A. 存儲器設計方法:使用128M×8位SRAM晶元設計一個512M×32位的存儲器
需要16片128M*8位的晶元！
B. 如何製作一個簡易電能存儲器
大容量，高品質電容可以的。其它的除了電池還真沒有見過。
C. 內存是怎麼製作的
1. 內存的工作原理
顯然，內存指的是PC中常見的內存條，這一類內存屬於動態隨機訪問存儲器 DRAM (Dynamic Random Access Memory), 它的基本存儲單元非常簡單易懂，由一個N型場效應晶體管(NMOS FET)和一個電容組成。在這里可以把晶體管看成一個理想的開關。 當NMOS晶體管打開時，檢測電容放電造成的電壓改變就是讀取0/1的過程，向電容注入不同電荷就是寫入過程；NMOS晶體管關閉時，電荷保存在電容上，處於存儲狀態。
DRAM的優勢在於其結構簡單，面積小，所以在同樣面積內可以塞入更多存儲單元，存儲密度高，現在內存條的容量都頂得上多年前的硬碟了。大家可以自己算算一根2Gb的內存裡面有多少這樣的單元。 缺點則是：
1. 每次讀取都是破壞性的，電容放電後電荷就尼瑪沒有了啊，所以還要重新寫入一遍啊！！！
2. 電容還尼瑪會漏電啊，一般寫入後幾十個微秒之後就漏得沒法檢測了（現在的電容一般是25pF），整個陣列都要不停的刷新，就是把已經存儲的內容讀一次再寫進去，期間什麼都不能做啊！！！
3. 電容太小導致很多問題，比如速度不能太快啊，會被宇宙粒子打到然後就尼瑪中和了啊 （ Soft error ） ！！！！
4. 沒有電的時候存儲的內容就丟掉了，這直接導致大量停電導致的文檔丟失等杯具。。。。。
（使得存儲器能夠在無電時保留信息，台灣人施敏大師和一個韓國人發明了快閃記憶體Flash memory。半導體業已經貢獻過兩個諾貝爾物理學獎：晶體管和集成電路，施敏怕是這個行業中僅存的還有機會拿獎的人，他的合作者早早掛了甚至連專利費都沒拿多少。）
2. 如何用半導體工藝製作以上的電路？
DRAM製造工藝是通用的集成電路製作工藝的子集，這個問題就可以轉化為「集成電路是如何製造的？」而這個問題就比較復雜了，我爭取用「蓋樓」這個大家都能理解的例子講清楚。
集成電路從其橫切面來看，是分層的，基本使用同種材料實現類似功能，層與層之間通過通孔（via）做電學連接。
這一結構其實很像一座樓房，晶元製造的過程也有點像蓋樓的過程，非常簡化的步驟如下：
1. 設計圖，也就是晶元的版圖（layout）；版圖是一幅分層的俯視圖，包含了每一層的物理形狀信息和層與層間的位置連接關系。版圖被轉化成掩模（mask），每張掩模則是某一層的俯視圖，一顆晶元往往有幾十張掩模。晶元的每層是被同時製作的，就像蓋樓是必須3樓蓋好才能蓋4樓。（本來想放一些自己手頭上的版圖和掩模給大家看看，涉及版權等問題，有興趣的同學自己搜吧）
2. 平整土地。這個沒什麼說的，絕大部分晶元都是從平整的芯圓（wafer）開始的，要對芯圓進行清洗啊什麼的
3. 地基和底層。這是在製造過程中最關鍵最復雜的一步，因為所有重要的有源器件（active device）如晶體管都是在電路的最底層。 首先要劃線（光照Photolithography）界定哪裡要挖掉哪裡要保留，然後挖坑（ecthing刻蝕），在需要的地方做固化（離子注入Ion Implantation），蓋牆鋪管道什麼的（化學沉積和物理沉積CVD&PVD）等等。具體步驟十分復雜，往往需要十幾張掩模才能完成，不過大家可以自行腦補一座大樓怎麼從地上長出來的。
4. 高層。較高的層就相對簡單了，還是劃線決定（光照Photolithography）哪裡要做牆或柱子，哪裡是空間，再沉積金屬把這些東西長出來。這些層次基本都是銅或鋁金屬連接，少有復雜器件。
5. 封頂。做一層金屬化合物固化保護，當然要把連接點（PAD）露出來。
