① 快閃快閃記憶體是什麼
快閃記憶體 目前主板上的BIOS大多使用Flash Memory製造，翻譯成中文就是"閃動的存儲器"，通常把它稱作"快閃記憶體"，簡稱"快閃記憶體"。快閃記憶體檔是一種移動存儲產品，可用於存儲任何格式數據文件便於隨身攜帶，是個人的「數據移動中心」。快閃記憶體檔採用快閃記憶體存儲介質（Flash Memory）和通用串列匯流排（USB）介面，具有輕巧精緻、使用方便、便於攜帶、容量較大、安全可靠、時尚潮流等特徵，是大家理想的便攜存儲工具.
我們常說的快閃記憶體其實只是一個籠統的稱呼，准確地說它是非易失隨機訪問存儲器(NVRAM)的俗稱，特點是斷電後數據不消失，因此可以作為外部存儲器使用。而所謂的內存是揮發性存儲器，分為DRAM和SRAM兩大類，其中常說的內存主要指DRAM，也就是我們熟悉的DDR、DDR2、SDR、EDO等等。快閃記憶體也有不同類型，其中主要分為NOR型和NAND型兩大類。
快閃記憶體的分類
NOR型與NAND型快閃記憶體的區別很大，打個比方說，NOR型快閃記憶體更像內存，有獨立的地址線和數據線，但價格比較貴，容量比較小；而NAND型更像硬碟，地址線和數據線是共用的I/O線，類似硬碟的所有信息都通過一條硬碟線傳送一般，而且NAND型與NOR型快閃記憶體相比，成本要低一些，而容量大得多。因此，NOR型快閃記憶體比較適合頻繁隨機讀寫的場合，通常用於存儲程序代碼並直接在快閃記憶體內運行，手機就是使用NOR型快閃記憶體的大戶，所以手機的「內存」容量通常不大；NAND型快閃記憶體主要用來存儲資料，我們常用的快閃記憶體產品，如快閃記憶體檔、數碼存儲卡都是用NAND型快閃記憶體。
這里我們還需要端正一個概念，那就是快閃記憶體的速度其實很有限，它本身操作速度、頻率就比內存低得多，而且NAND型快閃記憶體類似硬碟的操作方式效率也比內存的直接訪問方式慢得多。因此，不要以為快閃記憶體檔的性能瓶頸是在介面，甚至想當然地認為快閃記憶體檔採用USB2.0介面之後會獲得巨大的性能提升。
前面提到NAND型快閃記憶體的操作方式效率低，這和它的架構設計和介面設計有關，它操作起來確實挺像硬碟(其實NAND型快閃記憶體在設計之初確實考慮了與硬碟的兼容性)，它的性能特點也很像硬碟：小數據塊操作速度很慢，而大數據塊速度就很快，這種差異遠比其他存儲介質大的多。這種性能特點非常值得我們留意。
NAND型快閃記憶體的技術特點
內存和NOR型快閃記憶體的基本存儲單元是bit，用戶可以隨機訪問任何一個bit的信息。而NAND型快閃記憶體的基本存儲單元是頁(Page)(可以看到，NAND型快閃記憶體的頁就類似硬碟的扇區，硬碟的一個扇區也為512位元組)。每一頁的有效容量是512位元組的倍數。所謂的有效容量是指用於數據存儲的部分，實際上還要加上16位元組的校驗信息，因此我們可以在快閃記憶體廠商的技術資料當中看到「(512+16)Byte」的表示方式。目前2Gb以下容量的NAND型快閃記憶體絕大多數是(512+16)位元組的頁面容量，2Gb以上容量的NAND型快閃記憶體則將頁容量擴大到(2048+64)位元組。
NAND型快閃記憶體以塊為單位進行擦除操作。快閃記憶體的寫入操作必須在空白區域進行，如果目標區域已經有數據，必須先擦除後寫入，因此擦除操作是快閃記憶體的基本操作。一般每個塊包含32個512位元組的頁，容量16KB；而大容量快閃記憶體採用2KB頁時，則每個塊包含64個頁，容量128KB。
