易見。奔騰處理器的速度遠高於486處理器，而奔騰2代又遠好於奔騰1代。只要處理器升級，計算機性能就會有明顯的提升。然而在進入00年代之後，這樣的性能提升逐漸變得困難。受發熱因素影響，時鍾頻率無法繼續提高，而單個處理器核心的性能只能實現增量式增長。因此，我們看到處理器正集成更多核心。從理論上來說，這提升了處理器的整體性能，但這種性能提升很難被軟體所利用。
半導體行業的新路線圖
這一系列困難表明，由摩爾定律驅動的半導體行業發展路線圖即將終結。但摩爾定律日薄西山並不意味著半導體行業進步的終結。
愛荷華州大學的計算機科學家丹尼爾-里德(Daniel
Reed)打了個比方：「想一想飛機行業發生了什麼，一架波音787並不比上世紀50年代的707快多少，但是它們仍然是非常不同的兩種飛機。」比如全電子控制和碳纖維機身。「創新絕對會繼續下去，但會更細致和復雜。」
2014年，國際半導體技術路線圖組織決定，下一份路線圖將不再依照摩爾定律。《自然》雜志刊文稱，將於下月發布的下一份路線圖將採用完全不同的方法。
新的路線圖不再專注於晶元內部技術，而新方法被稱作「比摩爾更多」。例如，智能手機和物聯網的發展意味著，多樣化的感測器和低功耗處理器的重要性將大幅提升。用於這些設備的高集成度晶元不僅需要邏輯處理和緩存模塊，還需要內存和電源管理模塊，用於GPS、移動網路和WiFi網路的模擬器件，甚至陀螺儀和加速計等MEMS器件。
以往，這些不同類型的器件需要用到不同的製造工藝，以滿足不同需求。而新路線圖將提出，如何將這些器件集成在一起。整合不同製造工藝、處理不同原材料需要新的處理和支持技術。如果晶元廠商希望為這些新市場開發晶元，那麼解決這些問題比提高晶元集成度更重要。
此外，新的路線圖還將關注新技術，而不僅是當前的硅CMOS工藝。英特爾已宣布，在達到7納米工藝之後，將不再使用硅材料。銻化銦和銦鎵砷化合物都有著不錯的前景。與硅相比，這些材料能帶來更快的開關速度，而功耗也較低。碳材料，無論是碳納米管還是石墨烯，也在繼續被業內研究。
在許多備選材料中，二維材料「石墨烯」被看好。這種自旋電子材料通過翻轉電子自旋來計算，而不是通過移動電子。這種「毫伏特」量級(操作電壓比「伏特」量級的晶體管要低得多)的電子開關比硅材料開關的速度更快，而且發熱量更小。不幸的是這種電子材料還未走出實驗室。
石墨烯的掃描探針顯微鏡圖像
盡管優先順序下降，但縮小尺寸提高集成度的做法並未被徹底拋棄。在三柵極晶體管的基礎上，到2020年左右，「柵極全包圍」晶體管和納米線將成為現實。而到20年代中期，我們可能將看到一體化3D晶元的出現，即在一整塊矽片上製作多層器件。
斯坦福大學的電氣工程師Subhasish Mitra和他的同事已經開發出用碳納米管將3D存儲單元層連接起來的辦法，這些碳納米管承載著層間的電流。
該研究小組認為，這樣的體系結構可以將能耗降低到小於標准晶元的千分之一。
IBM的3D存儲晶元微觀結構
此外，另一種提高計算性能的方法是使用像「量子計算」這樣的技術，該技術有望加速某些特定問題的計算速度，還有一種「神經計算」技術旨在是模擬大腦的神經元處理單元。
但是，這些替代性的技術可能需要很久才能走出實驗室。
而許多研究者認為，量子計算機將為小眾應用提供優勢，而不是用來取代處理日常任務的數字計算。去年底，谷歌量子人工智慧實驗室已證明：他們的D-Wave量子計算機處理某些特定問題，比普通計算機快一億倍。
D-Wave量子計算機
通過新材料、不同的量子效應，甚至超導等不可思議的新技術，半導體行業或許能繼續像以往一樣提高晶元集成度。如果集成度能獲得明顯提升，那麼市場對速度更快的處理器的需求可能將再次爆發。
但目前看來，摩爾定律被打破將成為一種新常態。摩爾定律對半導體行業的指導意義正逐漸消失。
Ⅳ 北橋晶元與主存儲器之間的通信線路
