① 半導體存儲器的主要技術指標
半導體存儲器的兩個技術指標是：存儲容量和存取時間。
存儲容量：指該存儲器的大小，體現所能存儲數據的多少。
存取時間：對該存儲器讀寫的時間，時間越短，性能越好。在cpu執行指令時，需要多次對存儲器讀寫，讀寫時間短可以提高cpu的性能。
半導體存儲器(semi-conctor memory)
是一種以半導體電路作為存儲媒體的存儲器。
按其製造工藝可分為：雙極晶體管存儲器和MOS晶體管存儲器。
按其存儲原理可分為：靜態和動態兩種。
其優點是：體積小、存儲速度快、存儲密度高、與邏輯電路介面容易。
主要用作高速緩沖存儲器、主存儲器、只讀存儲器、堆棧存儲器等。
② 半導體存儲器的特點
半導體存儲器(semi-conctor memory)是一種以半導體電路作為存儲媒體的存儲器,內存儲器就是由稱為存儲器晶元的半導體集成電路組成。
按功能分類
按其功能可分為：隨機存取存儲器（簡稱RAM）和只讀存儲器（只讀ROM）
RAM包括DRAM（動態隨機存取存儲器）和SRAM（靜態隨機存取存儲器），當關機或斷電時，其中的 信息都會隨之丟失。 DRAM主要用於主存（內存的主體部分），SRAM主要用於高速緩存存儲器。
ROM 主要用於BIOS存儲器。
按其製造工藝
可分為：雙極晶體管存儲器和MOS晶體管存儲器。
按其存儲原理
可分為：靜態和動態兩種。
③ 按存儲器的讀寫功能分類，半導體存儲器可分為幾類各有何特點
按存儲器的讀寫功能分類，半導體存儲器可分為兩類：1.靜態 SRAM ，2.動態 DRAM
簡單說特點:靜態耗時稍長但信息穩定；動態快速但信息易流失。
④ 什麼是半導體存儲器有什麼特點
半導體存儲器(semi-conctor memory)是一種以半導體電路作為存儲媒體的存儲器。 按其製造工藝可分為：雙極晶體管存儲器和MOS晶體管存儲器。 按其存儲原理可分為：靜態和動態兩種。 其優點是：體積小、存儲速度快、存儲密度高、與邏輯電路介面容易。 主要用作高速緩沖存儲器、主存儲器、只讀存儲器、堆棧存儲器等。 半導體存儲器的兩個技術指標是：存儲容量和存取時間。
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⑤ 內存儲器使用的半導體存儲晶元有哪些主要類型
◆存儲晶元（IC）的分類：
內存儲器按存儲信息的功能可分為隨機存儲器RAM(RandomAccess Memory)和只讀存儲器ROM(Read Only Memory)。 ROM中的信息只能被讀出，而不能被操作者修改或刪除，故一般用來存放固定的程序，如微機的管理、監控程序，匯編程序，以及存放各種表格等。
還有一種叫做可改寫的只讀存儲器EPROM(ErasaNe Pr。Brsmmable ROM)，和一般的RoM的不同點在於它可以用特殊裝置擯除和重寫它的內容，一般用於軟體的開發過程。
RAM就是我們常說的內存，它主要用來存放各種現場的輸入、輸出數據，中間計算結果，以及與外存交換信息和作堆棧用。它的存儲單元的內容按需要既可以讀出，也可以寫入或改寫。
由於RAM由電子器件組成，只能暫時存放正在運行的數據和程序，一旦關閉電源或掉電，其中的數據就會消失。RAM現在多為Mos型半導體電路，它分為靜態和動態兩種。
