① 如何選擇內存條
256M 正品，有保修
SD系列的－－－－－200以下
DDR266－－－－－230左右
DDR333－－－－－230左右
DDR400－－－－－260左右
DDR533－－－－－300左右
內存是主板上重要的部件之一，它是存儲CPU與外圍設備溝通的數據與程序的部件。在主機中，內存所存儲的數據或程序有些是永久的，有些是暫時的，所以內存就有不同形式的功能與作用，而且存儲數據的多少也關系著內存的容量大小，傳送數據的快慢也關系著內存的速度，這些都跟內存的種類與功能有關。現將內存重要的分類介紹如下：
內存的品牌
內存有許多不同的品牌，這些不同的品牌載入於主板上，它們的排列組合就關系著主板的性能和整個系統的穩定性。除了CPU、主板外，內存是一個關鍵的部件。每家廠商對於內存的規格、容量以及電路的特性都有不同的要求，所以對於在主板上使用的內存是否有不良的反應都應留意，尤其是高容量、高速度、新規格的內存，在選用時更應注意其特性，現將世界各國生產內存的廠商列出如下
★日本系列： Panasonic（松下）代號：MN
NEC（日本電器）代號：MC
Mitsubishi（三菱）代號： MH
Fujitsu （富士通）代號：MB
Hitachi（日立）代號： HM
Toshiba （東芝）代號： TMM
OkI（沖電氣）代號：MSM
Sharp（夏普）代號： LH
Sanyo（三洋）代號：LC
Seiko（精工）代號：SRM
Sony（索尼）代號：CXK
★美國系列： Motorola （摩托羅拉）代號：MCM
NS（國民半導體）代號： NS
TI（ ?菀瞧鰨┐�牛?TMS
Micron（美光）代號：MT
AMD（美國超微）代號： AM
Performance 代號：P
IDT（艾迪特）代號：IDT
★歐洲系列：Semens（德國西門於）代號：Semens
SGS（義大利湯拇遜）代號：T
★台灣系列：聯華 代號： UMC
茂矽 代號：Mosel（MX）
德基 代號： Texas
矽成 代號：Is
華邦 代號：Winboard
華撇隆 代號：HMC
★韓國系列： Samsung（三星）代號：KM
Goldstar（金星）代號： GOldStar
Hyundai（ 韓國現代）代號： HY
兩種內存新技術動態
為了充分挖掘內存中更多的性能，幾種內存新技術正進入高檔微機。這些新內存的特點是：
1.EDO DRAM 方案
EDO（Extend Data Out,擴充數據輸出）DRAM是一種*作效率更高的單周期內存，它在CAS周期處延遲數據的滯留，因為可維持更長的數據有效時間，這樣無需拓寬數據匯流排也增加了帶寬。
EDO內存是目前奔騰機中運用最多的一種內容，這種內存在工作時，允許CPU高效地用上次訪問的尾部覆蓋某次內存訪問的首部；單個內存訪問並沒有更快，但一連串內存訪問的完成時間比標準的快頁模式DRAM要少。
2、同步高速內存
我們常說的高速緩存一般採用非同步SRAM，它的訪問速度相對DRAM來說已大大提高了，但相對CPU來說仍較慢。目前，有一種更新的同步SRAM的高速緩存出現在奔騰機的主板上。例如，在120MHz和更快的奔騰微機的主板上，均採用了Intel的Triton晶元組，該晶元組支持一種稱為流水線突發（pipelined burst）高速緩存的特殊同步高速緩存，其中訪問速度大大地提高。
除了上述兩種新技術外，還有新型的同步DRAM技術和RambusDRAM的系統，這種技術採用25OMHz時鍾速度極快地傳送大批突發數據。
內存的速度
內存的存取速度關系著CPU對內存讀寫的時間，所以不同型號規格的內存就有不同的速度，如ROM就有27010-20，27010-15等不同的速度。DRAM也有411000-7、411000－6等不同的速度，這些編號後面的20代表200ns，-15代表150ns，-7代表70ns，-6代表60ns，所以RAM的速度比ROM的速度快很多。當電腦一啟動時，把BIOS RoM中的程序拷貝至DRAM內，以後CPU直接與較快的DRAM聯絡即可，這就是我們所謂的ShadowRAM。
內存有它不同的規格和速度，在不同電路、不同設備也有不同的單位，現將它的應用說明如下：
ms， Milli Second（毫沙）
us： Micro Second（微秒）
ns： Nano Second （納秒）
數據的傳送速度：
以ms為單位，如硬碟的平均存取速度17ms、12ms等。
以us為單位，如DRAM每隔15us更新充電一次。
以ns為單位、如內存的存取速度：
RAM： 41256-8，8即表示80ns。
411000-7，7即表示70ns。
411000-6，6即表示60ns。
ROM： 27256-20， 20即表示200ns。
27512-15，15即表示150ns。
常規內存（Conventional Memory）
常規內存在內存分配表中佔用最前面的位置，從0KB到640KB（地址000000H～109FFFFH），共佔640KB的容量。因為它在內存的最前面並且在DOS可管理的內存區，我們又稱之為Low Dos Memory（低DOS內存），或稱為基本內存（Base Memory），使用此空間的程序有BIOS*作系統、DOS*作系統、外圍設備的驅動程序、中斷向量表、一些常駐的程序、空閑可用的內存空間、以及一般的應用軟體等都可在此空間執行。由此可見，在DOS下的應用程序及其*作系統，擠在如此狹窄擁擠的空間里，640KB的容量已經不夠使用，這是因為最早使用的CPU是8088，其定址的地址信號線只有20條線，能夠定址的空間只有lMB，也就是祖先留下的祖產不多，受到先天硬體CPU定址的限制。因此在規劃內存給各個系統以及DOS下的一些套裝應用軟體使用時，在先天內存不足環境下，「省吃儉用」來分配這點內存， MS-DOS可以控制和管理1MB的內存空間，常規內存佔了640KB，其他的384KB保留給BIOS ROM及其他各種擴展卡使用。這640KB的常規內存基本上分兩部分，一部分給各種不同的*作系統程序使用，另一部分給數據、程序的使用。 上位內存（UMB）
UMB是英文Upper Memory Block的縮寫，是常規內存上面一層的內存（64OKB～1024KB），我們又稱之為DOS高端內存（地址為0A0000H～0FFFFFH）。由於PC的老祖先把DOS使用的內存限定在640KB的框框里，所以大家都想盡辦法要突破640KB的緊箍罩以擺脫640KB的限制，讓DOS的一些程序擺脫640KB藩籬。在DOS可以控制的1MB內存空間中，常規內存佔了640KB，其餘的384KB的上位內存（UMB）保留給BIOS ROM、顯示卡和其他各種擴展卡使用，但是還有一些保留空間未使用，所以在DOS 5.0以上的版本，即有突破640KB的能耐，允許使用常規內存上面的384KB的上位內存UMB（地址0A0000H～OFFFFFlH），但是要超越傳統的640KB，必須有一些條件和*作，其條件和*作如下：
◎386以上的電腦和384KB以上的擴展內存。
◎DOS 5．0以上的版本。
◎CONFIG.SYS設置Devuce=C:＼DOS＼HIMEM.SYS（擴展內存XMS驅動程序）。
◎CONFIG.SYS設置Device=C:＼DOS＼EMM386．EXE， NOEMS（擴充內存EMS模擬驅動程序）。
◎CONFIG.SYS設置DOS=HIGH，UMB。
高端內存區（HMA）
HMA是英文High Memory Area的縮寫。它是1024KB至1088KB之間的64KB內存，稱為高端內存區，其地址為100000H～1OFFEFH或以上，CPU在實地址模式下以Segment:OFFSET（段地址：偏移量）方式來定址，其定址的最大邏輯內存空間為（FFFF：FFFF），即10FFEFH，此已超過8088 CPU的20條線所能定址的lMB的上限，故286CPU的地址線有24條，只要把A20地址信號線的「邏輯門」打開，即可使用此64KB范圍的內存，這段內存乃在實地址模式下。一般說HMA是64KB，其實是指lMB以上至我們現在CPU所能定址的廣大空間4GB，它們都稱為高端內存區（HMA），如何去打開A20地址線（A20Gate，邏輯門）以上的內存，只要在DOS5.0或以上版本中使用擴展內存驅動程序，其*作如下：
在CONFIG設置驅動程序：
◎286以上的電腦和lMB以上的內存。
◎DOS 5．0以上的版本。
◎Device＝c：＼DOS＼HIMEM.SYS（擴展內存XMS驅動程序）。
◎DOS=HIGH
◎打開A20地址線， A20Gate（邏輯門）=1，即可定址lMB內存以上的空間。
◎A20地址線沒有打開， A20 Gate＝O，不能定址lMB內存以上的空間。
◎A20 Gate信號由軟體驅動鍵盤BIOS 8042或晶元組產生。
EMB是英文Extended Memory Block（擴展內存塊）的縮寫，擴展內存是指lMB以上的內存空間，其地址是從100000H開始，連續不斷向上擴展的內存，所以把這種內存稱為
EMB（Extended Memory Block）。擴展內存取決於CPU的定址能力， 286 CPU可定址到16MB, 386 CPU以上至Pentium II CPU可定址到4GB。但是，有些主板上晶元組的實際地址解碼電路並沒有設計為可定址那麼大的地址空間，如286 AT的主板上最大定址空間只到4MB，Pentium系列主板目前的最大擴展內存也只到1GB，距實際CPU的定址空間還有一段距離。對於這些擴展內存，由於超過了DOS的定址范圍，並不能直接被實地址模式的BIOS或DOS*作系統所使用，只能用於存放數據，除非使用了DOS的擴展器（DOSExtender），或使用Windows3.1/Windows 95/Windows NT/OS2等，在保護模式下供不同*作系統使用。要使電腦主機能使用擴展內存，還需要一些擴展內存驅動程序（XMS）來加以驅動和設置，其驅動程序是DOS5.O以上的版本或Windows所附帶的HIMEM.SYS，其在CONFIG.SYS下設置為：
◎Device=C:\DOS\HIMEM.SYS。
◎擴展內存是lMB以上連續的內存。
◎進入擴展內存程序，必須在保護模式下。
