兩者都屬於。
u盤就不用說了，就是電可擦寫儲存裝置最廣泛的應用，採用的是Flash(快閃記憶體),算是EEPROM的一種。
固態硬碟用到的顆粒也是基於NAND FLASH技術，和u盤存儲有點相似。
只有普通硬碟是使用磁性存儲，不屬於半導體存儲器。
⑵ 半導體存儲器有幾類，分別有什麼特點
1、隨機存儲器
對於任意一個地址，以相同速度高速地、隨機地讀出和寫入數據的存儲器（寫入速度和讀出速度可以不同）。存儲單元的內部結構一般是組成二維方矩陣形式，即一位一個地址的形式(如64k×1位)。但有時也有編排成便於多位輸出的形式（如8k×8位）。
特點：這種存儲器的特點是單元器件數量少，集成度高，應用最為廣泛（見金屬-氧化物-半導體動態隨機存儲器）。
2、只讀存儲器
用來存儲長期固定的數據或信息，如各種函數表、字元和固定程序等。其單元只有一個二極體或三極體。一般規定，當器件接通時為「1」,斷開時為「0」，反之亦可。若在設計只讀存儲器掩模版時,就將數據編寫在掩模版圖形中，光刻時便轉移到硅晶元上。
特點：其優點是適合於大量生產。但是，整機在調試階段，往往需要修改只讀存儲器的內容，比較費時、費事，很不靈活（見半導體只讀存儲器）。
3、串列存儲器
它的單元排列成一維結構，猶如磁帶。首尾部分的讀取時間相隔很長，因為要按順序通過整條磁帶。半導體串列存儲器中單元也是一維排列，數據按每列順序讀取，如移位寄存器和電荷耦合存儲器等。
特點：砷化鎵半導體存儲器如1024位靜態隨機存儲器的讀取時間已達2毫秒，預計在超高速領域將有所發展。
(2)不屬於半導體的存儲器是什麼擴展閱讀：
半導體存儲器優點
1、存儲單元陣列和主要外圍邏輯電路製作在同一個硅晶元上，輸出和輸入電平可以做到同片外的電路兼容和匹配。這可使計算機的運算和控制與存儲兩大部分之間的介面大為簡化。
2、數據的存入和讀取速度比磁性存儲器約快三個數量級,可大大提高計算機運算速度。
3、利用大容量半導體存儲器使存儲體的體積和成本大大縮小和下降。
⑶ 下列選項不屬於存儲設備的是哪個
選B，計算機存儲器可分為兩大類：內存儲器和外存儲器。
內存儲器是主機的一個組成部分，它與 CPU 直 接進行數據的交換，而外存儲器不能直接與 CPU 進行數據信息交換，必須通過內存儲器才能與 CPU 進行 信息交換，相對來說外存儲器的存取速度沒有內存儲器的存取速度快。
軟盤、光碟（CD-ROM）和硬碟都 是外存儲器。
資料擴展--ROM與高速緩沖存儲器與硬碟還有內存儲器的區別
內存一般採用半導體存儲單元，包括隨機存儲器（RAM），只讀存儲器（ROM），以及高速緩存（CACHE）。按內存的工作方式，內存又有FPA EDO DRAM和SDRAM（同步動態RAM）等形式。
內存與硬碟的區別：一、內存是計算機的工作場所，硬碟用來存放暫時不用的信息。二、內存是半導體材料製作，硬碟是磁性材料製作。三、內存中的信息會隨掉電而丟失，硬碟中的信息可以長久保存。
⑷ 半導體存儲器屬於內存嗎
一個P型半導體和一個N型半導體構成一個PN結，兩個PN結構成一個三極體（TTL），n個三極體構成一個JK觸發器，n個JK觸發器構成一個鎖存器，一個鎖存器可以鎖存一位二進制數值，8位鎖存器可以鎖存一個位元組數據，1024個位元組構成1M，1024M構成1G，加上驅動控制電路就變成了內存條——你說內存屬不屬於半導體存儲器？
把PN結換成CMOS(互補金屬氧化物半導體)，做成場效應管，同樣可以合成鎖存器，最終做成內存。
所以內存都屬於半導體存儲器，而半導體存儲器不一定是內存，它的用途不限於內存。但硬碟不屬於半導體存儲器，它是磁介質存儲器。
⑸ 以下不屬於外部存儲器的設備是什麼
計算機內存及CPU緩存不屬於外部儲存器。內存一般採用半導體存儲單元,包括隨機存儲器(RAM),只讀存儲器(ROM),以及高速緩存(CACHE)。只不過因為RAM是其中最重要的存儲器。內存又稱主存,是CPU能直接定址的存儲空間,由半導體器件製成。內存的特點是存取速率快。內存是電腦中的主要部件。
