㈠ DRAM，SDRAM和SRAM的區別
三者在數據存儲、體積、特點不同：
1、數據存儲不同：
SRAM不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。
而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內部的數據即會消失。
SDRAM有一個同步介面，在響應控制輸入前會等待一個時鍾信號，這樣就能和計算機的系統匯流排同步。時鍾被用來驅動一個有限狀態機，對進入的指令進行管線(Pipeline)操作。這使得SDRAM與沒有同步介面的非同步DRAM(asynchronous DRAM)相比，可以有一個更復雜的操作模式。
2、體積不同：
相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積。
同樣面積的矽片可以做出更大容量的DRAM。
SDRAM的體積結構已經很優化了。
3、特點不同：
SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，功耗較DRAM大 ，通常DRAM是有一個非同步介面的，這樣它可以隨時響應控制輸入的變化。
同步動態隨機存取內存（synchronous dynamic random-access memory，簡稱SDRAM）是有一個同步介面的動態隨機存取內存（DRAM）。
由於在現實中晶體管會有漏電電流的現象，導致電容上所存儲的電荷數量並不足以正確的判別數據，而導致數據毀損。因此對於DRAM來說，周期性地充電是一個無可避免的要件。由於這種需要定時刷新的特性，因此被稱為「動態」存儲器。
㈡ 什麼叫存儲晶元
◆存儲晶元（IC）的分類：
內存儲器按存儲信息的功能可分為隨機存儲器RAM(RandomAccess Memory)和只讀存儲器ROM(Read Only Memory)。 ROM中的信息只能被讀出，而不能被操作者修改或刪除，故一般用來存放固定的程序，如微機的管理、監控程序，匯編程序，以及存放各種表格等。
還有一種叫做可改寫的只讀存儲器EPROM(ErasaNe Pr。Brsmmable ROM)，和一般的RoM的不同點在於它可以用特殊裝置擯除和重寫它的內容，一般用於軟體的開發過程。
RAM就是我們常說的內存，它主要用來存放各種現場的輸入、輸出數據，中間計算結果，以及與外存交換信息和作堆棧用。它的存儲單元的內容按需要既可以讀出，也可以寫入或改寫。
由於RAM由電子器件組成，只能暫時存放正在運行的數據和程序，一旦關閉電源或掉電，其中的數據就會消失。RAM現在多為Mos型半導體電路，它分為靜態和動態兩種。
靜態RAM是靠雙穩態觸發器來記憶信息的；動態RAM是靠Mos電路中的柵極電容來記憶信息的。由於電容上電荷會泄漏，需要定時給予補充，所以動態RAM要設置刷新電路，但它比靜態RAM集成度高、功耗低，從而成本也低，適於作大容量存儲器。所以主內存通常採用動態RAM，而高速緩沖存儲器(Cache)則使用靜態RAM。
●存儲IC的特點，具有體積小，重量輕，引出線和焊接點少，壽命長，可靠性高，性能好等優點，同時成本低，便於大規模生產。
㈢ 介紹每級存儲器的作用和特點
每級存儲器的作用和特點：
二級緩存(L2 CACHE)是CPU(CPU)里邊的多個緩沖存儲器。它分里邊和外部兩種晶元：里邊的晶元二級緩存運行速度與主頻相同，而外部的二級緩存則僅有主頻的一半。
由於一級緩存容量的限制，為了再次提高CPU的運算速度，在CPU外部放置一高速存儲器，即二級緩存。
二級緩存工作主頻比較靈活，能與CPU同頻，也能不相同。CPU在讀取數據時，先在一級緩存中尋找，再從二級緩存尋找，之後是內存，在後是外存儲器。因此二級緩存對系統(System)的影響是不容忽視的。
