❶ 存儲容量的兩種表示方法及其轉換
在計算機中存儲容量的基本單位是位元組B
1KB=1024B
1MB=1024KB
1GB=1024MB
❷ 怎樣在內存晶元上看它有多少MB
看內存條的容量比較麻煩，因為內存條的品牌不同，顆粒數也不同，常見的內存條容量鑒別方法如下：
通過查驗內存顆粒的型號可以計算出內存的容量。雖然目前生產內存條的廠商有許多，但能生產內存顆粒、並且能夠佔領市場的廠家相對來說就不多了，國內市場上主流內存條所有的內存顆粒主要是由一些國際性的大廠所生產。
下面就以幾個大廠的內存顆粒編碼規則為例來說明內存容量的辨識方法。
（1）三星內存顆粒
由於目前使用三星的內存顆粒來生產內存條的廠家非常多，使得其在市場上有很高的佔有率。又由於其產品線龐大，使得其命名規則非常復雜。三星內存顆粒的型號是採用一個16位數編碼命名的。其中，用戶更關心的是內存容量和工作速率的識別。
編碼規則：K4XXXXXXXX-XXXXX
主要含義：
第1位——晶元功能K。代表內存晶元。
第2位——晶元類型4。代表DRAM。
第3位——晶元更進一步的類型說明。S代表SDRAM、H代表DDR、G代表 SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率。容量相同的內存採用不同的刷新率，也會使用不同的編號。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mb的容量；28、27、2A代表128Mb的容量；56、55、57、5A代表256Mb的容量；51代表512Mb的容量。
第6、7位——數據線引腳個數。08代表8位數據；16代表16位數據；32代表32位數據；64代表64位數據。
第11位——連線」-」。
第14、15位——晶元的速率。如60為6ns；70為7ns；7B為7.5ns（CL=3）；7C為7.5ns（CL=2）；80為8ns；10為10ns（66MHz）。
知道了內存顆粒編碼主要數位的含義，拿到一個內存條後就非常容易計算出它的容量。例如一條三星DDR內存，使用18片SAMSUNG K4280838B-TCBO顆粒封裝。顆粒編號第4、5位「28」代表該顆粒是128Mb，第6、7位代表是8位數據帶寬，這樣就可以計算出該內存條的容量是，128Mb（兆數位）×16/8b=256MB（兆位元組）。
註：「b」為「數位」，「B」即位元組「byte」，一個位元組為8位則計算除以8。關於內存容量的計算有兩種情況：一種是非ECC內存，每8片8位數據寬度的顆粒就可以組成一條內存；另一種ECC內存，在每64位數據之後，還增加了8位的ECC校驗碼。通過校驗碼，可以檢測出內存數據中的兩位錯誤，糾正一位錯誤。所以在實際計算容量的過程中，不計算校驗位，具有ECC功能的18片顆粒的內存條實際容量按16乘。在購買時也可以據此判定18片或者9片內存顆粒貼片的內存條是否為ECC內存。
（2）Micron內存顆粒
Micron（美光）內存顆粒的容量辨識相對於三星來說簡單許多，下面就以MT48LC16M8A2TG-75這個編號來說明美光內存的編碼規則。
主要含義：
MT——Micron的廠商名稱。
48——內存的類型。48代表SDRAM；46代表DDR。
LC——供電電壓。LC代表3V；C代表5V；V代表2.5V。
16M8——內存顆粒容量為128Mb。計算方法是：16M（地址）×8位數據寬度。
A2——內存內核版本號。
TG——封裝方式。TG即TSOP封裝。
-75——內存工作速率。-75即133MHz；–65即150MHz。
例如：一條Micron DDR內存條，編號為MT46V32M4-75的顆粒製造。該內存支持ECC功能，所以每個Bank是奇數片內存顆粒。
其容量計算為：容量32M×4b×16片/8=256MB（兆位元組）。
（3）西門子內存顆粒
目前國內市場上的子公司Infineon生產的內存顆粒只有兩種容量：容量為128MB的內存顆粒和容量為256MB的顆粒。編號中詳細列出了其內存的容量、數據寬度。Infineon的內存隊列組織管理模式都是每個顆粒由4個Bank組成，所以其內存顆粒型號比較少，辨別也是比較容易的。
HYB39S128400即128MB/4b。「128」標識的是該顆粒的容量，後三位標識的是內存數據寬度，其他也是如此，如HYB39S128800即128MB/8b；HYB39S128160即128MB/16b；HYB39S256800即256MB/8b。