◎進入擴展內存，必須先打開CPU的A20邏輯門，使內存定址連續。
◎在主板由鍵盤BIOS 8042的A20邏輯門信號輸出或晶元組來打開。
◎A20邏輯門信號是實地址模式和保護地址模式的切換開關。
◎執行驅動擴展內存，在實地址模式有64KB高端內存的擴展。
◎擴展至頂端的最大內存，對DOS而言，只能存放數據。
擴充內存（EMS）
EMS是英文Expanded Memory Specification（擴充內存規范）的縮寫，是由LOtus／Intel/Microsoft三家公司制訂。擴充內存是利用1MB內存中64KB的內存區，此內存區為連續的4頁，每頁為16KB的實際頁內存，它們映射（Memory Mapping）到EMS卡上廣大空間的邏輯頁內存， EMS 4.0版本驅動程序其映射的內存區為1MB內任意大小的內存，映射的擴充內存空間為32MB，這是另一種擴充內存的方法。一般我們常用比較方便的DOS5．0以上版本，在386 CPU以上有虛擬86和分頁的能力，在EMS Emulator模擬程序的控制下，使用擴展內存的廣大空間來作為映射的內存，其驅動程序和*作如下：
◎主板和CPU為386CPU以上有虛擬86及4KB分頁的能力。
◎使用擴充內存驅動程序（EMS），必須先執行擴展內存驅動程序（EMS）。
◎使用DOS 5.0以上版本，有EMS Emulator擴充內存模擬程序EMM386.EXE的程序來實現主板上擴展內存的映射。即在CONFIG.SYS設置：Device=C:\DOS\EMM386.EXE
◎擴充內存是非連續性的內存，它是用DOS內存的存儲體開關（Bank Switch）分頁切換映射到EMS的內存空間。
閃速存儲器
什麼叫閃速存儲器（Flash Memory），閃速存儲器是目前取代傳統的EPROM和EEPROM的主要非揮發性（永久性）的存儲器，目前大部分586主板的BIOS都使用閃速存儲器，因為閃速存儲器具有以下各項優點：
◎具有較快的速度（70ns-200ns）。
◎有節能的管理（Auto Sleep和Standby），低功率和低工作電壓的功能。
◎更新數據方便，不須清除即可更改數據。
◎可由硬體或軟體來控制數據的保護。
◎在電腦外圍設備和通信設備中廣泛應用。
◎目前586電腦使用容量為1MB（bit）的閃速存儲器，686電腦使用容量為2MB（bit）的閃速存儲器。
DRAM內存
DRAM是英文Dynamic RAM的縮寫，其意思是動態隨機存取內存，它是目前主板上使用的主要內存，因為它的集成度高，較小的體積即可獲得較大的容量，而且價格低，所以是目前最常使用的內存。一般主機的內存容量即為DRAM的容量，雖然DRAM內存有容量大，價格低的優點，但是它也有缺點，主板必須有一個刷新電路與之相配合，對它的存儲數據作刷新的*作，否則它的數據就會消失，因為它內部存儲的數據是靠電容的充電來保存的，而電容會放電，故每隔一段時間就要對DRAM進行刷新。這種刷新*作會影響CPU對DRAM內存存取的效率，DRAM因為是主板主要使用的內存，所以主板在特性和內部的電路也作了一番改進，使之支持不同功能的DRAM。現將DRAM的特點歸納如下：
◎優點：集成度高，相同的體積可獲得較大容量，價格便宜。
◎缺點：主板必須要有一個刷新的電路，這會影響CPU對DRAM內存的存取，影響CPU的工作效率。
◎DRAM使用的系統：
○作為CPU與主要數據的暫時存取的內存。
○作為CPU與外圍設備顯示卡數據的緩沖器或其他家電設備的內存。
SRAM存儲器
SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜志存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。不像DRAM內存那樣需要刷新電路，每隔一段時間，固定要對DRAM刷新充電一次，否則內部的數據即會消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較，相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，所以在主板上SRAM存儲器要佔用一部分面積，在主板上哪些是SRAM呢？
一種是置於CPU與主存間的高速緩存，它有兩種規格：一種是固定在主板上的高速緩存（Cache Memory）；另一種是插在卡槽上的COAST（Cache On A Stick）擴充用的高速緩存，另外在CMOS晶元1468l8的電路里，它的內部也有較小容量的128位元組SRAM，存儲我們所設置的配置數據。還有為了加速CPU內部數據的傳送，自80486CPU起，在CPU的內部也設計有高速緩存，故在Pentium CPU就有所謂的L1 Cache（一級高速緩存）和L2Cache（二級高速緩存）的名詞，一般L1 Cache是內建在CPU的內部，L2 Cache是設計在CPU的外部，但是Pentium Pro把L1和L2 Cache同時設計在CPU的內部，故Pentium Pro的體積較大。最新的Pentium II又把L2 Cache移至CPU內核之外的黑盒子里。SRAM顯然速度快，不需要刷新的*作，但是也有另外的缺點，就是價格高，體積大，所以在主板上還不能作為用量較大的主存。現將它的特點歸納如下：
◎優點，節能、速度快，不必配合內存刷新電路，可提高整體的工作效率。
◎缺點，集成度低，相同的容量體積較大，而且價格較高，少量用於關鍵性系統以提高效率。
◎SRAM使用的系統：
○CPU與主存之間的高速緩存。
○CPU內部的L1／L2或外部的L2高速緩存。
○CPU外部擴充用的COAST高速緩存。
○CMOS 146818晶元（RT＆CMOS SRAM）。
PB（Pipeline Burst，流水線突發式）SRAM
提高主機系統性能的方法除了更換速度較快、頻率較高的主板、CPU以及擴充增加一些主存外，就是要使用支持PB SRAM晶元組的主板，什麼叫PB SRAM？它是一種SRAM存儲器，也是一種高速緩存（Cache Memory）。它是主板上使用的速度較快的高速緩存，是一種在材質和電路工藝改進的SRAM。根據測試結果，可以給CPU超頻兩極，較少的費用可以獲得較佳的性能。傳統長方形的非同步SRAM，其工作電壓為5V，為以前486主板所使用，由於速度容量的限制，已無法滿足現在快速CPU的需求，現已淘汰不用。現在的主板都用速度較快，容量較大的同步PB SRAM，其工作電壓為3.3V，其形狀為較大的四方形，一般PB SRAM在主板上有兩種規格。 ○一種是PB SRAM晶元組固定在主板上，一般為256KB或512KB，為現在大部分的主板採用。
○另一種是PB SRAM模塊的方式，插在主板PB SRAM的插槽上，一般我們稱之為COAST（Cache On A stick）插槽，由於主板的品牌和規格不同，它們安裝的方法和注意事項也不盡相同。這種高速緩存在較新的主板上已淘汰不用。度較快，有的傳送速度較慢，其中RAM的速度就比ROM的速度快，主存RAM的速度一般為50至70ns，而ROM的速度則為150至200ns，所以在主機系統的BIOS Setup（BIOS設置程序），就設置有所謂ShadowRAM的*作。電腦啟動時，系統就會把主機系統的BIOSROM或VGA卡上的VideoBIOS ROM程序全部載入DRAM內存中，並且將存儲有這些程序的內存區改為只讀狀態。以後凡是CPU要執行系統BIOS中的程序或Video BIOS中的程序，都會自動轉至速皮較快的Shadow RAM中執行，如此即可加快CPU的處理速度和屏幕圖像的顯示，一般電腦一啟動，系統即會自動將BIOS ROM和Video ROM設置為Shadow的*作，以加快系統的速度。動態DRAM內部的數據是靠電容特性存儲的，但電容會放電，所以使用動態DRAM內存就需要有數據刷新（Refresh）時鍾的電路，在幾個ms之內必須對DRAM完成充電，否則動態DRAM內存內的數據就會因放電而丟失。因此，動態內存內部結構就好像一個會漏水的茶壺，假如不在一個固定的時間去加水添滿的話，裡面的光（數據就會消失）。在PC標準的電路里是每隔15 us即充電一況在4ms之內完成整個充電*作。由於CPU的速度越越快，使得DRAM的速度越來越跟不上CPU的處理速度，所以CPU必須增加兒個等待周期，讓DRAM刷新充電以後再繼續工作，如此勢必影響CPU的工作效率，故在AT時代的主板則有交替（Interleave）刷新DRAM內存的設計，即主板必須至少有兩組存儲休（Bank），當一個存儲體供CPU存取數據時，另一個存儲體就進行數據刷新，如此才不會犧牲CPU的工作效率。另一種方式為DRAM Page Mode（DRAM頁面模式），一般在CPU對DRAM進行讀寫的一個周期中，我們只能對一個地址進行存取，但是，採用頁面模武是將內存的列地址固定，而連續改變內存的行地址，如此可得到一個連續地址的頁區塊內存，而使CPU能夠存取范圍較大的數據，而達到CPU快速存取數據的目的。另外，改進DRAM數據讀寫周期的觸發電路和材質，採用具有較佳節能特性的動態內存，在CMOS的設置中對DRAM的刷?芷誚�幸環�髡��映ざ欣RAM刷新充電的時間周期，減少對CPU*作的干擾，這都是增加CPU工作效率的方法。所以，要使內存系統發揮其性能，一方面是延長刷新的時間，另一方面是改進DRAM本身的電路和材質，提高速度，如此內存才能跟上速度一直在倍增的CPU。 在我們的主板上除了有主要的內存外，還有高速緩存。顧名恩義，高速緩存最主要的目的是提高CPU與內存之間數據的傳送速度，所以高速緩存在電路的設計上，則置於CPU與主存DRAM之間。當CPU從外圍設備讀取數據時，經CPU加以處理，再將數據寫入主存DRAM中，在寫入過程中路經高速緩存，此時會將寫入主存DRAM的地址記錄在TagSRAM（標記SRAM）內，並將剛才寫入主存DRAM中的數據拷貝一份至高速緩存的SRAM內，以備CPU下次就近取用，而不必到較遠的DRAM中讀取，如此即可加快CPU的存取速度。目前主板高速緩存的規格有256KB和512KB兩種容量，購買時應根據當時的價差選購。
