60t存儲器組裝

1. 存儲器存儲容量怎麼算

存儲器的存儲容量的基本單位是位元組（Byte）。但由於目前存儲器的容量都很大，因此常用KB、MB、GB以及TB作為存儲容量的單位。

換算：

1B（byte，位元組）= 8 bit；

1KB（Kilobyte，千位元組）=1024B= 2^10 B；

1MB（Megabyte，兆位元組，百萬位元組，簡稱「兆」）=1024KB= 2^20 B；

1GB（Gigabyte，吉位元組，十億位元組，又稱「千兆」）=1024MB= 2^30 B；

1TB（Terabyte，萬億位元組，太位元組）=1024GB= 2^40 B；

1PB（Petabyte，千萬億位元組，拍位元組）=1024TB= 2^50 B；

1EB（Exabyte，百億億位元組，艾位元組）=1024PB= 2^60 B；

1ZB（Zettabyte，十萬億億位元組，澤位元組）=1024EB= 2^70 B。

(1)60t存儲器組裝擴展閱讀

Megabyte(MB)=1024KB相當於一則短篇小說的文字內容。

Gigabyte(GB)=1024MB相當於貝多芬第五樂章交響曲的樂譜內容。

Terabyte(TB)=1024GB相當於一家大型醫院中所有的X光圖片資訊量。

Petabyte(PB)=1024TB相當於50%的全美學術研究圖書館藏書資訊內容。

Exabyte (EB)=1024PB；5EB相當於至今全世界人類所講過的話語。

Zettabyte(ZB)=1024EB如同全世界海灘上的沙子數量總和。

Yottabyte(YB)=1024ZB相當於7000位人類體內的微細胞總和。

2. 存儲器的容量單位有哪些若內存的大小為256MB，則它有多少個位元組

存儲器的容量單位有：
1、Byte中文名位元組，簡寫為B；
2、KByte中文名千位元組，簡寫為KB；
3、Myte中文名兆位元組，簡寫為MB；
4、GByte中文名吉位元組，簡寫為GB；
5、TByte中文名太位元組，簡寫為TB；
進制換算：
1KB=1024B
1MB=1024KB
1GB=1024MB
1TB=1024GB
所以256MB=268435456B

3. 怎樣製作簡易24CXX存儲器讀寫工具

1、先買一個電腦列印機的列印線(兩端有插頭)；

4. 選用2764 EPROM 存儲晶元，設計一個64KB的程序存儲器，寫出設計步驟…

4.2參見p.106-107
匯流排操作指的是發生在匯流排上的某些特定操作，匯流排周期指的是完成一次特定匯流排操作所需的時間。對8088而言其典型的匯流排周期由 4個T狀態組成。PC/XT所採用的時鍾頻率為4.77MHz，每個T狀態的持續時間為210ns。如果CLK引腳接5MHz的時鍾信號，那麼每個T狀態的持續時間為200ns。

4.4解答：
當8088進行讀寫存儲器或I/O介面時，如果存儲器或I/O介面無法滿足CPU的讀寫時序（來不及提供或讀取數據時），需要CPU插入等待狀態TW。（在T3前沿檢測Ready信號，若無效則插入TW 。）
具體在讀寫匯流排周期的T3和T4之間插入TW。

4.6參見p.99，p.110
8088的某些輸出線有三種狀態：高電平、低電平、懸空(高阻態)，稱為三態能力。在高阻狀態，CPU放棄其了對該引腳的控制權，由連接它的設備接管。
具有三態能力的引腳有：AD7~AD0，A15~A8，A19/S6~A16/S3，ALE，IO/M*，WR*，RD*，DEN*，DT/R*。

4.11
匯流排周期 IO/M* WR* RD*
存儲器讀 低 高 低
存儲器寫 低 低 高
I/O讀 高 高 低
I/O寫 高 低 高

4.12 答：
取該指令時引發存儲器讀匯流排操作。執行該指令時引發I/O讀匯流排操作。（時序圖略）

4.13 8088系統最小組態下，對指令ADD [2000H]，AX （長度3B）。
答：取該指令時需要3個匯流排周期，均為存儲器讀周期。
執行該指令時需要4個匯流排周期，2個為存儲器讀匯流排周期（讀出字操作數參與運算），2個為存儲器寫匯流排周期（保存16位運算結果）。

