A. 鐵電存儲和磁性存儲相比有哪些優點
鐵電存儲器相對於磁存儲器主要優點是抗電磁場干擾。
B. 鐵電存儲器有什麼特點
相對於其它類型的半導體技術而言，鐵電存儲器具有一些獨一無二的特性。傳統的主流半導體存儲器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲器包括靜態存儲器SRAM（static random access memory)和動態存儲器DRAM （dynamic random access memory)。 SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數據。 RAM 類型的存儲器易於使用、性能好，可是它們同樣會在掉電的情況下會失去所保存的數據。
非易失性存儲器在掉電的情況下並不會丟失所存儲的數據。然而所有的主流的非易失性存儲器均源自於只讀存儲器（ROM）技術。正如你所猜想的一樣，被稱為只讀存儲器的東西肯定不容易進行寫入操作
，而事實上是根本不能寫入。所有由ROM技術研發出的存儲器則都具有寫入信息困難的特點。這些技術包括有EPROM (幾乎已經廢止）、EEPROM和Flash。 這些存儲器不僅寫入速度慢，而且只能有限次的擦寫，寫入時功耗大。
鐵電存儲器能兼容RAM的一切功能，並且和ROM技術一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁--一種非易失性的RAM
鐵電存貯器（FRAM）的第一個最明顯的優點是可以跟隨匯流排速度（busspeed）寫入。
鐵電存貯器（FRAM）的第二大優點是幾乎可以無限次寫入。
C. 鐵電存儲器的技術比較
Ramtron公司的FRAM主要包括兩大類：串列FRAM和並行FRAM。其中串列FRAM又分I2C兩線方式的FM24 系列和SPI三線方式的FM25 系列。串列FRAM與傳統的24 、25 型的E2PROM引腳及時序兼容，可以直接替換，如Microchip、Xicor公司的同型號產品，但各項性能要好得多，性能比較如表1所示。並行FRAM價格較高但速度快，由於存在預充問題，在時序上有所不同不能和傳統的SRAM直接替換。
FRAM產品具有RAM和ROM優點，讀寫速度快並可以像非易失性存儲器一樣使用。因鐵電晶體的固有缺點，訪問次數是有限的，超出了限度，FRAM就不再具有非易失性。Ramtron給出的最大訪問次數是100萬次，比flash壽命長10倍，但是並不是說在超過這個次數之後，FRAM就會報廢，而是它僅僅沒有了非易失性，但它仍可像普通RAM一樣使用。
1.FRAM與E2PROM
FRAM可以作為E2PROM的第二種選擇，它除了E2PROM的性能外，訪問速度要快得多。但是決定使用FRAM之前，必須確定系統中一旦超出對FRAM的100萬次訪問之後絕對不會有危險。
2.FRAM與SRAM
從速度、價格及使用方便來看SRAM優於FRAM，但是從整個設計來看，FRAM還有一定的優勢。
假設設計中需要大約3K位元組的SRAM，還要幾百個位元組用來保存啟動代碼的E2PROM配置。
非易失性的FRAM可以保存啟動程序和配置信息。如果應用中所有存儲器的最大訪問速度是70ns，那麼可以使用一片FRAM完成這個系統，使系統結構更加簡單。
3．FRAM與DRAM
DRAM適用於那些密度和價格比速度更重要的場合。例如DRAM是圖形顯示存儲器的最佳選擇，有大量的像素需要存儲，而恢復時間並不是很重要。如果不需要下次開機時保存上次內容，使用易失性的DRAM存儲器就可以。DRAM的作用與成本是FRAM無法比擬的，事實證明，DRAM不是FRAM所能取代的。
4．FRAM與Flash
現在最常用的程序存儲器是Flash，它使用十分方便而且越來越便宜。程序存儲器必須是非易失性的並且要相對低廉，且比較容易改寫，而使用FRAM會受訪問次數的限制，多次讀取之後會失去其非易失性。
下面介紹並行FRAM --FM1808與8051/52的實際應用。
D. 為什麼設置磁表面存儲器的六種記錄方式,以及它們的不同
、所謂磁表面存儲，是用某些磁性材料薄薄地塗在金屬鋁或塑料表面作載磁體來存儲信息。
在磁表面存儲器中，利用一種稱為磁頭的裝置來形成和判別磁層中的不同磁化狀態。磁頭實際上是由軟磁材料做鐵芯繞有讀寫線圈的電磁鐵。
寫操作：當寫線圈中通過一定方向的脈沖電流時，鐵芯內就產生一定方向的磁通。