主板的高速緩存其容量只有256KB或是512KB，再擴充的容量還是有限的，要把主存幾十MB的數據全部拷貝過來是不可能的，因此高速緩存還是無法取代主存的地位，所以只有把經常要讀寫的數據拷貝到高速緩存內，但是CPU要存取的數據是否在高速緩存內呢？那就涉及到CPU對高速緩存讀寫的命中率（Hit Ratio）當CPU要讀取主存中的數據時，檢查高速緩存系統的Tag SRAM的地址數據，當高速緩存內有一份所需的數據時，高速緩存匯流排的仲裁電路就會將高速緩存系統的大門打，讓CPU直接到高速緩存系統中存取數據， CPU就近取村，即可快速存取所要的數據。但是，假如CPU所要存取的數據並不在高速緩存中時，高速緩存匯流排的仲裁電路就不會將高速緩存至統的大門打開CPU只有跑到比較遠的主存，根據數據的地址去存取所需要的數據了。 Tag SRAM
什麼叫Tag SRAM，即標記的靜態隨機存取存儲器，它是在高速緩存系統中配合高速緩存的附加SRAM，它也是高速緩存，只是用在高速緩存電路中記錄地址數據，當CPU要讀取主存某一個地址中的數據時，會先到高速緩存電路中去尋找，對高速緩存系統的Tag SRAM所記錄的地址數據進行搜尋和對比，當高速緩存內也存有此地址的數據時，高速緩存匯流排的仲裁控制電路即將數據讀取傳回CPU，若對比Tag SRAM記錄的地址數據而找不到此數據的地址時，CPU就會到主存讀取數據。
當CPU要往主存寫入某一個地址的數據時 ，到主存寫入數據，然後再到高速緩存電路，對比高速緩存系統的Tag SRAM所記錄的地址，當高速緩存內也存有此地址的數據時，則更新高速緩存內的數據以保持主存與高速緩存數據的一致性。對比高速緩存系統Tag SRAM所記錄的地址是否為CPU所需讀取數據的地址，對應了高速緩存內數據讀取的機率，即所謂的命中率（Hit Ratio），命中率的多少要看高速緩存容量的大小、電路的設計、以及執行程序數據的內容，這些都與高速緩存的命中率有關。
內存的ECC
什麼叫內存的ECC， ECC是英文Error Check ＆Correct的縮寫，其中文的意思是「差錯檢查與糾正」，是目前功能較強、價格較高的晶元組才支持的功能，如Pentium的8243OHX的晶元組、Pentium II的8244OFX/82440LX／82440BX等晶元組，這些晶元組支持內存ECC校驗功能。
ECC的功能不但使內存具有數據檢查的能力，而且使內存具備了數據錯誤修正的功能，以前奇偶校驗的是8比特（bit）的數據，用一比特的奇偶校驗位來檢查數據的正確性，但是具有ECC功能的內存則用4比特來檢查8比特的數據是否正確。當CPU讀取時，若有一個比特的數據錯誤，則ECC內存會根據原先存在四個比特中的檢測比特，定位那個比特錯誤，而且會將錯誤的數據加以校正。這種DRAM內存在整個系統中較穩定，一般用於區域網絡的文件伺服器，或Internet的伺服器，當然其價格也較貴。
如何進行內存的奇偶校驗
內存的奇偶校驗（Parity Check），在主機系統中，它是對內存和數據讀寫的一種檢查電路，檢查寫到主存的數據與讀取的數據是否相符，假如不符，則通過對CPU強制中斷（NMI）的電路，通知CPU死機。
當CPU把數據寫入主存時，同時也會把數據送到奇偶校驗位產主器/檢查器（74280）來加以計算，74280這個晶元是一個9位的奇偶校驗位產生器，但也是一個檢查器，其實它的主要功能是負責把從CPU輸入到DRAM內存的H信號（高電平信號，即「1」信號）加起來看是偶數個「1」還是奇數個「1」，再從它的Even（偶）或Odd（奇）腳輸出，此輸出的信號就是奇偶校驗位（Parity bit）。當CPU把8個比特的數據寫入主存時，同時經奇偶校驗位產生器加以計算，計算的結果假如是偶數個「1」，則奇偶校驗位為」1」假如是奇數個「1」，則奇偶校驗位（Parity bit）則為L信號（低電平，即」0」信號），把此奇偶校驗位送到第9塊內存晶元暫存起來，也就是說，寫入數據的時候是產生奇偶校驗位（Parity bit），不進行奇偶校驗位的檢查（Parity Check），因為沒有對比檢查的機會，所以寫入時產主的奇偶校驗位可能是「1」，也可能是「0」，在PC AT的電路里，當CPU對主存讀取時，則此8個比特的數據在與剛才第9塊內存晶元所存儲的奇偶校驗位相加起來，所得的答案應該為奇數個「1」（即奇校驗電路的校驗位=「0」），假如是偶數個」1」則啟動奇偶校驗檢查電路，經NMI電路通知CPU死機。所以奇偶校驗位的檢查（Parity Check）是在讀取數據的時候產主，因為只有在讀取的時候，才能對比剛才所寫入內存的數據有沒有錯誤。
奇偶校驗電路可以分兩種檢查，一種是奇校驗檢查，一種是偶校驗檢查，在PC主機電路里是奇校驗檢查，即讀取的時候，奇偶校驗位（Parity bit）的Even輸出應為「0」，假如奇偶校驗位是「1」的話，即產生奇偶校驗位錯誤（Parity Error），然後經NMI電路通知CPU死機，檢查時因每一個奇偶校驗位產生器/檢查器（74280）晶元只能檢查8個比特，看看您的CPU是幾個比特的，則就有幾組74280， Pentium CPU的主機有8個7428O，但現在全部被縮編在晶元組里，故以一組來說明奇校驗與偶校驗檢查的工作原理。
奇校驗檢查：
◎CPU把數據寫入內存時僅產生奇偶校驗位，不作奇偶校驗位檢查。
CPU寫入數據時（8bit），經奇偶校驗位產生器把8個比特（bit）加起來，計算的結果：
○有偶數個「1」，則奇偶校驗位=1。
○有奇數個「1」則奇偶校驗位＝0。
○將奇偶校驗位（Parity bit）存在第9個內存晶元內。
◎CPU讀取內存數據時，此時與剛才寫入數據進行對比，進行奇偶校驗位檢查。
○剛才寫入的數據有偶數個「1」 加上存儲在第9個內存晶元中的奇偶校驗位=「l」，再經奇偶校驗位檢查器和邏輯電路的計算，Even接腳的輸出應為奇數個「1」，即奇偶校驗位為「0」。
○剛才寫入的數據有奇數個「1」加上存儲在第9個內存晶元的奇偶校驗位=「0」，再經奇偶校驗位檢查器和邏輯電路的計算， Even接腳的輸出還是為奇數個「1」， 即奇偶校驗位為「0」。
○所以無論剛才寫入的數據有偶數個「1」還是有奇數個「1」讀取的時候都是為固定的奇數個「1」，假如為偶數的話，則系統產生一連串的*作，通知CPU死機。
◎目前大多數主板都支持沒有奇偶校驗位的DRAM內存，系統的BIOS會鎖定（Disable）奇偶校驗功能，比較新的BIOS會自動檢測主板的DRAM內存是否有奇偶校驗位。
◎奇校驗：D0～D7加起來有奇數個「1」，由74280Even接腳輸出「0」作為校驗位。
◎偶校驗： D0～D7加起來有偶數個「1」，由74280Odd接腳輸出「1」作為校驗位。
◎奇校驗檢查：讀取數據時，D0～D7再加上奇偶校驗位由74280計算結果，如果共有奇數個「1」，則Even接腳輸出「0」，Odd接腳輸出「l」。若為偶數個「1」。則Even接腳輸出「1」， Odd接腳輸出「0」。
◎偶校驗檢查讀取數據時， D0～D7再加上奇偶校驗位由74280計算結果，如果共有偶數個「1」，則Even接腳輸出「1」，Odd接腳輸出「0」。若為奇數個「l」，則Even接腳輸出「0」Odd接腳輸出「1」。
不同主板如何使用無奇偶校驗（Non-Parity）的內存
主板的功能和內存的結構一直在改進，所以在更新或擴充主板和內存的時候，就會碰到主板的CMOS Setup設置程序是否具有設置Parity Check Enable/Disable（偶校驗啟用／禁用）的功能，只有386或486的主機才有這種設置，因為586以上主板的BIOS大部分都已有自動
② 內存和內存顆粒是什麼關系
samsung內存
具體含義解釋：
例：samsungk4h280838b-tcb0
主要含義：
第1位——晶元功能k，代表是內存晶元。
第2位——晶元類型4，代表dram。
第3位——晶元的更進一步的類型說明，s代表sdram、h代表ddr、g代表sgram。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的內存採用不同的刷新速率，也會使用不同的編號。64、62、63、65、66、67、6a代表64mbit的容量；28、27、2a代表128mbit的容量；56、55、57、5a代表256mbit的容量；51代表512mbit的容量。
第6、7位——數據線引腳個數，08代表8位數據；16代表16位數據；32代表32位數據；64代表64位數據。
第11位——連線「-」。
第14、15位——晶元的速率，如60為6ns；70為7ns；7b為7.5ns(cl=3)；7c為7.5ns(cl=2)；80為8ns；10為10ns(66mhz)。
知道了內存顆粒編碼主要數位的含義，拿到一個內存條後就非常容易計算出它的容量。例如一條三星ddr內存，使用18片samsungk4h280838b-tcb0顆粒封裝。顆粒編號第4、5位「28」代表該顆粒是128mbits，第6、7位「08」代表該顆粒是8位數據帶寬，這樣我們可以計算出該內存條的容量是128mbits（兆數位）×16片/8bits=256mb（兆位元組）。
註：「bit」為「數位」，「b」即位元組「byte」，一個位元組為8位則計算時除以8。關於內存容量的計算，文中所舉的例子中有兩種情況：一種是非ecc內存，每8片8位數據寬度的顆粒就可以組成一條內存；另一種ecc內存，在每64位數據之後，還增加了8位的ecc校驗碼。通過校驗碼，可以檢測出內存數據中的兩位錯誤，糾正一位錯誤。所以在實際計算容量的過程中，不計算校驗位，具有ecc功能的18片顆粒的內存條實際容量按16乘。在購買時也可以據此判定18片或者9片內存顆粒貼片的內存條是ecc內存。
hynix(hyundai)現代
現代內存的含義：
hy5dv641622at-36
hyxxxxxxxxxxxxxxxx
123456789101112
1、hy代表是現代的產品
2、內存晶元類型：(57=sdram，5d=ddrsdram)；
3、工作電壓：空白=5v，v=3.3v,u=2.5v
4、晶元容量和刷新速率：16=16mbits、4kref；64=64mbits、8kref；65=64mbits、4kref；128=128mbits、8kref；129=128mbits、4kref；256=256mbits、16kref；257=256mbits、8kref
