① 三級網路技術
給你這個資料,你看一下 裡面有些東西一定會考的
三級網路技術考試題(南開)
計算機組成原理試題
課程代碼：02318
一、單項選擇題（本大題共15小題，每小題1分，共15分）
在每小題列出的四個備選項中只有一個是符合題目要求的，請將其代碼填寫在題後的括弧內。錯選、多選或未選均無分。
1.若二進制數為1111.101，則相應的十進制數為( )。
A.15.625 B.15.5
C.14.625 D. 14.5
2.在下列設備中，屬於圖形輸入設備的是( )。
A.鍵盤 B.條形碼閱讀機
C.數字化儀 D.顯示器
3.磁表面存儲器記錄信息是利用磁性材料的( )。
A.磁滯回歸線特性 B.磁場滲透特性
C.磁場分布特性 D.磁場吸引力特性
4.系統級的匯流排是用來連接( )。
A.CPU內部的運算器和寄存器 B.主機系統板上的所有部件
C.主機系統板上的各個晶元 D.系統中的各個功能模塊或設備
5.在微程序控制中，把操作控制信號編成( )。
A.微指令 B.微地址
C.操作碼 D.程序
6.從一條指令的啟動到下一條指令的啟動的間隔時間稱為( )。
A.時鍾周期 B.機器周期
C.工作周期 D.指令周期
7.假設寄存器R中的數為200，主存地址為200和300的存儲單元中存放的內容分別是300和400，若訪問到的操作數為200，則所採用的定址方式為( )。
A.立即定址#200 B.寄存器間接定址(R)
C.存儲器間接定址(200) D.直接定址200
8.表示主存容量的常用單位為( )。
A.數據塊數 B.位元組數
C.扇區數 D.記錄項數
9.已知一個8位寄存器的數值為11001011，將該寄存器邏輯左移一位後，結果為( )。
A.01100101 B.10010111
C.01100111 D.10010110
10.多位二進制加法器中每一位的進位傳播信號P為( )。
A.Xi+Yi B.XiYi
C.Xi+Yi+Ci D.Xi Yi Ci
11.存儲器的隨機訪問方式是指( )。
A.可隨意訪問存儲器
B.按隨機文件訪問存儲器
C.可對存儲器進行讀出與寫入
D.可按地址訪問存儲器任一編址單元，其訪問時間相同且與地址無關
12.定點小數反碼[x]反=x0?x1…xn表示的數值范圍是( )。
A.-1+2-n<x≤1-2-n B.-1+2-n≤x<1-2-n
C.-1+2-n≤x≤1-2-n D.-1+2-n<x<1-2-n
13.設有二進制數x=－1101101，若採用8位二進制數表示，則[x]補=( )。
A.11101101 B.10010011
C.00010011 D.10010010
14.反映計算機基本功能的是( )。
A.操作系統 B.系統軟體
C.指令系統 D.資料庫系統
15.匯流排從設備是( )。
A.掌握匯流排控制權的設備 B.申請作為從設備的設備
C.被主設備訪問的設備 D.匯流排裁決部件
二、名詞解釋題（本大題共5小題，每小題2分，共10分）
16.匯流排的同步通信方式
17.統一編址
18.ALU
19.溢出
20.垂直型微指令
三、改錯題（本大題共5小題，每小題2分，共10分）針對各小題的題意，改正其結論中的錯誤，或補充其不足。
21.在一條微指令中，順序控制部分的作用是發出指揮全機工作的控制信號。
22.轉移指令執行結束後，目標地址可放在任意寄存器中。
23.匯流排周期是指：任意匯流排設備為獲取匯流排控制權而等待的時間與佔用匯流排的時間之和。
24.硬碟的存儲容量常用GB表示，1GB=1000MB。
25.通道就是一組輸入輸出傳送線。
四、簡答題（本大題共6小題，每小題5分，共30分）
26.何謂虛擬存儲器?其主要好處是什麼?
