1. 一個容量為16k*32位的儲存器，其地址線和數據線的總和是多少
一個容量為16K*32位的存儲器，其地址線和數據線的總和為：46。
計算過程：
因為容量為16K=2^14，所以說地址線的數目為14根，又因為32位，所以說數據線的根數為32根，所以說地址線與數據線的總和為46根。
選用1K*4位晶元時需要128片，選用2K*8位的晶元時需要32片，選用4K*4位的晶元時需要32片，
選用16K*1位位的晶元時需要32片，選用8K*8位的晶元時需要8片。
(1)油井多項存儲器規格擴展閱讀：
存儲管理的目的：
1、存儲管理要實現的目的是為用戶提供方便、安全和充分大的存儲空間。
2、方便是指將邏輯地址和物理地址分開，用戶只在各自的邏輯地址空間編寫程序，不必過問物理空間和物理地址的細節，地址的轉換由操作系統自動完成。
3、安全是指同時駐留在內存的多個用戶進程相互之間不會發生干擾，也不會訪問操作系統所佔有的空間。
4、充分大的存儲空間是指利用虛擬存儲技術，從邏輯上對內存空間進行擴充，從而可以使用戶在較小的內存里運行較大的程序。
地址線的作用：
用來傳輸地址信息用的。舉個簡單的例子：CPU在內存或硬碟裡面尋找一個數據時，先通過地址線找到地址，然後再通過數據線將數據取出來。
2. MR25H40CDF是什麼IC
是一款存儲器IC，這款型號我們有回收的，要全新原裝正品，不能夠是散新或翻新，要有大量庫存，還得是有現貨。
產品屬性
產品種類: 磁阻隨機存取存儲器 (MRAM)
封裝 / 箱體: DFN-8
介面類型: SPI
存儲容量: 4 Mbit
組織: 512 k x 8
數據匯流排寬度: 8 bit
訪問時間: 25 ns
電源電壓-最小: 3 V
電源電壓-最大: 3.6 V
工作電源電流: 46.5 mA
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
系列: MR25H40
安裝風格: SMD/SMT
Pd-功率耗散: 0.6 W
產品類型: MRAM
工廠包裝數量: 4000
子類別: Memory & Data Storage
單位重量: 37.400 mg
3. 一個容量為16K×32位的存儲器，其地址線和數據線總和是多少
地址線和數據線的總和是46根。容量16K=2^14，因此地址線需要14根，32位，則需要32根數據線，總共是46根。
選擇不同的晶元時，各需要的片數為：
1K×4：（16K×32） / （1K×4） = 16×8 = 128片
2K×8：（16K×32） / （2K×8） = 8×4 = 32片
4K×4：（16K×32） / （4K×4） = 4×8 = 32片
16K×1：（16K×32）/ （16K×1） = 1×32 = 32片
4K×8：（16K×32）/ （4K×8） = 4×4 = 16片
8K×8：（16K×32） / （8K×8） = 2×4 = 8片
(3)油井多項存儲器規格擴展閱讀：
構成存儲器的存儲介質，存儲元，它可存儲一個二進制代碼。由若干個存儲元組成一個存儲單元，然後再由許多存儲單元組成一個存儲器。一個存儲器包含許多存儲單元，每個存儲單元可存放一個位元組（按位元組編址）。每個存儲單元的位置都有一個編號，即地址，一般用十六進製表示。
一個存儲器中所有存儲單元可存放數據的總和稱為它的存儲容量。假設一個存儲器的地址碼由20位二進制數（即5位十六進制數）組成，則可表示2的20次方，即1M個存儲單元地址。每個存儲單元存放一個位元組，則該存儲器的存儲容量為1MB。
4. 常用的存儲器種類
ROM：只讀存儲器。ROM所存數據，一般是裝入整機前事先寫好的，整機工作過程中只能讀出，而不像隨機存儲器那樣能快速地、方便地加以改寫。ROM所存數據穩定，斷電後所存數據也不會改變。
RAM可以分為SRAM（靜態隨機存儲器）和DRAM（動態隨機存儲器）。