5、代表晶元輸出的數據位寬：40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位
6、bank數量：1、2、3分別代表2個、4個和8個bank，是2的冪次關系
7、i/o界面：1:sstl_3、 2:sstl_2
8、晶元內核版本：可以為空白或a、b、c、d等字母，越往後代表內核越新
9、代表功耗：l=低功耗晶元，空白=普通晶元
10、內存晶元封裝形式：jc=400milsoj，tc=400miltsop-ⅱ，td=13mmtsop-ⅱ，tg=16mmtsop-ⅱ
11、工作速度：55:183mhz、5:200mhz、45:222mhz、43:233mhz、4:250mhz、33:300nhz、l:ddr200、h:ddr266b、 k:ddr266a
現代的mbga封裝的顆粒
infineon（英飛凌）
infineon是德國西門子的一個分公司，目前國內市場上西門子的子公司infineon生產的內存顆粒只有兩種容量：容量為128mbits的顆粒和容量為256mbits的顆粒。編號中詳細列出了其內存的容量、數據寬度。infineon的內存隊列組織管理模式都是每個顆粒由4個bank組成。所以其內存顆粒型號比較少，辨別也是最容易的。
hyb39s128400即128mb/4bits，「128」標識的是該顆粒的容量，後三位標識的是該內存數據寬度。其它也是如此，如：hyb39s128800即128mb/8bits；hyb39s128160即128mb/16bits；hyb39s256800即256mb/8bits。
infineon內存顆粒工作速率的表示方法是在其型號最後加一短線，然後標上工作速率。
-7.5——表示該內存的工作頻率是133mhz；
-8——表示該內存的工作頻率是100mhz。
例如：
1條kingston的內存條，採用16片infineon的hyb39s128400-7.5的內存顆粒生產。其容量計算為：128mbits（兆數位）×16片/8=256mb（兆位元組）。
1條ramaxel的內存條，採用8片infineon的hyb39s128800-7.5的內存顆粒生產。其容量計算為：128mbits（兆數位）×8片/8=128mb（兆位元組）。
kingmax、kti
kingmax內存的說明
kingmax內存都是採用tinybga封裝（tinyballgridarray）。並且該封裝模式是專利產品，所以我們看到採用kingmax顆粒製作的內存條全是該廠自己生產。kingmax內存顆粒有兩種容量：64mbits和128mbits。在此可以將每種容量系列的內存顆粒型號列表出來。
容量備註：
ksva44t4a0a——64mbits，16m地址空間×4位數據寬度；
ksv884t4a0a——64mbits，8m地址空間×8位數據寬度；
ksv244t4xxx——128mbits，32m地址空間×4位數據寬度；
ksv684t4xxx——128mbits，16m地址空間×8位數據寬度；
ksv864t4xxx——128mbits，8m地址空間×16位數據寬度。
kingmax內存的工作速率有四種狀態，是在型號後用短線符號隔開標識內存的工作速率：
-7a——pc133/cl=2；
-7——pc133/cl=3；
-8a——pc100/cl=2；
-8——pc100/cl=3。
例如一條kingmax內存條，採用16片ksv884t4a0a-7a的內存顆粒製造，其容量計算為：64mbits（兆數位）×16片/8=128mb（兆位元組）。
micron（美光）
以mt48lc16m8a2tg-75這個編號來說明美光內存的編碼規則。
含義：
mt——micron的廠商名稱。
48——內存的類型。48代表sdram；46代表ddr。
lc——供電電壓。lc代表3v；c代表5v；v代表2.5v。
16m8——內存顆粒容量為128mbits，計算方法是：16m（地址）×8位數據寬度。
a2——內存內核版本號。
tg——封裝方式，tg即tsop封裝。
-75——內存工作速率，-75即133mhz；-65即150mhz。
實例：一條micronddr內存條，採用18片編號為mt46v32m4-75的顆粒製造。該內存支持ecc功能。所以每個bank是奇數片內存顆粒。
其容量計算為：容量32m×4bit×16片/8=256mb（兆位元組）。
winbond（華邦）
含義說明：
wxxxxxxxx
12345
1、w代表內存顆粒是由winbond生產
2、代表顯存類型：98為sdram，94為ddrram
3、代表顆粒的版本號：常見的版本號為b和h；
4、代表封裝，h為tsop封裝，b為bga封裝，d為lqfp封裝
5、工作頻率:0：10ns、100mhz；8：8ns、125mhz；z：7.5ns、133mhz；y：6.7ns、150mhz；6：6ns、166mhz；5：5ns、200mhz
mosel（台灣茂矽）
台灣茂矽科技是台灣一家較大的內存晶元廠商，對大陸供貨不多，因此我們熟悉度不夠。這顆粒編號為v54c365164vdt45，從編號的6、7為65表示單顆粒為64/8＝8mb，從編號的8、9位16可知單顆粒位寬16bit，從編號的最後3位t45可知顆粒速度為4.5ns
nanya（南亞）、elixir、pqi、pluss、atl、eudar
南亞科技是全球第六大內存晶元廠商，也是去年台灣內存晶元商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位。這顆顯存編號為nt5sv8m16ct-7k，其中第4位字母「s」表示是sdram顯存，6、7位8m表示單顆粒容量8m，8、9位16表示單顆粒位寬16bit，-7k表示速度為7ns。
v-data（香港威剛）、a-data（台灣威剛）、vt
內存顆粒編號為vdd8608a8a-6b h0327，是6納秒的顆粒，單面8片顆粒共256m容量，0327代表它的生產日期為2003年第27周
③ 內存是什麼
內存是主板上重要的部件之一，它是存儲CPU與外圍設備溝通的數據與程序的部件。在主機中，內存所存儲的數據或程序有些是永久的，有些是暫時的，所以內存就有不同形式的功能與作用，而且存儲數據的多少也關系著內存的容量大小，傳送數據的快慢也關系著內存的速度，這些都跟內存的種類與功能有關。現將內存重要的分類介紹如下：
內存的品牌
內存有許多不同的品牌，這些不同的品牌載入於主板上，它們的排列組合就關系著主板的性能和整個系統的穩定性。除了CPU、主板外，內存是一個關鍵的部件。每家廠商對於內存的規格、容量以及電路的特性都有不同的要求，所以對於在主板上使用的內存是否有不良的反應都應留意，尤其是高容量、高速度、新規格的內存，在選用時更應注意其特性，現將世界各國生產內存的廠商列出如下
★日本系列： Panasonic（松下）代號：MN
NEC（日本電器）代號：MC
Mitsubishi（三菱）代號： MH
Fujitsu （富士通）代號：MB
Hitachi（日立）代號： HM
Toshiba （東芝）代號： TMM
OkI（沖電氣）代號：MSM
Sharp（夏普）代號： LH
Sanyo（三洋）代號：LC
Seiko（精工）代號：SRM
Sony（索尼）代號：CXK
★美國系列： Motorola （摩托羅拉）代號：MCM
NS（國民半導體）代號： NS
TI（ ?菀瞧鰨┐�牛?TMS
Micron（美光）代號：MT
AMD（美國超微）代號： AM
Performance 代號：P
IDT（艾迪特）代號：IDT
★歐洲系列：Semens（德國西門於）代號：Semens
SGS（義大利湯拇遜）代號：T
★台灣系列：聯華 代號： UMC
茂矽 代號：Mosel（MX）
德基 代號： Texas
矽成 代號：Is
華邦 代號：Winboard
華撇隆 代號：HMC
★韓國系列： Samsung（三星）代號：KM
Goldstar（金星）代號： GOldStar
Hyundai（ 韓國現代）代號： HY
兩種內存新技術動態
為了充分挖掘內存中更多的性能，幾種內存新技術正進入高檔微機。這些新內存的特點是：
1.EDO DRAM 方案
EDO（Extend Data Out,擴充數據輸出）DRAM是一種*作效率更高的單周期內存，它在CAS周期處延遲數據的滯留，因為可維持更長的數據有效時間，這樣無需拓寬數據匯流排也增加了帶寬。
EDO內存是目前奔騰機中運用最多的一種內容，這種內存在工作時，允許CPU高效地用上次訪問的尾部覆蓋某次內存訪問的首部；單個內存訪問並沒有更快，但一連串內存訪問的完成時間比標準的快頁模式DRAM要少。
2、同步高速內存
我們常說的高速緩存一般採用非同步SRAM，它的訪問速度相對DRAM來說已大大提高了，但相對CPU來說仍較慢。目前，有一種更新的同步SRAM的高速緩存出現在奔騰機的主板上。例如，在120MHz和更快的奔騰微機的主板上，均採用了Intel的Triton晶元組，該晶元組支持一種稱為流水線突發（pipelined burst）高速緩存的特殊同步高速緩存，其中訪問速度大大地提高。
除了上述兩種新技術外，還有新型的同步DRAM技術和RambusDRAM的系統，這種技術採用25OMHz時鍾速度極快地傳送大批突發數據。
內存的速度
內存的存取速度關系著CPU對內存讀寫的時間，所以不同型號規格的內存就有不同的速度，如ROM就有27010-20，27010-15等不同的速度。DRAM也有411000-7、411000－6等不同的速度，這些編號後面的20代表200ns，-15代表150ns，-7代表70ns，-6代表60ns，所以RAM的速度比ROM的速度快很多。當電腦一啟動時，把BIOS RoM中的程序拷貝至DRAM內，以後CPU直接與較快的DRAM聯絡即可，這就是我們所謂的ShadowRAM。
內存有它不同的規格和速度，在不同電路、不同設備也有不同的單位，現將它的應用說明如下：
ms， Milli Second（毫沙）
us： Micro Second（微秒）
