1. XカットLiNbO3是什麼
鈮酸鋰（LiNbO3）晶體是目前用途最廣泛的新型無機材料之一，它是很好的壓電換能材料，鐵電材料，電光材料，非線性光學材料及表面波基質材料。鈮酸鋰作為電光材料在光通訊中起到光調製作用。
Xカット是X-cut,即X-cut LiNbO3,應該是摻鎂鈮酸鋰。
還有Y-cut,Z-cut等……
2. LiNbO3屬於什麼晶體
鈮酸鋰晶體.
屬於什麼晶體要看怎麼分類了,結構上屬於三方晶系晶體,用途上是光學晶體,同時也是壓電、鐵電、光電、非線性光學、熱電和絕緣晶體.
3. 鈮酸鋰晶體的目錄
前言
第一章 鈮酸鋰晶體
1.1 鈮酸鋰晶體概述
1.2 鈮酸鋰晶體摻雜改性
1.3 摻雜鈮酸鋰晶體的應用
1.3.1 光學體全息存儲
1.3.2 熱固定法
1.3.3 電固定法
1.3.4 雙光子固定法
1.3.5 單摻雜或非摻雜雙光子固定法
1.3.6 雙摻雜雙光子固定法
1.4 光折變晶體的位相共軛
1.5 全息關聯存儲
1.6 集成光學的應用
1.6.1 光波導簡述
1.6.2 光波導理論
1.6.3 平面光波導的傳播模式
1.6.4 激光光束與波導之間的耦合方式
1.6.5 基片的制備
1.7 非線性光學的應用
參考文獻
第二章 鈮酸鋰晶體的生長
2.1 提拉法生長鈮酸鋰晶體
2.1.1 原料合成
2.1.2 原料的預燒結
2.1.3 晶體生長
2.1.4 設備安裝
2.1.5 溶質分疑和組分過冷
2.1.6 鈮酸鋰晶體生長的工藝參數
2.1.7 晶體生長過程
2.1.8 晶體的極化
2.1.9 晶體的加工
2.2 單摻雜LiNbO3晶體的生長
2.2.1 晶體生長和樣品的制備
2.2.2 提高鈮酸鋰晶體光折變效應的摻雜濃度
2.2.3 氧化和還原處理
2.3 單摻和雙摻雜鈮酸鋰晶體（抗光損傷雜質）的生長
2.3.1 摻抗光損傷雜質LiNbO3晶體的生長工藝
2.3.2 防止晶體開裂
2.3.3 生長條紋及其抑制
2.4 不同Li/Nb比LiNbO3晶體的生長
2.5 化學計量比鈮酸鋰晶體的生長
2.5.1 雙坩堝技術
2.5.2 氣相交換平衡法
2.5.3 頂上籽晶熔液生長（TSSG）法（熔鹽提拉法）生長化學計量比鈮酸鋰
晶體
2.6 提拉法生長晶體的優缺點
2.7 坩堝下降法生長LiNbO3晶體
參考文獻
第三章 鈮酸鋰晶體的光折變效應
3.1 光折變效應簡介
3.2 光折變效應的特點
3.3 光折變效應的發展
3.4 光激發電場載流子的產生
3.5 電荷載流子的輸運
3.5.1 擴散
3.5.2 漂移
3.5.3 光生伏打效應
3.5.4 電荷輸運方程
3.6 光折變效應基本方程
3.7 光致空間電荷場
3.8 LiNbO3晶體中的光折變中心
3.9 光折變效應的物理過程
3.9.1 In：Ce：Cu：LiNbO3晶體中載流子輸運模型
3.9.2 雙光子LiNbO3晶體的光伏場與光強的關系
參考文獻
第四章 鈮酸鋰晶體的結構及缺陷
4.1 鈮酸鋰晶體的基本結構
4.2 鈮酸鋰晶體的本徵缺陷結構
4.3 鈮酸鋰晶體的非本徵缺陷結構
4.3.1 二價摻雜離子的佔位
4.3.2 高價摻雜離子的佔位
4.4 鈮酸鋰晶體中Li/Nb比對結構和性能的影響
4.4.1 Li/Nb比對鈮酸鋰晶體Raman譜線寬的影響