SRAM它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。優點是速度快，不必配合內存刷新電路，可提高整體的工作效率。缺點是集成度低，功耗較大，相同的容量體積較大，而且價格較高，少量用於關鍵性系統以提高效率。
DRAM是最為常見的系統內存。DRAM只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。
SDRAM（同步動態隨機存取存儲器），是在DRAM的基礎上發展而來，為DRAM的一種，同步是指Memory工作需要同步時鍾，內部命令的發送與數據的傳輸都以時鍾為基準；動態是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數據不丟失；隨機是指數據不是線性依次存儲，而是由指定地址進行數據讀寫。
DDR SDRAM又是在SDRAM的基礎上發展而來，這種改進型的DRAM和SDRAM是基本一樣的，不同之處在於它可以在一個時鍾讀寫兩次數據，這樣就使得數據傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得最多的內存，而且它有著成本優勢。
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存儲器的主要功能是存儲程序和各種數據，並能在計算機運行過程中高速、自動地完成程序或數據的存取。存儲器單元實際上是時序邏輯電路的一種。按存儲器的使用類型可分為只讀存儲器(ROM)和隨機存取存儲器(RAM)，兩者的功能有較大的區別，因此在描述上也有所不同。存儲的基礎部分分為ROM和RAM。
在這里插入圖片描述
常見存儲器分類圖示
RAM：隨機存取存儲器是與CPU直接交換數據的內部存儲器。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統或其他正在運行中的程序的臨時數據存儲媒介。當電源關閉時RAM不能保留數據。如果需要保存數據，就必須把它們寫入一個長期的存儲設備中（例如硬碟）。RAM和ROM相比，兩者的最大區別是RAM在斷電以後保存在上面的數據會自動消失，而ROM不會自動消失，可以長時間斷電保存。
ROM：只讀存儲器。ROM所存數據，一般是裝入整機前事先寫好的，整機工作過程中只能讀出，而不像隨機存儲器那樣能快速地、方便地加以改寫。ROM所存數據穩定，斷電後所存數據也不會改變。
RAM可以分為SRAM（靜態隨機存儲器）和DRAM（動態隨機存儲器）。
SRAM它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。優點是速度快，不必配合內存刷新電路，可提高整體的工作效率。缺點是集成度低，功耗較
5. 存儲器的型號怎麼看
存儲器類型內存儲: eRAM，這東西很特殊，很少見，速度極快，現在已知的是用於XBOX360的GPU，其中的eRAM帶寬256GB/s。
SRAM，速度很快，發熱量大，單位容量價格高，用於CPU的緩存，其中一級緩存帶寬大約30-50GB/s。 DRAM，主要用於內存顆粒。 外存儲:
光存儲:目前是三代:CD/DVD/BD&HD-DVD。 磁存儲:軟盤與硬碟，硬碟有3.5/2.5/1.8/1.0英寸等規格的。
快閃記憶體:樓上講的很多，包括各種存儲卡與U盤。晶元類型NVIDIA晶元,GeForce 8600GT晶元
6. 軟盤存儲器由什麼組成
軟盤存儲器主要由軟磁碟、軟盤驅動器和軟盤控制器等三部分組成。
1.軟盤
軟磁碟又稱軟盤（Floppy disk），是一種存儲信息的介質，它是在聚酯塑料圓盤上塗一層磁薄膜而製成的。塗一面的稱為單面盤，塗兩面的稱為雙面盤。軟盤外面罩一個方形的保護套。目前微機上常用的軟盤有51／4和31／2的兩種，俗稱5英寸盤和3英寸盤。