6. 清洗，切割。 這一步蓋樓是沒有的。。。。一塊300毫米直徑的晶圓上可能有成百上千塊晶元，像切蛋糕一樣切下來。
7. 封裝。 有點像外立面裝修，然後給整座樓通水通電通氣。一塊小小的硅晶元就變成了我們經常看到的樣子，需要的信號和電源被連接到一個個焊球或針腳上。封裝是一門很大的學問，對晶元的電氣性能影響巨大。
D. 選用2764 EPROM 存儲晶元，設計一個64KB的程序存儲器，寫出設計步驟…
4.2參見p.106-107
匯流排操作指的是發生在匯流排上的某些特定操作，匯流排周期指的是完成一次特定匯流排操作所需的時間。對8088而言其典型的匯流排周期由 4個T狀態組成。PC/XT所採用的時鍾頻率為4.77MHz，每個T狀態的持續時間為210ns。如果CLK引腳接5MHz的時鍾信號，那麼每個T狀態的持續時間為200ns。
4.4解答：
當8088進行讀寫存儲器或I/O介面時，如果存儲器或I/O介面無法滿足CPU的讀寫時序（來不及提供或讀取數據時），需要CPU插入等待狀態TW。（在T3前沿檢測Ready信號，若無效則插入TW 。）
具體在讀寫匯流排周期的T3和T4之間插入TW。
4.6參見p.99，p.110
8088的某些輸出線有三種狀態：高電平、低電平、懸空(高阻態)，稱為三態能力。在高阻狀態，CPU放棄其了對該引腳的控制權，由連接它的設備接管。
具有三態能力的引腳有：AD7~AD0，A15~A8，A19/S6~A16/S3，ALE，IO/M*，WR*，RD*，DEN*，DT/R*。
4.11
匯流排周期 IO/M* WR* RD*
存儲器讀 低 高 低
存儲器寫 低 低 高
I/O讀 高 高 低
I/O寫 高 低 高
4.12 答：
取該指令時引發存儲器讀匯流排操作。執行該指令時引發I/O讀匯流排操作。（時序圖略）
4.13 8088系統最小組態下，對指令ADD [2000H]，AX （長度3B）。
答：取該指令時需要3個匯流排周期，均為存儲器讀周期。
執行該指令時需要4個匯流排周期，2個為存儲器讀匯流排周期（讀出字操作數參與運算），2個為存儲器寫匯流排周期（保存16位運算結果）。
4.15 參見p.106圖
74LS373 的G為電平鎖存引腳，控制選通且轉為無效時鎖存數據。
OE* 輸出允許引腳，信號來自ALE。
4.16 參見p.106圖
數據收發器74LS245 是8位雙向緩沖器，G*控制端為低電平有效，可傳輸數據；DIR控制導通方向：DIR＝1，A→B；DIR＝0，A←B。
4.17 參見p.111-112
歸納為：1、8086數據匯流排變為16位，數據地址線復用為AD15~AD0。
2、8086指令隊列程度變為6位元組長，當有2個位元組空才取下一指令。
3、8088引腳IO/M* ，8086變為M/IO*；
4、引腳SS0* 變為BHE*/S7，BHE* 的作用是使D15~D8有效。
5、8086存儲器組織為奇偶分塊，偶地址取字只要讀1次，奇地址取字需要讀兩次。
6、I/O埠大都採用偶地址，目的是引導8位數據到低8位匯流排AD7~AD0上，以提高效率。
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5.1
Cache、主存和輔存的作用——參見 p.120～121
虛擬存儲器——參見p.121
在CPU看來，訪問主存和訪問輔存有什麼不同？
訪問主存：通過存儲器訪問機器指令，按字隨機訪問。
訪問輔存：通過操作系統，按塊順序訪問。
5.2 在半導體存儲器中，RAM指的是 隨機存取存儲器 ，它可讀可寫，但斷電後信息一般會 丟失 ；而ROM指的是 只讀存儲器 ，正常工作時只能從中 讀取 信息，但斷電後信息 不會丟失 。以EPROM晶元2764為例，其存儲容量為8K×8位，共有 8 條數據線和 13 條地址線。用它組成64KB的ROM存儲區共需 8 片2764晶元。