4.15 參見p.106圖
74LS373 的G為電平鎖存引腳，控制選通且轉為無效時鎖存數據。
OE* 輸出允許引腳，信號來自ALE。

4.16 參見p.106圖
數據收發器74LS245 是8位雙向緩沖器，G*控制端為低電平有效，可傳輸數據；DIR控制導通方向：DIR＝1，A→B；DIR＝0，A←B。

4.17 參見p.111-112
歸納為：1、8086數據匯流排變為16位，數據地址線復用為AD15~AD0。
2、8086指令隊列程度變為6位元組長，當有2個位元組空才取下一指令。
3、8088引腳IO/M* ，8086變為M/IO*；
4、引腳SS0* 變為BHE*/S7，BHE* 的作用是使D15~D8有效。
5、8086存儲器組織為奇偶分塊，偶地址取字只要讀1次，奇地址取字需要讀兩次。
6、I/O埠大都採用偶地址，目的是引導8位數據到低8位匯流排AD7~AD0上，以提高效率。

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5.1
Cache、主存和輔存的作用——參見 p.120～121
虛擬存儲器——參見p.121
在CPU看來，訪問主存和訪問輔存有什麼不同？
訪問主存：通過存儲器訪問機器指令，按字隨機訪問。
訪問輔存：通過操作系統，按塊順序訪問。

5.2 在半導體存儲器中，RAM指的是 隨機存取存儲器 ，它可讀可寫，但斷電後信息一般會 丟失 ；而ROM指的是 只讀存儲器 ，正常工作時只能從中 讀取 信息，但斷電後信息 不會丟失 。以EPROM晶元2764為例，其存儲容量為8K×8位，共有 8 條數據線和 13 條地址線。用它組成64KB的ROM存儲區共需 8 片2764晶元。

5.4 一個容量為4K×4位的假想RAM存儲晶元，他應該有多少根地址線引腳和多少根數據線引腳？如果讓你來進行設計，那麼它還需要哪些控制引腳？這些引腳分別起什麼樣的控製作用？
解答：
4K×4的晶元應該有12根地址線引腳和4根數據線引腳。
控制引腳應該有：
讀取信號OE*：有效時，表示讀取存儲單元的數據
寫入信號WE*：有效時，表示將數據寫入存儲單元
片選信號CS*：有效時，表示選中該晶元，可以進行讀寫操作。