讀操作：當磁頭經過載磁體的磁化元時，由於磁頭鐵芯是良好的導磁材料，磁化元的磁力線很容易通過磁頭而形成閉合磁通迴路。不同極性的磁化元在鐵芯里的方向是不同的。
通過電磁變換，利用磁頭寫線圈中的脈沖電流，可把一位二進制代碼轉換成載磁體存儲元的不同剩磁狀態；反之，通過磁電變換，利用磁頭讀出線圈，可將由存儲元的不同剩磁狀態表示的二進制代碼轉換成電信號輸出。這就是磁表面存儲器存取信息的原理。
磁層上的存儲元被磁化後，它可以供多次讀出而不被破壞。當不需要這批信息時，可通過磁頭把磁層上所記錄的信息全部抹去，稱之為寫「0」。通常，寫入和讀出是合用一個磁頭，故稱之為讀寫磁頭。每個讀寫磁頭對應著一個信息記錄磁軌。
磁表面存儲器的優點：
①存儲容量大，位價格低；
②記錄介質可以重復使用；
③記錄信息可以長期保存而不丟失，甚至可以離線存檔；
④非破壞性讀出，讀出時不需要再生信息。
磁表面存儲器的缺點
存取速度較慢，機械結構復雜，對工作環境要求較高。
2、光碟存儲器是一種採用光存儲技術存儲信息的存儲器，它採用聚焦激光束在盤式介質上非接觸地記錄高密度信息，以介質材料的光學性質(如反射率、偏振方向)的變化來表示所存儲信息的「1」或「0」
E. 磁帶機的優點、網路存儲器的優點及其缺點
磁帶：優點：易於保存（相對網路數據），容易攜帶。缺點：不易查找裡面內容，保存條件容易受天氣，濕度，環境等影響。
網路存儲：優點：方便，容易查找內容，不佔現實中的位置，讀取速度快。缺點：不容易保存好，萬一電腦壞了，數據壞了，很難修復。
F. 存儲器有幾種，分別有什麼優點與缺點
存儲器分為ROM、RAM和Cache
rom即只讀存儲器，具有隻讀功能，斷電後文件不易丟失。
RAM即隨機存儲器，又分為動態RAN和靜態RAM，斷電後文件容易丟失。
Cache即高速緩沖存儲器
G. 鐵電存儲器
相對於其它類型的半導體技術而言，鐵電存儲器具有一些獨一無二的特性。傳統的主流半導體存儲器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲器包括靜態存儲器SRAM（static random access memory)和動態存儲器DRAM （dynamic random access memory)。 SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數據。 RAM 類型的存儲器易於使用、性能好，可是它們同樣會在掉電的情況下會失去所保存的數據。
非易失性存儲器在掉電的情況下並不會丟失所存儲的數據。然而所有的主流的非易失性存儲器均源自於只讀存儲器（ROM）技術。 正如你所猜想的一樣，被稱為只讀存儲器的東西肯定不容易進行寫入操作，而事實上是根本不能寫入。所有由ROM技術研發出的存儲器則都具有寫入信息困難的特點。這些技術包括有EPROM (幾乎已經廢止）、EEPROM和Flash。 這些存儲器不僅寫入速度慢，而且只能有限次的擦寫，寫入時功耗大。
鐵電存儲器能兼容RAM的一切功能，並且和ROM技術一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁--一種非易失性的RAM。
he 內容提要：
鐵電存儲器是近10餘年研究出的一種重量輕、存取速度快、壽命長、功耗低的新型存儲器，有極好的應用背景。本書是引領域的第一本專著，內容包括鐵電基礎知識、鐵電存儲器件的設計、工藝、檢測、存儲物理有關的問題（擊穿、漏電流、開關機制、疲勞）以及鐵電存儲器件的應用。全書引用550篇文獻，概括了2000年之前人類在該領域所做的主要工作，其中包括著者本人的工作。本書內容新穎、實用、既有理論又有應用（側重前者）。可供集成電路工程師、器件物理學家參考，也可作為應用物理和工程類專業高年級本科生的教學參考書。
作者簡介：
Prof.Scott就學於美國哈佛大學和俄贏亥俄州大學，畢業後在Bell電話實驗室量子電子部工作了六年。他曾是美國Colorado大學教授（1971-1992），隨後在澳大利亞墨爾本和悉尼工作七年，任新南威爾士大學理學院院長。1999年起他成為英國劍橋大學鐵性材料研究的教授。 Scott教授在科不雜志上已發表論文400餘篇，是5本書的著作或共著者。他是美國物理學會 Fellow，並且從德國得到高級Humboldt獎（1997-1998），從日本得到Monkasho獎（2001），在莫斯科得到名譽博士學位（2003）。他是美國Symetrix公司的創始人之一，並任該公司的指導委員會主席。1997年他曾以科學訪問教授身份服務於日本 Sony公司。
