『壹』 主存儲器的分類中RAM為何叫做隨機存儲器，動態和靜態的（DRAM和SRAM）又是按什麼原理分的
ram又叫隨機讀寫存儲器，是因為可讀可寫，而寫進去的內容是隨機的（這個隨機是隨計算機，呵呵）。
dram,sram是根據存儲器工藝來說的，動態的dram用的晶體管很少，但不保持，好像電容一樣在不停地放電，要想保持需要不停地充電，而dram就需要不停地刷新，所以叫動態，這種存儲器最大優點是集成度高
sram至少需要六隻晶體管，類似雙穩態觸發器，能保持，但集成度不如dram高。
所以現在多數都有dram當內存。
『貳』 請描述SRAM，DRAM，ROM，PROM，EPROM，EEPROM基本存儲原理
SRAM 靜態RAM（Static RAM / SRAM），SRAM速度非常快，是目前讀寫最快的存儲設備了，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級緩沖，二級緩沖。
DRAM 動態RAM（Dynamic RAM / DRAM），DRAM保留數據的時間很短，速度也比SRAM慢，不過它還是比任何的ROM都要快，但從價格上來說DRAM相比SRAM要便宜很多，計算機內存就是DRAM的
ROM指的是「只讀存儲器」，即Read-Only Memory。這是一種線路最簡單半導體電路，通過掩模工藝， 一次性製造，其中的代碼與數據將永久保存，不能進行修改。在微機的發展初期，BIOS都存放在ROM（Read Only Memory，只讀存儲器）中。如果發現內部數據有錯，則只有舍棄不用，重新訂做一份。
PROM指的是「可編程只讀存儲器」既Programmable Red-Only Memory。這樣的產品只允許寫入一次，所以也被稱為「一次可編程只讀存儲器」(One Time Progarmming ROM，OTP-ROM)。PROM在出廠時，存儲的內容全為1，用戶可以根據需要將其中的某些單元寫入數據0(部分的PROM在出廠時數據全為0，則用戶可以將其中的部分單元寫入1)， 以實現對其「編程」的目的。PROM的典型產品是「雙極性熔絲結構」，如果我們想改寫某些單元，則可以給這些單元通以足夠大的電流，並維持一定的時間， 原先的熔絲即可熔斷，這樣就達到了改寫某些位的效果。另外一類經典的PROM為使用「肖特基二極體」的PROM，出廠時，其中的二極體處於反向截止狀態，還是用大電流的方法將反相電壓加在「肖特基二極體」，造成其永久性擊穿即可。PROM一旦寫入後無法修改，若是出了錯誤，已寫入的晶元只能報廢。
EPROM指的是「可擦寫可編程只讀存儲器」，即Erasable Programmable Read-Only Memory。 它的特點是具有可擦除功能，擦除後即可進行再編程，但是缺點是擦除需要使用紫外線照射一定的時間。這一類晶元特別容易識別，其封裝中包含有「石英玻璃窗」，一個編程後的EPROM晶元的「石英玻璃窗」一般使用黑色不幹膠紙蓋住， 以防止遭到陽光直射
EEPROM指的是「電可擦除可編程只讀存儲器」，即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。它的最大優點是可直接用電信號擦除，也可用電信號寫入。鑒於EPROM操作的不便，後來出的主板上的BIOS ROM晶元大部分都採用EEPROM。EEPROM的擦除不需要藉助於其它設備，它是以電子信號來修改其內容的，而且是以Byte為最小修改單位，不必將資料全部洗掉才能寫入，徹底擺脫了EPROM Eraser和編程器的束縛。EEPROM在寫入數據時，仍要利用一定的編程電壓，此時，只需用廠商提供的專用刷新程序就可以輕而易舉地改寫內容，所以，它屬於雙電壓晶元。 藉助於EEPROM晶元的雙電壓特性，可以使BIOS具有良好的防毒功能，在升級時，把跳線開關打至「ON」的位置，即給晶元加上相應的編程電壓，就可以方便地升級；平時使用時，則把跳線開關打至「OFF」的位置，防止病毒對BIOS晶元的非法修改。
『叄』 DDR、RAM和DRAM都是指的內存，那麼它們三者有什麼聯系嗎怎麼會有這三種說法
ram是隨機存儲器。dram是動態隨機存儲器（這和前者沒什麼不同）或者直接隨機存儲器（直接是指和CPU某種程度上直聯）。ddr 是指雙通道的ram。
隨機存取存儲器（英語：Random Access Memory，縮寫：RAM），也叫主存，是與CPU直接交換數據的內部存儲器。它可以隨時讀寫（刷新時除外），而且速度很快，通常作為操作系統或其他正在運行中的程序的臨時數據存儲介質。