5.7 什麼是存儲晶元的位擴充和地址擴充?採用靜態RAM的晶元2114（1K*4位）或動態RAM的晶元4116（16K*1位）來組成32KB的RAM存儲區，請問各需要多少晶元？在位方向和地址方向各需要進行什麼樣的擴充？
解答：（參見p.140） 使用多個晶元來擴充存儲數據位的寬度，稱為位擴充。
採用多個晶元在地址方向上進行擴充，稱為地址擴充或字擴充。
用SRAM 2114組成32KBRAM存儲區：2片為一組，得1KB，所以組成32KB就要32組，共需要64片SRAM 2114。
用DRAM 4116組成32KBRAM存儲區：8片為一組，得16KB，所以組成32KB只要2組，共需要16片DRAM 4116。
機床作為機械製造業的重要基礎裝備，它的發展一直引起人們的關注，由於計算機技術的興起，促使機床的控制信息出現了質的突破，導致了應用數字化技術進行柔性自動化控制的新一代機床－數控機床的誕生和發展。計算機的出現和應用，為人類提供了實現機械加工工藝過程自動化的理想手段。隨著計算機的發展，數控機床也得到迅速的發展和廣泛的應用，同時使人們對傳統的機床傳動及結構的概念發生了根本的轉變。數控機床以其優異的性能和精度、靈捷而多樣化的功能引起世人矚目，並開創機械產品向機電一體化發展的先河。 數控機床是以數字化的信息實現機床控制的機電一體化產品，它把刀具和工件之間的相對位置，機床電機的啟動和停止，主軸變速，工件松開和夾緊，刀具的選擇，冷卻泵的起停等各種操作和順序動作等信息用代碼化的數字記錄在控制介質上，然後將數字信息送入數控裝置或計算機，經過解碼，運算，發出各種指令控制機床伺服系統或其它的執行元件，加工出所需的工件。 數控機床與普通機床相比，其主要有以下的優點： 1. 適應性強，適合加工單件或小批量的復雜工件； 在數控機床上改變加工工件時，只需重新編制新工件的加工程序，就能實現新工件加工。 2. 加工精度高； 3. 生產效率高； 4. 減輕勞動強度，改善勞動條件； 5. 良好的經濟效益； 6. 有利於生產管理的現代化。 數控機床已成為我國市場需求的主流產品，需求量逐年激增。我國數控機機床近幾年在產業化和產品開發上取得了明顯的進步，特別是在機床的高速化、多軸化、復合化、精密化方面進步很大。但是，國產數控機床與先進國家的同類產品相比，還存在差距，還不能滿足國家建設的需要。 我國是一個機床大國，有三百多萬台普通機床。但機床的素質差，性能落後，單台機床的平均產值只有先進工業國家的1/10左右，差距太大，急待改造。 舊機床的數控化改造，顧名思義就是在普通機床上增加微機控制裝置，使其具有一定的自動化能力，以實現預定的加工工藝目標。 隨著數控機床越來越多的普及應用，數控機床的技術經濟效益為大家所理解。在國內工廠的技術改造中，機床的微機數控化改造已成為重要方面。許多工廠一面購置數控機床一面利用數控、數顯、PC技術改造普通機床，並取得了良好的經濟效益。我國經濟資源有限，國家大，機床需要量大，因此不可能拿出相當大的資金去購買新型的數控機床，而我國的舊機床很多，用經濟型數控系統改造普通機床，在投資少的情況下，使其既能滿足加工的需要，又能提高機床的自動化程度，比較符合我國的國情。 1984年，我國開始生產經濟型數控系統，並用於改造舊機床。到目前為止，已有很多廠家生產經濟型數控系統。可以預料，今後，機床的經濟型數控化改造將迅速發展和普及。所以說，本畢業設計實例具有典型性和實用性。 第二章 總體方案的設計 2.1 設計任務 本設計任務是對CA6140普通車床進行數控改造。利用微機對縱、橫向進給系統進行開環控制，縱向（Z向）脈沖當量為0.01mm/脈沖，橫向（X向）脈沖當量為0.005mm/脈沖，驅動元件採用步進電機，傳動系統採用滾珠絲杠副，刀架採用自動轉位刀架。 2.2 總體方案的論證 對於普通機床的經濟型數控改造，在確定總體設計方案時，應考慮在滿足設計要求的前提下，對機床的改動應盡可能少，以降低成本。 （1）數控系統運動方式的確定 數控系統按運動方式可分為點位控制系統、點位直線控制系統、連續控制系統。由於要求CA6140車床加工復雜輪廓零件，所以本微機數控系統採用兩軸聯動連續控制系統。 （2）伺服進給系統的改造設計 數控機床的伺服進給系統有開環、半閉環和閉環之分。 因為開環控制具有結構簡單、設計製造容易、控制精度較好、容易調試、價格便宜、使用維修方便等優點。所以，本設計決定採用開環控制系統。 （3）數控系統的硬體電路設計 任何一個數控系統都由硬體和軟體兩部分組成。硬體是數控系統的基礎，性能的好壞直接影響整體數控系統的工作性能。有了硬體，軟體才能有效地運行。 在設計的數控裝置中，CPU的選擇是關鍵，選擇CPU應考慮以下要素： 1. 時鍾頻率和字長與被控對象的運動速度和精度密切相關； 2. 可擴展存儲器的容量與數控功能的強弱相關； 3. I/O口擴展的能力與對外設控制的能力相關。 除此之外，還應根據數控系統的應用場合、控制對象以及各種性能、參數要求等，綜合起來考慮以確定CPU。在我國，普通機床數控改造方面應用較普遍的是Z80CPU和MCS-51系列單片機，主要是因為它們的配套晶元便宜，普及性、通用性強，製造和維修方便，完全能滿足經濟型數控機床的改造需要。本設計中是以MCS-51系列單片機，51系列相對48系列指令更豐富，相對96系列價格更便宜，51系列中，是無ROM的8051，8751是用EPROM代替ROM的8051。目前，工控機中應用最多的是8031單片機。本設計以8031晶元為核心，增加存儲器擴展電路、介面和面板操作開關組成的控制系統。 2.3 總體方案的確定 經總體設計方案的論證後，確定的CA6140車床經濟型數控改造示意圖如圖所示。CA6140車床的主軸轉速部分保留原機床的功能，即手動變速。車床的縱向（Z軸）和橫向（X軸）進給運動採用步進電機驅動。由8031單片機組成微機作為數控裝置的核心，由I/O介面、環形分配器與功率放大器一起控制步進電機轉動，經齒輪減速後帶動滾珠絲杠轉動，從而實現車床的縱向、橫向進給運動。刀架改成由微機控制的經電機驅動的自動控制的自動轉位刀架。為保持切削螺紋的功能，必須安裝主軸脈沖發生器，為此採用主軸靠同步齒形帶使脈沖發生器同步旋轉，發出兩路信號：每轉發出的脈沖個數和一個同步信號，經隔離電路以及I/O介面送給微機。如圖2－1所示： 第三章 微機數控系統硬體電路設計 3.1微機數控系統硬體電路總體方案設計 本系統選用8031CPU作為數控系統的中央處理機。外接一片2764EPROM，作為監控程序的程序存儲器和存放常用零件的加工程序。再選用一片6264RAM用於存放需要隨機修改的零件程序、工作參數。採用解碼法對擴展晶元進行定址，採用74LS138解碼器完成此功能。8279作為系統的輸入輸出口擴展，分別接鍵盤的輸入、輸出顯示，8255接步進電機的環形分配器，分別並行控制X軸和Z軸的步進電機。另外，還要考慮機床與單片機之間的光電隔離，功率放大電路等。其硬體框圖如圖3－1所示： 圖3－2 8031晶元內部結構圖 各引腳功能簡要介紹如下： ⒈ 源引腳 VSS：電源接地端。 VCC：＋5V電源端。 ⒉ 輸入/輸出（I/O）口線 8031單片機有P0、P1、P2、P3 4個埠，每個埠8根I/O線。當系統擴展外部存儲器時，P0口用來輸出低8位並行數據，P2口用來輸出高8位地址，P3口除可作為一個8位準雙向並行口外，還具有第二功能，各引腳第二功能定義如下： P3.0 RXD：串列數據輸入端。 P3.1 TXD：串列數據輸出端 P3.2 INT0：外部中斷0請求信號輸入端。 P3.3 INT1：外部中斷1請求信號輸入端。 P3.4 T0：定時器/計數器0外部輸入端 P3.5 T1：定時器/計數器1外部輸入端 P3.6 WR：外部數據存儲器寫選通。 P3.7 RD：外部數據存儲器讀選通。 在進行第二功能操作前，對第二功能的輸出鎖存器必須由程序置1。 ⒊ 信號控制線 RST/VPD：RST為復位信號線輸入引腳，在時鍾電路工作以後，該引腳上出現兩個機器周期以上的高電平，完成一次復位操作。 8031單片機採用兩種復位方式：一種是加電自動復位，另一種為開關復位。 ALE/PROG：ALE是地址鎖存允許信號。它的作用是把CPU從P0口分時送出的低8位地址鎖存在一個外加的鎖存器中。 ：外部程序存儲器讀選通信號。當其為低電平時有效。