5.4 一個容量為4K×4位的假想RAM存儲晶元，他應該有多少根地址線引腳和多少根數據線引腳？如果讓你來進行設計，那麼它還需要哪些控制引腳？這些引腳分別起什麼樣的控製作用？
解答：
4K×4的晶元應該有12根地址線引腳和4根數據線引腳。
控制引腳應該有：
讀取信號OE*：有效時，表示讀取存儲單元的數據
寫入信號WE*：有效時，表示將數據寫入存儲單元
片選信號CS*：有效時，表示選中該晶元，可以進行讀寫操作。
5.7 什麼是存儲晶元的位擴充和地址擴充?採用靜態RAM的晶元2114（1K*4位）或動態RAM的晶元4116（16K*1位）來組成32KB的RAM存儲區，請問各需要多少晶元？在位方向和地址方向各需要進行什麼樣的擴充？
解答：（參見p.140） 使用多個晶元來擴充存儲數據位的寬度，稱為位擴充。
採用多個晶元在地址方向上進行擴充，稱為地址擴充或字擴充。
用SRAM 2114組成32KBRAM存儲區：2片為一組，得1KB，所以組成32KB就要32組，共需要64片SRAM 2114。
用DRAM 4116組成32KBRAM存儲區：8片為一組，得16KB，所以組成32KB只要2組，共需要16片DRAM 4116。
機床作為機械製造業的重要基礎裝備，它的發展一直引起人們的關注，由於計算機技術的興起，促使機床的控制信息出現了質的突破，導致了應用數字化技術進行柔性自動化控制的新一代機床－數控機床的誕生和發展。計算機的出現和應用，為人類提供了實現機械加工工藝過程自動化的理想手段。隨著計算機的發展，數控機床也得到迅速的發展和廣泛的應用，同時使人們對傳統的機床傳動及結構的概念發生了根本的轉變。數控機床以其優異的性能和精度、靈捷而多樣化的功能引起世人矚目，並開創機械產品向機電一體化發展的先河。 數控機床是以數字化的信息實現機床控制的機電一體化產品，它把刀具和工件之間的相對位置，機床電機的啟動和停止，主軸變速，工件松開和夾緊，刀具的選擇，冷卻泵的起停等各種操作和順序動作等信息用代碼化的數字記錄在控制介質上，然後將數字信息送入數控裝置或計算機，經過解碼，運算，發出各種指令控制機床伺服系統或其它的執行元件，加工出所需的工件。 數控機床與普通機床相比，其主要有以下的優點： 1. 適應性強，適合加工單件或小批量的復雜工件； 在數控機床上改變加工工件時，只需重新編制新工件的加工程序，就能實現新工件加工。 2. 加工精度高； 3. 生產效率高； 4. 減輕勞動強度，改善勞動條件； 5. 良好的經濟效益； 6. 有利於生產管理的現代化。 數控機床已成為我國市場需求的主流產品，需求量逐年激增。我國數控機機床近幾年在產業化和產品開發上取得了明顯的進步，特別是在機床的高速化、多軸化、復合化、精密化方面進步很大。但是，國產數控機床與先進國家的同類產品相比，還存在差距，還不能滿足國家建設的需要。 我國是一個機床大國，有三百多萬台普通機床。但機床的素質差，性能落後，單台機床的平均產值只有先進工業國家的1/10左右，差距太大，急待改造。 舊機床的數控化改造，顧名思義就是在普通機床上增加微機控制裝置，使其具有一定的自動化能力，以實現預定的加工工藝目標。 隨著數控機床越來越多的普及應用，數控機床的技術經濟效益為大家所理解。在國內工廠的技術改造中，機床的微機數控化改造已成為重要方面。許多工廠一面購置數控機床一面利用數控、數顯、PC技術改造普通機床，並取得了良好的經濟效益。我國經濟資源有限，國家大，機床需要量大，因此不可能拿出相當大的資金去購買新型的數控機床，而我國的舊機床很多，用經濟型數控系統改造普通機床，在投資少的情況下，使其既能滿足加工的需要，又能提高機床的自動化程度，比較符合我國的國情。 