存儲器MAINmemory簡稱主存。是計算機的1個重要部件，其作用是存放指令和數據，並能由中央CPU(CPU)(CPU)直接隨機存取。現代計算機是為了提高性能，又能兼顧合理的造價，往往採用多級存儲體系。即由存儲容量小，存取速度高的高速緩沖存儲器，存儲容量和存取速度適中的主存儲器是必不成少的。
主存儲器是按地址存放信息的，存取速度一般與地址無關。32位(比特)的地址最大能表達4GB的存儲器地址。這樣個對多數應用剛剛足夠，但對於某些特大運算量的應用和特大型資料庫已顯得不夠，從面對64位結構提出要要。
㈣ 存儲器的分類及其各自的特點
存儲器（Memory）是現代信息技術中用於保存信息的記憶設備。其概念很廣，有很多層次，在數字系統中，只要能保存二進制數據的都可以是存儲器；在集成電路中，一個沒有實物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器，如RAM、FIFO等；在系統中，具有實物形式的存儲設備也叫存儲器，如內存條、TF卡等。計算機中全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器指定的位置存入和取出信息。有了存儲器，計算機才有記憶功能，才能保證正常工作。計算機中的存儲器按用途存儲器可分為主存儲器（內存）和輔助存儲器（外存），也有分為外部存儲器和內部存儲器的分類方法。外存通常是磁性介質或光碟等，能長期保存信息。內存指主板上的存儲部件，用來存放當前正在執行的數據和程序，但僅用於暫時存放程序和數據，關閉電源或斷電，數據會丟失。
存儲器的分類特點及其應用
在嵌入式系統中最常用的存儲器類型分為三類：
1．隨機存取的RAM;
2．只讀的ROM;
3．介於兩者之間的混合存儲器
1.隨機存儲器（Random Access Memory，RAM）
RAM能夠隨時在任一地址讀出或寫入內容。 RAM的優點是讀/寫方便、使用靈活；
RAM的缺點是不能長期保存信息，一旦停電，所存信息就會丟失。 RAM用於二進制信息的臨時存儲或緩沖存儲
2.只讀存儲器（Read-Only Memory，ROM）
ROM中存儲的數據可以被任意讀取，斷電後，ROM中的數據仍保持不變，但不可以寫入數據。
ROM在嵌入式系統中非常有用，常常用來存放系統軟體（如ROM BIOS）、應用程序等不隨時間改變的代碼或數據。
ROM存儲器按發展順序可分為：掩膜ROM、可編程ROM（PROM）和可擦寫可編程ROM（EPROM）。
3. 混合存儲器
混合存儲器既可以隨意讀寫，又可以在斷電後保持設備中的數據不變。混合存儲設備可分為三種：
EEPROM NVRAM FLASH
（1）EEPROM
EEPROM是電可擦寫可編程存儲設備，與EPROM不同的是EEPROM是用電來實現數據的清除，而不是通過紫外線照射實現的。
EEPROM允許用戶以位元組為單位多次用電擦除和改寫內容，而且可以直接在機內進行，不需要專用設備，方便靈活，常用作對數據、參數等經常修改又有掉電保護要求的數據存儲器。
（2） NVRAM
NVRAM通常就是帶有後備電池的SRAM。當電源接通的時候，NVRAM就像任何其他SRAM一樣，但是當電源切斷的時候，NVRAM從電池中獲取足夠的電力以保持其中現存的內容。
NVRAM在嵌入式系統中使用十分普遍，它最大的缺點是價格昂貴，因此，它的應用被限制於存儲僅僅幾百位元組的系統關鍵信息。
（3）Flash
Flash（閃速存儲器，簡稱快閃記憶體）是不需要Vpp電壓信號的EEPROM，一個扇區的位元組可以在瞬間（與單時鍾周期比較是一個非常短的時間）擦除。
Flash比EEPROM優越的方面是，可以同時擦除許多位元組，節省了每次寫數據前擦除的時間，但一旦一個扇區被擦除，必須逐個位元組地寫進去，其寫入時間很長。
存儲器工作原理
這里只介紹動態存儲器（DRAM）的工作原理。
工作原理