Infineon內存顆粒工作速率的表示方法是在其型號最後加一短線，然後標上工作速率。
-7.5——表示該內存的工作頻率是133MHz。
-8——表示該內存的工作頻率是100MHz。
例如：
1條Kingston的內存條，採用16片Infineon 的HYB39S128400-7.5內存顆粒生產。其容量計算為：128Mb（兆數位）×16片/8=256MB（兆位元組）。
1條Ramaxel的內存條，採用8片Infineon 的HYB39S128800-7.5內存顆粒生產。其容量計算為：128Mb（兆數位）×8片/8=128MB（兆位元組）。
（4）Kingmax內存顆粒
Kingmax內存都是採用TingBGA 封裝（Ting ball grid array），並且該封裝模式是專利產品，所以可看到採用Kingmax顆粒製作的內存條全是該廠自己生產。Kingmax內存顆粒有兩種容量：64MB和128MB。在此可以將每種容量系列的內存顆粒型號列表出來。
容量備註：
KSVA44T4AOA——64MB，16M地址空間×4位數據寬度；
KSV884T4AOA——64MB，8M地址空間×8位數據寬度；
KSV244T4XXX——128MB，32M地址空間×4
位數據寬度；
KSV684T4XXX——128MB，16M地址空間×8位數據寬度；
KSV864T4XXX——128MB，8M地址空間×16位數據寬度。
Kingmax內存的工作速率有四種狀態，在型號後用短線符號隔開標識內存的工作速率：
-7A-----PC133/CL=2；
-7-------PC133/CL=3；
-8A-----PC100/ CL=2；
-8-------PC100 /CL=3。
例如：一條Kingmax內存條，採用16片KSV884T4AOA-7A的內存顆粒製造，其容量計算為：64Mb（兆數位）×16片/8=128MB（兆位元組）。
❸ 有關於存儲晶元容量問題
64K和16K可以理解為組數
8，1是這個晶元的位數。存儲晶元一般使用位密度來表示其容量，但那樣看不出單顆粒的位寬。
所以使用用64K*8或16K*1的方式來表達，很明顯的可以看出晶元的位寬，方便拼接應用到它適合的匯流排寬度。32位匯流排上的256Kbyte存儲器，我可以用4個64K*8的晶元拼在一起實現。位元組容量256KB=64k*32位=64K*8位*4片。
現實中沒有1位寬的內存晶元，最小是4位的。
前者只用一個片選，32片*16K*1位=（8片*16K*1位）*4組，組之間共享地址與數據線，要4個片選。
❹ 晶元存儲容量計算
晶元容量=2的地址線位數次方 乘以 數據線位數
比如地址線8位，數據線4位 晶元容量就是2的8次方乘以4=1024位
❺ 怎麼根據晶元的地址范圍求該晶元的存儲容量
用末地址減首地址，加1即為十六進制數，再用二進制的權位表示即可，所以根據該題中EPROM晶元的地址范圍為：30800H ~ 30FFFH，可得晶元的存儲容量為2KB，另外一般EPROM晶元的存儲容量為4KB，再由於無地址重疊，所以晶元存儲容量為2KB。
U1：0xFE000~0xFFFFF，總計8192位元組；
U2：0xFA000~0xFA7FF，總計2048位元組的一半，也就是1024位元組；
U3的地址范圍與U2完全重合，負責2048位元組的另一半，也就是1024位元組。
(5)晶元存儲容量的表示方法擴展閱讀：
存儲容量是一塊存儲晶元上所能存儲的二進制位數，假設存儲晶元的存儲單元數是M，一個存儲單元所存儲的信息的位數是N，則其存儲容量為M×N。
例如單片6116晶元的地址線是11位，每個存儲單元是8位，則M＝2048，每個存儲單元可存8位，即N＝8，所以6116的存儲容量=2048×8 = 2K×8 ＝2KB。
❻ 如圖1所示，請回答以下問題：通常半導體存儲器晶元的存儲容量如何表示圖中存儲器晶元的容量是多少
用字數位數表示，以位為單位。也可以用位元組數表示容量。
8位數據匯流排，所以用位元組表示比較方便。12位地址匯流排=2^12=4K
地址范圍：0x000 ~0x3FF
所以存儲容量為4K位元組。
雙解碼方式，適用於存儲容量較大、存儲單元較多的情況下。
❼ 存儲器的容量怎樣表示是不是有兩種方法