目前常用的5英寸盤有容量為360KB的雙面雙密度盤（普通盤）和容量為1.2MB的高密盤。它們都有0和1兩個面，每面有若干個同心圓軌道，稱為磁軌。普通盤有40個磁軌，高密盤有80個磁軌。每個磁軌又分為若干扇區。扇區是軟體的基本存儲單位。每次讀盤或寫盤，總是讀／寫一個完整的扇區，不管其中數據多少。所謂讀或寫，是站在主機的角度而言的。微機常用軟體的規格如下表所示。
微機常用軟盤規格直徑（英寸）標志存儲容量磁軌數每道扇區數每扇區位元組數5DSDD360KB4095125DSHD1..44MB80185125英寸盤的保護外套上共有4個孔槽或缺口：
（1）驅動器軸孔。它是保護套和軟盤中心的大圓孔，軟盤驅動器通過它帶動軟盤在保護套中高速旋轉。
（2）磁頭讀寫槽。它是一個長形槽孔，軟盤驅動器的讀寫磁頭沿著該槽對軟盤作徑向移動，可以在不同磁軌上讀寫信息。
通過磁頭沿軟盤徑向的移動及軟盤的旋轉，就使得磁頭可以在軟盤的任意扇區讀寫信息。
（3）定位孔。在軟盤和保護套上均有此孔。當軟碟片旋轉至兩小孔重合時，一束光線通過此孔，將其轉變為電信號，即可檢索軟盤0扇區的起始位置，從而為軟盤存儲格式定位。
（4）防寫缺口。它可以控制軟盤的讀寫或只讀狀態。如果缺口是敞開的，對軟盤既能讀又能寫；如果用膠條把缺口封住，就處於防寫狀態，對軟盤只能讀不能寫，這樣可以保護盤上的信息不被改變。
用微加工技術製作的最大功率為64千比的動力隨機存取存儲器。
2.軟盤驅動器
軟盤驅動器簡稱軟碟機，由機械傳動裝置和讀寫磁頭兩部分組成，是驅動軟盤和磁頭做機械運動的裝置。軟碟機也分為5英寸和3英寸兩種，每種又分為普通驅動器和高密驅動器，分別與各種軟盤相匹配。
值得注意的是，普通盤插入高密驅動器中，或者高密盤插入普通驅動器中，是只能讀不能寫的。如進行寫操作，可能破壞盤上的數據。
3.軟盤控制器
軟盤控制器又稱軟盤適配器或軟盤適配卡，插在主機箱內母板的插槽中，將軟碟機與CPU連接起來。軟盤存儲器的機械運動和讀寫操作，都是在它的控制下進行的。
7. 什麼是存儲器的重要性能指標
簡單的來講，存儲器的重要性能指標就是晶元在設計的時候採用的編程演算法是否是最合邏輯的，最和邏輯就好運算穩定，快捷;還有生產的時候，載體的原材料的規格，加工質量，是否能從散熱以及穩定方面滿足編碼的需求
專業內容如下：存儲器的主要幾項技術指標：
主存儲器的主要幾項技術指標 指標含義表現單位
存儲容量 在一個存儲器中可以容納的存儲單元總數 存儲空間的大小 字數，位元組數
存取時間 啟動到完成一次存儲器操作所經歷的時間 主存的速度 ns
存儲周期 連續啟動兩次操作所需間隔的最小時間 主存的速度 ns
存儲器帶寬 單位時間里存儲器所存取的信息量, 數據傳輸速率技術指標 位/秒，位元組/秒
主存儲器的性能指標主要是存儲容量、存取時間和存儲周期。
存放一個機器字的存儲單元，通常稱為字存儲單元，相應的單元地址叫字地址。而存放一個位元組的單元，稱為位元組存儲單元，相應的地址稱為位元組地址。如果計算機中可編址的最小單位是字存儲單元，則該計算機稱為按字編址的計算機。如果計算機中可編址的最小單位是位元組，則該計算機稱為按位元組編址的計算機。一個機器字可以包含數個位元組，所以一個存儲單元也可以包含數個能夠單獨編址的位元組地址。例如，PDP-11系列計算機，一個16位二進制的字存儲單元可存放兩個位元組，可以按字地址定址，也可以按位元組地址定址。當用位元組地址定址時，16位的存儲單元占兩個位元組地址。
在一個存儲器中容納的存儲單元總數通常稱為該存儲器的存儲容量。存儲容量用字數或位元組數(B)來表示，如64K字，512KB，10MB。外存中為了表示更大的存儲容量，採用MB，GB，TB等單位。其中1KB=2B，1MB=2B，1GB=2B，1TB=2B。B表示位元組，一個位元組定義為8個二進制位，所以計算機中一個字的字長通常為8的倍數。存儲容量這一概念反映了存儲空間的大小。