動態存儲器每片只有一條輸入數據線，而地址引腳只有8條。為了形成64K地址，必須在系統地址匯流排和晶元地址引線之間專門設計一個地址形成電路。使系統地址匯流排信號能分時地加到8個地址的引腳上，藉助晶元內部的行鎖存器、列鎖存器和解碼電路選定晶元內的存儲單元，鎖存信號也靠著外部地址電路產生。
當要從DRAM晶元中讀出數據時，CPU首先將行地址加在A0-A7上，而後送出RAS鎖存信號，該信號的下降沿將地址鎖存在晶元內部。接著將列地址加到晶元的A0-A7上，再送CAS鎖存信號，也是在信號的下降沿將列地址鎖存在晶元內部。然後保持WE=1，則在CAS有效期間數據輸出並保持。
當需要把數據寫入晶元時，行列地址先後將RAS和CAS鎖存在晶元內部，然後，WE有效，加上要寫入的數據，則將該數據寫入選中的存貯單元。
存儲器晶元
由於電容不可能長期保持電荷不變，必須定時對動態存儲電路的各存儲單元執行重讀操作，以保持電荷穩定，這個過程稱為動態存儲器刷新。PC/XT機中DRAM的刷新是利用DMA實現的。首先應用可編程定時器8253的計數器1，每隔1⒌12μs產生一次DMA請求，該請求加在DMA控制器的0通道上。當DMA控制器0通道的請求得到響應時，DMA控制器送出到刷新地址信號，對動態存儲器執行讀操作，每讀一次刷新一行。
㈤ 半導體存儲器的特點
半導體存儲器(semi-conctor memory)是一種以半導體電路作為存儲媒體的存儲器,內存儲器就是由稱為存儲器晶元的半導體集成電路組成。
按功能分類
按其功能可分為：隨機存取存儲器（簡稱RAM）和只讀存儲器（只讀ROM）
RAM包括DRAM（動態隨機存取存儲器）和SRAM（靜態隨機存取存儲器），當關機或斷電時，其中的 信息都會隨之丟失。 DRAM主要用於主存（內存的主體部分），SRAM主要用於高速緩存存儲器。
ROM 主要用於BIOS存儲器。
按其製造工藝
可分為：雙極晶體管存儲器和MOS晶體管存儲器。
按其存儲原理
可分為：靜態和動態兩種。
㈥ 主要的四種類型內部存儲器晶元是什麼
按照功能劃分，可以分為四種類型，主要是內存晶元、微處理器、標准晶元和復雜的片上系統（SoCs）。按照集成電路的類型來劃分，則可以分為三類，分別是數字晶元、模擬晶元和混合晶元。
從功能上看，半導體存儲晶元將數據和程序存儲在計算機和數據存儲設備上。隨機存取存儲器（RAM）晶元提供臨時的工作空間，而快閃記憶體晶元則可以永久保存信息，除非主動刪除這些信息。只讀存儲器（ROM）和可編程只讀存儲器（PROM）晶元不能修改。而可擦可編程只讀存儲器（EPROM）和電可擦只讀存儲器（EEPROM）晶元可以是可以修改的。
微處理器包括一個或多個中央處理器（CPU）。計算機伺服器、個人電腦（PC）、平板電腦和智能手機可能都有多個CPU。PC和伺服器中的32位和64位微處理器基於x86、POWER和SPARC晶元架構。而移動設備通常使用ARM晶元架構。功能較弱的8位、16位和24位微處理器則主要用在玩具和汽車等產品中。
標准晶元，也稱為商用集成電路，是用於執行重復處理程序的簡單晶元。這些晶元會被批量生產，通常用於條形碼掃描儀等用途簡單的設備。商用IC市場的特點是利潤率較低，主要由亞洲大型半導體製造商主導。
SoC是最受廠商歡迎的一種新型晶元。在SoC中，整個系統所需的所有電子元件都被構建到一個單晶元中。SoC的功能比微控制器晶元更廣泛，後者通常將CPU與RAM、ROM和輸入/輸出（I/O）設備相結合。在智能手機中，SoC還可以集成圖形、相機、音頻和視頻處理功能。通過添加一個管理晶元和一個無線電晶元還可以實現一個三晶元的解決方案。
晶元的另一種分類方式，是按照使用的集成電路進行劃分，目前大多數計算機處理器都使用數字電路。這些電路通常結合晶體管和邏輯門。有時，會添加微控制器。數字電路通常使用基於二進制方案的數字離散信號。使用兩種不同的電壓，每個電壓代表一個不同的邏輯值。