1984年，我國開始生產經濟型數控系統，並用於改造舊機床。到目前為止，已有很多廠家生產經濟型數控系統。可以預料，今後，機床的經濟型數控化改造將迅速發展和普及。所以說，本畢業設計實例具有典型性和實用性。 第二章 總體方案的設計 2.1 設計任務 本設計任務是對CA6140普通車床進行數控改造。利用微機對縱、橫向進給系統進行開環控制，縱向（Z向）脈沖當量為0.01mm/脈沖，橫向（X向）脈沖當量為0.005mm/脈沖，驅動元件採用步進電機，傳動系統採用滾珠絲杠副，刀架採用自動轉位刀架。 2.2 總體方案的論證 對於普通機床的經濟型數控改造，在確定總體設計方案時，應考慮在滿足設計要求的前提下，對機床的改動應盡可能少，以降低成本。 （1）數控系統運動方式的確定 數控系統按運動方式可分為點位控制系統、點位直線控制系統、連續控制系統。由於要求CA6140車床加工復雜輪廓零件，所以本微機數控系統採用兩軸聯動連續控制系統。 （2）伺服進給系統的改造設計 數控機床的伺服進給系統有開環、半閉環和閉環之分。 因為開環控制具有結構簡單、設計製造容易、控制精度較好、容易調試、價格便宜、使用維修方便等優點。所以，本設計決定採用開環控制系統。 （3）數控系統的硬體電路設計 任何一個數控系統都由硬體和軟體兩部分組成。硬體是數控系統的基礎，性能的好壞直接影響整體數控系統的工作性能。有了硬體，軟體才能有效地運行。 在設計的數控裝置中，CPU的選擇是關鍵，選擇CPU應考慮以下要素： 1. 時鍾頻率和字長與被控對象的運動速度和精度密切相關； 2. 可擴展存儲器的容量與數控功能的強弱相關； 3. I/O口擴展的能力與對外設控制的能力相關。 除此之外，還應根據數控系統的應用場合、控制對象以及各種性能、參數要求等，綜合起來考慮以確定CPU。在我國，普通機床數控改造方面應用較普遍的是Z80CPU和MCS-51系列單片機，主要是因為它們的配套晶元便宜，普及性、通用性強，製造和維修方便，完全能滿足經濟型數控機床的改造需要。本設計中是以MCS-51系列單片機，51系列相對48系列指令更豐富，相對96系列價格更便宜，51系列中，是無ROM的8051，8751是用EPROM代替ROM的8051。目前，工控機中應用最多的是8031單片機。本設計以8031晶元為核心，增加存儲器擴展電路、介面和面板操作開關組成的控制系統。 2.3 總體方案的確定 經總體設計方案的論證後，確定的CA6140車床經濟型數控改造示意圖如圖所示。CA6140車床的主軸轉速部分保留原機床的功能，即手動變速。車床的縱向（Z軸）和橫向（X軸）進給運動採用步進電機驅動。由8031單片機組成微機作為數控裝置的核心，由I/O介面、環形分配器與功率放大器一起控制步進電機轉動，經齒輪減速後帶動滾珠絲杠轉動，從而實現車床的縱向、橫向進給運動。刀架改成由微機控制的經電機驅動的自動控制的自動轉位刀架。為保持切削螺紋的功能，必須安裝主軸脈沖發生器，為此採用主軸靠同步齒形帶使脈沖發生器同步旋轉，發出兩路信號：每轉發出的脈沖個數和一個同步信號，經隔離電路以及I/O介面送給微機。如圖2－1所示： 第三章 微機數控系統硬體電路設計 3.1微機數控系統硬體電路總體方案設計 本系統選用8031CPU作為數控系統的中央處理機。外接一片2764EPROM，作為監控程序的程序存儲器和存放常用零件的加工程序。再選用一片6264RAM用於存放需要隨機修改的零件程序、工作參數。採用解碼法對擴展晶元進行定址，採用74LS138解碼器完成此功能。8279作為系統的輸入輸出口擴展，分別接鍵盤的輸入、輸出顯示，8255接步進電機的環形分配器，分別並行控制X軸和Z軸的步進電機。