目錄：
1.導言
1.1 鐵電體的基本性質:體材料
1.2 鐵電薄膜:退極化場和有限尺寸效應
2.RAM的基本性質
2.1 系統設計
2.2 實際器件
2.3 測試
3.DRAM和NV-RAM的電擊穿
3.1 熱擊穿機制
3.2 Von Hippel方程
3.3 枝晶狀擊穿
3.4 擊穿電壓不對稱和漏電流不對稱
4.漏電流
4.1 Schottky發射
4.2 鐵電薄膜Schottky理論的修正
4.3 電荷注人
4.4 空間電荷限制電流BCLC
4.5 負電阻率
5.電容-電壓關系C(V)
5.1 支持薄耗盡層的方面
5.2 支持完全耗盡薄的論據
5.3 Zuleeg-Dey模型
5.4 混合模型
5.5 基於XPS的能帶結構以匹配關系
5.6 離子空間電荷限制電流
……
6.開關動力學
7.電荷注入和疲勞
8.頻率依賴
9.制備過程中的相序
10. CBT族Aurivillius相層狀結構
11.淀積和工藝
12.非破壞性出器件
13.基於超導體的鐵電器件：相控陣雷達和
14.薄膜黏結
15.電子發射和平面顯示器
16.光學器件
17.納米相器件
18.缺點和不足
習題
參考文獻
索引
H. 比較內存儲器和外存儲器的優缺點
優點
缺點
內存儲器
速度快
價格貴，容量小，斷電
內存
後數據會丟失
外存儲器
價格低，容量大斷電之後數據
速度慢，體積大
硬碟
不會丟失
I. 磁表面存儲器的特點
磁表面存儲器的優點為存儲容量大、單位價格低、記錄介質可以重復使用、記錄信息可以長期保存而不丟失，甚至可以離線存檔、非破壞性讀出，讀出時不需要再生信息。當然，磁表面存儲器也有缺點，主要是存取速度較慢，機械結構復雜，對工作環境要求較高。磁表面存儲器由於存儲容量大，單位成本低，多在計算機系統中作為輔助大容量存儲器使用，用以存放系統軟體、大型文件、資料庫等大量程序與數據。
磁表面存儲器又可分為磁帶存儲器和磁碟存儲器兩大類。磁帶存儲器是一種順序存取的設備，存取時間較長，但存儲容量大，便於攜帶，價格便宜，是一種主要的輔助存儲器。磁帶的內容由磁帶機進行讀寫，按磁帶機的讀寫方式分為啟停式和數據流式兩種。
J. 鐵電存儲器,誰用過,有沒有介紹的是什麼
一、什麼是鐵電存儲器？
摘自：http://bbs.huazhoucn.com/Topic.aspx?id=19
相對於其它類型的半導體技術而言，鐵電存儲器具有一些獨一無二的特性。傳統的主流半導體存儲器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲器包括靜態存儲器SRAM（static random access memory)和動態存儲器DRAM （dynamic random access memory)。 SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數據。 RAM 類型的存儲器易於使用、性能好，可是它們同樣會在掉電的情況下會失去所保存的數據。
非易失性存儲器在掉電的情況下並不會丟失所存儲的數據。然而所有的主流的非易失性存儲器均源自於只讀存儲器（ROM）技術。 正如你所猜想的一樣，被稱為只讀存儲器的東西肯定不容易進行寫入操作，而事實上是根本不能寫入。所有由ROM技術研發出的存儲器則都具有寫入信息困難的特點。這些技術包括有EPROM (幾乎已經廢止）、EEPROM和Flash。 這些存儲器不僅寫入速度慢，而且只能有限次的擦寫，寫入時功耗大。
鐵電存儲器能兼容RAM的一切功能，並且和ROM技術一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁--一種非易失性的RAM。
二、鐵電存儲器技術原理
摘自：http://bbs.huazhoucn.com/Topic.aspx?id=20
當一個電場被加到鐵電晶體時，中心原子順著電場的方向在晶體里移動。當原子移動時，它通過一個能量壁壘，從而引起電荷擊穿。內部電路感應到電荷擊穿並設置存儲器。移去電場後，中心原子保持不動，存儲器的狀態也得以保存。鐵電存儲器不需要定時更新，掉電後數據能夠繼續保存，速度快而且不容易寫壞。