VPP：當EA為高電平且PC值小於0FFFH時CPU執行內部程序存儲器中的程序。當EA為低電平時，CPU僅執行外部程序存儲器中的程序。 XTAL1：震盪器的反相放大器輸入，使用外部震盪器時必須接地； XTAL2：震盪器的反相放大器輸出，使用外部震盪器時，接收外圍震盪信號； （2）片外三匯流排結構 單片機在實際應用中，常常要擴展外部存儲器、I/O口等。單片機的引腳，除了電源、復位、時鍾輸入以及用戶I/O口外，其餘的引腳都是為了實現系統擴展而設置的，這些引腳構成了三匯流排形式： ⒈ 地址匯流排AB 地址匯流排寬度為16位。因此，外部存儲器直接定址范圍為64KB。由P0口經地址鎖存器提供16位地址匯流排的低8位地址（A7～A0），P2口直接提供高8位地址（A15～A8）。 ⒉ 數據匯流排DB 數據匯流排寬度為8位，由P0口提供。 ⒊ 控制匯流排CB 控制匯流排由第二功能狀態下的P3口和4根獨立的控制線RST、EA、ALE和PSEN組成。其引腳圖如圖3－3所示： 3.1.2 8255A可編程並行I/O口擴展晶元 8255A可編程並行I/O口擴展晶元可以直接與MCS系列單片機系統匯流排連接，它具有三個8位的並行I/O口，具有三種工作方式，通過編程能夠方便地採用無條件傳送、查詢傳送或中斷傳送方式完成CPU與外圍設備之間的信息交換。8255A的結構及引腳功能： 1、 8255A的結構 8255A的內部結構如圖3－4所示。其中包括三個8位並行數據I/O埠，二個工作方式控制電路，一個讀/寫控制邏輯電路和一個8位數據匯流排緩沖器。各部分功能介紹如下： （1） 三個8位並行I/O埠A、B、C A口：具有一個8位數據輸出鎖存/緩沖器和一個8位數據輸入鎖存器。可編程為8位輸入、或8位輸出、或8位雙向寄存器。B口：具有一個8位數據輸出鎖存/緩沖器和一個8位輸入或輸出寄存器，但不能雙向輸入/輸出。C口：具有一個8位數據輸出鎖存/緩沖器和一個8位數據輸入緩沖器，C口可分作兩個4位口，用於輸入或輸出，也可作為A口和B口選通方式工作時的狀態控制信號。 （2） 工作方式控制電路 A、B兩組控制電路把三個埠分成A、B兩組，A組控制A口各位和C口高四位，B組控制B口各位和C口低四位。兩組控制電路各有一個控制命令寄存器，用來接收由CPU寫入的控制字，以決定兩組埠的工作方式。也可根據控制字的要求對C口按位清「0」或置「1」。 （3） 讀/寫控制邏輯電路 它接收來自CPU的地址信號及一些控制信號，控制各個口的工作狀態。 （4） 數據匯流排緩沖器 它是一個三態雙向緩沖器，用於和系統的數據匯流排直接相連，以實現CPU和8255A之間信息的傳送。