但是這並不代表模擬晶元已經完全被數字晶元取代。電源晶元使用的通常就是模擬晶元。寬頻信號也仍然需要模擬晶元，它們仍然被用作感測器。在模擬晶元中，電壓和電流在電路中指定的點上不斷變化。模擬晶元通常包括晶體管和無源元件，如電感、電容和電阻。模擬晶元更容易產生雜訊或電壓的微小變化，這可能會產生一些誤差。
混合電路半導體是一種典型的數字晶元，同時具有處理模擬電路和數字電路的技術。微控制器可能包括用於連接模擬晶元的模數轉換器（ADC），例如溫度感測器。而數字-模擬轉換器（DAC）可以使微控制器產生模擬電壓，從而通過模擬設備發出聲音。
㈦ 手機的CPU會因為使用久了老化嗎性能會不會慢慢變差
手機cpu和電腦cpu一樣，都是由數億乃至數十億個晶體管構成，它們有自身的額定工作頻率，這個頻率可不是隨便定的，廠商會保證在穩定和性能之間取一個平衡點並經過嚴格的測試，可以說只要是正常合格的cpu，無論是性能強弱，一般是不會因為隨著使用時間變長而降低性能的。
如果從理論上來說，cpu會隨著長時間的使用進入耗損失效期，這一個期間cpu也並不會降頻，只是錯誤率會開始增加，直到錯誤率越來越高導致cpu報廢不能使用，但是發生這種事情的幾率太小，因為我們的手機cpu高強度負荷時間太少了，大部分都是運行在較低的工作頻率，壓力很小，至少一顆手機cpu用到被自然淘汰也絕不會壞掉。更容易壞的可能還是手機的主板和其它電子元件。
然而手機越用越慢的罪魁禍首往往不是cpu，而是由於我們日常使用的手機app功能越來越強，體積越來越大，相應的佔用的內存容量和計算資源就越多， 試想以前的網頁多麼簡單，現在的網頁卻已經充滿了各種特效和高解析度圖片，這些都會帶給手機更大的壓力。所以隨著時間的推移，我們手機中的各類軟體不斷升級，操作系統也在升級，而CPU和運存在這種不斷升級的應用情況下變得捉襟見肘，從而逼得你不得不換新手機了。
其實手機和電腦的發展差不多，硬體推動軟體，軟體推動硬體。准確的說，是你的手機已經無法滿足越來越強大的軟體應用需求，從而導致使用變慢，變卡。
如果想讓自己的手機「老化」的慢一點，我認為需要注意以下幾點：
1、注意不要安裝那些來歷不明的毒瘤APP和「全家桶」，這一點在安卓上格外需要注意，一定要在正規APP市場下載APP。
2、同一類型的APP不要安裝好幾個，一類一個就可以了，不常用的注意清理，平常不大玩的 游戲 盡量刪除。
3、不要使手機的存儲空間太滿，盡量保留個大約30%的可用容量，否則長時間的話會降低快閃記憶體的性能和可靠性。
4、盡量少用測試版和開發版系統，如果是蘋果手機，建議兩年後就不要更新新系統，還要注意手機電池的性能狀況，如果突發性能下降的問題，可以考慮換新電池。
這個問題大家其實大可放心，雖然手機里的CPU的確會隨著使用而老化，但這個過程是極其滿長的，
因為手機的CPU是由高純度的硅為原材料，再經過光刻印出復雜的結構，而CPU在工作時其實就是電子通過CPU，經過晶體管，實現二進制，也就是0與1一樣，來實現電腦的計算與操作，而這個電子經過對於CPU來說，是沒有任何順壞的，也就只有溫度會影響CPU罷了。
那既然CPU基本不會老化，那麼手機為什麼又會越用越卡呢？其實原因很簡單，首先手機裡面不止有CPU這一個電子元件，還有許許多多的其他電子元件，而這些電子元件並非CPU一般，是會隨著使用逐漸老化的，特別是快閃記憶體晶元這一類，老化速度比較快，對於手機整體的速度來說，影響也是比較大的！
除了硬體的老化外，手機的系統對於手機的流暢度來說也是很重要的，iOS與安卓就是一個例子，可見其系統優化的重要所在。
不過毒瘤軟體才是最重要的，畢竟目前的軟體也是越來越消耗手機的資源與性能，特別是國內很大一部分的軟體，常常霸佔著手機後台資源，使得本身硬體與系統都跟不上的手機，顯得更加卡頓了起來！
但CPU依然是一款手機流暢的基礎，這不僅可以讓你多用些日子，也能免受卡頓的影響！
