㈠ 1k和64k是指多少個存儲單元
1KB的存儲器有1024個存儲單元，64KB的儲存器有65536個儲存單元。
64KB的儲存器是1KB的儲存器的64倍，64乘以1024等於65536。
一般應具有存儲數據和讀寫數據的功能，以8位二進製作為一個存儲單元，也就是一個位元組。每個單元有一個地址，是一個整數編碼，可以表示為二進制整數。程序中的變數和主儲存器的存儲單元相對應。變數的名字對應著存儲單元的地址，變數內容對應著單元所存儲的數據。存儲地址一般用十六進制數表示，而每一個存儲器地址中又存放著一組二進制（或十六進制）表示的數，通常稱為該地址的內容。
㈡ 64k的數據存儲器或者程序存儲器的編址范圍是多少
64K的存儲器編址范圍是0000H-0FFFFH(16進制)
64K=64 x 1024=64 x 2^10=2^6 x 2^10=2^16（B）
也就是說結果是2的16次方，單位位元組。這樣存儲器的定址位數就是16位(對應的是2進制位，即從0000 0000 0000 0000到1111 1111 1111 1111)，而16進制的1位是2進制的4位，所以對應於16進制就是4位，綜上可知，64K存儲器的編址范圍是從0000H到0FFFFH。
如果是16K的話 按照上述方法可得16K=2^14(B)
存儲器定址范圍是14位的（從0000 0000 0000 0000 到0011 1111 1111 1111），變成16進制，即0000H到3FFFH。
其他的以此類推。
請樓主參考~~
㈢ 通常所說的1K和64K是指多少個存儲單元
1K是1024個儲存單元。64K是65536個儲存單元。因為十六進制0000，就是二進制的16個0。十六進制FFFF，就是二進制的16個1。從16個0，到16個1，共有「2的16次方」個，即65536。
㈣ 存儲器容量64KB,地址長度16位，求定址范圍！
地址長度為16位，所以可以定址2^16=64K
因為存儲器容量正好是64KB，所以定址范圍也是64KB
如果存儲器容量比64KB大，那麼因為地址長度16位，也只能定址64KB
16進制的數字每一位是2^4個地址，4位共2^16，所以可以定址從0000H~FFFFH
㈤ 使用十六進制數為一個64KB的存儲器編制地址碼，其編號應從0001到
64k存儲器，是16位的地址匯流排，也就是說是 16個0或1組成的數字，換成16進制就是4個 0到F組成的數字，編號從0000 到 FFFF ，計算機都是從0開始尋找的，所以是從0開始，不是1。
㈥ 某計算機內存存儲容量為64k，如果對存儲器按16位字進行計算，存儲容量為多少
"什麼意思？ 原來8位一個位元組，假設成16位一個位元組？
64K=64*1024*8bit=（32）*1024*16bit，也就是32K。也就是數據線翻倍，地址線縮為原來一半。不過這個題目怪怪的，沒啥意義。"
㈦ 某DRAM晶元，存儲容量為64K×16為，該晶元的地址線和數據線數目為
對,由於現在DRAM定址都是使用的多路技術,所以本來應該是16根地址線的,但是使用多路技術,就是把地址一分為二,通過連續的兩個時鍾周期來傳輸地址碼,所以地址線就減少了一半,為8根.而數據線就是16根,就是同時能傳輸16位的數據.
㈧ 64K*1位雙解碼結構存儲晶元的存儲體陣列的行數和列數是多少
64k=2的16次方 即行數*列數=2的八次方*2的八次方=256*256
㈨ 某存儲器容量為64K×16位,CPU將分別提供多少根的地址線和數據線與該存儲器相連
一個單元16位，數據線為16位較好。
64K 的單元數，意味著地址線需要 16位。
㈩ 某SRAM晶元的存儲容量為64k*16位，該晶元的地址線和數據線數目為多少
SRAM晶元的存儲容量為64k*16位，該晶元的地址線是16根，數據線是16根。
存儲容量的計算公式是：2^n，其中n就表示地址線的數目。2^16=65536，在計算機中就稱其存儲容量最大可擴展為64K。存儲器晶元容量=單元數×數據線位數，因此64k*16位晶元的數據線是16根。
SRAM的中文意思就是靜態隨機存取存儲器，是隨機存取存儲器的一種。所謂的「靜態」，是指這種存儲器只要保持通電，裡面儲存的數據就可以恆常保持。
相對之下，動態隨機存取存儲器（DRAM）裡面所儲存的數據就需要周期性地更新。然而，當電力供應停止時，SRAM儲存的數據還是會消失（被稱為volatile memory），這與在斷電後還能儲存資料的ROM或快閃記憶體是不同的。
(10)64k16的存儲器行列數擴展閱讀
SRAM主要用途：
SRAM主要用於二級高速緩存（Level2 Cache)。它利用晶體管來存儲數據。與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內存小。
SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量的SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM 之間的緩存（cache）。
SRAM也有許多種，如AsyncSRAM (Asynchronous SRAM，非同步SRAM）、Sync SRAM (Synchronous SRAM，同步SRAM）、PBSRAM (Pipelined Burst SRAM，流水式突發SRAM），還有INTEL沒有公布細節的CSRAM等。
SRAM一般可分為五大部分：存儲單元陣列（core cells array），行/列地址解碼器(decode），靈敏放大器(Sense Amplifier），控制電路（control circuit），緩沖/驅動電路（FFIO）。
SRAM是靜態存儲方式，以雙穩態電路作為存儲單元，SRAM不像DRAM一樣需要不斷刷新，而且工作速度較快，但由於存儲單元器件較多，集成度不太高，功耗也較大。