每顆NAND型快閃記憶體的I/O介面一般是8條，每條數據線每次傳輸(512+16)bit信息，8條就是(512+16)×8bit，也就是前面說的512位元組。但較大容量的NAND型快閃記憶體也越來越多地採用16條I/O線的設計，如三星編號K9K1G16U0A的晶元就是64M×16bit的NAND型快閃記憶體，容量1Gb，基本數據單位是(256+8)×16bit，還是512位元組。
定址時，NAND型快閃記憶體通過8條I/O介面數據線傳輸地址信息包，每包傳送8位地址信息。由於快閃記憶體晶元容量比較大，一組8位地址只夠定址256個頁，顯然是不夠的，因此通常一次地址傳送需要分若干組，佔用若干個時鍾周期。NAND的地址信息包括列地址(頁面中的起始操作地址)、塊地址和相應的頁面地址，傳送時分別分組，至少需要三次，佔用三個周期。隨著容量的增大，地址信息會更多，需要佔用更多的時鍾周期傳輸，因此NAND型快閃記憶體的一個重要特點就是容量越大，定址時間越長。而且，由於傳送地址周期比其他存儲介質長，因此NAND型快閃記憶體比其他存儲介質更不適合大量的小容量讀寫請求。
決定NAND型快閃記憶體的因素有哪些？
1．頁數量
前面已經提到，越大容量快閃記憶體的頁越多、頁越大，定址時間越長。但這個時間的延長不是線性關系，而是一個一個的台階變化的。譬如128、256Mb的晶元需要3個周期傳送地址信號，512Mb、1Gb的需要4個周期，而2、4Gb的需要5個周期。
2．頁容量
每一頁的容量決定了一次可以傳輸的數據量，因此大容量的頁有更好的性能。前面提到大容量快閃記憶體(4Gb)提高了頁的容量，從512位元組提高到2KB。頁容量的提高不但易於提高容量，更可以提高傳輸性能。我們可以舉例子說明。以三星K9K1G08U0M和K9K4G08U0M為例，前者為1Gb，512位元組頁容量，隨機讀(穩定)時間12μs，寫時間為200μs；後者為4Gb，2KB頁容量，隨機讀(穩定)時間25μs，寫時間為300μs。假設它們工作在20MHz。
讀取性能：NAND型快閃記憶體的讀取步驟分為：發送命令和定址信息→將數據傳向頁面寄存器(隨機讀穩定時間)→數據傳出(每周期8bit，需要傳送512+16或2K+64次)。
K9K1G08U0M讀一個頁需要：5個命令、定址周期×50ns+12μs+(512+16)×50ns=38.7μs；K9K1G08U0M實際讀傳輸率：512位元組÷38.7μs=13.2MB/s；K9K4G08U0M讀一個頁需要：6個命令、定址周期×50ns+25μs+(2K+64)×50ns=131.1μs；K9K4G08U0M實際讀傳輸率：2KB位元組÷131.1μs=15.6MB/s。因此，採用2KB頁容量比512位元組也容量約提高讀性能20%。
寫入性能：NAND型快閃記憶體的寫步驟分為：發送定址信息→將數據傳向頁面寄存器→發送命令信息→數據從寄存器寫入頁面。其中命令周期也是一個，我們下面將其和定址周期合並，但這兩個部分並非連續的。
K9K1G08U0M寫一個頁需要：5個命令、定址周期×50ns+(512+16)×50ns+200μs=226.7μs。K9K1G08U0M實際寫傳輸率：512位元組÷226.7μs=2.2MB/s。K9K4G08U0M寫一個頁需要：6個命令、定址周期×50ns+(2K+64)×50ns+300μs=405.9μs。K9K4G08U0M實際寫傳輸率：2112位元組/405.9μs=5MB/s。因此，採用2KB頁容量比512位元組頁容量提高寫性能兩倍以上。
3．塊容量