4.4.2 Li/Nb比對鈮酸鋰晶體居里溫度的影響
4.4.3 Li/Nb比對鈮酸鋰晶體折射率的影響
4.4.4 Li/Nb比對相匹配角和相匹配溫度的影響
4.4.5 Li/Nb比對鈮酸鋰晶體密度和晶胞參數的影響
4.4.6 Li/Nb比對鈮酸鋰晶體光折變性能的影響
4.5 其他電荷輸運模型
4.5.1 電子一空穴競爭模型
4.5.2 雙中心電荷輸運模型
4.5.3 三價態電荷輸運模型
參考文獻
第五章 鈮酸鋰晶體的生長基元與結晶形貌
5.1 化學鍵
5.2 晶體構型與化學鍵
5.3 晶體生長理論模型概述
5.4 鈮酸鋰晶體的形貌
5.4.1 晶體的結晶形貌
5.4.2 LN晶體結構與形貌
5.5 LN熔體結構與生長基元
5.5.1 LN熔體結構
5.5.2 LN晶體生長基元
5.6 鈮酸鋰晶體的結晶習性
5.6.1 鈮酸鋰晶體結晶學特徵
5.6.2 鈮酸鋰結晶習性
5.7 影響晶體結晶形態的因素
參考文獻
第六章 摻雜鈮酸鋰晶體雙光束耦合及光折變性能
6.1 雙光束耦合理論
6.2 摻雜鈮酸鋰薄晶體指數增益系數
6.2.1 雙光束耦合實驗
6.2.2 基於大角光致散射的機理分析
6.3 Ce：Mn系列LiNbO3晶體的光學性能和光折變性能
6.3.1 Ce：Mn系列鈮酸鋰晶體的原料配比
6.3.2 差熱分析結果
6.3.3 晶體的極化及氧化還原處理
6.3.4 氧化還原處理
6.3.5 紅外光譜測試結果
6.3.6 OH一吸收峰移動機理研究
6.3.7 紫外一可見吸收光譜分析
6.3.8 Li/Nb比對Ce：Mn：LiNbO3的指數增益系數的影響
6.3.9 雙光束耦合衍射效率測試
6.3.1 0溫度對Ce：Mn：LiNbO3晶體的指數增益系數的影響
參考文獻
第七章 雙摻雜鈮酸鋰晶體光折變效應
7.1 雙摻雜鈮酸鋰晶體光折變增強的理論研究
7.1.1 雙摻雜晶體中載流子輸運模型
7.1.2 雙摻雜晶體的光折變動力學方程
7.1.3 速率方程的穩態解
7.2 雙摻雜鈮酸鋰晶體光折變增強的實驗研究
7.3 Ce：Fe：LN晶體的光學性能和光折變性能
7.3.1 Ce：Fe：LN晶體的成分配比
7.3.2 居里溫度
7.3.3 Ce：Fe：LN晶體的極化
7.3.4 鈰鐵系鈮酸鋰晶體晶格常數的計算及其結構分析
7.3.5 紫外一可見光吸收光譜
7.3.6 基礎吸收邊移動機理
7.3.7 Ce：Fe：LN晶體的光折變性能
參考文獻
第八章 摻雜鈮酸鋰晶體全息存儲性能研究
8.1 衍射效率
8.1.1 靜態型全息光柵的衍射效率
……
第九章 摻雜鈮酸鋰晶體全息存儲及其應用
第十章 光折變晶體中位相共軛效應及溫度效應
第十一章 鉺系列鈮酸鋰晶體的光學性能
第十二章 鎂系列和鋅系列鈮酸鋰晶體的光折變性能
第十三章 錮系列和鈧系列鈮酸鋰晶體的光折變性能
第十四章 鋯系列鈮酸鋰晶體光折變性能
第十五章 鉿系列鈮酸鋰晶體光折變性能
第十六章 近化學計量比鈮酸鋰晶體的光學性能和光折變性能
第十七章 摻雜鈮酸鋰晶體倍頻性能研究
4. 鈮酸鋰單晶薄膜，國內有哪幾家在生產
國際上最先產業化鈮酸鋰單晶薄膜 LNOI （lithium niobate on insulator）的公司是濟南晶正，文獻中經常出現的 NANOLN 就是指 濟南晶正，公司在山東省會濟南。 NANOLN從2010年成立起就專門做鈮酸鋰單晶薄膜 LNOI 和鉭酸鋰單晶薄膜 LTOI。