，，現在的主板沒有南北橋了，北橋功能轉移到CPU中集成了。當然內存控制器也就在CPU中了，CPU外部與內存連接的通訊線路，也只有控制匯流排、數據匯流排、地址匯流排。
Ⅳ GDDR6發布，顯卡性能將大幅提升嗎
8月14日，NVIDIA發布了新一代專業顯卡Quadro RTX 5000/6000/8000，除了架構升級到Turing圖靈以外，更是首批採用GDDR6顯存的顯卡；一個星期後發布的RTX 2080 Ti/2080/2070游戲顯卡同時是採用GDDR6線程，意味著GDDR6顯存已經進入實質性的量產、商業化階段。那麼GDDR6顯存有哪些改進？又會對顯卡性能產生什麼變化？今天我們就來聊一聊這個。
之前我們也有一期專門介紹DDR內存、GDDR顯存之間「愛恨情仇」的超能課堂，裡面講到GDDR顯存是為適應顯卡需求、脫胎於DDR內存的產物，GDDR標准一直跑得比較快，全都是因為顯卡中數據交換量巨大，對容量、速度都有了新的要求，GDDR6正是為滿足新需求應運而生，而GDDR5X這個半代產品可以視作前期搶先體驗版，兩者有一定關系。
那麼GDDR6相比之前的GDDR顯存們有什麼樣的變化呢？
首先，GDDR6繼承了GDDR5X中的16bit預取寬度，使用了改進版的QDR 4倍數據倍率技術，也就是說每個時鍾可以傳輸4bit數據！這已經是被證實提高數據傳輸速度最為有效的方法。GDD6顯存速度因此可以拋開GDDR5一大截，直接從12Gbps起跳，JEDEC標准最高速度為16Gbps，不過三星已經有做18Gbps產品的規劃了。
其次，GDDR6終於一改以往GDDR1/2/3/4/5/5X只有一個讀寫通道問題，使用雙通道，每通道的讀寫寬度降低至16/8，雖然位寬變小了，但實際上兩個通道可以同時工作，效率更高以後，會帶來明顯的性能提升。
第三，顯存容量的進步，原本GDDR5最常見的都是8Gb單顆粒，而GDDR6標准下未來最高容量可以達到32Gb，換算過來單顆粒就是4GB。好處顯而易見，按照頂級顯卡384bit顯存位寬計算，搭載12顆就能達到48GB（但實際上NVIDIA目前也只在Quadro顯卡上用單顆粒2GB），因此NVIDIA絲毫沒有在消費級游戲卡上用HBM2顯存的意思。另一方面，GDDR6的顯存帶寬可以做到16Gbps×384bit÷8=768GB/s。
第四，GDDR6工作電壓也同步GDDR5X下降到1.35V上，SK海力士、美光甚至規劃了1.25V產品，其中既有設計者功勞，也用光刻製程進步的因素，總之可以實現功耗、漏電率下降，從而降低產品的總功耗。
第五，目前GDDR顯存均採用BGA封裝，GDDR6顯存顆粒減少了底部介面數目，從GDDR5X的190 ball減少至180 ball，佔用面積更小，最後成片尺寸為14×12mm，應用場景更為光寬。
第六，GDDR6顯存工作溫度范圍被擴展了，按照JEDEC給出的標准，GDDR6不僅可以抵抗嚴寒，還能抗高溫，-40-105℃都不是問題。也有要求不那麼嚴格的0-95℃的產品，但也能滿足嚴苛的工控標准。
GDDR6優勢：
高速帶來的數據交換帶寬增長
目前GDDR6顯存普通速度都能做到14Gbps級別，RTX 2080 Ti上可做到616GB/s、RTX 2080也有448GB/s，速度直接就提升了40%，對於4K這種高解析度游戲來說，減少顯存成為顯卡處理畫面速度的短板可能性。
GDDR6帶寬可以達到896GB/s，這是美光提供的數據
佔用更少PCB面積、能效更高
GDDR6優勢——針腳少、尺寸更小、效能更高
盡管不如HBM 2顯存可以集成到GPU die隔壁那麼超高集成度，最大限度減少佔用PCB面積，顯卡可做得更嬌小。不過GDDR6相比於GDDR5也有進步，主要是單顆粒容量帶來的進步，不然你想NVIDIA Quadro 8000專業卡的48GB顯存該怎麼設計PCB，密密麻麻全都是顯卡顆粒啊？
