1. 51單片存儲日期時間，該用什麼晶元
51單片存儲日期時間，51單片機加上一片時鍾晶元，如DS1302。晶元上有31*8 RAM，數據少可以存在里邊。晶元帶後備電池，掉電數據不丟。
2. 內存的延遲時間的計算方法70ns的內存晶元要多長時間才能讀或寫該存儲單元一個位元組的數據，，，怎麼計算
其實70ns不是你那樣計算的
在進行存儲器讀操作時，從給出讀取命令到所需要的信息穩定在MDR（存儲數據寄存器）的輸出端之間的時間間斷，這個就是「存取時間」。
而這個不是以一個位元組來衡量的，它一般是以計算機的字長
如果你關系的什麼讀取和寫入的速度，可以通過一些軟體來測量
比如說：EVEREST Ultimate.
就說這么多了
3. 晶元存儲容量計算
晶元容量=2的地址線位數次方 乘以 數據線位數
比如地址線8位，數據線4位 晶元容量就是2的8次方乘以4=1024位
4. DS12C887晶元如何存儲上次上電時的日期時間
DS12C887中帶有128位元組RAM，其中11位元組用來存儲時間信息，4位元組RAM用來存儲DS12C887的控制信息，稱為控制寄存器，113位元組RAM供用戶使用。
作為時鍾晶元，基本都是使用晶振來進行時間的計算，然後內部帶有一個電池，所以不是斷電之前保存當前日期時間，而是它晶元內部的始終在運行
5. 電子元器件的儲存時間是多久
跟溫度，濕度和包裝的密封性都有關系。其中，濕度和密封性主要影響可焊性。 表面氧化對插座和開關等機械接觸的器件影響非常大，尤其是帶金手指的高頻插座。對於其他直插件影響要小些，這類器件要氧化的相當嚴重才會影響焊接。對應貼片件而言，引腳越小，表面氧化的影響越大。IC引腳氧化可以用清洗劑清洗或者手工補焊，但是這種處理很繁瑣，工藝性比較差。BGA如果焊點氧化，有可能會需要重新植球。 民用級一般是3到5年，這個時間是指其可以可靠使用的時間。 電阻和陶瓷電容放的久些。 集成度高的IC，放的要短些，因為集成度越高，原子的熱運動對特性的影響越大，時間久了熱擴散會破壞IC的內部結構。 電解電容放的時間也比較短，時間久了電解液會幹掉。
6. 晶元的VCC上電時間怎麼測量啊
如果需要的話只能用有記憶功能的液晶示波器（上萬塊錢呢，挺貴的），這個可以測得出來，其他的恐怕都不行。上電時間很短的，如果輸入沒有電容的話幾乎可以忽略。
7. 領存的快閃記憶體晶元數據能保存多長時間
在很多快閃記憶體晶元都是TLC的，不是很穩定。長時間存儲數據，最好選擇slc或者MLC晶元，壽命和穩定性高一點。
工具/原料
快閃記憶體
方法/步驟
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一般情況下快閃記憶體設計壽命是10年左右，u盤或者固態硬碟不要放在高溫的地方，因為高溫會改變快閃記憶體的性質。
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SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快壽命長，價格超貴(約MLC 3倍以上的價格)，約10萬次擦寫壽命。
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MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價格一般，約3000---10000次擦寫壽命。
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TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash廠家叫8LC，速度慢壽命短，價格便宜，約500次擦寫壽命，目前還沒有廠家能做到1000次。
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可以看出三種快閃記憶體晶元都不是永久性的，因此無論如何，U盤都不適合用來做長期數據存儲的工具，即使你的U盤不讀寫，理論上保存數據的時間也就是10年左右。如果想長期保存數據，最好還是採用非SSD的硬碟或者光碟。
8. 快閃記憶體晶元數據一般能保存多少年
如果持續通電，可以保存10年，因為固態硬碟存儲數據靠的是電子，長時間不通電，電荷會一點點流失。所以要定期上電一次，一般為3～4個月。