塊是擦除操作的基本單位，由於每個塊的擦除時間幾乎相同(擦除操作一般需要2ms，而之前若干周期的命令和地址信息佔用的時間可以忽略不計)，塊的容量將直接決定擦除性能。大容量NAND型快閃記憶體的頁容量提高，而每個塊的頁數量也有所提高，一般4Gb晶元的塊容量為2KB×64個頁=128KB，1Gb晶元的為512位元組×32個頁=16KB。可以看出，在相同時間之內，前者的擦速度為後者8倍！
4．I/O位寬
以往NAND型快閃記憶體的數據線一般為8條，不過從256Mb產品開始，就有16條數據線的產品出現了。但由於控制器等方面的原因，x16晶元實際應用的相對比較少，但將來數量上還是會呈上升趨勢的。雖然x16的晶元在傳送數據和地址信息時仍採用8位一組，佔用的周期也不變，但傳送數據時就以16位為一組，帶寬增加一倍。K9K4G16U0M就是典型的64M×16晶元，它每頁仍為2KB，但結構為(1K+32)×16bit。
模仿上面的計算，我們得到如下。K9K4G16U0M讀一個頁需要：6個命令、定址周期×50ns+25μs+(1K+32)×50ns=78.1μs。K9K4G16U0M實際讀傳輸率：2KB位元組÷78.1μs=26.2MB/s。K9K4G16U0M寫一個頁需要：6個命令、定址周期×50ns+(1K+32)×50ns+300μs=353.1μs。K9K4G16U0M實際寫傳輸率：2KB位元組÷353.1μs=5.8MB/s
可以看到，相同容量的晶元，將數據線增加到16條後，讀性能提高近70%，寫性能也提高16%。
5．頻率
工作頻率的影響很容易理解。NAND型快閃記憶體的工作頻率在20～33MHz，頻率越高性能越好。前面以K9K4G08U0M為例時，我們假設頻率為20MHz，如果我們將頻率提高一倍，達到40MHz，則
K9K4G08U0M讀一個頁需要：6個命令、定址周期×25ns+25μs+(2K+64)×25ns=78μs。K9K4G08U0M實際讀傳輸率：2KB位元組÷78μs=26.3MB/s。可以看到，如果K9K4G08U0M的工作頻率從20MHz提高到40MHz，讀性能可以提高近70%！當然，上面的例子只是為了方便計算而已。在三星實際的產品線中，可工作在較高頻率下的應是K9XXG08UXM，而不是K9XXG08U0M，前者的頻率目前可達33MHz。
6．製造工藝
製造工藝可以影響晶體管的密度，也對一些操作的時間有影響。譬如前面提到的寫穩定和讀穩定時間，它們在我們的計算當中佔去了時間的重要部分，尤其是寫入時。如果能夠降低這些時間，就可以進一步提高性能。90nm的製造工藝能夠改進性能嗎？答案恐怕是否！目前的實際情況是，隨著存儲密度的提高，需要的讀、寫穩定時間是呈現上升趨勢的。前面的計算所舉的例子中就體現了這種趨勢，否則4Gb晶元的性能提升更加明顯。
綜合來看，大容量的NAND型快閃記憶體晶元雖然定址、操作時間會略長，但隨著頁容量的提高，有效傳輸率還是會大一些，大容量的晶元符合市場對容量、成本和性能的需求趨勢。而增加數據線和提高頻率，則是提高性能的最有效途徑，但由於命令、地址信息佔用操作周期，以及一些固定操作時間(如信號穩定時間等)等工藝、物理因素的影響，它們不會帶來同比的性能提升。
1Page=(2K+64)Bytes；1Block=(2K+64)B×64Pages=(128K+4K)Bytes；1Device=(2K+64)B×64Pages×4096Blocks=4224Mbits
其中：A0～11對頁內進行定址，可以被理解為「列地址」。
A12～29對頁進行定址，可以被理解為「行地址」。為了方便，「列地址」和「行地址」分為兩組傳輸，而不是將它們直接組合起來一個大組。因此每組在最後一個周期會有若干數據線無信息傳輸。沒有利用的數據線保持低電平。NAND型快閃記憶體所謂的「行地址」和「列地址」不是我們在DRAM、SRAM中所熟悉的定義，只是一種相對方便的表達方式而已。為了便於理解，我們可以將上面三維的NAND型快閃記憶體晶元架構圖在垂直方向做一個剖面，在這個剖面中套用二維的「行」、「列」概念就比較直觀了。