⑹ 半導體存儲器的分類
半導體存儲器晶元按照讀寫功能可分為只讀存儲器（Read Only Memory，ROM）和隨機讀寫存儲器（Random Access Memory，RAM）兩大類。
只讀存儲器電路結構簡單，且存放的數據在斷電後不會丟失，特別適合於存儲永久性的、不變的程序代碼或數據（如常數表、函數、表格和字元等），計算機中的自檢程序就是固化在ROM中的。ROM的最大優點是具有不易失性。
不可重寫只讀存儲器
1、掩模只讀存儲器（MROM）
掩模只讀存儲器，又稱固定ROM。這種ROM在製造時，生產廠家利用掩模（Mask）技術把信息寫入存儲器中，使用時用戶無法更改，適宜大批量生產。
掩模只讀存儲器可分為二極體ROM、雙極型三極體ROM和MOS管ROM三種類型。
2、可編程只讀存儲器（PROM）
可編程只讀存儲器（Programmable ROM，簡稱PROM），是可由用戶一次性寫入信息的只讀存儲器，是在MROM的基礎上發展而來的。
隨機讀寫存儲器
1、靜態存儲器（SRAM）
利用雙穩態觸發器來保存信息，只要不斷電信息就不會丟失。靜態存儲器的集成度低，成本高，功耗較大，通常作為Cache的存儲體。
2、動態存儲器（DRAM）
利用MOS電容存儲電荷來保存信息，使用時需要不斷給電容充電才能保持信息。動態存儲器電路簡單，集成度高，成本低，功耗小，但需要反復進行刷新（Refresh）操作，工作速度較慢，適合作為主存儲器的主體部分。
3、增強型DRAM（EDRAM）
EDRAM晶元是在DRAM晶元上集成一個高速小容量的SRAM晶元而構成的，這個小容量的SRAM晶元起到高速緩存的作用，從而使DRAM晶元的性能得到顯著改進。
⑺ 硬碟不是半導體存儲器吧
不是半導體存儲器.快閃記憶體這類存儲器的讀寫速度還不夠快,成本不夠低,容量不夠大,所以短時間內很難替代硬碟
⑻ 屬於半導體存儲器的有什麼
半導體存儲器的分類
按功能可以分為只讀和隨機存取存儲器兩大類。所謂只讀，從字面上理解就是只可以從裡面讀，不能寫進去，它類似於我們的書本，發到我們手回之後，我們只能讀裡面的內容，不可以隨意更改書本上的內容。只讀存儲器的英文縮寫為ROM（READ ONLY MEMORY）--如計算機里的南北橋晶元
所謂隨機存取存儲器，即隨時可以改寫，也可以讀出裡面的數據，它類似於我們的黑板，我可以隨時寫東西上去，也可以用黑板擦擦掉重寫。隨機存儲器的英文縮寫為RAM（READ RANDOM MEMORY）這兩種存儲器的英文縮寫一定要記牢。--如計算機里的內存條，顯卡的顯存
注意：所謂的只讀和隨機存取都是指在正常工作情況下而言，也就是在使用這塊存儲器的時候，而不是指製造這塊晶元的時候。否則，只讀存儲器中的數據是怎麼來的呢？其實這個道理也很好理解，書本拿到我們手裡是不能改了，可以當它還是原材料——白紙的時候，當然可以由印刷廠印上去了。
順便解釋一下其它幾個常見的概念。
PROM，稱之為可編程存儲器。這就象我們的練習本，買來的時候是空白的，可以寫東西上去，可一旦寫上去，就擦不掉了，所以它只能用寫一次，要是寫錯了，就報銷了。
EPROM，稱之為紫外線擦除的可編程只讀存儲器。它裡面的內容寫上去之後，如果覺得不滿意，可以用一種特殊的方法去掉後重寫，這就是用紫外線照射，紫外線就象「消字靈」，可以把字去掉，然後再重寫。當然消的次數多了，也就不靈光了，所以這種晶元可以擦除的次數也是有限的——幾百次吧。
FLASH，稱之為閃速存儲器，它和EPROM類似，寫上去的東西也可以擦掉重寫，但它要方便一些，不需要光照了，只要用電學方法就可以擦除，所以就方便許多，而且壽面也很長（幾萬到幾十萬次不等）。
再次強調，這里的所有的寫都不是指在正常工作條件下。不管是PROM、EPROM還是FLASH ROM，它們的寫都要有特殊的條件，一般我們用一種稱之為「編程器」的設備來做這項工作，一旦把它裝到它的工作位置，就不能隨便改寫了。