同時，相比於GDDR5，在輸出8K解析度狀態下，功耗節省13%。
成本也不低，但三大存儲廠商都能穩定供貨
HBM 2盡管是一種優秀的顯存解決方案，但有個始終無法解決的問題，那就是成本居高不下，這也是業內共識，NVIDIA只用在專業卡上，而AMD也只用在RX Vega 56/64兩款顯卡上，但由於成本屬於商業機密的存在，我們無法得知HBM 2顯存確切成本價格。但Segmentnext網站得到的消息是，4GB的HBM 2顯存成本高達80美元，摺合人民幣550元，那麼一張RX Vega 56顯卡，有將近1/3的價格都花在了HBM 2顯存上。
那麼GDDR6呢？其實成本也不低，電子元件供應商Digi-Key給出的14Gbps GDD6顯存報價為每顆26美元，8GB也要26×8=208美元，雖然NVIDIA集中采購，捆綁GPU打包銷售後價格會稍低一下，但看著和傳說中貴上天的HBM 2成本上差不多。
但HBM 2全球產量極為有限，據說良品率也不行，根本無法滿足現有顯卡市場龐大需求，而GDDR6結構更簡單，製造起來難度沒HBM 2大，隨著產能爬坡還可將價格壓低一些。GDDR6顯然是滿足市場需求的最佳解決方案。
GDDR6誕生，三國鼎立
目前全球三大存儲晶元廠商三星、海力士和美光都完成了GDDR6顯存研發，進入了大規模量產階段。不過由於技術實力差異和產品研發路線不同等因素，這三家的產品還存在一定的區別。
三星
期初三星在GDDR6上也是雷聲大雨點小，推出GDDR6的時機也要晚於其餘兩家，但三星厚積薄發，一推出的GDDR6顯存規格就是最高的，1Y nm工藝（10-16nm），單顆粒2GB，速度最高可達18Gbps，超過了JEDEC規范。
之前三星宣布成為NVIDIA顯卡GDDR6供應商，而其中Quadro系列專業卡所用的顯存就是來自三星2GB 14Gbps顆粒。
目前三星量產的GDDR6顯存型號一共有3款，包括了單顆粒1GB兩款、2GB一款。
海力士
首批採用21nm工藝，單顆粒1GB容量，速度有10/12/14Gbps，也超過GDDR5X現時的極限，比較有趣的是，GDDR6電壓應該是1.35V，海力士研發出1.25V低電壓版的GDDR6顯存，估計是為筆記本設備研發的。
目前SK海力士只公布了一款GDDR6顯存產品。
美光
美光是最早、也是最積極推進GDDR6顯存的存儲廠商，將會採用16nm工藝製造，也是單顆粒8Gb，速度10-14Gbps不等，而且也有對應多款1.25V低電壓版GDDR6顯存。已經有5款處於量產階段，還有兩款可在極端環境工作的GDDR6顯存正在打樣中。
美光早前已經與NVIDIA達成合作協議，將會為RTX 20系列顯卡供應GDDR6顯存，而且預留著足夠的生產線全力生產，減少去年顯存長期以來供不應求的情況。
如今GDDR6顯存依靠高頻率、高容量和低功耗特性，將會在未來新一代游戲顯卡上大方異彩，為新架構顯卡帶來更強大的綜合性能，而且對比產能嚴重不足、封裝難度高的HBM 2顯存來講，GDDR6顯然更加實惠，產能更加充沛，更易於往中低端顯卡推廣。
Ⅵ 用1K×4的2114晶元組成一個1k×4的存儲器，求畫出線路圖~~~
晶元數=總容量/容量=4k*8÷1k*4=8片
圖我就不畫了，存儲器共有12根地址線其中2根連解碼器產生4個片選信號，剩下的10根連所有的晶元，用作片內定址。1k*4的晶元2個一組，共4組，一組連一個片選信號。還有一個讀信號線，連所有晶元
Ⅶ 對晶元行業前景的看法
中國「芯」發展迅猛
在政策大力支持下，國內人工智慧晶元市場發展迅猛。艾媒數據顯示，2019年我國人工智慧晶元市場規模為115.5億元，未來5G商用的普及將催生AI晶元在軍用、民用等多個領域的應用需求，中國政府也有望趁5G的領先優勢，傾注大量資源發展AI晶元，搶占科技戰略制高點。
