存儲單元串聯

㈠ 什麼是移位寄存器的深度和位寬

假如一個移位寄存器的深度是10，它可以理解成有10個bit存儲單元串聯而成，每次數據從一個存儲單元向下一個存儲單元移入；位寬是8，就是8個上面深度是10的移位寄存器並聯而成。

上面是我的理解，不知對不對

㈡ 計算機名詞解釋：存儲元件，存儲基元，存儲元，指令字長

1、計算機中主存儲器包括存儲體M，各種邏輯部件及控制電路等，存儲體由許多存儲單元組成，每個存儲單元又包含若干個存儲元件，每個存儲元件能寄存一位二進制代碼「0」或「1」，存儲元件又稱為存儲基元、存儲元。

2、存儲基元即存儲元件，是存儲單元的分支，能寄存一位二進制代碼「1」或「0」，又稱存儲元件，存儲元。

3、存儲元是存儲器中最小存儲單元，它的作用是用來存放一位二進制代碼0或1。任何具有兩個穩定狀態（雙穩態）的物理器件都可以來做存儲元。

4、指令字長是指機器指令中二進制代碼的總位數。指令字長取決於從操作碼的長度、操作數地址的長度和操作數地址的個數。不同的指令的字長是不同的。

5、機器指令（Machine Instructions）是CPU能直接識別並執行的指令，它的表現形式是二進制編碼。機器指令通常由操作碼和操作數兩部分組成，操作碼指出該指令所要完成的操作，即指令的功能，操作數指出參與運算的對象，以及運算結果所存放的位置等。

㈢ 固態硬碟是串聯還是並聯

存儲單元我只能解釋到快閃記憶體顆粒，一個固態硬碟一般有2、4、8、10或16個等快閃記憶體顆粒，按對應顆粒數的通道傳輸數據，例如對於一個8顆粒的SSD，一個文件是分8個通道存取到8個顆粒上，所以SSD的速度會很快，就是SSD內部採用RAID0方式，這個應該算是並聯的吧。
SSD在存取小文件單線程時速度明顯比多線程或大文件速度慢，因為SSD有最小存取單位，例如最小是4K，那麼當存取一個4K文件時就只能在一個顆粒上執行，這樣就沒有使用多通道，當然就慢了，而在測試4K 32或64線程以及64K、128K或1MB以上文件時就使用了多通道，所以速度就會快很多。所以要想提高4K存取速度，一方面提高快閃記憶體顆粒的存取速度，另一方面可以降低最小存取單位實現多通道傳輸就能夠實現了。同時較低的存取延遲時間（類似機械硬碟的尋道時間）也是提升速度的重要方面。