（圖片請參看原址，http://bbs.huazhoucn.com/Topic.aspx?id=20）
鐵電存儲器技術和標準的CMOS製造工藝相兼容。鐵電薄膜被放置於CMOS基層之上，並置於兩電極之間，使用金屬互連並鈍化後完成鐵電製造過程。
（圖片請參看原址，http://bbs.huazhoucn.com/Topic.aspx?id=20）
size=2>Ramtron的鐵電存儲器技術到現在已經相當的成熟。最初的鐵電存儲器採用兩晶體管/兩電容器（2T/2C)的結構，導致元件體積相對過大。最近隨著鐵電材料和製造工藝的發展，在鐵電存儲器的每一單元內都不再需要配置標准電容器。Ramtron新的單晶體管/單電容器結構可以像DRAM一樣，使用單電容器為存儲器陣列的每一列提供參考。與現有的2T/2C結構相比，它有效的把內存單元所需要的面積減少一半。新的設計極大的提高了鐵電存儲器的效率，降低了鐵電存儲器產品的生產成本。
Ramtron同樣也通過轉向更小的技術節點來提高鐵電存儲器各單元的成本效率。最近採用的0.35微米的製造工藝相對於前一代0.5微米的製造工藝，極大的降低了晶元的功耗，提高了單個晶元的利用率。
（圖片請參看原址，http://bbs.huazhoucn.com/Topic.aspx?id=20）
所有這些令人振奮發展使鐵電存儲器在人們日常生活的各個領域廣為應用。從辦公室復印機、高檔伺服器到汽車安全氣囊和娛樂設施，鐵電存儲器不斷改進性能在世界范圍內得到廣泛的應用。
三、鐵電存儲器產品應用
摘自：http://bbs.huazhoucn.com/Topic.aspx?id=21
（圖片請參看原址，http://bbs.huazhoucn.com/Topic.aspx?id=21）
儀表：電表、水表、汽表、流量表、郵資表。
汽車：安全氣袋、車身控制系統、車載收音機、勻速控制、車載 DVD 、引擎、娛樂設備、儀器簇、 傳動系、保險裝置、遙感勘測/導航系統、自動收費系統
通訊：移動通訊發射站、 數據記錄儀 、電話、收音機、電信、可攜式GPS
消費性電子產品：家電、機頂盒、等離子液晶屏電視
計算機：辦公設備、雷達系統、 網路附屬存儲 、電子式電腦切換器。
工業、科技、醫療：i工業自動控制、電梯、酒店門鎖、掌上操作儀器、醫療儀器、發動機控制。
其他：自動提款機、照相機、游戲機、POS功能機（可以用來以電子 方式購買商品和服務）、 自動售貨機。
-------------------------------------------------------------------------------- 鐵電存儲器在應用中所起的作用
數據收集存儲
鐵電存儲器能夠允許系統設計師更快、更頻繁的寫入數據，斷電不易丟失。對於使用EEPROM的用戶而言，這些是不能享受到的優良性能。
數據收集包括數據獲取和存儲數據，而這些數據必須在掉電的情況下仍能保留（不是暫時性的或中間結果暫存）。這些就是具有基本收集數據功能的系統或者子系統，並會隨著時間而不斷的發展出新的功能。在絕大多數的情況下，這個改變的過程紀錄是很重要的。
配置信息存儲
鐵電存儲器能夠靈活實時的，並非在斷電的瞬間，存儲配置信息，從而幫助系統設計師克服由於突然掉電而造成的數據丟失。
配置信息的存儲能夠隨著時間來追蹤系統變化。其目標是在接通電源後恢復信息在以前的狀態和位置，識別錯誤發生的起因。總的來說，數據收集通常是一個系統或者子系統的功能，然而配置信息存儲則是一個低級別的工程功能，與系統的類別無關。
非易失性緩沖器
鐵電存儲器能夠在數據發送或存儲到其它非易失性媒介前，很快地存儲正在運行中的數據。
在這種情況下，數據信息由一個子系統傳輸到另一個子系統。這個信息是十分重要的並且不允許在斷電的情況下丟失。在有些情況下, 目標系統是一個更大的存儲器。 而鐵電存儲器的快速、無限次的讀寫特點使得數據在被發送到另一個系統前就能及時保存。
SRAM的替代和擴展存儲器
鐵電存儲器的快速寫入和非易失性的特點可以通過系統設計師把SRAM和EEPROM的特點合而為一或者能單純的擴展SRAM的功能而實現。
在很多情況下，一個系統會用到各種不同類型的存儲器。鐵電存儲器同時具有ROM、 RAM以及 EEPROM的功能,並能節約系統內存和功耗。最常見的例子就是一個外部串列EEPROM的嵌入式的微控制器。鐵電存儲器能夠取代EEPROM,同樣也能提供SRAM的微功能。