另外，還要考慮機床與單片機之間的光電隔離，功率放大電路等。其硬體框圖如圖3－1所示： 圖3－2 8031晶元內部結構圖 各引腳功能簡要介紹如下： ⒈ 源引腳 VSS：電源接地端。 VCC：＋5V電源端。 ⒉ 輸入/輸出（I/O）口線 8031單片機有P0、P1、P2、P3 4個埠，每個埠8根I/O線。當系統擴展外部存儲器時，P0口用來輸出低8位並行數據，P2口用來輸出高8位地址，P3口除可作為一個8位準雙向並行口外，還具有第二功能，各引腳第二功能定義如下： P3.0 RXD：串列數據輸入端。 P3.1 TXD：串列數據輸出端 P3.2 INT0：外部中斷0請求信號輸入端。 P3.3 INT1：外部中斷1請求信號輸入端。 P3.4 T0：定時器/計數器0外部輸入端 P3.5 T1：定時器/計數器1外部輸入端 P3.6 WR：外部數據存儲器寫選通。 P3.7 RD：外部數據存儲器讀選通。 在進行第二功能操作前，對第二功能的輸出鎖存器必須由程序置1。 ⒊ 信號控制線 RST/VPD：RST為復位信號線輸入引腳，在時鍾電路工作以後，該引腳上出現兩個機器周期以上的高電平，完成一次復位操作。 8031單片機採用兩種復位方式：一種是加電自動復位，另一種為開關復位。 ALE/PROG：ALE是地址鎖存允許信號。它的作用是把CPU從P0口分時送出的低8位地址鎖存在一個外加的鎖存器中。 ：外部程序存儲器讀選通信號。當其為低電平時有效。
VPP：當EA為高電平且PC值小於0FFFH時CPU執行內部程序存儲器中的程序。當EA為低電平時，CPU僅執行外部程序存儲器中的程序。 XTAL1：震盪器的反相放大器輸入，使用外部震盪器時必須接地； XTAL2：震盪器的反相放大器輸出，使用外部震盪器時，接收外圍震盪信號； （2）片外三匯流排結構 單片機在實際應用中，常常要擴展外部存儲器、I/O口等。單片機的引腳，除了電源、復位、時鍾輸入以及用戶I/O口外，其餘的引腳都是為了實現系統擴展而設置的，這些引腳構成了三匯流排形式： ⒈ 地址匯流排AB 地址匯流排寬度為16位。因此，外部存儲器直接定址范圍為64KB。由P0口經地址鎖存器提供16位地址匯流排的低8位地址（A7～A0），P2口直接提供高8位地址（A15～A8）。 ⒉ 數據匯流排DB 數據匯流排寬度為8位，由P0口提供。 ⒊ 控制匯流排CB 控制匯流排由第二功能狀態下的P3口和4根獨立的控制線RST、EA、ALE和PSEN組成。其引腳圖如圖3－3所示： 3.1.2 8255A可編程並行I/O口擴展晶元 8255A可編程並行I/O口擴展晶元可以直接與MCS系列單片機系統匯流排連接，它具有三個8位的並行I/O口，具有三種工作方式，通過編程能夠方便地採用無條件傳送、查詢傳送或中斷傳送方式完成CPU與外圍設備之間的信息交換。8255A的結構及引腳功能： 1、 8255A的結構 8255A的內部結構如圖3－4所示。其中包括三個8位並行數據I/O埠，二個工作方式控制電路，一個讀/寫控制邏輯電路和一個8位數據匯流排緩沖器。各部分功能介紹如下： （1） 三個8位並行I/O埠A、B、C A口：具有一個8位數據輸出鎖存/緩沖器和一個8位數據輸入鎖存器。可編程為8位輸入、或8位輸出、或8位雙向寄存器。B口：具有一個8位數據輸出鎖存/緩沖器和一個8位輸入或輸出寄存器，但不能雙向輸入/輸出。C口：具有一個8位數據輸出鎖存/緩沖器和一個8位數據輸入緩沖器，C口可分作兩個4位口，用於輸入或輸出，也可作為A口和B口選通方式工作時的狀態控制信號。 （2） 工作方式控制電路 A、B兩組控制電路把三個埠分成A、B兩組，A組控制A口各位和C口高四位，B組控制B口各位和C口低四位。兩組控制電路各有一個控制命令寄存器，用來接收由CPU寫入的控制字，以決定兩組埠的工作方式。也可根據控制字的要求對C口按位清「0」或置「1」。 （3） 讀/寫控制邏輯電路 它接收來自CPU的地址信號及一些控制信號，控制各個口的工作狀態。 （4） 數據匯流排緩沖器 它是一個三態雙向緩沖器，用於和系統的數據匯流排直接相連，以實現CPU和8255A之間信息的傳送。