5. 電光晶體是鐵電材料嗎
具有電光效應的晶體材料。在外電場作用下，晶體的折射率發生變化的現象稱為電光效應。外電場作用於晶體材料所產生的電光效應分為兩種，一種是泡克耳斯效應，產生這種效應的晶體通常是不具有對稱中心的各向異性晶體；另一種是克爾效應，產生這種效應的晶體通常是具有任意對稱性質的晶體或各向同性介質。已實用的電光晶體主要是一些高電光品質因子的晶體和晶體薄膜。在可見波段，常用電光晶體有磷酸二氫鉀、磷酸二氫銨、鈮酸鋰、鉭酸鋰等晶體。前兩種晶體有高的光學質量和光損傷閾值，但其半波電壓較高，而且要採用防潮解措施。後兩種晶體有低的半波電壓，物理化學性能穩定，但其光損傷閾值較低。在紅外波段，實用的電光晶體主要是砷化鎵和碲化鎘等半導體晶體。電光晶體主要用於製作光調制器、掃描器、光開關等器件。在大屏幕激光顯示漢字信息處理以及光通信方面也有應用前景。
鐵電晶體通常具有特異的光電性能，有一部分被用作電光晶體。
6. 鈮酸鋰單晶薄膜與高性能鈮酸鋰之間有區別嗎
有區別的。鈮酸鋰薄膜的厚度是幾百納米，薄膜層下面是一層埋層二氧化硅和硅襯底或其它襯底。可以用於開發小尺寸、高性能、低功耗的新型器件。包括濾波器，調制器等。
7. 應該用哪一種材料 鈮酸鋰還是鉭酸鋰
鈮酸鋰（LiNbO3）是一種鈮、鋰和氧的化合物。其單晶是光波導、行動電話、壓電感測器、光學調制器和各種其它線性和非線性光學應用的重要材料。
鈮酸鋰晶體是目前用途最廣泛的新型無機材料之一，它是很好的壓電換能材料，鐵電材料，電光材料。鈮酸鋰作為電光材料在光通訊中起到光調製作用。
8. 泥酸鋰調制器的用途
光纖傳輸系統中的光調制技術分為直接調制和外調制兩種，應用於短距離(120km)，低速率(＜2.5Gb/s)的直接調製法經濟、實用，缺點是輸入功率高，消光比小。與直接調制不同，應用於高速率，長距離傳輸系統(＞10Gb/s)的外調製法以低啁啾進行調制使得激光器產生穩定的大功率激光，從而獲得遠大於直接調制的色散受限距離。目前，波導型鈮酸鋰馬赫一曾德爾調制器佔有了已經投入實用產品的大部分。調制速率隨通信速率的迅速增長而不斷提高，至2000年上半年，鈮酸鋰光調制器的寬頻中級調制頻率已接近40GHz。隨著系統的單信道速率由2.5Gbit/s向10Gbit/s、40Gbit/s發展，外調制器的性能對系統的傳輸距離和傳輸容量起著越來越大的作用。
95年至今有12篇關於鈮酸鋰調制器相關技術的專利報道。義大利Antonino Nespola等人申請並於2002年11月14日公開的美國專利「高寬頻低電壓驅動光電調制器」，內容涉及的鈮酸鋰高速外調制器由擴散型光波導，緩沖層和用來調制射頻能量的電極組成。電極電焊分兩個步驟實現，最後形成層疊式共面波導結構。低電壓驅動通過帶寬，位置和電極的布局選擇實現。上層電極溫度略高於下層電極的設計獲得良好的速率匹配，低阻抗值和低電損耗。中國專利涉及一種鈮酸鋰調制器及其製造方法，包括：選擇具有合適的晶體切向和電場利用方向的鈮酸鋰晶體制備的襯底，在鈮酸鋰晶體上製作出的光波導，製作在鈮酸鋰晶體上的與光波導匹配的調制電極，製作在調制電極的輸入端和輸出端的微帶匹配電路，在調制電極與光波導之間設置的緩沖層結構。