ns： Nano Second （納秒）
數據的傳送速度：
以ms為單位，如硬碟的平均存取速度17ms、12ms等。
以us為單位，如DRAM每隔15us更新充電一次。
以ns為單位、如內存的存取速度：
RAM： 41256-8，8即表示80ns。
411000-7，7即表示70ns。
411000-6，6即表示60ns。
ROM： 27256-20， 20即表示200ns。
27512-15，15即表示150ns。
常規內存（Conventional Memory）
常規內存在內存分配表中佔用最前面的位置，從0KB到640KB（地址000000H～109FFFFH），共佔640KB的容量。因為它在內存的最前面並且在DOS可管理的內存區，我們又稱之為Low Dos Memory（低DOS內存），或稱為基本內存（Base Memory），使用此空間的程序有BIOS*作系統、DOS*作系統、外圍設備的驅動程序、中斷向量表、一些常駐的程序、空閑可用的內存空間、以及一般的應用軟體等都可在此空間執行。由此可見，在DOS下的應用程序及其*作系統，擠在如此狹窄擁擠的空間里，640KB的容量已經不夠使用，這是因為最早使用的CPU是8088，其定址的地址信號線只有20條線，能夠定址的空間只有lMB，也就是祖先留下的祖產不多，受到先天硬體CPU定址的限制。因此在規劃內存給各個系統以及DOS下的一些套裝應用軟體使用時，在先天內存不足環境下，「省吃儉用」來分配這點內存， MS-DOS可以控制和管理1MB的內存空間，常規內存佔了640KB，其他的384KB保留給BIOS ROM及其他各種擴展卡使用。這640KB的常規內存基本上分兩部分，一部分給各種不同的*作系統程序使用，另一部分給數據、程序的使用。 上位內存（UMB）
④ 內存顆粒編號問題,請高手指教
整個DDR SDRAM顆粒的編號，一共是由14組數字或字母組成，他們分別代表內存的一個重要參數，了解了他們，就等於了解了現代內存。
顆粒編號解釋如下：
1． HY是HYNIX的簡稱，代表著該顆粒是現代製造的產品。
2． 內存晶元類型：（5D=DDR SDRAM）
3． 處理工藝及供電：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）
4． 晶元容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）
5． 內存條晶元結構：（4＝4顆晶元；8＝8顆晶元；16＝16顆晶元；32＝32顆晶元）
6． 內存bank（儲蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）
7． 介面類型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）
8． 內核代號：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）
9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）
10． 封裝類型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））
11． 封裝堆棧：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））
12． 封裝原料：（空白=普通；P=鉛；H＝鹵素；R=鉛+鹵素）
13． 速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）
14． 工作溫度：（I=工業常溫（-40 - 85度）；E=擴展溫度（-25 - 85度））
由上面14條註解，我們不難發現，其實最終我們只需要記住2、3、6、13等幾處數字的實際含義，就能輕松實現對使用現代DDR SDRAM內存顆粒的產品進行辨別。尤其是第13位數字，它將明確的告訴消費者，這款內存實際的最高工作狀態是多少。假如，消費者買到一款這里顯示為L的產品（也就是說，它只支持DDR 200的工作頻率），那麼就算內存條上貼的標簽或者包裝盒上吹的再好，它也只是一款低檔產品。
常見SDRAM 編號識別
維修SDRAM內存條時，首先要明白內存晶元編號的含義，在其編號中包括以下幾個內容：廠商名稱（代號）、容量、類型、工作速度等，有些還有電壓和一些特殊標志等。通過對這些參數的分析比較，就可以正確認識和理解該內存條的規格以及特點。
(1)世界主要內存晶元生產廠商的前綴標志如下：
▲ HY HYUNDAI ------- 現代
▲ MT Micron ------- 美光
▲ GM LG-Semicon
▲ HYB SIEMENS ------ 西門子
▲ HM Hitachi ------ 日立
▲ MB Fujitsu ------ 富士通
▲ TC Toshiba ------ 東芝
▲ KM Samsung ------ 三星
▲ KS KINGMAX ------ 勝創
(2)內存晶元速度編號解釋如下:
★ -7 標記的SDRAM 符合 PC143 規范,速度為7ns.
★ –75標記的SDRAM 符合PC133規范,速度為7.5ns.
★ –8標記的SDRAM 符合PC125規范,速度為8ns.
★ –7k/-7J/10P/10S標記的SDRAM 符合PC100規范,速度為10ns.
★ –10K標記的SDRAM符合PC66規范,速度為15ns.
(3) 編 號 形 式
HY 5a b ccc dd e f g h ii-jj
其中5a中的a表示晶元類別,7---SDRAM; D—DDR SDRAM.
b表示電壓,V—3.3V; U---2.5V; 空白—5V.
CCC表示容量,16—16M; 65—64M; 129—129M; 256—256M.
dd表示帶寬。
f表示界面，0—LVTTL； 1—SSTL（3）； 2—SSTL_2.
g表示版本號，B—第三代。
h表示電源功耗， L—低功耗； 空白—普通型。
ii表示封裝形式， TC—400mil TSOP—H.
jj表示速度，7—143MHZ; 75—133MHZ;8—125MHZ;
10P—100MHZ(CL=2);10S—100MHZ(CL=3)
10—100MHZ(非PC100)。
例：1） HY57V651620B TC-75
按照解釋該內存條應為：SDRAM， 3.3V, 64M, 133MHZ.
2) HY57V653220B TC-7
按照解釋該內存條應為：SDRAM， 3.3V, 64M, 143MHZ
全球主要內存晶元生產廠家(掌握內存晶元生產技術的廠家主要分布在美國、韓國、日本、德國、台灣)：
序號 品牌 國家/地區 標識 備注
1 三星 韓國 SAMSUNG
2 現代 韓國 HY
3 樂金 韓國 LGS 已與HY合並
4 邁克龍 美國 MT
5 德州儀器 美國 Ti 已與Micron合並
6 日電 日本 NEC
7 日立 日本 HITACHI
8 沖電氣 日本 OKI
9 東芝 日本 TOSHIBA
10 富士通 日本 F
11 西門子 德國 SIEMENS
12 聯華 台灣 UMC
13 南亞 台灣 NANYA
14 茂矽 台灣 MOSEI
回答者：血薔薇3109 - 魔法師 五級
⑤ OKI C3100怎麼清零啊，在線求助，列印機維修資料，列印機維修資料
建議不要自己加粉，一對列印機不好，二對打出來的產品不好，三對身體不好，。
只能通過更換晶元完成，取出墨盒更換新的列印晶元即可。
清零——電子學術語：清零是一種指令。在電子計算機硬體中，有計算器、累加器、中央存儲器、外部存儲器、地址存儲器等。
使用清零指令，可以將存儲器的狀態（數據）變成原始的零狀態。即是存儲器由高電位（代表邏輯1）翻轉成低電位（代表邏輯0）。
⑥ 針式列印機一下幾個牌子，你用的是哪個牌子1 得實 2 富士通 3 愛普生 4 映美 5 OKI 6 實達 7 star
我們用的是得實，可以3年免費上門維修維護，機器也是人家上門給我們安好調好才走的。用起來質量確實不錯，本來我們想買STAR的呢，聽人介紹說這個牌子現在都是代理商生產的，型號一樣但是質量跟以前的不一樣了，試用了一下感覺一般。
⑦ 國內美光內存代理商叫什麼啊
叫星宏偉業。
Micron(美國美光)半導體是全球第二大內存晶元廠，是全球著名的半導體存儲器方案供應商，是美 國500強企業之一。
Micron是其中先進的半導體解答領先世界的提供者之一。Micron微量和閃光組分用於現代最先進的 計算，Micron的網路和通信產品，包括計算機、工作站、伺服器、手機、無線電設備、數字照相機和 GAMING系統。美光科技有限公司(Micron Technology, Inc.)是高級半導體解決方案的全球領先供應商之 一。
⑧ 現在的內存顆粒廠商及詳細參數
我們經常用到的內存品牌有：海盜船、Kingston（金士頓）、Kingmax（勝創）、APACER（宇瞻）、三星（SAMSUNG）、現代（HYNIX）等。雜牌中用的顆粒編號較多的是EACH的以及KingMAN、KingRAM等等。海盜船內存主要用於伺服器或者發燒玩家，我們大家在購買電腦的時候，在資金比較寬裕的情況下，推薦選購Kingston的VALUERAM盒裝內存，以及APACER盒裝內存（建議購買英飛凌」INFINEON「顆粒的）這兩種內存提供內存的終身質保，品質上沒有任何問題，大家完全可以放心使用。如果資金不是很寬裕，建議購買非打磨現代的內存，經實踐證明原廠現代內存的兼容性在所有的內存中首屈一指。但是，現代的內存假貨嚴重泛濫，關於其造假及售假方法將在下文中提到。如果你要購買現代的兼容內存，建議你一定要買富豪代理或者金霞代理的盒裝正品。如果貪圖便宜選擇散裝條子，那就要考考您的眼力了。基本上不推薦購買雜牌內存，雜牌內存在使用壽命和質保上都不能令人滿意，最後說一下Kingmax內存之所以不推薦，就是因為Kingmax內存與某些主板（如早期NFORCE 2晶元組）的兼容性不是很好，但其自身的品質和性能絕對也是業界一流的。希望在購買的時候一定要當場試試，看有沒有兼容性問題.