RAM工作時可以隨時從任何一個指定的地址寫入（存入）或讀出（取出）信息。它與ROM的最大區別是數據的易失性，即一旦斷電所存儲的數據將隨之丟失。RAM在計算機和數字系統中用來暫時存儲程序、數據和中間結果。
存儲器是數字系統中用以存儲大量信息的設備或部件，是計算機和數字設備中的重要組成部分。存儲器可分為隨機存取存儲器（RAM）和只讀存儲器（ROM）兩大類。
隨機存取存儲器（RAM）既可向指定單元存入信息又可從指定單元讀出信息。任何RAM中存儲的信息在斷電後均會丟失，所以RAM是易失性存儲器。
ROM為只讀存儲器，除了固定存儲數據、表格、固化程序外，在組合邏輯電路中也有著廣泛用途。
『肆』 DRAM和SRAM靠什麼存儲信息
DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態隨機存取存儲器，最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。 （關機就會丟失數據）
SRAM是英文Static RAM的縮寫，即靜態隨機存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據.。
『伍』 晶元存儲數據的原理
Flash晶元並不是像光碟那樣把信息刻上去的。為了更加清楚地說明，我首先讓你知道計算機的信息是怎樣儲存的。計算機用的是二進制，也就是0與1。在二進制中，0與1可以組成任何數。而電腦的器件都有兩種狀態，可以表示0與1。比如三極體的斷電與通電，磁性物質的已被磁化與未被磁化，物質平面的凹與凸，都可以表示0與1。硬碟就是採用磁性物質記錄信息的，磁碟上的磁性物質被磁化了就表示1，未被磁化就表示0，因為磁性在斷電後不會喪失，所以磁碟斷電後依然能保存數據。而內存的儲存形式則不同，內存不是用磁性物質，而是用RAM晶元。現在請你在一張紙上畫一個「田」，就是畫一個正方形再平均分成四份，這個「田」字就是一個內存，這樣，「田」裡面的四個空格就是內存的儲存空間了，這個儲存空間極小極小，只能儲存電子。。好，內存現在開始工作。內存通電後，如果我要把「1010」這個信息保存在內存（現在畫的「田」字）中，那麼電子就會進入內存的儲存空間里。「田」字的第一個空格你畫一點東西表示電子，第二個空格不用畫東西，第三個空格又畫東西表示電子，第四個格不畫東西。這樣，「田」的第一格有電子，表示1，第二格沒有，表示0，第三格有電子，表示1，第四格沒有，表示0，內存就是這樣把「1010」這個數據保存好了。電子是運動沒有規律的物質，必須有一個電源才能規則地運動，內存通電時它很安守地在內存的儲存空間里，一旦內存斷電，電子失去了電源，就會露出它亂雜無章的本分，逃離出內存的空間去，所以，內存斷電就不能保存數據了。再看看U盤，U盤里的儲存晶元是Flash晶元，它與RAM晶元的工作原理相似但不同。現在你在紙上再畫一個「田」字，這次要在四個空格中各畫一個頂格的圓圈，這個圓圈不是表示電子，而是表示一種物質。好，Flash晶元工作通電了，這次也是保存「1010」這個數據。電子進入了「田」的第一個空格，也就是晶元的儲存空間。電子把裡面的物質改變了性質，為了表示這個物質改變了性質，你可以把「田」內的第一個圓圈塗上顏色。由於數據「1010」的第二位數是0，所以Flash晶元的第二個空間沒有電子，自然裡面那個物質就不會改變了。第三位數是1，所以「田」的第三個空格通電，第四個不通電。現在你畫的「田」字，第一個空格的物質塗上了顏色，表示這個物質改變了性質，表示1，第二個沒有塗顏色，表示0，以此類推。當Flash晶元斷電後，物質的性質不會改變了，除非你通電擦除。當Flash晶元通電查看儲存的信息時，電子就會進入儲存空間再反饋信息，電腦就知道晶元裡面的物質有沒有改變。就是這樣，RAM晶元斷電後數據會丟失，Flash晶元斷電後數據不會丟失，但是RAM的讀取數據速度遠遠快於Flash晶元。
『陸』 DRAM存儲器的中文和含義
DRAM存儲器的中文是動態隨機存取存儲器。
含義：為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。
寫操作時，寫選擇線為"1"，所以Q1導通，要寫入的數據通過Q1送到Q2的柵極，並通過柵極電容在一定時間內保持信息。