是的，有兩種，廠商所標1K為1000 bite ，1M=1000K 1G=1000M，而電腦採用二進制，1K=1024 bite（2的10次方），同樣1M=1024K，1G=1024M，所有標識的容量比實際的小。
❽ 某SRAM晶元的存儲容量為64k*16位，該晶元的地址線和數據線數目為多少
SRAM晶元的存儲容量為64k*16位，該晶元的地址線是16根，數據線是16根。
存儲容量的計算公式是：2^n，其中n就表示地址線的數目。2^16=65536，在計算機中就稱其存儲容量最大可擴展為64K。存儲器晶元容量=單元數×數據線位數，因此64k*16位晶元的數據線是16根。
SRAM的中文意思就是靜態隨機存取存儲器，是隨機存取存儲器的一種。所謂的「靜態」，是指這種存儲器只要保持通電，裡面儲存的數據就可以恆常保持。
相對之下，動態隨機存取存儲器（DRAM）裡面所儲存的數據就需要周期性地更新。然而，當電力供應停止時，SRAM儲存的數據還是會消失（被稱為volatile memory），這與在斷電後還能儲存資料的ROM或快閃記憶體是不同的。
(8)晶元存儲容量的表示方法擴展閱讀
SRAM主要用途：
SRAM主要用於二級高速緩存（Level2 Cache)。它利用晶體管來存儲數據。與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內存小。
SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量的SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM 之間的緩存（cache）。
SRAM也有許多種，如AsyncSRAM (Asynchronous SRAM，非同步SRAM）、Sync SRAM (Synchronous SRAM，同步SRAM）、PBSRAM (Pipelined Burst SRAM，流水式突發SRAM），還有INTEL沒有公布細節的CSRAM等。
SRAM一般可分為五大部分：存儲單元陣列（core cells array），行/列地址解碼器(decode），靈敏放大器(Sense Amplifier），控制電路（control circuit），緩沖/驅動電路（FFIO）。
SRAM是靜態存儲方式，以雙穩態電路作為存儲單元，SRAM不像DRAM一樣需要不斷刷新，而且工作速度較快，但由於存儲單元器件較多，集成度不太高，功耗也較大。
❾ 計算機存儲容量的基本單位是位元組，用b表示，計算中一般用Kb（千位元組）或Mb（兆位元組）或Gb（吉位元組）作為
硬體廠商在生產內存晶元時是按1MB=1000KB來算的
500G
實際上就是
500*1000*1000Kb這樣換算的
也就是說這些位元組再除以1024*1024就是真實的M了
剛才我算了一下
500G
約等於
476.837158M
❿ 怎麼根據晶元的地址范圍求該晶元的存儲容量
用末地址減首地址，加1即為十六進制數，再用二進制的權位表示即可。所以根據該題中EPROM晶元的地址范圍為：30800H ~ 30FFFH。
可得晶元的存儲容量為2KB。另外EPROM晶元的存儲容量為4KB，再由於無地址重疊，所以晶元存儲容量為2KB。
片容量=2的地址線位數次方乘以數據線位數，比如地址線8位，數據線4位，晶元容量就是2的8次方乘以4=1024位。
按位計算 (b) ： 存儲容量 = 存儲單元個數 x 存儲字長。
按位元組計算(B)： 存儲容量 = 存儲單元個數 x 存儲字長 / 8。
存儲單元 ：CPU訪問存儲器的最小單位，每個存儲單元都有一個地址。
存儲字長 ：存儲器中一個存儲單元(存儲地址)所存儲的二進制代碼的位數。
(10)晶元存儲容量的表示方法擴展閱讀：
晶元儲存之間的關系：
存儲單元與地址線的關系： CPU訪問存儲器的最小單位是存儲單元且每個存儲單元都有一個地址，1 根地址線可以查找 2 個地址既2個存儲單元，16根地址線則可以查找 2^16個存儲單元。
存儲字長與數據線的關系 ： 存儲字長是指存儲器中一個存儲單元(存儲地址)所存儲的二進制代碼的位數，而二進制代碼的位數是由數據線的根數決定的，也就是說： 存儲字長 = 數據線根數位元組（B）與位(b)的關系 : 計算機里規定 1Byte = 8bit 。