現代顆粒：
作為全球幾大內存顆粒生產廠家的現代公司自從進入中國以後假貨也隨之而來並且花樣之多令人發寒。以往所謂的現代原廠內存不過是使用些小伎倆比如貼塑料紙，噴漆等下三濫的REMARK手段，而現在真正的仿冒品出來了，不仔細看的話真的會被假貨所蒙騙。同時HY公司的內存顆粒一直以來算的上中規中矩，除了穩固TSOP II封裝的顆粒外，根本沒有生產過其他封裝的產品，這里就暴露了假貨的致命點。雖然外觀漂亮，但是最終難逃假貨的命運。
目前現代主流的內存顆粒有兩種，默認頻率在200MHz的D-43顆粒以及250MHz的D-5顆粒。
海力士（Hynix）顆粒：
與英飛凌的情況類似，海力士以前是韓國現代電子公司的子公司現代半導體公司，後來從母公司中獨立，改名為Hynix，所以嚴格的說，它的產品不能再稱之為「現代內存」了。
KINGSTON系列：
雖然他比KINGMAX出道晚，但是他卻以迅雷不及掩耳的速度在國內走紅，可能最主要的原因就是內存質量了。同樣市場上也就出現了仿冒的盒裝KINGSTON。辨別是否是正品非常的簡單。首先，正品的封口貼紙印刷色彩豐富。假冒的產品則遜色很多。
如果不能通過包裝外表來識破真假，那麼就看看內存顆粒，假貨為了節省成本通常使用廉價的雜牌內存顆粒，而正品則是以SAMSUNG，HY等為主的。但是必須要提防打磨的顆粒。還有一招就是撥打內存上的800電話來辨別真假。
三星原廠顆粒：
三星與現代原廠內存一直都是比較崇尚的，自從去年進入市場以來也都沒有過的清閑，頻繁受到了仿冒品的騷擾。
現在的所謂三星原廠的仿冒品如同以前的散裝條，做工較為粗糙，PCB質量較為低劣，並且分量也不及原廠條來的重。內存顆粒的激光字體原廠的非常清晰，而仿冒品則有摩擦過的痕跡。
內存的背面也可以看到真品的走線比較清晰自然，而仿冒品則比較零亂，包括焊點的質量，誰真誰假一目瞭然。
為了防止仿冒品三星原廠內存的代理商未雨綢繆的使用了防偽技術，在真品的內存中貼上了一張鐳射三星金條的貼紙，同時整體原廠的包裝中也附帶有了一張質量保證卡。相信這些仿冒者除非下血本，不然還是難以與真品的附件質量相抗衡的。
三星內存顆粒上的編號「TC」，其中的「T」代表採用TSOP封裝方式。
一、三星DDR系列內存晶元：
三星TCB3顆粒：
TCB3是三星推出的6ns DDR顆粒，可以穩定地工作在PC2700, 2-2-2-X的時序，參數非常優秀，此外它同樣可以工作在PC3200，但是不能繼續維持這么高的時序，200MHz時的時序為2-3-3-6，不過也已經很不錯了。TCB3的頻率極限在230MHz左右，對於對於默認為166MHz的內存來說超頻幅度很大，TCB3對於電壓並不太敏感，3.0V電壓下頻率提升也不是很大。現在來看這種顆粒有些過時。
三星TCCC顆粒：
TCCC是三星TCC系列（PC3200）裡面編號為「C」的顆粒，表示其PC3200時預設CAS值為3。TCCC可以工作在250-260MHz，3-4-4-8的時序，而默認200MHz時可以保持2.5-3-3-6的時序，由於TCCC顆粒的售價比較便宜，因此和現代的D43一起成為性價比出色的代表。此外不少DDR500內存同樣採用了TCCC顆粒，不過由於已經接近極限頻率，留給這款內存的超頻空間已經很小了。電壓對於TCCC顆粒的超頻有一定的影響，不過在2.8V時已經基本可以達到最高頻率。
三星TCC4顆粒：
TCC4：TCC4是三星的另外一款5ns的DDR400內存顆粒，不過並不常見，在一些品牌的PC3200低端內存甚至是PC2700內存上面可以看到它。TCC4並不太適合超頻用戶，因為在加壓情況下最高也只能穩定在210-220MHz，3-3-3-X的時序模式下，對電壓很不敏感，只適合追求容量和性價比的用戶。
三星TCC5顆粒：
TCC5：TCC5是三星TCC系列的一款新產品，在各方面比它的前輩TCC4都要優秀很多，一般多用在DDR466內存產品上，超頻性能很不錯。這款內存的默認工作頻率為233MHz，初始頻率比TCC4要高，默認工作時序可以達到2.5-3-3-X，在超頻模式下，可以工作在250MHz和3-4-4-X的時序下，對於電壓也不太敏感。這款顆粒相比TCCC和現代的D43來說並不常見，售價相對較高，對於AMD,Intel的平台都比較適應，200MHz下可以提供不錯的時序，而超頻狀態下可以提供不錯的頻率，是一個不錯的選擇。
三星TCCD顆粒：
TCCD：TCCD是另一款經典高頻顆粒，可以在2-2-2-X的時序下穩定工作在220MHz,也可以在2.5-4-4-X的時序下以超過300MHz的頻率穩定運行，是目前工作頻率最高的DDR內存晶元。TCCD對於電壓的比較敏感，但是並不需要太高的電壓就可以完全進入高效狀態，在2.8V或者更低電壓下即可達到，幾乎適用於所有的主流主板。目前採用TCCD顆粒的內存產品在絕大多數主板上可以輕松達到DDR600的水準，可以滿足不同用戶的需要。TCCD和BH-5相比在高頻時候的參數不足可以通過更高的工作頻率來彌補。目前幾乎所有的內存頻寬記錄都是由TCCD創造的，不少採用TCCD顆粒的品牌內存已經成為超頻玩家們追捧的對象。
三星UCCC顆粒：
此外三星UCCC內存顆粒低延遲特性也為玩家所追捧，選用UCCC顆粒的DDR400內存條，默認工作時序為3-3-3-6，在不加電壓超頻模式下，可以工作在240MHz和2.5-3-3-X下。相對價格也要便宜一些，非常適合大眾選擇。
三星DDR2系列內存晶元
GCCC是目前最常見的三星顆粒，多用於DDR2-400產品
使用三星ZCD5顆粒的三星金條DDR2-533內存在不加電壓超頻情況下，能夠以4-4-4-X的時序穩定工作在DDR2-667模式，更具備挑戰DDR2-900的實力。
目前全球速度最快的三星金條DDR2-800採用三星ZCE7顆粒
最近生產的三星顆粒上，廠家標識已經從原來的「SAMSUNG」改為「SEC」了
DDR2時代，三星全面進入到GC和ZC(G為FBGA封裝方式,Y為FBGA-LF)系列，另外還有SC和YC，並採用90nm生產工藝，使相同晶元可以生產出更多的顆粒，從而降低了成本。YC是外形最小的一種封裝方式，性能表現也最好，現在市面上很少見到。
目前較常見到的有GCCC(多用於DDR2-400)、***5/ZCD5(多用於DDR2-533)、***6/GCE6(多用於DDR2-667)、GCF7/GCE7(多用於DDR2-800)等；這些內存顆粒在超頻方面同樣有著不容小視的實力，且仍保持低延遲風格。不過經過編號更改後(由SAMSUNG改為SEC)，默認時序參數已設定得較為保守，不過某些DDR2-533默認延遲仍設定在4-4-4-10上。通常情況下三星DDR2-533內存時序參數可以穩定在3-3-3-4上，優勢明顯，這也是為什麼三星金條內存品質非常好的一個原因。GCCC和***5顆粒大都具備在5-5-5-15參數下超頻至DDR2-800以上水平。三星金條作為韓國三星電子的原廠原裝內存，多選用這種顆粒。
KINGMAX系列：
KINGMAX的產品以他的TINYBGA封裝形式得以聞名，同時因為技術的獨特性也一定程度抑制了假貨的生存。在去年KINGMAX為了豐富自己的產品線推出了一個SUPER-RAM的系列，這個系列採用了TSOP封裝技術，當然這也給仿冒工廠帶來了又一個利潤點。
不過KINGMAX公司也意識到了這一點，對這個系列的內存使用了非常多的防偽手段。最另人值得注意的就是PCB板正面SPD下方新設計一顆ASIC晶元(特殊用途晶元)，該顆粒採用KINGMAX專利的TinyBGA技術進行封裝，內部存儲了ID CODE，具有全球統一識別碼，也就是說擁有唯一性，同時還附上了800電話的查詢貼紙，這樣假貨就無處藏身了。
Kingmax內存都是採用TinyBGA封裝（Tiny ball grid array）。並且該封裝模式是專利產品，所以採用Kingmax顆粒製作的內存條全是該廠自己生產。Kingmax內存顆粒有兩種容量：64Mbits和128Mbits。在此可以將每種容量系列的內存顆粒型號列表出來。
容量備註：
KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空間 × 4位數據寬度；
KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空間 × 8位數據寬度；
KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空間 × 4位數據寬度；
KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空間 × 8位數據寬度；
KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空間 × 16位數據寬度。
Kingmax內存的工作速率有四種狀態，是在型號後用短線符號隔開標識內存的工作速率：
-7A——PC133 /CL=2；
-7——PC133 /CL=3；
-8A——PC100/ CL=2；
-8——PC100 /CL=3。
例如一條Kingmax內存條，採用16片KSV884T4A0A-7A 的內存顆粒製造，其容量計算為： 64Mbits（兆數位）×16片/8=128MB（兆位元組）。
Winbond(華邦)系列
Winbond(華邦)是台灣著名的內存晶元生產商，該公司生產的DDR內存顆粒在玩家心目中的地位是其他任何廠商沒辦法取代的，該公司的BH-5內存晶元已經成為高檔內存的代名詞。
1、BH-5
BH-5是華邦公司最出名的內存顆粒，也可以稱得上到目前位置最出名的內存顆粒！這些顆粒以其超強的內存參數而著稱，並且對於電壓相當地敏感；大多數的BH-5顆粒可以工作在2-2-2-X的參數下，當然在3.2-3.4V高壓下，部分採用BH-5顆粒的極品內存甚至工作在280MHZ的頻率，並且仍然維持2-2-2-x這樣的時序。
當然這樣體質的BH-5顆粒還比較少見，對於內存的整體要求也相當高。如果你的主板不支持2.8V以上的內存電壓調節，採用BH-5顆粒的內存或許不太適合你，但是對於那些狂熱的超頻玩家來說，OCZ的DDR booster可以幫助他們榨乾BH-5的所有能量，最高3.9V的電壓可以輕松讓你的BH5達到DDR500，2-2-2-X以上，當然筆者不推薦正常使用中採用這么高的電壓(畢竟大多數採用BH5顆粒的內存默認電壓為2.5-2.6V之間)。