② 什麼是快快閃記憶體儲
快閃儲存是指：快閃記憶體（flash EPROM）是電子可擦除可編程只讀存儲器(electrically erasable programmable read-only memory, EEPROM)的一種形式。快閃記憶體允許在操作中多次擦或寫，並具有非易失性，即單指保存數據而言，它並不需要耗電。快閃記憶體和傳統的EEPROM不同在於它是以較大區塊進行數據抹擦，而傳統的EEPROM只能進行擦除和重寫單個存儲位置。這就使得快閃在寫入大量數據時具有顯著地優勢。
快閃記憶體具有較快的讀取速度，其讀取時間小於100ns，這個速度可以和主存儲器相比。但是由於它的寫入操作比較復雜，花費時間較長。而[1] 與硬碟相比，快閃記憶體的動態抗震能力更強，因此它非常適合用於移動設備上，例如筆記本電腦、相機和手機等。快閃記憶體的一個典型應用USB盤已經成為計算機系統之間傳輸數據的流行手段。【非原創 轉載搜狗網路】
③ 電腦的儲存器有哪些種類 每種的特點是什麼 分別用在什麼地方
儲存器具有記憶功能，用來保存信息，如數據，指令和運算結果等等。
它可以分為外儲存器和內儲存器兩種。下面進行詳細說明。
1） 內儲存器（內存）
內儲存器直接與CPU相連接，儲存容量較小，但速度快，用來存放當前運行程序的指令和數據，並直接與CPU交換信息。內儲存器由許多儲存單元組成，每個單元能存放一個二進制數或一條由二進制編碼表示的指令。
2） 外儲存器（外存）
外儲存器是內儲存器的擴充。它儲存容量大，價格低，但儲存速度慢，一般用來存放大量暫時不用的程序，數據和中間結果，需要時，可成批的與內存進行信息交換。外存只能與內存交換信息，不能被計算機系統的其他部件直接訪問。常用的外存有磁碟，磁帶，光碟等。
內存一般採用半導體存儲單元，包括隨機存儲器（RAM），只讀存儲器（ROM），以及高速緩存（CACHE）。只不過因為RAM是其中最重要的存儲器。S（synchronous）DRAM 同步動態隨機存取存儲器：SDRAM為168腳，這是目前PENTIUM及以上機型使用的內存。SDRAM將CPU與RAM通過一個相同的時鍾鎖在一起，使CPU和RAM能夠共享一個時鍾周期，以相同的速度同步工作，每一個時鍾脈沖的上升沿便開始傳遞數據，速度比EDO內存提高50%。DDR（DOUBLE DATA RAGE）RAM ：SDRAM的更新換代產品，他允許在時鍾脈沖的上升沿和下降沿傳輸數據，這樣不需要提高時鍾的頻率就能加倍提高SDRAM的速度。
●只讀存儲器（ROM）
ROM表示只讀存儲器（Read Only Memory），在製造ROM的時候，信息（數據或程序）就被存入並永久保存。這些信息只能讀出，一般不能寫入，即使機器掉電，這些數據也不會丟失。ROM一般用於存放計算機的基本程序和數據，如BIOS ROM。其物理外形一般是雙列直插式（DIP）的集成塊。
●隨機存儲器（RAM）
隨機存儲器（Random Access Memory）表示既可以從中讀取數據，也可以寫入數據。當機器電源關閉時，存於其中的數據就會丟失。我們通常購買或升級的內存條就是用作電腦的內存，內存條（SIMM）就是將RAM集成塊集中在一起的一小塊電路板，它插在計算機中的內存插槽上，以減少RAM集成塊佔用的空間。目前市場上常見的內存條有1G／條,2G/條,4G/條等。