存儲時間有稱存儲器訪問時間，是指從啟動一次存儲器操作到完成該操作所經歷的時間。具體講，從一次讀操作命令發出到該操作完成，將數據讀入數據緩沖寄存器為止所經歷的時間，即為存儲器存取時間。
存儲周期是指連續啟動兩次獨立的存儲器操作(如連續兩次讀操作)所需間隔的最小時間。通常，存儲周期略大於存儲時間，其時間單位為ns
8. 有關存儲器的問題~
存儲器分為內存儲器(簡稱內存或主存)、外存儲器(簡稱外存或輔存)。外存儲器一般也可作為輸入/輸出設備。計算機把要執行的程序和數據存入內存中，內存一般由半導體器構成。半導體存儲器可分為三大類:隨機存儲器、只讀存儲器、特殊存儲器。
RAM
RAM是隨機存取存儲器(Random
Access
Memory)，其特點是可以讀寫，存取任一單元所需的時間相同，通電是存儲器內的內容可以保持，斷電後，存儲的內容立即消失。RAM可分為動態(Dynamic
RAM)和靜態(Static
RAM)兩大類。所謂動態隨機存儲器DRAM是用MOS電路和電容來作存儲元件的。由於電容會放電，所以需要定時充電以維持存儲內容的正確，例如互隔2ms刷新一次，因此稱這為動態存儲器。所謂靜態隨機存儲器SRAM是用雙極型電路或MOS電路的觸發器來作存儲元件的，它沒有電容放電造成的刷新問題。只要有電源正常供電，觸發器就能穩定地存儲數據。DRAM的特點是集成密度高，主要用於大容量存儲器。SRAM的特點是存取速度快，主要用於調整緩沖存儲器。
ROM
ROM是只讀存儲器(Read
Only
Memory)，它只能讀出原有的內容，不能由用戶再寫入新內容。原來存儲的內容是由廠家一次性寫放的，並永久保存下來。ROM可分為可編程(Programmable)ROM、可擦除可編程(Erasable
Programmable)ROM、電擦除可編程(Electrically
Erasable
Programmable)ROM。如，EPROM存儲的內容可以通過紫外光照射來擦除，這使它的內可以反復更改。
特殊固態存儲器
包括電荷耦合存儲器、磁泡存儲器、電子束存儲器等，它們多用於特殊領域內的信息存儲。
此外，描述內、外存儲容量的常用單位有:
①位/比特(bit):這是內存中最小的單位，二進制數序列中的一個0或一個1就是一比比特，在電腦中，一個比特對應著一個晶體管。
②位元組(B、Byte):是計算機中最常用、最基本的存在單位。一個位元組等於8個比特，即1
Byte=8bit。
③千位元組(KB、Kilo
Byte):電腦的內存容量都很大，一般都是以千位元組作單位來表示。1KB=1024Byte。
④兆位元組(MB
Mega
Byte):90年代流行微機的硬碟和內存等一般都是以兆位元組(MB)為單位。1
MB=1024KB。
⑤吉位元組(GB、Giga
Byte):目前市場流行的微機的硬碟已經達到4.3GB、6.4GB、8.1GB、12G、13GB等規格。1GB=1024MB。
⑥太位元組(TB、Tera
byte):1TB=1024GB。
(三)輸入/輸出設備
輸入設備是用來接受用戶輸入的原始數據和程序，並將它們變為計算機能識別的二進制存入到內存中。常用的輸入設備有鍵盤、滑鼠、掃描儀、光筆等。
輸出設備用於將存入在內存中的由計算機處理的結果轉變為人們能接受的形式輸出。常用的輸出設備有顯示器、列印機、繪圖儀等。
(四)匯流排
匯流排是一組為系統部件之間數據傳送的公用信號線。具有匯集與分配數據信號、選擇發送信號的部件與接收信號的部件、匯流排控制權的建立與轉移等功能。典型的微機計算機系統的結構如圖2-3所示，通常多採用單匯流排結構，一般按信號類型將匯流排分為三組，其中AB(Address
Bus)為地址匯流排;DB(Data
Bus)為數據匯流排;CB(Control
Bus)控制匯流排。
(五)微型計算機主要技術指標