2003年是BH-5顆粒產量最多的一年，但目前華邦已經宣布停產BH-5顆粒，因此現在的市面上新售內存中採用BH-5的比例非常少，多數出現在售價超貴的高端內存中，如Mushkin Black Level ram，Kingston Hyper X，Corsair XMS，TwinMos，Buffalo以及極少數低端內存產品中；當然另外一種尋找BH-5內存的方法就是在銷售商的庫存產品中，或二手市場，網友之間的交易來獲得。
2、CH-5
CH-5顆粒是華邦公司繼BH-5以後推出的另外一款試用於DDR400內存產品的內存晶元，可以稱之為BH-5的縮水版，為什麼這樣說呢？因為CH-5超頻後工作參數一般只能達到2-3-2-X，頻率在220-230MHZ左右，和BH-5相差甚遠；並且對於電壓的敏感程度比不上BH-5，高於3V的電壓通常也起不到太明顯的效果，這種現象雖然主要還是內存顆粒的本身體質來決定的，但是和內存廠商的PCB板設計，用料還是脫不了干係的。
不同批次的CH-5顆粒的差別也很大，一些少數CH-5顆粒同樣可以達到BH-5所能夠達到的成績，當然幾率非常小。目前華邦仍然在繼續生產CH-5顆粒，在BH-5停產後，縮水版的CH-5也逐漸被很多高端內存所選購，成為新一代的「極品」，不少採用CH-5顆粒的內存在適當的加壓後可以工作在200MHZ 2-2-2-X的模式下，目前Corsair XMS，Kingston Hyper X以及其他幾個高端品牌的內存產品的一些型號均採用了CH-5顆粒。
3、BH-6
BH-6作為BH-X系列的6ns版本，同樣具有非常不錯的性能，某些批次的BH-6的超頻性能甚至能夠比得上同門大哥BH-5，大多數BH-6同樣可以工作在2-2-2-2X的參數下，並且在3.2-3.4V電壓下可以穩定工作在240-250MHz。
不過由於華邦在推出BH-6顆粒不久後由於產能不足停止了該型號顆粒的生產，因此相比BH-5顆粒來說BH-6顆粒數量更為稀少。Mushkin Special 2-2-2，Corsair XMS，Kingston Hyper X，Kingston Value Ram PC2700等型號的內存產品上採用了BH-6顆粒。
4、CH-6
CH-6是華邦CH-X系列的6ns版本，雖然大家對這款華邦低端DDR顆粒不是很看好，但是它仍然繼承了華邦系列一貫的優秀品質。CH-6在大多數情況下和CH-5很相似，不過不太容易穩定在2-2-2-X的時序，和CH-5一樣同樣對於電壓不是很敏感，最高的工作頻率應該是220MHz，2-3-2-X的時序。CH-6面對的是性價比比較高的市場，在一些較低端的內存產品上比較常見，如Kingston Value Ram，Corsair Value Ram以及Mushkin Basic系列。
5、UTT
UTT是華邦最新推出的DDR內存顆粒，可以說和BH-5顆粒非常相似，無論是能夠達到的極限頻率以及工作時序，和BH5不同的是UTT顆粒需要稍高的電壓才能做到這些，因此大多數超頻玩家選擇讓UTT在3.4-3.6V的電壓下工作。
UTT在一點上做的要比BH-5顆粒出色，那就是UTT顆粒無論是雙面還是單面分布超頻性能幾乎相同，但BH-5更偏愛單面分布的方式，因此BH-5系列內存的最好超頻搭配為2x256MB,但UTT無論是2x256mb或者是2x512MB的搭配都同樣出色，這一優勢在1GB內存成為主流容量的今天顯得特別重要，512MB的容量在對付主流的3D游戲和軟體應用已經捉襟見肘。
UTT顆粒在辨認上顯得有點困難，可以通過印刷在顆粒表面的商標很容易地辨認出上面介紹的華邦其他四款內存晶元，但是UTT的顆粒印刷種類比較多，在尋找的時候會帶來不小的難度。UTT常見的顆粒表面印著M.Tec或者Twinmos的商標，並且擁有華邦系列內存的特徵(顆粒正面左右對稱分布2個凹進去的小圓圈，內存的側面可以看到兩個短距離的金屬橫片)。
一般具備華邦內存顆粒特徵但是沒有印刷BH-5/CH-5的DDR400顆粒通常就是UTT顆粒了。一但擁有了採用UTT顆粒的內存，你會發現擁有1GB容量並且可以工作在275MHz 2-2-2-X時序的內存是多麼值得興奮的事。目前你可以在OCZ Gold VX系列 OCZ Value VX系列, TwinMos Speed Premium 系列以及其他多種品牌的低價內存上看到它的身影。1GB容量的售價在150美元左右，非常超值。
華邦系列內存顆粒的特徵－顆粒正面左右對稱分布2個凹進去的小圓圈，內存的側面可以看到兩個短距離的金屬橫片。
鎂光(Micron)系列顆粒
鎂光系列DDR內存顆粒以出色的超頻性能以及兼容性好而著稱，好多超頻玩家稱之為「中庸內存」，在中端領域鎂光的顆粒無人能敵。目前常見的DDR顆粒包括-5B C/-5B G系列。
1、-5B C
說實話鎂光的5B系列顆粒本來應該十分熱賣才對，這款-5B C顆粒不僅能夠達到很高的頻率並且同時擁有很棒的時序，通常可以穩定工作在230MHz，2.5-2-2-X，雖然CAS延遲不能達到2.0或者更低，但是TRD和TRP卻很低，均可穩定在時序2，當然工作頻率還可以上的更高。-5B C對於電壓同樣很敏感，在3.0V電壓下基本上可以達到最高頻率250MHz以上。
鎂光的顆粒的效能非常好，CAS2.5可以和BH-5系列CAS2相聘美，此外該款內存的非同步性能非常好，對於高端的Athlon64，Intel平台處理器FSB的提升尤其有幫助。目前多家廠商推出的PC3200內存均採用了鎂光的這款晶元，其中最引人注目的就是日本的Buffalo品牌，此外還包括Crucial，OCZ和其他品牌。
-5B G
-5B G顆粒是鎂光針對前者-5B C的改進版，雖然同樣為5ns晶元，但是所能達到的最高頻率要高於前者，著名的Crucial Ballistix系列內存就採用了這款型號的內存顆粒，不僅工作頻率高，內存時序也相當出色。
-5B G顆粒可以在保持較高頻率的同時擁有出色的時序，大多數-5B G可以工作在250-260MHz，2.5-2-2-X的時序，比大多數現代的D43/D5顆粒都要出色，目前1GB容量Crucial Ballistix的售價在250美元左右，此外你還可以在鎂光原廠DDR400上發現這款顆粒的身影。
美光內存晶元編號的說明如下：
美光科技的編號相當詳細，這是因為它將所有的DRAM晶元編號進行了統一，包括久遠的EDO（在一些專用設備上仍然會使用到它）和未來的DDR-2晶元，所以也顯得參數很多，甚至在封裝類型中還體現出有鉛和無鉛（Lead Free）封裝，但好在分類還是比較清楚的。值得注意的是晶元的版本，其規則也基本與三星的一樣，越靠後越新，但會有一些特殊的規定，如果是LF、S2、SF、T2等標識則代表了該產品集成了兩個內核，可以認為是堆疊式（Stack）封裝）。而特殊功能則是指產品所具備的一些功能可選項，但自刷新（Self Refresh）自從16Mb的SDRAM以後就是標準的設計，所以這一項是無關緊要的。
在晶元結構方面，表示容量單位的字母（K、M、G，這三個字母大家應該很熟悉了吧）後面的數字就是晶元的位寬，它乘以前面的字母與數字組合的結果就是晶元的容量，單位是Bit。比如圖中的例子是32M8，代表的是位寬為8bit，乘以32M，總容量為256Mbit。
Micron（美光）內存顆粒的容量辨識相對於三星來說簡單許多。下面就以MT48LC16M8A2TG-75這個編號來說明美光內存的編碼規則。
含義：
MT——Micron的廠商名稱。
48——內存的類型。48代表SDRAM；46 代表DDR。
LC——供電電壓。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
16M8——內存顆粒容量為128Mbits，計算方法是：16M（地址）×8位數據寬度。
A2——內存內核版本號。
TG——封裝方式，TG即TSOP封裝。
-75——內存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
以上面的晶元圖為例，可以看出它的容量是256Mbit，位寬8bit，採用TSOP-II封裝，產品版本應該是第一代（沒有版本編號）、速度為DDR-400（3-3-3）。
實例：一條Micron DDR內存條，採用18片編號為MT46V32M4-75的顆粒製造。該內存支持ECC功能。所以每個Bank是奇數片內存顆粒。
其容量計算為：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆位元組）。
Infineon(英飛凌)系列顆粒
Infineon(英飛凌)科技作為內存界的元老，其在SD時代的超頻性能無人能敵，並且具備完美的兼容性能。有人將Infineon稱為西門子（Siemens），事實上英飛凌的前身是西門子半導體公司，在SDRAM時代，我們經常看到Siemens字樣的內存，但如今Infineon早已獨立，所以今後不再叫它是西門子內存了。目前英飛凌常見的幾款DDR內存顆粒在超頻上都有不錯的表現。
1、B5
這是英飛凌的5ns內存顆粒，不過並不多見，因為僅有Corsair XMS3200 rev. 3.1這款內存使用了B5顆粒，默認設置為200MHz，2-3-3-6時序，相當不錯，總體特徵和華邦的CH-6顆粒很類似。B5顆粒對電壓同樣敏感，不過沒有華邦的顆粒那麼明顯，即使加壓後超頻幅度也很一般，在2.9-3.0V的電壓下只能工作在220-230MHz，嘗試超過這個電壓更是在浪費時間。
2、BT-6
這款是英飛凌的6ns顆粒，主要使用在PC2700內存產品上，和B5很類似，僅是在超頻幅度上略遜於後者。Kingston的KVR2700就是採用了BT-6顆粒，可以穩定工作在215MHz，2.5-3-3-11的時序；目前6ns的BT-6算是比較落伍了，不過可以輕松達到200MHz，CAS2.5的水準，如果想要達到更高的頻率和參數，就要在電壓上下功夫了。綜合來說，BT-6的好處就是以PC2700的價格帶給你PC3200的體驗。
3、BT-5
目前最常見的英飛凌DDR400晶元就是BT-5，默認工作頻率為200MHz,3.0-3-3-8,DDR400通常優化時序為2.5-3-2-X,顯得一般，不過BT-5擅長的是頻率制勝，並且對於電壓敏感程度很高，在2.8V以上電壓，BT-5顆粒大多可以工作在240MHz以上，少數可以達到275MHz，3-4-4-X的工作狀態。目前在很多品牌包括英飛凌原廠的PC3200內存都採用了這款BT-5顆粒，是一款性價比不錯的產品。
4、CE-5/BE-5
在BT-5 200MHz下的時序遭人詬病以後，英飛凌的另外一款5ns DDR顆粒進入了市場，CE-5顆粒可以穩定工作在200MHz 2-3-2-X時序，此外部分產品還可以上到260MHz以上的頻率，不過目前採用CE-5顆粒的內存品質參差不齊，一部分產品甚至不能穩定在225MHz以上。此外最新推出的BE-5顆粒，可以單面實現512MB容量，在參數和極限速度上相比CE-5又有進步。
