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自動存儲器和靜態存儲

發布時間: 2023-03-30 14:44:54

A. 計算機中的靜態RAM和動態RAM有什麼區別

區別:動態RAM會周期性的刷新,靜態RAM不進行刷新

1、靜態RAM,指SRAM:只要有供電,它保存的數據就不會丟失,且為高速存儲器,如CPU中的高速緩存(cache)

2、動態RAM,指DRAM:有供電,還要根據它要求的刷新時間參數,才能保持存儲的數據不丟失,如電腦中的內存條

拓展:

1、靜態隨機存取存儲器(SRAM)是隨機存取存儲器的一種。所謂的「靜態」,是指這種存儲器只要保持通電,裡面儲存的數據就可以恆常保持。相對之下,動態隨機存取存儲器裡面所儲存的數據就需要周期性地更新。然而,當電力供應停止時,SRAM儲存的數據還是會消失。

2、DRAM,即動態隨機存取存儲器,最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據,DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。

B. 什麼是靜態存儲器什麼是動態存儲器

靜態存儲器(SRAM):讀寫速度快,成本高,需要電源才能工作,斷電信息將丟失,多用於容量較小的高速緩沖存儲器.
動態存儲器(DRAM):讀寫速度較慢,集成度高,成本低,要求配置動態刷新電路,多用於容量較大的主存儲器.

C. 什麼是靜態存儲區和動態存儲區啊

1. 全局變數和靜態數據放在靜態存儲區,生命周期為從申請到程序退出。因此局部變數若定義為static,則存儲在靜態存儲區,否則存儲在函數的棧內,生命周期為本函數內。
2 動態存儲放自動變數和局部變數

D. 何為靜態存儲器、動態存儲器,它們的區別是什麼

靜態存儲器與動態存儲器主要性能比較如下表:
靜態和動態存儲器晶元特性比較
SRAM DRAM
存儲信息 觸發器 電容
破壞性讀出 非 是
需要刷新 不要 需要
送行列地址 同時送 分兩次送
運行速度 快 慢
集成度 低 高
發熱量 大 小
存儲成本 高 低
動態存儲器的定期刷新:在不進行讀寫操作時,DRAM 存儲器的各單元處於斷電狀態,由於漏電的存在,保存在電容CS 上的電荷會慢慢地漏掉,為此必須定時予以補充,稱為刷新操作

E. 動態存儲器和靜態存儲器哪個快

靜態存儲器快
靜態RAM是靠雙穩態觸發器來記憶信息的;動態RAM是靠MOS電路中的柵極電容來記憶信息的。
由於電容上的電荷會泄漏,需要定時給與補充,所以動態RAM需要設置刷新電路。但動態RAM比靜態RAM集成度高、功耗低,從而成本也低,適於作大容量存儲器。
所以主內存通常採用動態RAM,而高速緩沖存儲器(Cache)則使用靜態RAM。
另外,內存還應用於顯卡、音效卡及CMOS等設備中,用於充當設備緩存或保存固定的程序及數據。

F. c++類的問題:創建靜態存儲類對象和自動存儲類對象有什麼區別能舉例說明嗎謝謝

靜態的定義後就分配存儲空間了,直到整個程序結束才釋放。而動態的就比較靈活,隨用隨分配,不用不分配。

G. 靜態存儲和動態存儲的區別

1. 靜態內存

靜態內存是指在程序開始運行時由編譯器分配的內存,它的分配是在程序開始編譯時完成的,不佔用CPU資源。

程序中的各種變數,在編譯時系統已經為其分配了所需的內存空間,當該變數在作用域內使用完畢時,系統會

自動釋放所佔用的內存空間。

變數的分配與釋放,都無須程序員自行考慮。

基本類型,數組

2. 動態內存

用戶無法確定空間大小,或者空間太大,棧上無法分配時,會採用動態內存分配。

  • 處理器不工作,電腦什麼都做不了。

    處理器的工作就是處理指令(多條指令就構成一個程序)。

    處理器從內存中取指令集(程序)。

    問題是如果斷電的話,內存中的指令就會丟失。因而內存歸類為「易失性」介質。

    所以我們要把程序、數據存儲在不易失性的介質中,比如硬碟和光碟。

H. 何為靜態存儲器,動態存儲器,它們的區別是什麼

靜態存儲器與動態存儲器主要性能比較如下表: 靜態和動態存儲器晶元特性比較 SRAM DRAM 存儲信息 觸發器 電容 破壞性讀出 非 是 需要刷新 不要 需要 送行列地址 同時送 分兩次送 運行速度 快 慢 集成度 低 高 發熱量 大 小

I. 靜態存儲器與動態存儲器的定義是什麼

靜態存儲器是指依靠雙穩態觸發器的兩個穩定狀態保存信息的存儲器。雙穩態電路是有源器件,需要電源才能工作,只要電源正常,就能長期穩定的保存信息,所以稱為靜態存儲器。如果斷電,信息將會丟失,屬於揮發性存儲器,或稱易失性。

動態存儲器是指在指定功能或應用軟體之間共享的存儲器。如果一個或兩個應用軟體佔用了所有存儲器空間,此時將無法為其他應用軟體分配存儲器空間。需要由存儲器控制電路按一定周期對存儲器刷新,才能維系數據保存。

(9)自動存儲器和靜態存儲擴展閱讀:

動態存儲器的工作原理

動態RAM是由許多基本存儲元按照行和列地址引腳復用來組成的。在3管動態RAM電路中,讀選擇線和寫選擇線是分開的,讀數據線和寫數據線也是分開的。

寫操作時,寫選擇線為"1",Q1導通,要寫入的數據通過Q1送到Q2的柵極,並通過柵極電容在一定時間內保持信息。

讀操作時,先通過公用的預充電管Q4使讀數據線上的分布電容CD充電,當讀選擇線為高電平有效時,Q3處於可導通的狀態。若原來存有"1",則Q2導通,讀數據線的分布電容CD通過Q3、Q2放電。此時讀得的信息為"0",正好和原存信息相反。

可見,對這樣的存儲電路,讀得的信息和原來存入的信息正好相反,所以要通過讀出放大器進行反向再送往數據匯流排。

J. 在c語言中靜態存儲單元與動態存儲單元有什麼區別

曬曬
靜態的內存使用的是棧空間內存,不用程序員自己來分配.動態內存由程序員根據需要來自己分配並收回.
最大的區別在於動態的內存分配時候會用new關鍵字或malloc或calloc函數,之所以要程序員自己來分配內存是由於有時候不能確定程序要使用多少內存,比如要通過用戶或者文件或者資料庫中的查詢結果來確定使用多少數據,這時候程序員無法在程序的編寫的時候就把內存給固定分配出來.這時候必須得讓程序在運行的時候自己來為自己找到可用的內存,就一定要用動態的方式來分配內存.
舉個例子,根據用戶的輸入一個整數來確定用戶要輸入的數組維數,這個整數不是一定確定的數值,我們可以用一個變數n來表示,並用它接受用戶的輸入,再根據n來生成一個整數數組.程序不能寫成int
array[n];的形式,這樣程序是不能編譯通過的,這是因為n是一個不確定的數值.只能用new或malloc來通過用戶的輸入來分配內存.可以寫成這樣:
int
n;
cout
<<
"input
n:";
cin
>>
n;
cout
<<
endl;
int*
iArray
=
new
int[n];
for
(int
i
=
0;
i
<
n;
i++)
{
cin
>>iArray[i];