①CPU類型:是指微機系統所採用的CPU晶元型號，它決定了微機系統的檔次。
②字長:是指CPU一次最多可同時傳送和處理的二進制位數，安長直接影響到計算機的功能、用途和應用范圍。如Pentium是64位字長的微處理器，即數據位數是64位，而它的定址位數是32位。
③時鍾頻率和機器周期:時鍾頻率又稱主頻，它是指CPU內部晶振的頻率，常用單位為兆(MHz)，它反映了CPU的基本工作節拍。一個機器周期由若干個時鍾周期組成，在機器語言中，使用執行一條指令所需要的機器周期數來說明指令執行的速度。一般使用CPU類型和時鍾頻率來說明計算機的檔次。如Pentium
III
500等。
④運算速度:是指計算機每秒能執行的指令數。單位有MIPS(每秒百萬條指令)、MFLOPS(秒百萬條浮點指令)
⑤存取速度:是指存儲器完成一次讀取或寫存操作所需的時間，稱為存儲器的存取時間或訪問時間。而邊連續兩次或寫所需要的最短時間，稱為存儲周期。對於半導體存儲器來說，存取周期大約為幾十到幾百毫秒之間。它的快慢會影響到計算機的速度。
⑥內、外存儲器容量:是指內存存儲容量，即內容儲存器能夠存儲信息的位元組數。外儲器是可將程序和數據永久保存的存儲介質，可以說其容量是無限的。如硬碟、軟盤已是微機系統中不可缺少的外部設備。迄今為止，所有的計算機系統都是基於馮·諾依曼存儲程序的原理。內、外存容量越大，所能運行的軟體功能就越豐富。CPU的高速度和外存儲器的低速度是微機系統工作過程中的主要瓶頸現象，不過由於硬碟的存取速度不斷提高，目前這種現象已有所改善。
9. 存儲器的分類
一、RAM(Random Access Memory，隨機存取存儲器)
RAM的特點是：電腦開機時，操作系統和應用程序的所有正在運行的數據和程序都會放置其中，並且隨時可以對存放在裡面的數據進行修改和存取。它的工作需要由持續的電力提供，一旦系統斷電，存放在裡面的所有數據和程序都會自動清空掉，並且再也無法恢復。
根據組成元件的不同，RAM內存又分為以下十八種：
01.DRAM（Dynamic RAM，動態隨機存取存儲器）
這是最普通的RAM，一個電子管與一個電容器組成一個位存儲單元，DRAM將每個內存位作為一個電荷保存在位存儲單元中，用電容的充放電來做儲存動作，但因電容本身有漏電問題，因此必須每幾微秒就要刷新一次，否則數據會丟失。存取時間和放電時間一致，約為2~4ms。因為成本比較便宜，通常都用作計算機內的主存儲器。
02.SRAM（Static RAM，靜態隨機存取存儲器）
靜態，指的是內存裡面的數據可以長駐其中而不需要隨時進行存取。每6顆電子管組成一個位存儲單元，因為沒有電容器，因此無須不斷充電即可正常運作，因此它可以比一般的動態隨機處理內存處理速度更快更穩定，往往用來做高速緩存。
03.VRAM（Video RAM，視頻內存）
它的主要功能是將顯卡的視頻數據輸出到數模轉換器中，有效降低繪圖顯示晶元的工作負擔。它採用雙數據口設計，其中一個數據口是並行式的數據輸出入口，另一個是串列式的數據輸出口。多用於高級顯卡中的高檔內存。
04.FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM，快速頁切換模式動態隨機存取存儲器）
改良版的DRAM，大多數為72Pin或30Pin的模塊。傳統的DRAM在存取一個BIT的數據時，必須送出行地址和列地址各一次才能讀寫數據。而FRM DRAM在觸發了行地址後，如果CPU需要的地址在同一行內，則可以連續輸出列地址而不必再輸出行地址了。由於一般的程序和數據在內存中排列的地址是連續的，這種情況下輸出行地址後連續輸出列地址就可以得到所需要的數據。FPM將記憶體內部隔成許多頁數Pages，從512B到數KB不等，在讀取一連續區域內的數據時，就可以通過快速頁切換模式來直接讀取各page內的資料，從而大大提高讀取速度。在96年以前，在486時代和PENTIUM時代的初期， FPM DRAM被大量使用。