國外生產鈮酸鋰高速外調制器的廠家很多，其中較為著名的生產商有義大利的CORNING公司，美國的AVANEX公司和JDS Uniphase公司，日本的NTT和富士通公司，法國的PHOTLINE技術公司等。其中：
義大利：CORNING公司的相關產品以10-12.5Gb/s工作速率檔為主，包括IM-10小面式因子幅度調制器，F-10低驅動電壓幅度調制器，SD-10集成光密集調制器，SD-10-A自帶衰減器的集成光強度調制器，SD-10-RZ集成規零光調制器。
美國：JDS Uniphase公司的10.66Gb/s非歸零鈮酸鋰調制器基於具有大范圍適用性的驅動晶元實現低壓驅動，高開關消光比，以低啁啾進行調制，和匹配的集成歸零發生器一起，被廣泛用於C和L頻段摻鉺光纖放大器密集波分復用連接中。
AVANEX公司的PowerBit10-12.5Gb/s啁啾式強度調制器應用可靠的x切技術，低電壓驅動，同時和z切完全兼容，色散受限距離可達2000ps/nm。與採用z切比較，超出1700ps/nm後能量衰減大概在2dB左右，明顯低於前者。
日本：NTT電子技術研究所就應用LiNbO光波導的這些特性製作了大帶寬、低驅動電壓的LiNbO光調制器。如背形結構電極、阻抗為50Ω、驅動電壓為5V的70GHz帶寬的光調制器；驅動電壓為3.3V，帶寬為45GHz的LiNbO調制器；驅動電壓為5.1V，帶寬為100GHz的LiNbO調制器；最新研究成果為驅動電壓為2.9V，帶寬達40Gb/s光傳輸系統用的LiNbO調制器。
富士通公司的內含監控光電二極體的10Gbps鈮酸鋰光調制器，採用了Ti擴散型波導，z-cut鈮酸鋰技術，含有一個集成光電二極體監控器和一個耦合器，用於外部的自動偏壓控制(ABC)迴路中。
法國：PHOTLINE技術公司的MX-LN-10光電外調制器特為長距離穩定性和低啁啾採用x切技術，使用可靠的Ti擴散型波導，和SONET OC-192和SDH STM-64兼容。
中國：相較於國外，國內在光調制器方面的研究還很少，個別單位在調制器件性能方面進行了一些相關的實驗和模擬。國內研製開發鈮酸鋰調制器的單位有北京世維通光通訊技術有限公司，浙江德清微光元件，清華大學，中科院長春物理所和北京郵電大學等。
9. 磷化銦和鈮酸鋰哪種更先進
咨詢記錄 · 回答於2021-11-03
10. 鈮酸鋰的化學性質
鈮酸鋰晶體簡稱LN，屬三方晶系，鈦鐵礦型(畸變鈣鈦礦型)結構。相對密度4.30，晶格常數a=0.5147 nm，c=1.3856 nm，熔點1240℃，莫氏硬度5，折射率n0=2.297，ne=2.208(λ=600 nm)，介電常數ε=44，ε=29．5，ε=84，ε=30，一次電光系數γ13=γ23=10×10pm/V，γ33=32×10pm/V．Γ22=-γ12=-γ61=6.8×10pm/V，非線性系數d31=-6.3×1p0 m/V，d22=+3.6×10pm/V，d33=-47×10pm/V。鈮酸鋰是一種鐵電晶體，居里點1140℃，自發極化強度50×10C/cm'。經過畸化處理的鈮酸鋰晶體具有壓電、鐵電、光電、非線性光學、熱電等多性能的材料，同時具有光折變效應。