手機的CPU如果長期的使用會不會出現老化呢。
任何的電子產品都會出現老化，只是時間長短而已。對於我們來說CPU也會出現老化，只不過它的老化程度相對較低，一般來說一個CPU使用幾年或者10來年都不會出現問題。
不過，你要發現，對於我們來說，這樣的CPU它已經不能夠符合我們現在使用的需求了。
任何CPU在經過幾年的發展之後，它的性能實際上都是在下降的，因為一方面是因為軟體的更新迭代，它需要更多的更新的性能，更強的CPU，另外一方面也是因為CPU的更新換代。
我們打一個最簡單的比方，在幾年之前我們可能會覺得處理器的工藝製成為28nm表現就非常凸顯了，而如今處理器的工藝製程已經達到了5nm，我相信這樣的比較應該能夠讓你看出來，為什麼說現在技術的進步會影響老款的性能。
隨著技術的不斷進步以及軟體的不斷更新，我們對於CPU的要求會越來越高，手機處理器中有多少個晶體，這些其實都會影響我們對於CPU的體驗。所以，性能其實是在不斷銳減，是因為技術的進步而導致的。
手機在使用一段時間後，會接收到各種通知或者系統升級或者軟體升級信息，這會對CPU的運行造成了一定的壓力，有些系統版本還會導致搭載的處理器不能被運行。而CPU使用久了，其性能確實會下降，因為CPU屬於超高密度的半導體晶元，長期高溫工作會出現電子偏移的問題。不過過分擔心，CPU在出廠前會進行老化衰減測試的。而且採用密閉式封裝，超級穩定，在使用期限內衰減或故障的幾率都是比較低的。下面我來說下針對CPU怎麼緩解。
1、購買電子產品，選擇高容量的內存能緩解CPU的運行壓力。因為CPU也有自己的緩存，它的緩存也被稱為「高速緩存」，對系統和軟體的數據、指令處理速度要高於內存條。
2、後台多進程的會增加功耗，如果想讓電子產品的CPU性能不被很快地下降，不使用的時候適當進行關機，減緩損耗。
老化主要出現在存儲上例如：emmc和ufs的存儲，因為手機上這些晶元可以算是ssd所以有擦鞋壽命，其次是電池這個大家都懂，至於cpu主要是發熱問題如果長期高溫的話會出現金屬交換導致處理器和散熱器的金屬分子交換最終導致CPU掛掉，但這個周期非常的在大家實在不想玩這個手機之後n多年才可能出現這個問題
從一開始答案是絕對的。但是到我們消費者手上的CPU是不會的。因為CPU在出廠之前都要經過高溫高壓的高強度老化測試，合格的才能進行出廠銷售，不合格的會被淘汰，所以一般我們購買的手機並不會因為CPU老化性能下降，至少在整個手機的使用生命周期內，不會出現明顯的性能下降。
但是確確實實手機使用久了，性能就會下降，打開APP反應遲鈍，那麼這是怎麼一回事呢？其實手機就是一個小型化的電腦，它和電腦的組成架構是一致的。都是有CPU內存，硬碟等組成，這只是運行的硬體基礎，但我們使用的更多的是軟體部分，也就是操作系統或者其上安裝的其他軟體。對於手機來說，操作系統目前主要是iOS和安卓，應用軟體包括QQ微信，支付寶等。
首先軟體是可以很輕易的被改變的，並且軟體的升級是很頻繁的，這包括操作系統的升級和應用軟體的升級，每一次升級都是為新功能，新特性，新的安全，當然有的軟體可能升級純粹是為了給你推送更多的廣告，但不管是哪一種情況，它們的體積都會變大，使了內存需求也會變大，需要的存儲空間也會變大，這樣是手機的，可利用空間變小，於是手機變得慢起來，所以手機不變慢的法寶就是盡量購買比較大容量的手機，這樣至少可以保證流暢性。
手機CPU使用率跟你日常使用是有很大的關聯的。比如你玩手游，剛開始玩的比較流暢，後面慢慢出現卡頓，發熱。這就是手機CPU處於高工作的狀態下，一直在工作。再者這年頭的手游更新速度較快，假設手機的內存不是很大。處理器是一般般的那種，手機性能肯定是跟不上，就跟電腦是一樣的道理，電腦性能較差，想玩一些內存大的 游戲 ，壓根就是帶不動。老化這個問題應該就是手機的性能跟不上現在的一些內存較大的軟體而已，其實現在市面上三千大幾的手機算是很好用了的，不會出現什麼性能根本上的情況了。