05.EDO DRAM（Extended Data Out DRAM，延伸數據輸出動態隨機存取存儲器）
這是繼FPM之後出現的一種存儲器，一般為72Pin、168Pin的模塊。它不需要像FPM DRAM那樣在存取每一BIT 數據時必須輸出行地址和列地址並使其穩定一段時間，然後才能讀寫有效的數據，而下一個BIT的地址必須等待這次讀寫操作完成才能輸出。因此它可以大大縮短等待輸出地址的時間，其存取速度一般比FPM模式快15%左右。它一般應用於中檔以下的Pentium主板標准內存，後期的486系統開始支持EDO DRAM，到96年後期，EDO DRAM開始執行。。
06.BEDO DRAM（Burst Extended Data Out DRAM，爆發式延伸數據輸出動態隨機存取存儲器）
這是改良型的EDO DRAM，是由美光公司提出的，它在晶元上增加了一個地址計數器來追蹤下一個地址。它是突發式的讀取方式，也就是當一個數據地址被送出後，剩下的三個數據每一個都只需要一個周期就能讀取，因此一次可以存取多組數據，速度比EDO DRAM快。但支持BEDO DRAM內存的主板可謂少之又少，只有極少幾款提供支持（如VIA APOLLO VP2），因此很快就被DRAM取代了。
07.MDRAM（Multi-Bank DRAM，多插槽動態隨機存取存儲器）
MoSys公司提出的一種內存規格，其內部分成數個類別不同的小儲存庫 (BANK)，也即由數個屬立的小單位矩陣所構成，每個儲存庫之間以高於外部的資料速度相互連接，一般應用於高速顯示卡或加速卡中，也有少數主機板用於L2高速緩存中。
08.WRAM（Window RAM，窗口隨機存取存儲器）
韓國Samsung公司開發的內存模式，是VRAM內存的改良版，不同之處是它的控制線路有一、二十組的輸入/輸出控制器，並採用EDO的資料存取模式,因此速度相對較快，另外還提供了區塊搬移功能（BitBlt），可應用於專業繪圖工作上。
09.RDRAM（Rambus DRAM，高頻動態隨機存取存儲器）
Rambus公司獨立設計完成的一種內存模式，速度一般可以達到500~530MB/s，是DRAM的10倍以上。但使用該內存後內存控制器需要作相當大的改變，因此它們一般應用於專業的圖形加速適配卡或者電視游戲機的視頻內存中。
10.SDRAM（Synchronous DRAM，同步動態隨機存取存儲器）
這是一種與CPU實現外頻Clock同步的內存模式，一般都採用168Pin的內存模組，工作電壓為3.3V。 所謂clock同步是指內存能夠與CPU同步存取資料，這樣可以取消等待周期，減少數據傳輸的延遲，因此可提升計算機的性能和效率。
11.SGRAM（Synchronous Graphics RAM，同步繪圖隨機存取存儲器）
SDRAM的改良版，它以區塊Block，即每32bit為基本存取單位，個別地取回或修改存取的資料，減少內存整體讀寫的次數，另外還針對繪圖需要而增加了繪圖控制器，並提供區塊搬移功能（BitBlt），效率明顯高於SDRAM。
12.SB SRAM（Synchronous Burst SRAM，同步爆發式靜態隨機存取存儲器）
一般的SRAM是非同步的，為了適應CPU越來越快的速度，需要使它的工作時脈變得與系統同步，這就是SB SRAM產生的原因。
13.PB SRAM（Pipeline Burst SRAM，管線爆發式靜態隨機存取存儲器）
CPU外頻速度的迅猛提升對與其相搭配的內存提出了更高的要求，管線爆發式SRAM取代同步爆發式SRAM成為必然的選擇，因為它可以有效地延長存取時脈，從而有效提高訪問速度。
14.DDR SDRAM（Double Data Rate二倍速率同步動態隨機存取存儲器）