27.堆棧有哪兩種基本操作?它們的含義是什麼?
28.與硬連線控制器相比，微程序控制器有哪些優缺點?
29.串列匯流排和並行匯流排有何區別?各適用於什麼場合?
30.主機與外圍設備之間信息傳送的控制方式有哪幾種?採用哪種方式CPU效率最低?
31.試比較中斷方式與DMA方式的主要異同，並指出它們各自應用在什麼性質的場合。
五、計算題(本大題共1小題，10分)
32.用原碼的乘法方法進行0110×0101的四位乘法。要求寫出每一步運算過程及運算結果。
六、設計題（本大題共2小題，第33小題15分，第34小題10分，共25分）
33.用2K×16位/片的SRAM存儲器晶元設計一個8K×32位的存儲器，已知地址匯流排為
A15～A0(低)，數據匯流排D31～D0(低)， 為讀寫控制信號。請畫出該存儲器晶元級邏輯圖，註明各種信號線，列出片選信號邏輯式。
34.單匯流排CPU結構圖如下，其中有運算部件ALU、寄存器Y和Z、通用寄存器R0～R3、指令寄存器IR、程序計數器PC、主存地址寄存器MAR和主存數據寄存器MDR等部件，試擬出加法指令ADD R1，B(R2)的讀取和執行流程。其中R1表示目的定址為寄存器定址；B(R2)表示源定址為變址定址，B是偏移量，R2是變址寄存器。
參考資料：ziji
② 計算機組成原理
2-5:DABD
6-10:CACDA
10-14:ABBC
③ 隨機存取方式是什麼
隨機存儲可以理解為等同於隨機存取，只有RAM可以。
隨機存取和隨機訪問的區別：
1、側重點不同：
隨機存取：隨機是指存取時間與存儲單元的物理位置無關。
隨機訪問：側重在訪問，一般理解為讀操作。
2、訪問方式不同：
隨機存取：存取是指寫入與讀出操作，計算機中的主存如RAM採用這種方式。
隨機訪問：為讀操作，因為ROM是只讀存儲器，所以可以像RAM一樣隨機訪問，但不能隨機存取。
(3)存儲器的隨機訪問模式是指擴展閱讀：
隨機存取特點
1、隨機存取
所謂「隨機存取」，指的是當存儲器中的消息被讀取或寫入時，所需要的時間與這段信息所在的位置無關。相對的，讀取或寫入順序訪問（SequentialAccess）存儲設備中的信息時，其所需要的時間與位置就會有關系（如磁帶）。
2、易失性
當電源關閉時RAM不能保留數據。如果需要保存數據，就必須把它們寫入一個長期的存儲設備中（例如硬碟）。RAM和ROM相比，兩者的最大區別是RAM在斷電以後保存在上面的數據會自動消失，而ROM不會。
3、高訪問速度
現代的隨機存取存儲器幾乎是所有訪問設備中寫入和讀取速度最快的，取存延遲也和其他涉及機械運作的存儲設備相比，也顯得微不足道。
4、需要刷新
現代的隨機存取存儲器依賴電容器存儲數據。電容器充滿電後代表1(二進制)，未充電的代表0。由於電容器或多或少有漏電的情形，若不作特別處理，數據會漸漸隨時間流失。刷新是指定期讀取電容器的狀態，然後按照原來的狀態重新為電容器充電，彌補流失了的電荷。需要刷新正好解釋了隨機存取存儲器的易失性。
5、對靜電敏感
正如其他精細的集成電路，隨機存取存儲器對環境的靜電荷非常敏感。靜電會干擾存儲器內電容器的電荷，引致數據流失，甚至燒壞電路。故此觸碰隨機存取存儲器前，應先用手觸摸金屬接地。
④ 比較動態存儲器dram和靜態存儲器sram的異同點
