Ⅰ 關於存儲周期設定原則
存儲周期，連續啟動兩次讀或寫操作所需間隔的最小時間 體現主存的速度(納秒ns) 名詞解釋 存儲器的兩個基本操作為讀出與寫入。
（memory cycle time）：連續啟動兩次讀或寫操作所需間隔的最小時間體現主存的速度（納秒ns）。
存儲周期，通常用訪問周期T（又稱存取周期等）表示，該概念與存取時間是不同的。
存儲系統的存儲周期與命中率H的關系非常大。
命中率：可以簡單地定義為在M1存儲器中訪問到的概率，它一般用模擬實驗的方法得到。
選擇一組有代表性的程序，在程序執行過程中分別統計對M1存儲器的訪問次數N1和對M2存儲器的訪問次數N2，然後代入下面的關系式計算。
整個存儲系統的訪問周期可以用M1和M2兩個存儲器的訪問周期T1，T2和命中率H來表示：
T=H·T1+(1－H)·T2（3－2）
當命中率H→筿1時，T→T1，即存儲系統的訪問周期T接近於速度比較快的M1存儲器的訪問周期T1。
Ⅱ 指令周期，機器周期，時鍾周期與存儲周期的關系
周期：取決於"晶振頻率"，固定。但是因為工藝的關系，每個單元之間會有一定范圍內的異同，"超頻"就是這個道理，說到底還是"工藝"；數據量：一次存取的最大二進制數據量肯定固定。因為引腳數目肯定是固定的。
參考網路"機器周期"：指令周期（Instruction Cycle）：取出並執行一條指令的時間。匯流排周期（BUS Cycle）：也就是一個訪存儲器或I/O埠操作所用的時間。時鍾周期（Clock Cycle）：處理操作的最基本單位，晶振頻率的倒數。指令周期、匯流排周期和時鍾周期之間的關系：一個指令周期由若干個匯流排周期組成，而一個匯流排周期時間又包含有若干個時鍾周期。一個匯流排周期包含一個（只有取址周期）或多個機器周期。
Ⅲ 存儲周期是指
存儲周期，是指主存儲器兩次啟動操作之間需要的最小時間間隔，也稱之為主存儲器周期時間。
存儲周期具有以下特點：
1、存儲周期：連續啟動兩次操作所需間隔的最小時間體現主存的速度；
2、存儲器的兩個基本操作為讀出與寫入，是指將信息在存儲單元與存儲寄存器(MDR)之間進行讀寫；
3、存儲周期，通常用訪問周期T表示；
4、存儲系統的存儲周期與命中率H的關系非常大。
Ⅳ 硬碟數據恢復要多久時間丟失數據還能恢復嗎
硬碟數據恢復的一般取決於丟失數據文件的大小，如果文件較大的話，那麼恢復的時間也都比較長。但如果丟失文件較小的話，一般也都能快速找回。
丟失數據文件也是可以找回的，但是要保證你所丟失的數據文件沒有被覆蓋或者損壞，同時還需要藉助相應的數據恢復軟體進行掃描和修復。
以「嗨格式數據恢復大師」為例，操作步驟如下：
1、將丟失數據的移動硬碟插入電腦中
Ⅳ 在計算機中什麼是內存存取時間和存儲周期
存取時間，指的是CPU讀或寫內存內數據的過程時間。
以讀取為例，從CPU發出指令給內存時，便會要求內存取用特定地址的數據，內存響應CPU後便會將CPU所需要的數據送給CPU，一直到CPU收到數據為止，便成為一個讀取的流程。
存儲周期：連續啟動兩次讀或寫操作所需間隔的最小時間
內存的存取周期一般為60ns-120ns。單位以納秒（ns）度量，換算關系1ns=10-6ms=10-9s，常見的有60ns、70ns、80ns、120ns等幾種，相應在內存條上標為-6、-7、-8、-120等字樣。這個數值越小，存取速度越快。
(5)存儲周期的恢復時間擴展閱讀
存儲器的兩個基本操作為「讀出」與「寫入」，是指將存儲單元與存儲寄存器(MDR)之間進行讀寫。存儲器從接收讀出命令到被讀出信息穩定在MDR的輸出端為止的時間間隔，稱為「取數時間TA」。兩次獨立的存取操作之間所需最短時間稱為「存儲周期TMC」。半導體存儲器的存取周期一般為6ns～10ns。
其中存儲單元(memory location)簡稱「單元」。為存儲器中存儲一機器字或一位元組的空間位置。一個存儲器劃分為若干存儲單元，並按一定順序編號，稱為「地址」。如一存儲單元存放一有獨立意義的代碼。即存放作為一個整體來處理或運算的一組數字，則稱為「字」。
字的長度，即字所包含的位數，稱為「字長」。如以位元組來劃分存儲單元，則一機器字常須存放在幾個存儲單元中。存儲單元中的內容一經寫入，雖經反復使用，仍保持不變。如須寫入新內容，則原內容被「沖掉」，而變成新寫入的內容。
Ⅵ 存儲周期的介紹
存儲周期（memory cycle time）：連續啟動兩次讀或寫操作所需間隔的最小時間體現主存的速度 （納秒ns）
Ⅶ 計算機存儲器的存取時間和存取周期，能不能詳細地介紹一下，不懂啊！！！先謝謝啦
這個是特別專業的問題了，除了設計計算機硬體，特別是CPU和存儲部件的人員以外，使用的人們不用關注這個問題的。
因為現在計算機存儲的周期都是用毫秒級別和Kbit來計算的，日常使用中存儲時間已經不是問題了。
大概是這樣的。
Ⅷ 內存周期是什麼意思內存刷新周期 存取周期
所謂的內存周期 就是內存的時序 是內存工作四個過程的單位時間
一般存儲在內存條的SPD上。2-2-2-8 4個數字的含義依次為：CAS Latency（簡稱CL值）內存CAS延遲時間，他是內存的重要參數之一，某些牌子的內存會把CL值印在內存條的標簽上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），內存行地址傳輸到列地址的延遲時間。Row－precharge Delay（tRP），內存行地址選通脈沖預充電時間。Row－active Delay（tRAS），內存行地址選通延遲。
Ⅸ 計算機的存取周期是什麼
存取周期：存貯器連續二次獨立的「讀」或「寫」操作所需的最短時間，單位來納秒（ns,1ns=10-9s）。存儲器完成一次「讀」或「寫」操作所需的時間稱為存儲器的訪問時間（或讀寫時間）。