㈣ 固態硬碟的儲存單元是串聯還是並聯

您好，是串聯的

㈤ 主控指令跟串聯區別

1,k1m0,k1是組4個為組，1表示一組通道4個狀態寄存器，如果是二就是八個，m0表示從m0開始的四個通道，M0 M1 M2 M3，這里不存在用什麼十進製表示，是用BCD碼表示m3為1就是0001 BCD 碼表示就是1，
2，繼電器輸出就是普通繼電器工作原理一樣，像一個開關，繼電器可以帶直流或交流負載，具體型號帶的電壓也不一樣，有220v的也有24v的，適合帶電流較大的負載，具體多少要看說明，不過一般情況下都不會用plc直接帶負載，會用一個中間繼電器驅動負載，我以前碰到過一個，用plc輸出直接帶高壓真空接觸器的，時間長了把plc觸電燒壞了，其次繼電器相應的頻率低就是一秒鍾能動作多少次，一般一秒不超過10Hz，還有繼電器相應時間慢約10MS,對於要高輸出的不行，繼電器有工作壽命，觸電動作多少次就不行了
3，根據型號硬體會有不同，有生MOS管的晶體管的，不顧大致原理是這樣，輸入型號-光電隔離—映像寄存器-cpu-輸出映像寄存器，光電隔離-輸出，細節不是一下能說的清楚的，這個問題到不大隻要大致了解就行了，最重要的是你要了解plc工作方式，掃描工作方式，即順序的逐條執行用戶程序直到程序結束，然後返回第一條指令重新開始掃描，這樣一遍一遍執行，在編寫程序是不注意安排執行順序會照成時序錯誤，而且檢查起來難，這是很重要的要理解
4，你可以把s寄存器當普通寄存器一樣用，像m寄存器，不過s寄存器最大的作用是在順序控制當中，STL使用的狀態寄存器只能是s寄存器，例如你在stl中一個點動作進入s0狀態，s0就會驅動相應的程序動作，當動作完成後，相應的觸電閉合在驅動下一個s1狀態，就這樣順序執行下去
5，plc是福特公司1968年提出的一個取代繼電器的控制方案，隨著技術發展引入了微處理器，和計算機技術，各個大公司也相繼開始研發工作，各個公司標准也不一樣，iec曾經就制定過一個標准，plc是根據公司具體要求而設計的一種新型控制系統
6，pls是上升沿微分，說白了就是有當觸電由斷開到導通這個瞬間執行指令，out是輸出指令，plc編創左邊是輸入有邊是輸出，你輸入喜好了要輸出到那例如out m0 mo動作，plf是下降沿，就是有接通到斷開是執行，set是置位指令，例如set m0這m0一種處於工作狀態，要想停止工作就用reset指令，這省去了普通out還要自保德爾麻煩
7，m8002是個特殊寄存器，只在plc工作的第一個掃描周期中工作，一般用作程序的初始化
8，因為數據長度不同要用不同的指令，有位元組（byte，8位），范圍是0-255 ，字（word，16位）范圍65535 ，雙字（double word，三十二位）范圍 0-4294967295，根據你運算的數據長度來使用不同的傳送指令，和計算指令，不過還有有符號數和無符號數的區別，想byte范圍就編程了-124-+125

9，FX系列PLC有基本邏輯指令20或27條、步進指令2條、功能指令100多條（不同系列有所不同）。本節以FX2N為例，介紹其基本邏輯指令和步進指令及其應用。 FX2N的共有27條基本邏輯指令，其中包含了有些子系列PLC的20條基本邏輯指令。主控指令（MC/MCR）（1）MC（主控指令） 用於公共串聯觸點的連接。執行MC後，左母線移到MC觸點的後面。（2）MCR（主控復位指令） 它是MC指令的復位指令，即利用MCR指令恢復原左母線的位置。在編程時常會出現這樣的情況，多個線圈同時受一個或一組觸點控制，如果在每個線圈的控制電路中都串入同樣的觸點，將佔用很多存儲單元，使用主控指令就可以解決這一問題。MC、MCR指令的使用如圖1所示，利用MC N0 M100實現左母線右移，使Y0、Y1都在X0的控制之下，其中N0表示嵌套等級，在無嵌套結構中N0的使用次數無限制；利用MCR N0恢復到原左母線狀態。如果X0斷開則會跳過MC、MCR之間的指令向下執行。
主控指令的使用 MC、MCR指令的使用說明： 1）MC、MCR指令的目標元件為Y和M，但不能用特殊輔助繼電器。MC佔3個程序步，MCR佔2個程序步； 2）主控觸點在梯形圖中與一般觸點垂直（如圖3-22中的M100）。主控觸點是與左母線相連的常開觸點，是控制一組電路的總開關。與主控觸點相連的觸點必須用LD或LDI指令。 3）MC指令的輸入觸點斷開時，在MC和MCR之內的積算定時器、計數器、用復位/置位指令驅動的元件保持其之前的狀態不變。非積算定時器和計數器，用OUT指令驅動的元件將復位，如圖3-22中當X0斷開，Y0和Y1即變為OFF。 4）在一個MC指令區內若再使用MC指令稱為嵌套。嵌套級數最多為8級，編號按N0→N1→N2→N3→N4→N5→N6→N7順序增大，每級的返回用對應的MCR指令，從編號大的嵌套級開始復位。 循環用for指令next結束，不過用跳轉指令也可以構成循環，比較指令很多根據數據不同有不同的指令，了有位比較，像朗ld = and<>等等 還用數據比較cmp 區間比
zcp
9，電次沒電那就換被，記得換之前要把程序保存一下，一地要記得吧配方數據也要保存
10，上面不是說了16位數據范圍0-65535，
12 ，你考試呀
13 IEC的PLC編程語言標准(IEC61131–3) 中有5種編程語言：
1)順序功能圖(Sequential function chart) ；
2)梯形圖(Ladder diagram)；
3)功能塊圖(Function block diagram)；
4)指令表(Instruction list)；
5)結構文本(Structured text)。
其中的順序功能圖(SFC)、梯形圖(LD)和功能塊圖(FBD)是圖形編程語言，指令表(IL)和結構文本(ST)是文字語言。
定時器有通用定時器，t0-t245,和積算定時器t246-t255.說白了就是通用定時器觸電斷開或plc斷電自動計算器變為0重新計數，積算定時器斷開，可以記憶數據，接通後繼續計數
14，沒看懂你說什麼，你是不是想說 project，我不用三菱，西門子比三菱強多了，建議你還是從基礎做起，不要想什麼看一個 project 就什麼都懂了 那是不可能的
15 賺你這幾分可真夠累的