SRAM中文含義為靜態隨機訪問存儲器，它是一種類型的半導體存儲器。「靜態」是指只要不掉電，存儲在SRAM中的數據就不會丟失。這一點與動態RAM（DRAM）不同，DRAM需要進行周期性的刷新操作。然後，我們不應將SRAM與只讀存儲器（ROM）和Flash Memory相混淆，因為SRAM是一種易失性存儲器，它只有在電源保持連續供應的情況下才能夠保持數據。「隨機訪問」是指存儲器的內容可以以任何順序訪問，而不管前一次訪問的是哪一個位置。
SRAM中的每一位均存儲在四個晶體管當中，這四個晶體管組成了兩個交叉耦合反向器。這個存儲單元具有兩個穩定狀態，通常表示為0和1。另外還需要兩個訪問晶體管用於控制讀或寫操作過程中存儲單元的訪問。因此，一個存儲位通常需要六個MOSFET。對稱的電路結構使得SRAM的訪問速度要快於DRAM。SRAM比DRAM訪問速度快的另外一個原因是SRAM可以一次接收所有的地址位，而DRAM則使用行地址和列地址復用的結構。
SRAM不應該與SDRAM相混淆，SDRAM代表的是同步DRAM，這與SRAM是完全不同的。SRAM也不應該與PSRAM相混淆，PSRAM是一種偽裝成SRAM的DRAM。
從晶體管的類型分，SRAM可以分為雙極性與CMOS兩種。從功能上分，SRAM可以分為非同步SRAM和同步SRAM（SSRAM）。非同步SRAM的訪問獨立於時鍾，數據輸入和輸出都由地址的變化控制。同步SRAM的所有訪問都在時鍾的上升/下降沿啟動。地址、數據輸入和其它控制信號均於時鍾信號相關。
DRAM：動態隨機存取存儲器，需要不斷的刷新，才能保存數據。而且是行列地址復用的，許多都有頁模式。
SRAM：靜態的隨機存取存儲器，加電情況下，不需要刷新，數據不會丟失，而且，一般不是行列地址復用的。
SDRAM：同步的DRAM，即數據的讀寫需要時鍾來同步。主要是存儲單元結構不同導致了容量的不同。一個DRAM存儲單元大約需要一個晶體管和一個電容（不包括行讀出放大器等），而一個SRAM存儲單元大約需要六個晶體管。DRAM和SDRAM由於實現工藝問題，容量較SRAM大，但是讀寫速度不如SRAM。一個是靜態的，一個是動態的，靜態的是用的雙穩態觸發器來保存信息，而動態的是用電子，要不時的刷新來保持。 內存（即隨機存貯器RAM）可分為靜態隨機存儲器SRAM，和動態隨機存儲器DRAM兩種。我們經常說的「 內存」是指DRAM。而SRAM大家卻接觸的很少。
SRAM其實是一種非常重要的存儲器，它的用途廣泛。SRAM的速度非常快，在快速讀取和刷新時能夠保 持數據完整性。SRAM內部採用的是雙穩態電路的形式來存儲數據。所以SRAM的電路結構非常復雜。製造相同容量的SRAM比DRAM的成本高的多。正因為如此，才使其發展受到了限制。因此目前SRAM基本上只用於CPU 內部的一級緩存以及內置的二級緩存。僅有少量的網路伺服器以及路由器上能夠使用SRAM
⑤ 簡述sram和dram的主要區別
DRAM，動態隨機存取存儲器，需要不斷的刷新，才能保存數據。
而且是行列地址復用的，許多都有頁模式。
SRAM，靜態的隨機存取存儲器，加電情況下，不需要刷新，數據
不會丟失，而且，一般不是行列地址復用的。
SDRAM，同步的DRAM，即數據的讀寫需要時鍾來同步。
DRAM和SDRAM由於實現工藝問題，容量較SRAM大。但是讀寫速度不如SRAM，但是現在，SDRAM的速度也已經很快了，時鍾好像已經有150兆的了。那麼就是讀寫周期小於10ns了。SDRAM雖然工作頻率高，但是實際吞吐率要打折扣。以PC133為例，它的時鍾周期是7.5ns，當CAS latency=2 時，它需要12個周期完成8個突發讀操作，10個周期完成8個突發寫操作。不過，如果以交替方式訪問Bank，SDRAM可以在每個周期完成一個讀寫操作（當然除去刷新操作）。其實現在的主流高速存儲器是SSRAM（同步SRAM）和SDRAM（同步DRAM）。目前可以方便買到的SSRAM最大容量是8Mb/片，最大工作速度是166MHz；可以方便買到的SDRAM最大容量是128Mb/片，最大工作速度是133MHz。