會，19年給我爸媽同時各買了華為千元左右的手機，我媽手機很少用，我爸手機經常用，現在我媽的手機正常微信電話不卡，我爸的手機就很卡。
任何電子元件都會隨著時間慢慢老化，這個是必然的，不過完全沒必要擔心，因為你根本用不到報廢手機就該換了
㈧ 半導體存儲器有幾類，分別有什麼特點
1、隨機存儲器
對於任意一個地址，以相同速度高速地、隨機地讀出和寫入數據的存儲器（寫入速度和讀出速度可以不同）。存儲單元的內部結構一般是組成二維方矩陣形式，即一位一個地址的形式(如64k×1位)。但有時也有編排成便於多位輸出的形式（如8k×8位）。
特點：這種存儲器的特點是單元器件數量少，集成度高，應用最為廣泛（見金屬-氧化物-半導體動態隨機存儲器）。
2、只讀存儲器
用來存儲長期固定的數據或信息，如各種函數表、字元和固定程序等。其單元只有一個二極體或三極體。一般規定，當器件接通時為「1」,斷開時為「0」，反之亦可。若在設計只讀存儲器掩模版時,就將數據編寫在掩模版圖形中，光刻時便轉移到硅晶元上。
特點：其優點是適合於大量生產。但是，整機在調試階段，往往需要修改只讀存儲器的內容，比較費時、費事，很不靈活（見半導體只讀存儲器）。
3、串列存儲器
它的單元排列成一維結構，猶如磁帶。首尾部分的讀取時間相隔很長，因為要按順序通過整條磁帶。半導體串列存儲器中單元也是一維排列，數據按每列順序讀取，如移位寄存器和電荷耦合存儲器等。
特點：砷化鎵半導體存儲器如1024位靜態隨機存儲器的讀取時間已達2毫秒，預計在超高速領域將有所發展。
(8)存儲晶元老化座特點擴展閱讀：
半導體存儲器優點
1、存儲單元陣列和主要外圍邏輯電路製作在同一個硅晶元上，輸出和輸入電平可以做到同片外的電路兼容和匹配。這可使計算機的運算和控制與存儲兩大部分之間的介面大為簡化。
2、數據的存入和讀取速度比磁性存儲器約快三個數量級,可大大提高計算機運算速度。
3、利用大容量半導體存儲器使存儲體的體積和成本大大縮小和下降。
㈨ 如何判斷25系列存儲器的好壞
25存儲晶元的溫度都普遍高，25存儲晶元供電電源太高，或電流過大，都會導致25存儲晶元內部電路由於超過其極限工作電流電壓而導致25存儲晶元損壞。
存儲晶元，是嵌入式系統晶元的概念在存儲行業的具體應用。因此，無論是系統晶元還是存儲晶元，都是通過在單一晶元中嵌入軟體，實現多功能和高性能，以及對多種協議、多種硬體和不同應用的支持。
㈩ 存儲晶元包括
存儲晶元，是嵌入式系統晶元的概念在存儲行業的具體應用。因此，無論是系統晶元還是存儲晶元，都是通過在單一晶元中嵌入軟體，實現多功能和高性能，以及對多種協議、多種硬體和不同應用的支持。按照不同的技術，存儲器晶元可以細分為EPROM、EEPROM、SRAM、DRAM、FLASH、MASK ROM和FRAM等。
存儲器技術是一種不斷進步的技術，隨著各種專門應用不斷提出新的要求，新的存儲器技術也層出不窮，每一種新技術的出現都會使某種現存的技術走進歷史，因為開發新技術的初衷就是為了消除或減弱某種特定存儲器產品的不足之處。
例如，快閃記憶體技術脫胎於EEPROM，它的一個主要用途就是為了取代用於PC機BIOS的EEPROM晶元，以便方便地對這種計算機中最基本的代碼進行更新。 盡管目前非揮發性存儲器中最先進的就是快閃記憶體，但技術卻並未就此停步。
生產商們正在開發多種新技術，以便使快閃記憶體也擁有像DRAM和SDRAM那樣的高速、低價、壽命長等特點。總之，存儲器技術將會繼續發展，以滿足不同的應用需求。就PC市場來說，更高密度、更大帶寬、更低功耗、更短延遲時間、更低成本的主流DRAM技術將是不二之選。
而在其它非揮發性存儲器領域，供應商們正在研究快閃記憶體之外的各種技術，以便滿足不同應用的需求，未來必將有更多更新的存儲器晶元技術不斷涌現。