㈥ eeprom和norflash的區別

[導讀] 我們使用的智能手機除了有一個可用的空間（如蘋果8G、16G等），還有一個RAM容量，很多人都不是很清楚，為什麼需要二個這樣的晶元做存儲呢，這就是我們下面要講到的。這二種存儲
關鍵詞：NOR flashNand flashFlaSh
我們使用的智能手機除了有一個可用的空間（如蘋果8G、16G等），還有一個RAM容量，很多人都不是很清楚，為什麼需要二個這樣的晶元做存儲呢，這就是我們下面要講到的。這二種存儲設備我們都統稱為「FLASH」，FLASH是一種存儲晶元，全名叫Flash EEPROM Memory，通地過程序可以修改數據，即平時所說的「快閃記憶體」。Flash又分為NAND flash和NOR flash二種。U盤和MP3里用的就是這種存儲器。

相「flash存儲器」經常可以與相「NOR存儲器」互換使用。許多業內人士也搞不清楚NAND快閃記憶體技術相對於NOR技術的優越之處，因為大多數情況下快閃記憶體只是用來存儲少量的代碼，這時NOR快閃記憶體更適合一些。而NAND則是高數據存儲密度的理想解決方案。NOR Flash 的讀取和我們常見的 SDRAM 的讀取是一樣，用戶可以直接運行裝載在 NOR FLASH 裡面的代碼，這樣可以減少 SRAM 的容量從而節約了成本。 NAND Flash 沒有採取內存的隨機讀取技術，它的讀取是以一次讀取一塊的形式來進行的， 通常是一次讀取 512 個位元組，採用這種技術的 Flash 比較廉價。用戶 不能直接運行 NAND Flash 上的代碼，因此好多使用 NAND Flash 的開發板除了使用 NAND Flah 以外，還作上了 一塊小的 NOR Flash 來運行啟動代碼。

NOR flash是intel公司1988年開發出了NOR flash技術。NOR的特點是晶元內執行（XIP, eXecute In Place），這樣應用程序可以直接在flash 快閃記憶體內運行，不必再把代碼讀到系統RAM中。NOR的傳輸效率很高，在1～4MB的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除 速度大大影響了它的性能。

Nand-flash內存是flash內存的一種，1989年，東芝公司發表了NAND flash結構。其內部採用非線性宏單元模式，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快等優點，適用於大量數據的存儲，因而在業界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。