SRAM是Static Random Access Memory的縮寫，中文含義為靜態隨機訪問存儲器，它是一種類型的半導體存儲器。「靜態」是指只要不掉電，存儲在SRAM中的數據就不會丟失。這一點與動態RAM（DRAM）不同，DRAM需要進行周期性的刷新操作。 然後，我們不應將SRAM與只讀存儲器（ROM）和Flash Memory相混淆，因為SRAM是一種易失性存儲器，它只有在電源保持連續供應的情況下才能夠保持數據。「隨機訪問」是指存儲器的內容可以以任何順序訪問，而不管前一次訪問的是哪一個位置。
SRAM中的每一位均存儲在四個晶體管當中，這四個晶體管組成了兩個交叉耦合反向器。這個存儲單元具有兩個穩定狀態，通常表示為0和1。另外還需要兩個訪問晶體管用於控制讀或寫操作過程中存儲單元的訪問。因此，一個存儲位通常需要六個MOSFET。對稱的電路結構使得SRAM的訪問速度要快於DRAM。SRAM比DRAM訪問速度快的另外一個原因是SRAM可以一次接收所有的地址位，而DRAM則使用行地址和列地址復用的結構。
SRAM不應該與SDRAM相混淆，SDRAM代表的是同步DRAM（Synchronous DRAM），這與SRAM是完全不同的。SRAM也不應該與PSRAM相混淆，PSRAM是一種偽裝成SRAM的DRAM。
從晶體管的類型分，SRAM可以分為雙極性與CMOS兩種。從功能上分，SRAM可以分為非同步SRAM和同步SRAM（SSRAM）。非同步SRAM的訪問獨立於時鍾，數據輸入和輸出都由地址的變化控制。同步SRAM的所有訪問都在時鍾的上升/下降沿啟動。地址、數據輸入和其它控制信號均於時鍾信號相關。
DRAM：動態隨機存取存儲器，需要不斷的刷新，才能保存數據。而且是行列地址復用的，許多都有頁模式 。
SRAM：靜態的隨機存取存儲器，加電情況下，不需要刷新，數據不會丟失，而且，一般不是行列地址復用的。
SDRAM：同步的DRAM，即數據的讀寫需要時鍾來同步。
主要是存儲單元結構不同導致了容量的不同。一個DRAM存儲單元大約需要一個晶體管和一個電容（不包括行讀出放大器等），而一個SRAM存儲單元大約需要六個晶體管。DRAM和SDRAM由於實現工藝問題，容量較SRAM大，但是讀寫速度不如SRAM。
一個是靜態的，一個是動態的，靜態的是用的雙穩態觸發器來保存信息，而動態的是用電子，要不時的刷新來保持。
內存（即隨機存貯器RAM）可分為靜態隨機存儲器SRAM，和動態隨機存儲器DRAM兩種。我們經常說的「 內存」是指DRAM。而SRAM大家卻接觸的很少。
SRAM其實是一種非常重要的存儲器，它的用途廣泛。SRAM的速度非常快，在快速讀取和刷新時能夠保持數據完整性。SRAM內部採用的是雙穩態電路的形式來存儲數據。所以SRAM的電路結構非常復雜。製造相同容量的SRAM比DRAM的成本高的多。正因為如此，才使其發展受到了限制。因此目前SRAM基本上只用於CPU 內部的一級緩存以及內置的二級緩存。僅有少量的網路伺服器以及路由器上能夠使用SRAM。
⑥ RAM ROM FLASH 和DRAM的區別