E. IC卡的製作流程
IC卡製作流程分為：IC卡從設計到發行，可歸納成以下幾個步驟： 根據應用系統對卡的功能和安全的要求設計卡內晶元（或考慮設計通用晶元），並根據工藝水平和成本對智能卡的MPU、存儲器容量和COS提出具體要求，或對邏輯加密卡的邏輯功能和存儲區的分配提出具體要求。
卡內集成電路設計
其設計過程與ASIC（專用集成電路）的設計類似，包括邏輯設計、邏輯模擬、電路設計、電路模擬、版圖設計和正確性驗證等，可藉助於Workview、Mentor或Cadence等計算機輔助設計工具來完成。
對於智能卡，在國外經常採用工業標准微處理器作為核心，調整存儲器的種類和容量，而不必重新設計。比較可行的辦法是，由國內設計COS，由國外半導體廠家生產晶元，為可靠起見，這些晶元應該有自保護能力。
軟體設計（僅適於智能卡）
包括COS和應用軟體的設計，有相應的開發工具可供選用。由於智能卡的安全性與COS有關，因此在國家重要經濟部門和機密部門使用的智能卡，應寫入中國自行設計的COS。 在單晶硅圓片上製作電路
設計者將設計好的版圖或COS代碼提交給晶元製造廠。製造廠根據設計與工藝過程的要求，產生多層掩膜版。在一個圓片上可製作幾百～幾千個相互獨立的電路，每個電路即為一個小晶元。小片上除有按IC卡標准（8個觸點）設計的壓焊塊外，還應有專供測試用的探針壓塊，但要注意這些壓塊是否會給攻擊者以可乘之機。
測試並在E2PROM中寫入信息
利用帶測試程序的計算機控制探頭測試圓片上的每個晶元。在有缺陷的晶元上做標記，在測試合格的晶元中寫入製造廠代號等信息。如用戶需要製造廠在E2PROM中寫入內容，也可在此時進行。
運輸碼也可在此時寫入。運輸碼是為了防止卡片在從製造廠運輸到發行商的途中被竊而採取的防衛措施，是僅為製造廠和發行商知道的密碼。發行商接收到卡片後要首先核對運輸碼，如核對不正確，卡將自鎖，燒斷熔絲。 先核對運輸碼。如為邏輯加密卡，運輸碼可由製造廠寫入用戶密碼區，發行商核對正確後改寫成用戶密碼對於智能卡，在此時可進行寫入密碼、密鑰、建立文件等操作。
操作完畢，將熔絲燒斷。此後該卡片進入用戶方式，而且永遠也不能回到以前的工作方式，這樣做也是為了保證卡的安全。 電擦除式可編程只讀存儲器（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory）是IC卡技術的核心。該技術使晶體管密度增大，改善了性能，增加了容量，達到在同樣面積上存儲更大數據量的目的。作為數據或程序的存儲空間，EEPROM的數據可以至少保持 10年的時間，擦寫次數達10萬次以上。EEPROM技術還提供了很大的靈活性，通過設置不可修改的標志位，能夠將EEPROM單元轉變成可編程只讀存儲器、只讀存儲器或不可讀的保密存儲單元。
該技術的先進性使得帶有保密存儲器的IC卡得到快速發展和應用。例如，在各種收費系統（公用電話、電表、公路收費等等）及訪問控制等領域獲得了廣泛的應用。以EEPROM為核心的 CPU卡也廣泛應用於行動電話、銀行部門、多應用卡及要求有公共密鑰演算法的高安全性應用領域。 射頻識別RFID（Radio Frequency Identification）技術是一種利用電磁波進行信號傳輸的識別方法，被識別的物體本身應具有電磁波的接收和發送裝置。RFID系統使用的通信頻段范圍為<135kHz或>300MHz～GHz級。