●高速緩沖存儲器（Cache）
Cache也是我們經常遇到的概念，它位於CPU與內存之間，是一個讀寫速度比內存更快的存儲器。當CPU向內存中寫入或讀出數據時，這個數據也被存儲進高速緩沖存儲器中。當CPU再次需要這些數據時，CPU就從高速緩沖存儲器讀取數據，而不是訪問較慢的內存，當然，如需要的數據在Cache中沒有，CPU會再去讀取內存中的數據。
④ 內存條上有個M標志是什麼牌子
內存條上有個M標志是鎂光。
鎂光(Micron)身為世界第二大內存顆粒製造商。產品在國內極少現身。這是因為鎂光很少將自己的優質顆粒賣給其他內存品牌。其極品顆粒供自家DIY品牌Crucial使用及品牌機OEM市場。在IBM.COMPAQ.HP.Dell等國際知名品牌都可以看到其內存顆粒的產品。可知其穩定性及超頻性好。
(4)3d快閃記憶體擴展閱讀
鎂光內存條的優勢：
鎂光與英特爾研究成果發布——3D Xpoint技術的新類別內存產品推出。3D堆疊技術是利用摩爾定律，將存儲單元拉近，並且速度增加的技術。
基於這種技術的內存採用了高性能和高容量、低成本的存儲解決方案，在內存處理上做出了重大突破。新內存產品的DRAM密度提升10倍，比目前使用的快閃記憶體速度快1000倍，並且擁有更好的耐久度。3D Xpoint技術將大幅提升智能手機的性能。
此外，鎂光旗下擁有知名內存品牌——英睿達，其生產的柏勝運動系列內存從北美引入國內，獲得了較好的市場反應。
鎂光柏勝運動系列包括Sport系列、Tactical系列、Elite系列，這三個系列構成一個全面的產品線，從低延遲的DDR-2 800MHz到高速度的DDR3-2133MHz，可以滿足游戲玩家、高端用戶不同級別的性能需求。
⑤ ROM可以分為哪幾種各有什麼優缺點
ROM是只讀存儲器（Read-Only Memory）的簡稱，是一種只能讀出事先所存數據的固態半導體存儲器。其特性是一旦儲存資料就無法再將之改變或刪除。通常用在不需經常變更資料的電子或電腦系統中，並且資料不會因為電源關閉而消失。
種類：
1.ROM
只讀存儲器（Read-Only Memory）是一種只能讀取資料的存儲器。在製造過程中，將資料以一特製光罩（mask）燒錄於線路中，其資料內容在寫入後就不能更改，所以有時又稱為「光罩式只讀內存」（mask ROM）。此內存的製造成本較低，常用於電腦中的開機啟動如啟動光碟，在系統裝好的電腦上時，計算機將C盤目錄下的操作系統文件讀取至內存，然後通過cpu調用各種配件進行工作這時系統存放存儲器為RAM。這種屬於COMPACT DISC激光唱片，光碟就是這種。
2.PROM
可編程程序只讀存儲器（Programmable
ROM，PROM）之內部有行列式的熔絲，是需要利用電流將其燒斷，寫入所需的資料，但僅能寫錄一次。
PROM在出廠時，存儲的內容全為1，用戶可以根據需要將其中的某些單元寫入數據0(部分的PROM在出廠時數據全為0，則用
戶可以將其中的部分單元寫入1)，
以實現對其「編程」的目的。PROM的典型產品是「雙極性熔絲結構」，如果我們想改寫某些單元，則可以給這些單元通以足夠大的電流，並維持一定的時間，原
先的熔絲即可熔斷，這樣就達到了改寫某些位的效果。另外一類經典的PROM為使用「肖特基二極體」的PROM，出廠時，其中的二極體處於反向截止狀態，還 是用大電流的方法將反相電壓加在「肖特基二極體」，造成其永久性擊穿即可。
3.EPROM
可抹除可編程只讀存儲器（Erasable Programmable Read Only Memory，EPROM）可利用高電壓將資料編程寫入，抹除時將線路曝光於紫外線下，則資料可被清空，並且可重復使用。通常在封裝外殼上會預留一個石英透明窗以方便曝光。