ROM和RAM指的都是半導體存儲器，ROM是Read
Only
Memory的縮寫，RAM是Random
Access
Memory的縮寫。ROM在系統停止供電的時候仍然可以保持數據，而RAM通常都是在掉電之後就丟失數據，典型的RAM就是計算機的內存。
FLASH存儲器又稱快閃記憶體，它結合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦出可編程（EEPROM）的性能，還不會斷電丟失數據同時可以快速讀取數據（NVRAM的優勢），U盤和MP3里用的就是這種存儲器。在過去的20年裡，嵌入式系統一直使用ROM（EPROM）作為它們的存儲設備，然而近年來Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系統中的地位，用作存儲Bootloader以及操作系統或者程序代碼或者直接當硬碟使用（U盤）。
SRAM是Static
Random
Access
Memory的縮寫，中文含義為靜態隨機訪問存儲器，它是一種類型的半導體存儲器。「靜態」是指只要不掉電，存儲在SRAM中的數據就不會丟失。這一點與動態RAM（DRAM）不同，DRAM需要進行周期性的刷新操作。
然後，我們不應將SRAM與只讀存儲器（ROM）和Flash
Memory相混淆，因為SRAM是一種易失性存儲器，它只有在電源保持連續供應的情況下才能夠保持數據。「隨機訪問」是指存儲器的內容可以以任何順序訪問，而不管前一次訪問的是哪一個位置。
⑦ 考研計算機組成原理：隨機存儲方式、隨機訪問、隨機存取是什麼區別
隨機存儲可以理解為等同於隨機存取，只有RAM可以。
隨機存取和隨機訪問的區別：
1、側重點不同：
隨機存取：隨機是指存取時間與存儲單元的物理位置無關。
隨機訪問：側重在訪問，一般理解為讀操作。
2、訪問方式不同：
隨機存取：存取是指寫入與讀出操作，計算機中的主存如RAM採用這種方式。
隨機訪問：為讀操作，因為ROM是只讀存儲器，所以可以像RAM一樣隨機訪問，但不能隨機存取。
(7)存儲器的隨機訪問模式是指擴展閱讀:
隨機存取存儲基本結構
隨機存取存儲器（RAM）的基本結構可分為三個部分：存儲矩陣，地址解碼器，讀寫電路，下面分為三塊介紹：
1、存儲矩陣：存儲矩陣是用來存儲要存放的代碼，矩陣中每個存儲單元都用一個二進制碼給以編號，以便查詢此單元。這個二進制碼稱作地址。
2、地址解碼器：解碼器可以將輸入地址譯為電平信號，以選中存儲矩陣中的響應的單元。定址方式分為一元定址和二元定址。一元定址又稱為單向解碼或字解碼，其輸出的解碼線就是字選擇線，用它來選擇被訪問字的所有單元。
二元定址又稱為雙向解碼，二元定址能夠訪問每一個單元，由X地址解碼器輸出的解碼線作為行選擇線進行「行選」；由Y 地址解碼器輸出的解碼線作為列選擇線進行「列選」，則行、列選擇線同時選中的單元即為被訪問單元，可以對它進行「寫入」或「讀出」。
3、讀寫電路：讀寫電路是RAM的控制部分，它包括片選CS，讀寫控制R/W以及數據輸入讀出放大器,片選CS的作用是只有當該端加低電平時此RAM才起作用, 才能進行讀與寫,讀寫控制R/W的作用是當R/W端加高電平時,對此RAM進行讀出。當R/W端加低電平時進行寫入。
輸出級電路一般採用三態輸出或集電極開路輸出結構，以便擴展存儲容量，如果是集電極開路輸出（即 OC輸出），則應外接負載電阻。
參考資料來源：網路-隨機存取
⑧ 計算機答案
一分沒有？！