讀操作時，先通過公用的預充電管Q4使讀數據線上的分布電容CD充電，當讀選擇線為高電平有效時,Q3處於可導通的狀態。若原來存有"1",則Q2導通，讀數據線的分布電容CD通過Q3、Q2放電,此時讀得的信息為"0"，正好和原存信息相反。
若原存信息為"0",則Q3盡管具備導通條件，但因為Q2截止，所以，CD上的電壓保持不變，因而，讀得的信息為"1"。可見，對這樣的存儲電路，讀得的信息和原來存入的信息正好相反,所以要通過讀出放大器進行反相再送往 數據匯流排。
(6)dram和dram的存儲原理擴展閱讀：
在半導體科技極為發達的中國台灣，內存和顯存被統稱為記憶體（Memory），全名是動態隨機存取記憶體（Dynamic Random Access Memory，DRAM）。
基本原理就是利用電容內存儲電荷的多寡來代表0和1，這就是一個二進制位元（bit），內存的最小單位。
DRAM的結構可謂是簡單高效，每一個bit只需要一個晶體管另加一個電容。但是電容不可避免的存在漏電現象，如果電荷不足會導致數據出錯，因此電容必須被周期性的刷新（預充電），這也是DRAM的一大特點。
而且電容的充放電需要一個過程，刷新頻率不可能無限提升（頻障），這就導致DRAM的頻率很容易達到上限，即便有先進工藝的支持也收效甚微。隨著科技的進步，以及人們對超頻的一種意願，這些頻障也在慢慢解決。
『柒』 SRAM，DRAM，ROM，PROM，EPROM，EEPROM基本存儲原理
SRAM利用寄存器來存儲信息，所以一旦掉電，資料就會全部丟失，只要供電，它的資料就會一直存在，不需要動態刷新，所以叫靜態隨機存儲器。
DRAM 利用MOS管的柵電容上的電荷來存儲信息，一個DRAM的存儲單元存儲的是0還是1取決於電容是否有電荷，有電荷代表1，無電荷代表0。但時間一長，由於柵極漏電，代表1的電容會放電，代表0的電容會吸收電荷，這樣會造成數據丟失，因此需要一個額外設電路進行內存刷新操作。刷新操作定期對電容進行檢查，若電量大於滿電量的1／2，則認為其代表1，並把電容充滿電；若電量小於 1／2，則認為其代表0，並把電容放電，藉此來保持數據的連續性。
PROM（可編程ROM）則只能寫入一次，寫入後不能再更改。
EPROM（可擦除PROM）這種EPROM在通常工作時只能讀取信息，但可以用紫外線擦除已有信息，並在專用設備上高電壓寫入信息。
EEPROM（電可擦除PROM），用戶可以通過程序的控制進行讀寫操作。
『捌』 計算機的「dram」和「sram」分別是什麼意思，有什麼區別
按照存儲信息的不同，隨機存儲器分為靜態隨機存儲器（Static RAM,SRAM)和動態隨機存儲器（Dynamic RAM,DRAM)。
靜態存儲單元（SRAM）
●存儲原理：由觸發器存儲數據
●單元結構：六管NMOS或OS構成
●優點：速度快、使用簡單、不需刷新、靜態功耗極低；常用作Cache
●缺點：元件數多、集成度低、運行功耗大
●常用的SRAM集成晶元：6116(2K×8位)，6264(8K×8位)，62256(32K×8位)，2114(1K×4位)
動態存儲單元（DRAM）
●存貯原理：利用MOS管柵極電容可以存儲電荷的原理，需刷新（早期：三管基本單元；現在：單管基本單元）
●刷新(再生)：為及時補充漏掉的電荷以避免存儲的信息丟失，必須定時給柵極電容補充電荷的操作
●刷新時間：定期進行刷新操作的時間。該時間必須小於柵極電容自然保持信息的時間（小於2ms）。
●優點： 集成度遠高於SRAM、功耗低，價格也低
●缺點：因需刷新而使外圍電路復雜；刷新也使存取速度較DRAM慢，所以在計算機中，SRAM常用於作主存儲器。
盡管如此，由於DRAM[1]存儲單元的結構簡單，所用元件少，集成度高，功耗低，所以目前已成為大容量RAM的主流產品。
『玖』 簡述SRAM,DRAM型存儲器的工作原理
個人電腦的主要結構:
顯示器
主機板
CPU
(微處理器)
主要儲存器
(記憶體)
擴充卡
電源供應器
光碟機
次要儲存器
(硬碟)
鍵盤
滑鼠
盡管計算機技術自20世紀40年代第一台電子通用計算機誕生以來以來有了令人目眩的飛速發展，但是今天計算機仍然基本上採用的是存儲程序結構，即馮·諾伊曼結構。這個結構實現了實用化的通用計算機。
存儲程序結構間將一台計算機描述成四個主要部分：算術邏輯單元（ALU），控制電路，存儲器，以及輸入輸出設備（I/O）。這些部件通過一組一組的排線連接（特別地，當一組線被用於多種不同意圖的數據傳輸時又被稱為匯流排），並且由一個時鍾來驅動（當然某些其他事件也可能驅動控制電路）。