射頻識別IC卡是一種使用電磁波和非觸點來與終端通信的 IC卡。使用此卡時，不需要把卡片插入到特定讀寫器插槽之中。一般來說，通信距離在幾厘米至1米范圍內。射頻識別卡使用得較多，而且發展潛力較大。
射頻識別IC卡有主動式和被動式之分。主動式卡是指卡片需要主動靠近讀卡器，用戶需要將卡在讀卡器上讀卡區內讀取卡上信息才完成交易；被動式卡不用出示卡片，只要走過讀卡器的范圍，即可讀取卡上的信息，完成交易。 IC卡中的CPU卡採用特殊的加密技術，不僅可以驗證信息的正確性，同時還能檢查通信雙方身份的合法性，從而保證信息傳送的安全性。這是通過IC卡中存儲的銀行密鑰與讀卡器兼黑盒子中存儲的銀行密鑰的相互校驗來實現的，從而保證了持卡者本身和讀卡器雙方都具有合法身份。總之，採用先進的加密技術後，不僅具有高度安全性、嚴謹性，還具有靈活便捷、成本低等優勢。
除上述技術之外，還有Java卡技術、IC卡ISO標准化技術、IC卡生物認證技術及數據壓縮技術等軟、硬體新技術。 IC卡讀寫器要能讀寫符合ISO7816標準的IC卡。IC卡介面電路作為IC卡與IFD內的CPU進行通信的唯一通道，為保證通信和數據交換的安全與可靠，其產生的電信號必須滿足嚴格的時序要求。
時序要求
IC卡介面電路對IC卡插入與退出的識別，即卡的激活和釋放，有很嚴格的時序要求。如果不能滿足相應的要求，IC卡就不能正常進行操作；嚴重時將損壞IC卡或IC卡讀寫器。
（1）激活過程
為啟動對卡的操作，介面電路應按圖1所示順序激活電路：
◇RST處於L狀態；
◇根據所選擇卡的類型，對VCC加電A類或B類，
◇VPP上升為空閑狀態；
◇介面電路的I/O應置於接收狀態；
◇向IC卡的CLK提供時鍾信號（A類卡1～5MHz，B類卡1～4MHz）。
在t』a時間對IC卡的CLK加時鍾信號。I/O線路應在時鍾信號加於CLK的200個時鍾周期（ta）內被置於高阻狀態Z（ta 時間在t』a之後）。時鍾加於CLK後，保持RST為狀態L至少400周期（tb）使卡復位（tb在t』a之後）。在時間t』b，RST被置於狀態H。I/O上的應答應在RST上信號上升沿之後的400~40 000個時鍾周期（tc）內開始（tc在t』b之後）。
在RST處於狀態H的情況下，如果應答信號在40 000個時鍾周期內仍未開始，RST上的信號將返回到狀態L，且IC卡介面電路對IC卡產生釋放。
（2）釋放過程
當信息交換結束或失敗時（例如，無卡響應或卡被移出），介面電路應按圖2所示時序釋放電路：
◇RST應置為狀態L；
◇CLK應置為狀態L（除非時鍾已在狀態L上停止）；
◇VPP應釋放（如果它已被激活）；
◇I/O應置為狀態A（在td時間內沒有具體定義）；
◇VCC應釋放。
電源電壓
IC卡介面電路應能在表1規定的電壓范圍內，向IC卡提供相應穩定的電流。
時鍾信號
IC卡介面電路向卡提供時鍾信號。時鍾信號的實際頻率范圍在復位應答期間，應在以下范圍內：A類卡，時鍾應在1～5MHz；B類卡，時鍾應在1～4MHz。
復位後，由收到的ATR（復位應答）信號中的F（時鍾頻率變換因子）和D（比特率調整因子）來確定。
時鍾信號的工作周期應為穩定操作期間周期的40%～60%。當頻率從一個值轉換到另一個值時，應注意保證沒有比短周期的40%更短的脈沖。
驅動模塊
（1）數據結構的確定
編輯頭文件ICDATA.H，確定在驅動模塊程序中應用的公用數據結構。驅動模塊的最終目的是讀取和寫入卡數據處理，所以規范整齊的數據結構是必須的。可以定義一個數據結構體來實現卡數據的存儲區域、數據地址索引、控制標志位等，如右圖圖示：
這樣在驅動模塊中，只需要STruct ICDATA iccdata；一條語句便可定義全部的卡處理數據結構定義；而Ic_fops則定義了設備操作映射函數結構。從這個數據結構看，我們實現了IC卡設備的打開、讀、寫和監控函數。