靜態RAM是靠雙穩態觸發器來記憶信息的；動態RAM是靠Mos電路中的柵極電容來記憶信息的。由於電容上電荷會泄漏，需要定時給予補充，所以動態RAM要設置刷新電路，但它比靜態RAM集成度高、功耗低，從而成本也低，適於作大容量存儲器。所以主內存通常採用動態RAM，而高速緩沖存儲器(Cache)則使用靜態RAM。
●存儲IC的特點，具有體積小，重量輕，引出線和焊接點少，壽命長，可靠性高，性能好等優點，同時成本低，便於大規模生產。
⑥ 半導體晶元是什麼 半導體晶元介紹
1、半導體晶元：在半導體片材上進行浸蝕，布線，製成的能實現某種功能的半導體器件。不只是硅晶元，常見的還包括砷化鎵（砷化鎵有毒，所以一些劣質電路板不要好奇分解它），鍺等半導體材料。半導體也像汽車有潮流。二十世紀七十年代，因特爾等美國企業在動態隨機存取內存(D-RAM)市場占上風。但由於大型計算機的出現，需要高性能D-RAM的二十世紀八十年代，日本企業名列前茅。
2、半導體晶元的製造材料：為了滿足量產上的需求，半導體的電性必須是可預測並且穩定的，因此包括摻雜物的純度以及半導體晶格結構的品質都必須嚴格要求。常見的品質問題包括晶格的位錯（dislocation）、孿晶面（twins）或是堆垛層錯（stacking fault）都會影響半導體材料的特性。對於一個半導體器件而言，材料晶格的缺陷（晶體缺陷）通常是影響元件性能的主因。目前用來成長高純度單晶半導體材料最常見的方法稱為柴可拉斯基法（鋼鐵場常見工法）。這種工藝將一個單晶的晶種（seed）放入溶解的同材質液體中，再以旋轉的方式緩緩向上拉起。在晶種被拉起時，溶質將會沿著固體和液體的介面固化，而旋轉則可讓溶質的溫度均勻。
3、應用：半導體晶元的發明是二十世紀的一項創舉，它開創了信息時代的先河。大家都知道「網際網路」和「計算機」是當今最流行的名詞。計算機已經成為我們日常生活中的必備工具，那請問一句「你的計算機CPU用的是什麼晶元呢？」是「Intel」，還是「AMD」呢？其實無論是「Intel」還是「AMD」，它們在本質上一樣，都屬於半導體晶元。
⑦ PC機中有哪些存儲器內存儲器使用的半導體存儲晶元有哪些主要類型，各有什麼特性
半導體存儲器：用半導體器件組成的存儲器。 磁表面存儲器：用磁性材料做成的存儲器。 按存儲方式分 隨機存儲器：任何存儲單元的內容都能被隨機存取，且存取時間和存儲單元的物理位置無關。 順序存儲器：只能按某種順序來存取，存取時間和存儲單元的物理位置有關。 按存儲器的讀寫功能分 只讀存儲器(ROM)：存儲的內容是固定不變的，只能讀出而不能寫入的半導體存儲器。 隨機讀寫存儲器(RAM)：既能讀出又能寫入的半導體存儲器。 按信息的可保存性分 非永久記憶的存儲器：斷電後信息即消失的存儲器。 永久記憶性存儲器：斷電後仍能保存信息的存儲器。 按存儲器用途分 根據存儲器在計算機系統中所起的作用，可分為主存儲器、輔助存儲器、高速緩沖存儲器、控制存儲器等。 為了解決對存儲器要求容量大，速度快，成本低三者之間的矛盾，目前通常採用多級存儲器體系結構，即使用高速緩沖存儲器、主存儲器和外存儲器。 初中的信息題，應該是按照存儲器的讀寫功能分類。 只讀存儲器(ROM)：存儲的內容是固定不變的，只能讀出而不能寫入的半導體存儲器。 隨機讀寫存儲器(RAM)：既能讀出又能寫入的半導體存儲器。
⑧ 述構成內存儲器的半導體存儲部件RAM和RoM的特性和區別是什麼
區別：
1、信息的存儲特性
RAM為隨機存儲器，具有掉電信息丟失。ROM為只讀存儲器，數據掉電後不會丟失。信息不可擦除只能進行一次寫，之後信息不能更改，但隨著技術的發展出現了可編程可擦除只讀存儲器。可以實現多次編程。