5. 公司決定更換存儲伺服器，7T左右的圖片文件不知道要採取什麼存儲器

這個方式有兩種比解容易接受的。1、購買存儲伺服器，跟現在的方式一樣。找個好點兒的廠家，如果我來做的話，加上16塊1TB的硬碟，全下來不到四W.
2、就是在咱們現有的機器上單接磁碟陣列。一個15盤位的磁碟陣列上滿1TB硬碟。要26000左右。

也可以考慮用NAS 但是傳輸速度上有些慢，不過大家用起來就方便多了。用NAS16盤位的，加上硬碟和存儲伺服器差不多價格。個人覺得，存儲伺服器性能好。

6. 怎麼把若干存儲器晶元4k×4,把它組裝成16k×16存儲器，用紙筆畫出來

先構成16位數據，自然需要4個晶元，組成一組，地址線、讀寫控制線、片選線等對應並聯；

7. 閃速存儲器的結構圖

閃速存儲器 NOR技術 DINOR技術 NAND技術 UltraNAND技術

一、 閃速存儲器的特點
閃速存儲器（Flash Memory）是一類非易失性存儲器NVM（Non-Volatile Memory）即使在供電電源關閉後仍能保持片內信息；而諸如DRAM、SRAM這類易失性存儲器，當供電電源關閉時片內信息隨即丟失。 Flash Memory集其它類非易失性存儲器的特點：與EPROM相比較，閃速存儲器具有明顯的優勢——在系統電可擦除和可重復編程，而不需要特殊的高電壓（某些第一代閃速存儲器也要求高電壓來完成擦除和/或編程操作）；與EEPROM相比較，閃速存儲器具有成本低、密度大的特點。其獨特的性能使其廣泛地運用於各個領域，包括嵌入式系統，如PC及外設、電信交換機、蜂窩電話、網路互聯設備、儀器儀表和汽車器件，同時還包括新興的語音、圖像、數據存儲類產品，如數字相機、數字錄音機和個人數字助理（PDA）。
二、 閃速存儲器的技術分類
全球閃速存儲器的主要供應商有AMD、ATMEL、Fujistu、Hitachi、Hyundai、Intel、Micron、Mitsubishi、Samsung、SST、SHARP、TOSHIBA，由於各自技術架構的不同，分為幾大陣營。
1、NOR技術
NOR
NOR技術（亦稱為Linear技術）閃速存儲器是最早出現的Flash Memory，目前仍是多數供應商支持的技術架構。它源於傳統的EPROM器件，與其它Flash Memory技術相比，具有可*性高、隨機讀取速度快的優勢，在擦除和編程操作較少而直接執行代碼的場合，尤其是純代碼存儲的應用中廣泛使用，如PC的BIOS固件、行動電話、硬碟驅動器的控制存儲器等。
NOR技術Flash Memory具有以下特點：（1） 程序和數據可存放在同一晶元上，擁有獨立的數據匯流排和地址匯流排，能快速隨機讀取，允許系統直接從Flash中讀取代碼執行，而無需先將代碼下載至RAM中再執行；（2） 可以單位元組或單字編程，但不能單位元組擦除，必須以塊為單位或對整片執行擦除操作，在對存儲器進行重新編程之前需要對塊或整片進行預編程和擦除操作。由於NOR技術Flash Memory的擦除和編程速度較慢，而塊尺寸又較大，因此擦除和編程操作所花費的時間很長，在純數據存儲和文件存儲的應用中，NOR技術顯得力不從心。不過，仍有支持者在以寫入為主的應用，如CompactFlash卡中繼續看好這種技術。
Intel公司的StrataFlash家族中的最新成員——28F128J3，是迄今為止採用NOR技術生產的存儲容量最大的閃速存儲器件，達到128Mb（位），對於要求程序和數據存儲在同一晶元中的主流應用是一種較理想的選擇。該晶元採用0.25μm製造工藝，同時採用了支持高存儲容量和低成本的MLC技術。所謂MLC技術（多級單元技術）是指通過向多晶硅浮柵極充電至不同的電平來對應不同的閾電壓，代表不同的數據，在每個存儲單元中設有4個閾電壓(00/01/10/11），因此可以存儲2b信息；而傳統技術中，每個存儲單元只有2個閾電壓（0/1），只能存儲1b信息。在相同的空間中提供雙倍的存儲容量，是以降低寫性能為代價的。Intel通過採用稱為VFM（虛擬小塊文件管理器）的軟體方法將大存儲塊視為小扇區來管理和操作，在一定程度上改善了寫性能，使之也能應用於數據存儲中。
DINOR
DINOR(Divided bit-line NOR)技術是Mitsubishi與Hitachi公司發展的專利技術，從一定程度上改善了NOR技術在寫性能上的不足。DINOR技術Flash Memory和NOR技術一樣具有快速隨機讀取的功能，按位元組隨機編程的速度略低於NOR，而塊擦除速度快於NOR。這是因為NOR技術Flash Memory編程時，存儲單元內部電荷向晶體管陣列的浮柵極移動，電荷聚集，從而使電位從1變為0；擦除時，將浮柵極上聚集的電荷移開，使電位從0變為1。而DINOR技術Flash Memory在編程和擦除操作時電荷移動方向與前者相反。DINOR技術Flash Memory在執行擦除操作時無須對頁進行預編程，且編程操作所需電壓低於擦除操作所需電壓，這與NOR技術相反。
盡管DINOR技術具有針對NOR技術的優勢，但由於自身技術和工藝等因素的限制，在當前閃速存儲器市場中，它仍不具備與發展數十年，技術、工藝日趨成熟的NOR技術相抗衡的能力。目前DINOR技術Flash Memory的最大容量達到64Mb。Mitsubishi公司推出的DINOR技術器件——M5M29GB/T320，採用Mitsubishi和Hitachi的專利BGO技術，將閃速存儲器分為四個存儲區，在向其中任何一個存儲區進行編程或擦除操作的同時，可以對其它三個存儲區中的一個進行讀操作，用硬體方式實現了在讀操作的同時進行編程和擦除操作，而無須外接EEPROM。由於有多條存取通道，因而提高了系統速度。該晶元採用0.25μm製造工藝，不僅快速讀取速度達到80ns，而且擁有先進的省電性能。在待機和自動省電模式下僅有0�33μW功耗，當任何地址線或片使能信號200ns保持不變時，即進入自動省電模式。對於功耗有嚴格限制和有快速讀取要求的應用，如數字蜂窩電話、汽車導航和全球定位系統、掌上電腦和頂置盒、攜帶型電腦、個人數字助理、無線通信等領域中可以一展身手。