4.OTPROM
一次編程只讀存儲器（One Time Programmable Read Only Memory，OTPROM）之寫入原理同EPROM，但是為了節省成本，編程寫入之後就不再抹除，因此不設置透明窗。
5.E2PROM
電子式可抹除可編程只讀存儲器（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory，EEPROM）之運作原理類似EPROM，但是抹除的方式是使用高電場來完成，因此不需要透明窗。
6.快閃記憶體
快閃記憶體（Flash memory）的每一個記憶胞都具有一個「控制閘」與「浮動閘」，利用高電場改變浮動閘的臨限電壓即可進行編程動作。
⑥ 快閃記憶體是什麼有什麼作用
快閃記憶體的基本概念 快閃記憶體的英文名稱是"Flash Memory",一般簡稱為"Flash",它也屬於內存器件的一種。不過快閃記憶體的物理特性與常見的內存有根本性的差異:目前各類DDR、SDRAM或者RDRAM都屬於揮發性內存,只要停止電流供應內存中的數據便無法保持,因此每次電腦開機都需要把數據重新載入內存;快閃記憶體則是一種不揮發性(Non-Volatile)內存,在沒有電流供應的條件下也能夠長久地保持數據,其存儲特性相當於硬碟,這項特性正是快閃記憶體得以成為各類便攜型數字設備的存儲介質的基礎。 NAND快閃記憶體的存儲單元則採用串列結構,存儲單元的讀寫是以頁和塊為單位來進行(一頁包含若干位元組,若干頁則組成儲存塊,NAND的存儲塊大小為8到32KB),這種結構最大的優點在於容量可以做得很大,超過512MB容量的NAND產品相當普遍,NAND快閃記憶體的成本較低,有利於大規模普及。NAND快閃記憶體的缺點在於讀速度較慢,它的I/O埠只有8個,比NOR要少多了。這區區8個I/O埠只能以信號輪流傳送的方式完成數據的傳送,速度要比NOR快閃記憶體的並行傳輸模式慢得多。再加上NAND快閃記憶體的邏輯為電子盤模塊結構,內部不存在專門的存儲控制器,一旦出現數據壞塊將無法修正,可靠性較NOR快閃記憶體要差。NAND快閃記憶體被廣泛用於移動存儲、數碼相機、MP3播放器、掌上電腦等新興數字設備中。三星、東芝、Renesas和SanDisk是主要的NAND快閃記憶體製造商,其中三星電子憑借價格和技術雙重優勢獲得了絕對領先的市場份額,甚至在去年第三季度超過Intel公司成為全球最大的快閃記憶體製造商。由於受到數碼設備強勁發展的帶動,NAND快閃記憶體一直呈現指數級的超高速增長,NAND可望在2006年超過NOR成為快閃記憶體技術的主導。 數碼快閃記憶體卡:主流數碼存儲介質 數碼相機、MP3播放器、掌上電腦、手機等數字設備是快閃記憶體最主要的市場。前面提到,手機領域以NOR型快閃記憶體為主、快閃記憶體晶元被直接做在內部的電路板上,但數碼相機、MP3播放器、掌上電腦等設備要求存儲介質具備可更換性,這就必須制定出介面標准來實現連接,快閃記憶體卡技術應運而生。快閃記憶體卡是以快閃記憶體作為核心存儲部件,此外它還具備介面控制電路和外在的封裝,從邏輯層面來說可以和閃盤歸為一類,只是快閃記憶體卡具有更濃的專用化色彩、而閃盤則使用通行的USB介面。由於歷史原因,快閃記憶體卡技術未能形成業界統一的工業標准,許多廠商都開發出自己的快閃記憶體卡方案。目前比較常見的有CF卡、SD卡、SM卡、MMC卡和索尼的Memory Stick記憶棒。 CF卡(CompactFlash) CF卡是美國SanDisk 公司於1994引入的快閃記憶體卡,可以說是最早的大容量攜帶型存儲設備。