2、組成的部件不同
RAM由六管NMOS或OS構成。ROM矩陣的存儲單元是由N溝道增強型MOS管構成。
3、讀出信息的方式不同
ROM以非破壞性讀出方式工作，只能讀出無法寫入信息。信息一旦寫入後就固定下來。SRAM讀出信息後不需要刷新。DRAM讀出信息後需要及時的刷新，對數據進行恢復。
RAM特點：隨機存取、易失性、對靜電敏、訪問速度、需要刷新（再生）。
ROM特點：只讀存儲器的特點是只能讀出而不能寫入信息。其主要作用是完成對系統的加電自檢、系統中各功能模塊的初始化、系統的基本輸入/輸出的驅動程序及引導操作系統。
(8)半導體存儲晶元的特徵擴展閱讀：
ROM適用范圍：
由於ROM具有斷電後信息不丟失的特性，因而可用於計算機啟動用的BIOS晶元。
EPROM、EEPROM和Flash ROM性能同ROM，但可改寫，一般讀比寫快，寫需要比讀高的電壓，（讀5V寫12V）但Flash可以在相同電壓下讀寫，且容量大成本低，如U盤MP3中使用廣泛。
在計算機系統里，RAM一般用作內存，ROM一般作為固件，用來存放一些硬體的驅動程序。
RAM類別：靜態隨機存儲器（SRAM）、動態隨機存儲器（DRAM）。
RAM由存儲矩陣、地址解碼器、讀/寫控制器、輸入/輸出、片選控制等幾部分組成。
參考資料來源：網路-只讀存儲器
參考資料來源：網路-隨機存取存儲器
⑨ 半導體存儲器的分類；各自的特點；存儲器容量與片上地址的關系；
半導體存儲器分ROM和RAM
ROM只讀存儲器
只能讀，不能寫，斷電後信息不會丟失，屬非易性存儲器,ROM又分為
1、掩膜ROM：由生產廠商用掩膜技術將程序寫入其中，適用於大批量生產
2、可編程ROM（PROM或OTP）：由用戶自行寫入程序，一旦寫入，不能修改，適用於小批量生產
3、可擦除可編程ROM（ EPROM ）：可由用戶自行寫入，寫入後，可用紫外線光照擦除重新寫新的程序，適用於科研
4、電可擦除ROM（EEPROM）：可用電信號擦除和重新寫入的存儲器，適用於斷電保護
RAM 隨機存取存儲器
既能讀，又能寫，斷電後信息會丟失，屬易失性存儲器
RAM用於存放各種現場的輸入輸出程序，數據，中間結果。RAM又分為靜態RAM，動態RAM
1、靜態RAM（SRAM）：利用半導體觸發器兩個穩定的狀態表示0或1
靜態RAM又分為雙極型的SRAM和MOS管的SRAM
雙極型的SRAM：用晶體管觸發器作為記憶單元
MOS管的SRAM：由6個MOS管作為記憶單元
雙極雙極型的SRAM型速度快， MOS管速度慢，不需要刷新
2、動態RAM（DRAM）：利用MOS管的柵極電容保存信靜態RAM息，即電荷的多少表示0和1。
動態RAM需要進行刷新操作
存儲器容量可以表示成2^n,n為地址線的數目
⑩ sram存儲器的特點是什麼
關於SRAM存儲容量及基本特點。
半導體隨機存儲器晶元內集成有記憶功能的存儲矩陣，解碼驅動電路和讀/寫電路等等。
下面介紹幾個重要的概念：
讀寫電路：包括讀出放大器和寫入電路，用來完成讀/寫操作。
地址線：單向輸入，其位數與晶元的容量有關
片選線：確定哪個晶元被選中（用來選擇晶元）
數據線：雙向輸入，其位數與晶元可讀出或者寫入的位數有關，也與晶元容量有關。
存儲容量
通常我們將存儲容量表示為：字數X位數，比如64KX8位，其含義為，以8位構成一個字，一共有64個字。這個概念要相當熟悉，後面理解題目很有用。