作為SDRAM的換代產品，它具有兩大特點：其一，速度比SDRAM有一倍的提高；其二，採用了DLL（Delay Locked Loop：延時鎖定迴路）提供一個數據濾波信號。這是目前內存市場上的主流模式。
15.SLDRAM （Synchronize Link，同步鏈環動態隨機存取存儲器）
這是一種擴展型SDRAM結構內存，在增加了更先進同步電路的同時，還改進了邏輯控制電路，不過由於技術顯示，投入實用的難度不小。
16.CDRAM（CACHED DRAM，同步緩存動態隨機存取存儲器）
這是三菱電氣公司首先研製的專利技術，它是在DRAM晶元的外部插針和內部DRAM之間插入一個SRAM作為二級CACHE使用。當前，幾乎所有的CPU都裝有一級CACHE來提高效率，隨著CPU時鍾頻率的成倍提高，CACHE不被選中對系統性能產生的影響將會越來越大，而CACHE DRAM所提供的二級CACHE正好用以補充CPU一級CACHE之不足，因此能極大地提高CPU效率。
17.DDRII (Double Data Rate Synchronous DRAM，第二代同步雙倍速率動態隨機存取存儲器)
DDRII 是DDR原有的SLDRAM聯盟於1999年解散後將既有的研發成果與DDR整合之後的未來新標准。DDRII的詳細規格目前尚未確定。
18.DRDRAM (Direct Rambus DRAM)
是下一代的主流內存標准之一，由Rambus 公司所設計發展出來，是將所有的接腳都連結到一個共同的Bus，這樣不但可以減少控制器的體積，已可以增加資料傳送的效率。
二、ROM(READ Only Memory，只讀存儲器)
ROM是線路最簡單半導體電路，通過掩模工藝，一次性製造，在元件正常工作的情況下，其中的代碼與數據將永久保存，並且不能夠進行修改。一般應用於PC系統的程序碼、主機板上的 BIOS (基本輸入/輸出系統Basic Input/Output System)等。它的讀取速度比RAM慢很多。
根據組成元件的不同，ROM內存又分為以下五種：
1.MASK ROM（掩模型只讀存儲器）
製造商為了大量生產ROM內存，需要先製作一顆有原始數據的ROM或EPROM作為樣本，然後再大量復制，這一樣本就是MASK ROM，而燒錄在MASK ROM中的資料永遠無法做修改。它的成本比較低。
2.PROM（Programmable ROM，可編程只讀存儲器）
這是一種可以用刻錄機將資料寫入的ROM內存，但只能寫入一次，所以也被稱為「一次可編程只讀存儲器」(One Time Progarmming ROM，OTP-ROM)。PROM在出廠時，存儲的內容全為1，用戶可以根據需要將其中的某些單元寫入數據0(部分的PROM在出廠時數據全為0，則用戶可以將其中的部分單元寫入1)， 以實現對其「編程」的目的。
3.EPROM（Erasable Programmable，可擦可編程只讀存儲器）
這是一種具有可擦除功能，擦除後即可進行再編程的ROM內存，寫入前必須先把裡面的內容用紫外線照射它的IC卡上的透明視窗的方式來清除掉。這一類晶元比較容易識別，其封裝中包含有「石英玻璃窗」，一個編程後的EPROM晶元的「石英玻璃窗」一般使用黑色不幹膠紙蓋住， 以防止遭到陽光直射。
4.EEPROM（Electrically Erasable Programmable，電可擦可編程只讀存儲器）
功能與使用方式與EPROM一樣，不同之處是清除數據的方式，它是以約20V的電壓來進行清除的。另外它還可以用電信號進行數據寫入。這類ROM內存多應用於即插即用（PnP）介面中。
5.Flash Memory（快閃記憶體）
這是一種可以直接在主機板上修改內容而不需要將IC拔下的內存，當電源關掉後儲存在裡面的資料並不會流失掉，在寫入資料時必須先將原本的資料清除掉，然後才能再寫入新的資料，缺點為寫入資料的速度太慢。
10. 簡述內存儲器和外存儲器的區別
內存儲器：