2、NAND技術
NAND
Samsung、TOSHIBA和Fujistu支持NAND技術Flash Memory。這種結構的閃速存儲器適合於純數據存儲和文件存儲，主要作為SmartMedia卡、CompactFlash卡、PCMCIA ATA卡、固態盤的存儲介質，並正成為閃速磁碟技術的核心。
NAND技術Flash Memory具有以下特點：（1） 以頁為單位進行讀和編程操作，1頁為256或512B（位元組）；以塊為單位進行擦除操作，1塊為4K、8K或16KB。具有快編程和快擦除的功能，其塊擦除時間是2ms；而NOR技術的塊擦除時間達到幾百ms。（2） 數據、地址採用同一匯流排，實現串列讀取。隨機讀取速度慢且不能按位元組隨機編程。（3） 晶元尺寸小，引腳少，是位成本(bit cost)最低的固態存儲器，將很快突破每兆位元組1美元的價格限制。（4） 晶元包含有失效塊，其數目最大可達到3~35塊（取決於存儲器密度）。失效塊不會影響有效塊的性能，但設計者需要將失效塊在地址映射表中屏蔽起來。 Samsung公司在1999年底開發出世界上第一顆1Gb NAND技術閃速存儲器。據稱這種Flash Memory可以存儲560張高解析度的照片或32首CD質量的歌曲，將成為下一代攜帶型信息產品的理想媒介。Samsung採用了許多DRAM的工藝技術，包括首次採用0.15μm的製造工藝來生產這顆Flash。已經批量生產的K9K1208UOM採用0.18μm工藝，存儲容量為512Mb。
UltraNAND
AMD與Fujistu共同推出的UltraNAND技術，稱之為先進的NAND閃速存儲器技術。它與NAND標准兼容：擁有比NAND技術更高等級的可*性；可用來存儲代碼，從而首次在代碼存儲的應用中體現出NAND技術的成本優勢；它沒有失效塊，因此不用系統級的查錯和校正功能，能更有效地利用存儲器容量。
與DINOR技術一樣，盡管UltraNAND技術具有優勢，但在當前的市場上仍以NAND技術為主流。UltraNAND 家族的第一個成員是AM30LV0064，採用0.25μm製造工藝，沒有失效塊，可在至少104次擦寫周期中實現無差錯操作，適用於要求高可*性的場合，如電信和網路系統、個人數字助理、固態盤驅動器等。研製中的AM30LV0128容量達到128Mb，而在AMD的計劃中UltraNAND技術Flash Memory將突破每兆位元組1美元的價格限制，更顯示出它對於NOR技術的價格優勢。
3、AND技術
AND技術是Hitachi公司的專利技術。Hitachi和Mitsubishi共同支持AND技術的Flash Memory。AND技術與NAND一樣採用「大多數完好的存儲器」概念，目前，在數據和文檔存儲領域中是另一種占重要地位的閃速存儲技術。
Hitachi和Mitsubishi公司採用0.18μm的製造工藝，並結合MLC技術，生產出晶元尺寸更小、存儲容量更大、功耗更低的512Mb-AND Flash Memory，再利用雙密度封裝技術DDP（Double Density Package Technology），將2片512Mb晶元疊加在1片TSOP48的封裝內，形成一片1Gb晶元。HN29V51211T具有突出的低功耗特性，讀電流為2mA，待機電流僅為1μA，同時由於其內部存在與塊大小一致的內部RAM 緩沖區，使得AND技術不像其他採用MLC的閃速存儲器技術那樣寫入性能嚴重下降。Hitachi公司用該晶元製造128MB的MultiMedia卡和2MB的PC-ATA卡，用於智能電話、個人數字助理、掌上電腦、數字相機、攜帶型攝像機、攜帶型音樂播放機等。
4、由EEPROM派生的閃速存儲器
EEPROM具有很高的靈活性，可以單位元組讀寫（不需要擦除，可直接改寫數據），但存儲密度小，單位成本高。部分製造商生產出另一類以EEPROM做閃速存儲陣列的Flash Memory，如ATMEL、SST的小扇區結構閃速存儲器（Small Sector Flash Memory）和ATMEL的海量存儲器（Data-Flash Memory）。這類器件具有EEPROM與NOR技術Flash Memory二者折衷的性能特點：（1） 讀寫的靈活性遜於EEPROM，不能直接改寫數據。在編程之前需要先進行頁擦除，但與NOR技術Flash Memory的塊結構相比其頁尺寸小，具有快速隨機讀取和快編程、快擦除的特點。（2） 與EEPROM比較，具有明顯的成本優勢。（3） 存儲密度比EEPROM大，但比NOR技術Flash Memory小，如Small Sector Flash Memory的存儲密度可達到4Mb，而32Mb的DataFlash Memory晶元有試用樣品提供。正因為這類器件在性能上的靈活性和成本上的優勢，使其在如今閃速存儲器市場上仍佔有一席之地。
Small Sector Flash Memory採用並行數據匯流排和頁結構（1頁為128或256B），對頁執行讀寫操作，因而既具有NOR技術快速隨機讀取的優勢，又沒有其編程和擦除功能的缺陷，適合代碼存儲和小容量的數據存儲，廣泛地用以替代EPROM。
DataFlash Memory是ATMEL的專利產品，採用SPI串列介面，只能依次讀取數據，但有利於降低成本、增加系統的可*性、縮小封裝尺寸。主存儲區採取頁結構。主存儲區與串列介面之間有2個與頁大小一致的SRAM數據緩沖區。特殊的結構決定它存在多條讀寫通道：既可直接從主存儲區讀，又可通過緩沖區從主存儲區讀或向主存儲區寫，兩個緩沖區之間可以相互讀或寫，主存儲區還可藉助緩沖區進行數據比較。適合於諸如答錄機、尋呼機、數字相機等能接受串列介面和較慢讀取速度的數據或文件存儲應用。