英飛凌內存晶元編號的說明如下：
在以前，有些人一看開頭是HYB就以為是現代（HYUNHAI）的內存晶元，現在可就不要再出這種錯誤了。在最新的編號中，英飛凌將DDR和DDR-2的產品編號進行了統一，比如DDR-2 400與DDR-400的速度編號是一樣的，但在具體的產品上所代表的含義並不一樣。英飛凌的編號比較簡明（由於DDR內存目前都是4個邏輯Bank，所以英飛凌也就取消了該編號，但估計到了DDR-2時代，由於多了8Bank的選項，估計還會有該編碼）
西門子內存顆粒(實際上還是上面的英飛凌)
目前國內市場上西門子的子公司Infineon生產的內存顆粒只有兩種容量：容量為128Mbits的顆粒和容量為256Mbits的顆粒。編號中詳細列出了其內存的容量、數據寬度。Infineon的內存隊列組織管理模式都是每個顆粒由4個Bank組成。所以其內存顆粒型號比較少，辨別也是最容易的。
HYB39S128400即128MB/ 4bits，「128」標識的是該顆粒的容量，後三位標識的是該內存數據寬度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。
Infineon內存顆粒工作速率的表示方法是在其型號最後加一短線，然後標上工作速率。
-7.5——表示該內存的工作頻率是133MHz；
-8——表示該內存的工作頻率是100MHz。
例如：
1條Kingston的內存條，採用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的內存顆粒生產。其容量計算為： 128Mbits（兆數位）×16片/8=256MB（兆位元組）。
1條Ramaxel的內存條，採用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的內存顆粒生產。其容量計算為： 128Mbits（兆數位） × 8 片/8=128MB（兆位元組）。
南亞科技（Nanya）
南亞內存晶元編號說明如下：
南亞的編號也是SDRAM、DDR SDRAM與DDR-2 SDRAM統一在起，而且也比較簡明，在晶元結構方面，規則與美光的一樣，並且也沒有邏輯Bank數量的編碼，在此不再詳細說明了。不過，南亞代工的內存產品也非常多，如Elixir、PQI等，但這些產品已經非常少見，並且也沒有對外公布明確的編碼規則。
爾必達（ELPIDA）
爾必達是日立與NEC各自的內存分部合並的結果，也因此在產品的編號會有兩種截然不同的規則與標識，早期以HM為開頭的很可能就是原日立分部的延續，而目前則基本轉移到了DD開頭的編號規則。近期，爾必達的聲勢比較大，產銷形勢有明顯的好轉，採用其晶元的金士頓模組已經在國內上市，相信今後我們能見到越來越多採用爾必達晶元的產品。
爾必達內存晶元編號說明如下：
爾必達的編號也是比較簡單的，需要指出的是，在速度編號的後面還有可能出現其他的編碼，比如L，就代表低能耗，I則代表工業級產品，具有寬廣的工作溫度范圍（-40至85°C），不過它們很不常見，在此就不多說了。另外，編碼中的第一個字母E，一般不會有，在晶元上直接以DD形狀，而E則變成了爾必達的英文名稱——ELPIDA。
茂矽（MOSEL VITELIC）
茂矽內存晶元編號說明如下：
茂矽的編號也比較詳細，而且比較明確，只是晶元結構一欄比較難以理解，我們可以這樣看：前面的三位數是總容量，後面的兩位數則是位寬（80=8bit、40=4bit、16=16bit、32=32bit），其他的就很好理解了。
2003年世界最大十家DRAM廠商排名：
從中可以看出，排名前十的廠商是三星（SAMSUNG，韓國）、美光（Micron，美國）、英飛凌（Infineon，德國）、Hynix（韓國）、南亞（Nanya，中國台灣）、爾必達（ELPIDA，日本）、茂矽（Mosel Vitelic，中國台灣），力晶（Powerchip，中國台灣）、華邦（Winbond，中國台灣）、沖電氣（Oki，日本）。
最後要強調的是，所謂的主流廠商，就是指DRAM銷售額世界排名前十位的廠商，有不少模組廠商也會自己生產內存晶元。但請注意，他們並不是真正的生產，而只是封裝！像勝創（KingMax）、金士頓（Kingston）、威剛（ADATA、VDATA）、宇瞻（Apacer）、勤茂（TwinMOS）等都出過打著自己品牌的晶元，不過它們自己並不生產內存晶圓，而是從那些大廠購買晶圓再自己或找代工廠封裝。
⑨ 請教大家,內存編號HTL HT25D648512K具體有什麼含義
整個DDR SDRAM顆粒的編號，一共是由14組數字或字母組成，他們分別代表內存的一個重要參數，了解了他們，就等於了解了現代內存。
顆粒編號解釋如下：
1． HY是HYNIX的簡稱，代表著該顆粒是現代製造的產品。
2． 內存晶元類型：（5D=DDR SDRAM）
3． 處理工藝及供電：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）
4． 晶元容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）
5． 內存條晶元結構：（4＝4顆晶元；8＝8顆晶元；16＝16顆晶元；32＝32顆晶元）
6． 內存bank（儲蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）
7． 介面類型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）
8． 內核代號：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）
9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）
10． 封裝類型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））
11． 封裝堆棧：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））
12． 封裝原料：（空白=普通；P=鉛；H＝鹵素；R=鉛+鹵素）
13． 速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）
14． 工作溫度：（I=工業常溫（-40 - 85度）；E=擴展溫度（-25 - 85度））
由上面14條註解，我們不難發現，其實最終我們只需要記住2、3、6、13等幾處數字的實際含義，就能輕松實現對使用現代DDR SDRAM內存顆粒的產品進行辨別。尤其是第13位數字，它將明確的告訴消費者，這款內存實際的最高工作狀態是多少。假如，消費者買到一款這里顯示為L的產品（也就是說，它只支持DDR 200的工作頻率），那麼就算內存條上貼的標簽或者包裝盒上吹的再好，它也只是一款低檔產品。
常見SDRAM 編號識別
維修SDRAM內存條時，首先要明白內存晶元編號的含義，在其編號中包括以下幾個內容：廠商名稱（代號）、容量、類型、工作速度等，有些還有電壓和一些特殊標志等。通過對這些參數的分析比較，就可以正確認識和理解該內存條的規格以及特點。
(1)世界主要內存晶元生產廠商的前綴標志如下：
▲ HY HYUNDAI ------- 現代
▲ MT Micron ------- 美光
▲ GM LG-Semicon
▲ HYB SIEMENS ------ 西門子
▲ HM Hitachi ------ 日立
▲ MB Fujitsu ------ 富士通
▲ TC Toshiba ------ 東芝
▲ KM Samsung ------ 三星
▲ KS KINGMAX ------ 勝創
(2)內存晶元速度編號解釋如下:
★ -7 標記的SDRAM 符合 PC143 規范,速度為7ns.
★ –75標記的SDRAM 符合PC133規范,速度為7.5ns.
★ –8標記的SDRAM 符合PC125規范,速度為8ns.
★ –7k/-7J/10P/10S標記的SDRAM 符合PC100規范,速度為10ns.
★ –10K標記的SDRAM符合PC66規范,速度為15ns.
(3) 編 號 形 式
HY 5a b ccc dd e f g h ii-jj
其中5a中的a表示晶元類別,7---SDRAM; D—DDR SDRAM.
b表示電壓,V—3.3V; U---2.5V; 空白—5V.
CCC表示容量,16—16M; 65—64M; 129—129M; 256—256M.
dd表示帶寬。
f表示界面，0—LVTTL； 1—SSTL（3）； 2—SSTL_2.
g表示版本號，B—第三代。
h表示電源功耗， L—低功耗； 空白—普通型。
ii表示封裝形式， TC—400mil TSOP—H.
jj表示速度，7—143MHZ; 75—133MHZ;8—125MHZ;
10P—100MHZ(CL=2);10S—100MHZ(CL=3)
10—100MHZ(非PC100)。
例：1） HY57V651620B TC-75
按照解釋該內存條應為：SDRAM， 3.3V, 64M, 133MHZ.
2) HY57V653220B TC-7
按照解釋該內存條應為：SDRAM， 3.3V, 64M, 143MHZ
全球主要內存晶元生產廠家(掌握內存晶元生產技術的廠家主要分布在美國、韓國、日本、德國、台灣)：
序號 品牌 國家/地區 標識 備注
1 三星 韓國 SAMSUNG
2 現代 韓國 HY
3 樂金 韓國 LGS 已與HY合並
4 邁克龍 美國 MT
5 德州儀器 美國 Ti 已與Micron合並
6 日電 日本 NEC
7 日立 日本 HITACHI
8 沖電氣 日本 OKI
9 東芝 日本 TOSHIBA
10 富士通 日本 F
11 西門子 德國 SIEMENS
12 聯華 台灣 UMC
13 南亞 台灣 NANYA
14 茂矽 台灣 MOSEI
⑩ oki列印機好不好
oki列印機應該算是比較非主流的選擇，日沖雖然也算是大品牌，在國內也有代理商。但整體銷量很一般，價格高，配件貴，功能少，質量也一般。在很多三四線的地級市都找不到經銷商和售後。還有軟體適配很差，列印機驅動軟體更新慢，漢化版做的很差。
如果不是非他不可，其實有很多更好的選擇。專業點的佳能和柯尼卡都比它好，便宜的惠普，聯想等又它便宜，配件更多，耗材也便宜。