它的大小隻有43mm×36mm×3.3mm,相當於筆記本電腦的PCMCIA卡體積的四分之一。CF卡內部擁有獨立的控制器晶元、具有完全的PCMCIA-ATA 功能,它與設備的連接方式同PCMCIA卡的連接方式類似,只是CF卡的針腳數多達五十針。這種連接方式穩定而可靠,並不會因為頻繁插拔而影響其穩定性。 CF卡沒有任何活動的部件,不存在物理壞道之類的問題,而且擁有優秀的抗震性能, CF卡比軟盤、硬碟之類的設備要安全可靠。CF卡的功耗很低,它可以自適應3.3伏和5伏兩種電壓,耗電量大約相當於桌面硬碟的百分之五。這樣的特性是出類拔萃的,CF卡出現之後便成為數碼相機的首選存儲設備。經過多年的發展,CF卡技術已經非常成熟,容量從最初的4MB飆升到如今的3GB,價格也越來越平實,受到各數碼相機製造商的普遍喜愛,CF卡目前在數碼相機存儲卡領域的市場佔有率排在第二位。 MMC卡 (MultiMediaCard) MMC卡是SanDisk公司和德國西門子公司於1997年合作推出的新型存儲卡,它的尺寸只有32mm×24mm×1.4mm、大小同一枚郵票差不多;其重量也多在2克以下,並且具有耐沖擊、可反復讀寫30萬次以上等特點。從本質上看,MMC與CF其實屬於同一技術體系,兩者結構都包括快快閃記憶體晶元和控制器晶元,功能也完全一樣,只是MMC卡的尺寸超小,而連接器也必須做在狹小的卡裡面,導致生產難度和製造成本都很高、價格較為昂貴。MMC主要應用與行動電話和MP3播放器等體積小的設備,而由於體積限制,MMC卡的容量提升較為困難,目前MMC產品以128M容量為主,256MB、512MB主要供應給數碼發燒友及特殊用戶使用。MMC4.0標準的極速1-2GB MMC存儲卡問世,新標準的MMC多媒體存儲卡讀取速度最高達到了150倍速(22.5MB/S),而寫入速度也達到了驚人的120倍速(18MB/S)。MMC4.0標准同樣和原有的MMC存儲卡及SD存儲卡插槽兼容,可廣泛使用在手機、數碼相機、掌上電腦、其他移動數字設備等。MMC4.0標准由MMCA多媒體存儲卡協會在MMC3.2標準的基礎上推出的。 SD卡(Secure Digital) SD卡的英文全稱是Secure Digital Card,意為安全數碼卡,它由日本松下公司、東芝公司和美國SanDisk公司共同研製。SD卡仍屬於MMC標准體系,SD比MMC卡多了一個進行數字版權保護的暗號認證功能(SDMI規格),故而得名。 SD卡的尺寸為32mm×24mm×2.1mm,面積與MMC卡相同、只是略厚一些而已。但SD卡的容量比MMC卡高出甚多,SanDisk和松下公司都已推出容量高達1GB的SD卡。不過當前的主流還是64M、128M和256M容量,512MB以上的產品還相當昂貴。讀寫速度快是SD卡的另一個優點,它的最高讀寫速度已突破20MB/s、幾乎達到快閃記憶體讀寫速度的極限。此外,SD卡還保持對MMC卡的兼容,支持SD卡的插口大多數都可以支持MMC卡。更重要的是,SD卡比MMC卡易於製造,在成本上有不少優勢,SD卡得到了廣泛應用,在MP3播放器、行動電話、數碼相機、掌上電腦及攜帶型攝像機,目前SD卡介面支持者除了東芝、松下和SanDisk外,還包括卡西歐、惠普、摩托羅拉、NEC、先鋒和Palm等公司。 SM卡(SmartMedia)與xD卡 SM卡被稱為"智能型媒體卡",尺寸為37mm×45mm×0.76mm, SM卡的功能較為單一,用戶必須使用配有讀寫及控制功能的專用設備才能對其操作,SM卡規范的升級變化比較大。
滿意請採納