8. 什麼存儲器存儲容量最大

存儲器存儲容量最大的肯定是普通的磁碟存儲器，也就是普通的IDE硬碟的存儲器。現在幾個T的都有，其他存儲器望塵莫及。

9. 硬碟存儲器由什麼組成

硬碟存儲器主要由硬磁碟、硬碟驅動器和硬碟控制器等三部分組成。驅動器和控制器部分與軟盤存儲器相似。這里只介紹一下硬磁碟。

硬磁碟又稱硬碟（Hard disk），它是在金屬基片上塗一層磁性材料製成的。目前微機上都採用IBM公司的溫徹斯特技術的硬碟，簡稱溫盤。

微機一般使用5英寸或3英寸的硬碟，並且通常將幾個碟片以驅動器軸為軸線組裝在一起，稱為盤組。每個碟片都有一個磁頭。每個盤面上的磁軌都是同心圓，所有盤面上的同心圓就組成許多圓柱面。因此在硬碟中不稱磁軌而稱柱面，數據的存儲地址由柱面號、磁頭號和扇區號確定。硬碟的存儲容量通常為幾十兆至幾百兆位元組，目前已有1GB、4GB的硬碟。

硬碟的盤組與驅動器組裝在一個固定的密封容器中，能夠防塵並調節溫濕度。硬碟驅動器的磁頭不像軟盤驅動器那樣直接與盤面接觸，而是利用硬碟高速旋轉（比軟盤轉速高許多）產生的「氣墊」，懸浮在距盤面0.2μ的距離，因此不易劃傷盤面，磁頭損耗也大大降低。

10. 25系列存儲器代換原則

摘要 25系列存儲晶元已經廣泛應用於液晶電視、液晶顯示器、主板、筆記本、衛星接收機等產品，用於儲存固件程序或者產品數據，維修行業沿襲舊稱，也把此晶元稱之為8腳BIOS晶元，維修過程中經常需要對此晶元進行讀取或者擦寫等操作。