http://www.hxu.e.cn/partwebs/jisuanjixi/ctsn/dxjsjjc/kcnr/wlkj/04hardware/detail/4-2-2.htm
外存儲器：
外存儲器是CPU不能直接訪問的存儲器，它需要經過內存與CPU及I/O設備交換信息，用於長久地存放大量的包括暫不使用的程序和數據。外存儲器有磁帶、磁碟和光碟籌，其中最常用的是磁碟。磁碟又分為軟磁碟和硬磁碟。
軟盤存儲器
軟盤存儲器主要由軟磁碟、軟盤驅動器和軟盤控制器等三部分組成。
1.軟盤
軟磁碟又稱軟盤（Floppy disk），是一種存儲信息的介質，它是在聚酯塑料圓盤上塗一層磁薄膜而製成的。塗一面的稱為單面盤，塗兩面的稱為雙面盤。軟盤外面罩一個方形的保護套。目前微機上常用的軟盤有
的結構。
目前常用的5英寸盤有容量為360KB的雙面雙密度盤（普通盤）和容量為l.2MB的高密盤。它們都有0和1兩個面，每面有若干個同心圓軌道，稱為磁軌。普通盤有40個磁軌，高密盤有80個磁軌。每個磁軌又分為若干扇區。扇區是軟體的基本存儲單位。每次讀盤或寫盤，總是讀/寫一個完整的扇區，不管其中數據多少。所謂讀或寫，是站在主機的角度而言的。微機常用軟體的規格如表1.2所示。
表1.2 微機常用軟盤規格
直徑（英寸）
標志
存儲容量
磁軌數
每道扇區數
每扇區位元組數
DSDD
360KB
40
9
512
DSHD
1.2MB
80
15
512
DSDD
730KB
80
9
512
DSHD
1.44MB
80
18
512
5英寸盤的保護外套上共有4個孔槽或缺口：
（1）驅動器軸孔 它是保護套和軟盤中心的大圓孔，軟盤驅動器通過它帶動軟盤在保護套中高速旋轉。
（2）磁頭讀寫槽 它是一個長形槽孔，軟盤驅動器的讀寫磁頭沿著該槽對軟盤作徑向移動，可以在不同磁軌上讀寫信息。
通過磁頭沿軟盤徑向的移動及軟盤的旋轉，就使得磁頭可以在軟盤的任意扇區讀寫信息。
（3）定位孔 在軟盤和保護套上均有此孔。當軟碟片旋轉至兩小孔重合時，一束光線通過此孔，將其轉變為電信號，即可檢索軟盤0扇區的起始位置，從而為軟盤存儲格式定位。
（4）防寫缺口 它可以控制軟盤的讀寫或只讀狀態。如果缺口是敞開的，對軟盤既能讀又能寫；如果用膠條把缺口封住，就處於防寫狀態，對軟盤只能讀不能寫，這樣可以保護盤上的信息不被改變。
2.軟盤驅動器
軟盤驅動器簡稱軟碟機，由機械傳動裝置和讀寫磁頭兩部分組成，是驅
又分為普通驅動器和高密驅動器，分別與各種軟盤相匹配。
值得注意的是，普通盤插入高密驅動器中，或者高密盤插入普通驅動器中，是只能讀不能寫的。如進行寫操作，可能破壞盤上的數據。
3.軟盤控制器
軟盤控制器又稱軟盤適配器或軟盤適配卡，插在主機箱內母板的插槽中，將軟碟機與CPU連接起來。軟盤存儲器的機械運動和讀寫操作，都是在它的控制下進行的。
硬碟存儲器
硬碟存儲器主要由硬磁碟、硬碟驅動器和硬碟控制器等三部分組成。驅動器和控制器部分與軟盤存儲器相似。這里只介紹一下硬磁碟。
硬磁碟又稱硬碟（Hard disk），它是在金屬基片上塗一層磁性材料製成的。目前微機上都採用IBM公司的溫徹斯特技術的硬碟，簡稱溫盤。
器軸為軸線組裝在一起，稱為盤組。每個碟片都有一個磁頭。每個盤面上的磁軌都是同心圓，所有盤面上的同心圓就組成許多圓柱面。因此在硬碟中不稱磁軌而稱柱面，數據的存儲地址由柱面號、磁頭號和扇區號確定。硬碟的存儲容量通常為幾十兆至幾百兆位元組，目前已有1GB、4GB的硬碟。
硬碟的盤組與驅動器組裝在一個固定的密封容器中，能夠防塵並調節溫濕度。硬碟驅動器的磁頭不像軟盤驅動器那樣直接與盤面接觸，而是利用硬碟高速旋轉（比軟盤轉速高許多）產生的「氣墊」，懸浮在距盤面0.2μ的距離，因此不易劃傷盤面，磁頭損耗也大大降低。
根據上面的介紹，可以看出，硬碟比軟盤存儲容量大、存取速度快，使用壽命長。而軟盤比硬碟價格便宜，攜帶方便。