NAND flash和NOR flash原理
一、存儲數據的原理
兩種快閃記憶體都是用三端器件作為存儲單元，分別為源極、漏極和柵極，與場效應管的工作原理 相同，主要是利用電場的效應來控制源極與漏極之間的通斷，柵極的 電流消耗極小，不同 的是場效應管為單柵極結構，而 FLASH 為雙柵極結構，在柵極與硅襯底之間增加了一個浮 置柵極。[attach]158 [/attach]
浮置柵極是由氮化物夾在兩層二氧化硅材料之間構成的，中間的氮化物就是可以存儲電荷的 電荷勢阱。上下兩層氧化物的厚度大於 50 埃，以避免發生擊穿。
二、浮柵的重放電
向數據單元內寫入數據的過程就是向電荷勢阱注入電荷的過程，寫入數據有兩種技術，熱電 子注入(hot electron injection)和 F-N 隧道效應(Fowler Nordheim tunneling)，前一種是通過源 極給浮柵充電，後一種是通過硅基層給浮柵充電。NOR 型 FLASH 通過熱電子注入方式給浮 柵充電，而 NAND 則通過 F-N 隧道效應給浮柵充電。
在寫入新數據之前，必須先將原來的數據擦除，這點跟硬碟不同，也就是將浮柵的電荷放掉， 兩種 FLASH 都是通過 F-N 隧道效應放電。
三、0 和 1
這方面兩種 FLASH 一樣，向浮柵中注入電荷表示寫入了'0'，沒有注入電荷表示'1'，所以對 FLASH 清除數據是寫 1 的，這與硬碟正好相反；
對於浮柵中有電荷的單元來說，由於浮柵的感應作用，在源極和漏極之間將形成帶正電的空 間電荷區，這時無論控制極上有沒有施加偏置電壓，晶體管都將處於 導通狀態。而對於浮 柵中沒有電荷的晶體管來說只有當控制極上施加有適當的偏置電壓，在硅基層上感應出電 荷，源極和漏極才能導通，也就是說在沒有給控制極施 加偏置電壓時，晶體管是截止的。 如果晶體管的源極接地而漏極接位線，在無偏置電壓的情況下，檢測晶體管的導通狀態就可 以獲得存儲單元中的數據，如果位線上的電平為低，說明晶體管處於 導通狀態，讀取的數 據為 0，如果位線上為高電平，則說明晶體管處於截止狀態，讀取的數據為 1。由於控制柵 極在讀取數據的過程中施加的電壓較小或根本不施加 電壓，不足以改變浮置柵極中原有的 電荷量，所以讀取操作不會改變 FLASH 中原有的數據。
四、連接和編址方式
兩種 FLASH 具有相同的存儲單元，工作原理也一樣，為了縮短存取時間並不是對每個單元 進行單獨的存取操作，而是對一定數量的存取單元進行集體操作， NAND 型 FLASH 各存 儲單元之間是串聯的，而 NOR 型 FLASH 各單元之間是並聯的；為了對全部的存儲單元有 效管理，必須對存儲單元進行統一編址。
NAND 的全部存儲單元分為若干個塊，每個塊又分為若干個頁，每個頁是 512byte，就是 512 個 8 位數，就是說每個頁有 512 條位線，每條位線下 有 8 個存儲單元；那麼每頁存儲的數 據正好跟硬碟的一個扇區存儲的數據相同，這是設計時為了方便與磁碟進行數據交換而特意 安排的，那麼塊就類似硬碟的簇；容 量不同，塊的數量不同，組成塊的頁的數量也不同。 在讀取數據時，當字線和位線鎖定某個晶體管時，該晶體管的控制極不加偏置電壓，其它的 7 個都加上偏置電壓 而導通，如果這個晶體管的浮柵中有電荷就會導通使位線為低電平， 讀出的數就是 0，反之就是 1。
NOR 的每個存儲單元以並聯的方式連接到位線，方便對每一位進行隨機存取；具有專用的 地址線，可以實現一次性的直接定址；縮短了 FLASH 對處理器指令的執行時間。 五、性能