（2）硬體介面控制線控制子函數
以開發的硬體系統平台為例的硬體控制介面操作函數之一，用於控制IC卡的復位信號置。針對不同硬體平台，函數內部操作方法不盡相同。類似的其它操作函數還有：模塊初始化函數是模塊開發過程中必不可少的處理函數，用於實現設備的初始化、中斷初始化及處理、設備注冊等。在上面函數中，首先應用Initicdata實現了卡數據的初始化，然後定義了隊列數據。再進行了中斷處理函數的綁定、中斷申請以及中斷初始化。最後實現了IC卡字元設備的申請，設備名為IC。
F. 我的世界紅石存儲器怎麼做 紅石存儲器製作教程
RS存鎖器（不知道是不是這個名字）？
那個你
可以去看看
魚干
的紅石教程。有一集有講到的。還有
籽岷
鬼鬼
領域服里
那個僵屍
籠也用到了RS存鎖器
G. 硬碟如何製作成網路存儲器
現在不少人在玩nss，需要買一個這樣的設備就可以，但是要會裝系統。淘寶上有人賣200多一個邁拓的二手貨
H. 怎樣製作簡易24CXX存儲器讀寫工具
1、先買一個電腦列印機的列印線(兩端有插頭)；
I. 各位前輩，請教一下哈：請問計算機的內存條是如何製作或生產出來的哇....^_^...
在計算機的組成結構中，有一個很重要的部分，就是存儲器。存儲器是用來存儲程序和數據的部件，對於計算機來說，有了存儲器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲器的種類很多，按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器，主存儲器又稱內存儲器（簡稱內存），輔助存儲器又稱外存儲器（簡稱外存）。外存通常是磁性介質或光碟，像硬碟，軟盤，磁帶，CD等，能長期保存信息，並且不依賴於電來保存信息，但是由機械部件帶動，速度與CPU相比就顯得慢的多。內存指的就是主板上的存儲部件，是CPU直接與之溝通，並用其存儲數據的部件，存放當前正在使用的（即執行中）的數據和程序，它的物理實質就是一組或多組具備數據輸入輸出和數據存儲功能的集成電路，內存只用於暫時存放程序和數據，一旦關閉電源或發生斷電，其中的程序和數據就會丟失。
從一有計算機開始，就有內存。內存發展到今天也經歷了很多次的技術改進，從最早的DRAM一直到FPMDRAM、EDODRAM、SDRAM等，內存的速度一直在提高且容量也在不斷的增加。今天，伺服器主要使用的是什麼樣的內存呢？目前，IA架構的伺服器普遍使用的是REGISTERED
快速周期隨機存取存儲器
ECCSDRAM。
既然內存是用來存放當前正在使用的（即執行中）的數據和程序，那麼它是怎麼工作的呢？我們平常所提到的計算機的內存指的是動態內存（即DRAM），動態內存中所謂的「動態」，指的是當我們將數據寫入DRAM後，經過一段時間，數據會丟失，因此需要一個額外設電路進行內存刷新操作。具體的工作過程是這樣的：一個DRAM的存儲單元存儲的是0還是1取決於電容是否有電荷，有電荷代表1，無電荷代表0。但時間一長，代表1的電容會放電，代表0的電容會吸收電荷，這就是數據丟失的原因；刷新操作定期對電容進行檢查，若電量大於滿電量的1/2，則認為其代表1，並把電容充滿電；若電量小於1/2，則認為其代表0，並把電容放電，藉此來保持數據的連續性。
J. u盤怎麼做內存
方法/步驟:
1.插入u盤,雙擊【計算機】,右鍵單擊u盤,選擇【屬性】。我們可以看到u盤的剩餘空間。
2.切換到【ReadyBoost】選項卡,並選擇【使用這個設備】,並手動調節用於系統...
3.我們再次看u盤,剩餘空間已經所剩無幾
4.打開u盤,我們看到u盤中多了如下一個文件。