在政策、市場、技術等合力作用下，中國AI晶元行業將快速發展，在國際上的話語權也將持續加強，預計2023年市場規模將突破千億元。
——更多數據請參考前瞻產業研究院《中國人工智慧晶元行業市場需求分析與投資前景預測》。
Ⅷ 有人知道：紫光國芯 跟 長鑫存儲是什麼關系嗎，懂內存的來
西安紫光國芯一直專注於存儲器領域，尤其是DRAM存儲器的研發和技術積累。該公司在DRAM產品定義、設計、測試、量產和銷售上建立了完整成熟的體系，累計二十餘款晶元產品和四十餘款模組產品，實現了全球的量產和銷售。
紫光內存已經上架兩個系列三款型號，其中台式機內存單條容量4GB、8GB，筆記本內存單條容量4GB，均為無馬甲普條，頻率2400MHz，延遲時序17-17-17，電壓1.2V。4GB DDR4 2400 台式機版本售價129元，8GB售價219元，筆記本4GB DDR4 2400售價129元。
長鑫存儲正使用其10G1工藝技術(即19nm工藝)來製造4GB和8GB的DDR4內存晶元，目標是在2020年第一季度上市。長鑫存儲還將使用同樣的技術將在2020年下半年製造LPDDR4X內存。該公司的技術路線圖包括17nm的DDR4、LPDDR4X、DDR5和LPDDR5內存。
採用長鑫國產DDR4內存晶元/顆粒的光威弈PRO內存條現已在光威官網上架。這款光威弈PRO系列DDR4 3000台式機內存條採用了長鑫DDR4內存晶元，時序為16-18-18-38，有8G/16G兩種容量版本。值得注意的是此前長鑫國產DDR4晶元/LPDDR4X晶元/內存模組也已經上線，官方也開通了銷售資訊通道。
Ⅸ 什麼是導航式數據採集模式
數據採集模塊是基於GPRS/CDMA網路研發的數據通訊產品， 實現子站現場設備和監控中心的遠程數據通信。
DATA86數據採集模塊基於遠程數據採集模塊平台的通信模塊，它將通信晶元、存儲晶元等集成在一塊電路板上，使其具有發送通過遠程數據採集模塊平台收發短消息、語音通話、數據傳輸等功能。遠程數據採集模塊可以實現普通遠程數據採集模塊手機的主要通信功能，也可以說是一個「精簡版」的手機。電腦、單片機、ARM可以通過RS232串口與遠程數據採集模塊相連，通過AT指令控制模塊實現各種語音和數據通信功能。
特點
工業級設計，適用室外惡劣環境。
內置軟硬體看門狗，不死機，不掉線。
數據採集模塊DATA-6106支持數據透明傳輸。
支持固定IP、VPN專網、域名解析等多種組網方式。
支持各家組態軟體和用戶自行開發軟體系統。
功能
通信功能：支持GPRS/CDMA和短消息雙通道傳輸數據；支持多中心數據通信。
採集功能：採集串口設備數據，如串口儀表、採集器、PLC等。
遠程管理功能：DATA-6106支持遠程參數設置、程序升級。
應用
數據採集模塊主要用於數據傳輸的工業模塊應用領域，遠程數據採集模塊模塊比GPRS模塊在速率上有明顯優勢。但是遠程數據採集模塊在工業領域的運用要遠遠落後於GPRS模塊的應用。主要原因一方面遠程數據採集模塊網路的覆蓋和建設不如GSM網路完善，另一方也是因為遠程數據採集模塊模塊的成本早期遠遠高於GSM模塊至少2-4倍，使得生產成本高很多。
數據採集模塊都具有遠程數據採集模塊的數據傳輸功能，也都內置了TCP/IP通信協議棧。由於中國電信運營遠程數據採集模塊平台後，帶動了業務迅猛增長，使得整個遠程數據採集模塊市場也迅速發展起來。
目前，遠程數據採集模塊主要應用於移動數據傳輸領域，包括車輛導航監控、智能抄表、遠程數據採集等領域，尤其是在帶寬要求比較高的多媒體傳輸領域，遠程數據採集模塊具有明顯的帶寬優勢。數據採集模塊主要適用於採集工業現場的各種電壓和電流信號，可以用於採集感測器或變送器的信號。