概念上講，一部計算機的存儲器可以被視為一組「細胞」單元。每一個「細胞」都有一個編號，稱為地址；又都可以存儲一個較小的定長信息。這個信息既可以是指令（告訴計算機去做什麼），也可以是數據（指令的處理對象）。原則上，每一個「細胞」都是可以存儲二者之任一的。
算術邏輯單元（ALU）可以被稱作計算機的大腦。它可以做兩類運算：第一類是算術運算，比如對兩個數字進行加減法。算術運算部件的功能在ALU中是十分有限的，事實上，一些ALU根本不支持電路級的乘法和除法運算（由是使用者只能通過編程進行乘除法運算）。第二類是比較運算，即給定兩個數，ALU對其進行比較以確定哪個更大一些。
輸入輸出系統是計算機從外部世界接收信息和向外部世界反饋運算結果的手段。對於一台標準的個人電腦，輸入設備主要有鍵盤和滑鼠，輸出設備則是顯示器，列印機以及其他許多後文將要討論的可連接到計算機上的I/O設備。
控制系統將以上計算機各部分聯系起來。它的功能是從存儲器和輸入輸出設備中讀取指令和數據，對指令進行解碼，並向ALU交付符合指令要求的正確輸入，告知ALU對這些數據做那些運算並將結果數據返回到何處。控制系統中一個重要組件就是一個用來保持跟蹤當前指令所在地址的計數器。通常這個計數器隨著指令的執行而累加，但有時如果指令指示進行跳轉則不依此規則。
20世紀80年代以來ALU和控制單元（二者合成中央處理器，CPU）逐漸被整合到一塊集成電路上，稱作微處理器。這類計算機的工作模式十分直觀：在一個時鍾周期內，計算機先從存儲器中獲取指令和數據，然後執行指令，存儲數據，再獲取下一條指令。這個過程被反復執行，直至得到一個終止指令。
由控制器解釋，運算器執行的指令集是一個精心定義的數目十分有限的簡單指令集合。一般可以分為四類：1）、數據移動（如：將一個數值從存儲單元A拷貝到存儲單元B）2）、數邏運算（如：計算存儲單元A與存儲單元B之和，結果返回存儲單元C）3）、條件驗證（如：如果存儲單元A內數值為100，則下一條指令地址為存儲單元F）4）、指令序列改易（如：下一條指令地址為存儲單元F）
指令如同數據一樣在計算機內部是以二進制來表示的。比如說，10110000就是一條Intel
x86系列微處理器的拷貝指令代碼。某一個計算機所支持的指令集就是該計算機的機器語言。因此，使用流行的機器語言將會使既成軟體在一台新計算機上運行得更加容易。所以對於那些機型商業化軟體開發的人來說，它們通常只會關注一種或幾種不同的機器語言。
更加強大的小型計算機，大型計算機和伺服器可能會與上述計算機有所不同。它們通常將任務分擔給不同的CPU來執行。今天，微處理器和多核個人電腦也在朝這個方向發展。
超級計算機通常有著與基本的存儲程序計算機顯著區別的體系結構。它們通常由者數以千計的CPU，不過這些設計似乎只對特定任務有用。在各種計算機中，還有一些微控制器採用令程序和數據分離的哈佛架構（Harvard
architecture）。
『拾』 簡述SRAM,DRAM型存儲器的工作原理
您可能經常聽別人說，某台電腦的內存不夠了，硬碟太小了之類的話。這里的"不夠"、"太小"都指的是它們的容量，而不是他們的數量或幾何形狀的大小。內存和硬碟都是計算機用來存儲數據的，它們的單位就是我們剛剛談過的"Bytes"。 那麼，為什麼一個叫內存，一個叫硬碟呢？我們知道，計算機處理的數據量是極為龐大的，就好比一個人在堆滿了穀物的倉庫里打穀子，那怎麼施展得開，工作效率又怎會高呢？於是，人們把穀子堆在倉庫中，自己拿了一部分穀子到場院中去打，打完了再送回去。這下子，可沒什麼礙事的東西了，打穀子的速度快多了，內效率提高了。計算機也是這樣解決了同類的問題。它把大量有待處理和暫時不用的數據都存放在硬碟中，只是把需要立即處理的數據調到內存中，處理完畢立即送回硬碟，再調出下一部分數據。硬碟就是計算機的大倉庫，內存就是它幹活的場院。 內存簡稱RAM，是英文Random Accessmemory的縮寫。在個人計算機中，內存分為靜態內存（SRAM）和動態內存（DRAM）兩種，靜態內存的讀寫速度比動態內存要快。目前市面上的內存條以"MB"為單位，比如32MB的和64MB的內存條。硬碟容量要比內存大得多，現在以"GB"為單位已屬常見。當然了，內存和硬碟容量都是越大越好。可是容量越大，價錢就越高。重要的是，我們要選購夠用而又不造成浪費的內存條和硬碟。