NAND flash和NOR flash的區別
一、NAND flash和NOR flash的性能比較
flash快閃記憶體是非易失存儲器，可以對稱為塊的存儲器單元塊進行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內進行，所以大多數情況下，在進行寫入操作之前必須先執行擦除。NAND器件執行擦除操作是十分簡單的，而NOR則要求在進行擦除前先要將目標塊內所有的位都寫為0。由於擦除NOR器件時是以64～128KB的塊進行的，執行一個寫入/擦除操作的時間為5s，與此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的塊進行的，執行相同的操作最多隻需要4ms。執行擦除時塊尺寸的不同進一步拉大了NOR和NADN之間的性能差距，統計表明，對於給定的一套寫入操作(尤其是更新小文件時)，更多的擦除操作必須在基於NOR的單元中進行。這樣，當選擇存儲解決方案時，設計師必須權衡以下的各項因素。
1、NOR的讀速度比NAND稍快一些。
2、NAND的寫入速度比NOR快很多。
3、NAND的4ms擦除速度遠比NOR的5s快。
4、大多數寫入操作需要先進行擦除操作。
5、NAND的擦除單元更小，相應的擦除電路更少。
二、NAND flash和NOR flash的介面差別
NOR flash帶有SRAM介面，有足夠的地址引腳來定址，可以很容易地存取其內部的每一個位元組。
NAND器件使用復雜的I/O口來串列地存取數據，各個產品或廠商的方法可能各不相同。8個引腳用來傳送控制、地址和數據信息。NAND讀和寫操作採用512位元組的塊，這一點有點像硬碟管理此類操作，很自然地，基於NAND的存儲器就可以取代硬碟或其他塊設備。
三、NAND flash和NOR flash的容量和成本
NAND flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半，由於生產過程更為簡單，NAND結構可以在給定的模具尺寸內提供更高的容量，也就相應地降低了價格。
NOR flash占據了容量為1～16MB快閃記憶體市場的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的產品當中，這也說明NOR主要應用在代碼存儲介質中，NAND適合於數據存儲，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存儲卡市場上所佔份額最大。
四、NAND flash和NOR flash的可靠性和耐用性
採用flahs介質時一個需要重點考慮的問題是可靠性。對於需要擴展MTBF的系統來說，Flash是非常合適的存儲方案。可以從壽命(耐用性)、位交換和壞塊處理三個方面來比較NOR和NAND的可靠性。
五、NAND flash和NOR flash的壽命(耐用性)
在NAND快閃記憶體中每個塊的最大擦寫次數是一百萬次，而NOR的擦寫次數是十萬次。NAND存儲器除了具有10比1的塊擦除周期優勢，典型的NAND塊尺寸要比NOR器件小8倍，每個NAND存儲器塊在給定的時間內的刪除次數要少一些。
六、位交換
所有flash器件都受位交換現象的困擾。在某些情況下(很少見，NAND發生的次數要比NOR多)，一個比特位會發生反轉或被報告反轉了。一位的變化可能不很明顯，但是如果發生在一個關鍵文件上，這個小小的故障可能導致系統停機。如果只是報告有問題，多讀幾次就可能解決了。當然，如果這個位真的改變了，就必須採用錯誤探測/錯誤更正(EDC/ECC)演算法。位反轉的問題更多見於NAND快閃記憶體，NAND的供應商建議使用NAND快閃記憶體的時候，同時使用
七、EDC/ECC演算法
這個問題對於用NAND存儲多媒體信息時倒不是致命的。當然，如果用本地存儲設備來存儲操作系統、配置文件或其他敏感信息時，必須使用EDC/ECC系統以確保可靠性。
八、壞塊處理
NAND器件中的壞塊是隨機分布的。以前也曾有過消除壞塊的努力，但發現成品率太低，代價太高，根本不劃算。
NAND器件需要對介質進行初始化掃描以發現壞塊，並將壞塊標記為不可用。在已製成的器件中，如果通過可靠的方法不能進行這項處理，將導致高故障率。
九、易於使用
可以非常直接地使用基於NOR的快閃記憶體，可以像其他存儲器那樣連接，並可以在上面直接運行代碼。
由於需要I/O介面，NAND要復雜得多。各種NAND器件的存取方法因廠家而異。在使用NAND器件時，必須先寫入驅動程序，才能繼續執行其他操作。向NAND器件寫入信息需要相當的技巧，因為設計師絕不能向壞塊寫入，這就意味著在NAND器件上自始至終都必須進行虛擬映射。
十、軟體支持
當討論軟體支持的時候，應該區別基本的讀/寫/擦操作和高一級的用於磁碟模擬和快閃記憶體管理演算法的軟體，包括性能優化。
在NOR器件上運行代碼不需要任何的軟體支持，在NAND器件上進行同樣操作時，通常需要驅動程序，也就是內存技術驅動程序(MTD)，NAND和NOR器件在進行寫入和擦除操作時都需要MTD。
使用NOR器件時所需要的MTD要相對少一些，許多廠商都提供用於NOR器件的更高級軟體，這其中包括M-System的TrueFFS驅動，該驅動被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等廠商所採用。
驅動還用於對DiskOnChip產品進行模擬和NAND快閃記憶體的管理，包括糾錯、壞塊處理和損耗平衡。

㈦ NAND flash和NOR flash的區別詳解

[導讀]我們使用的智能手機除了有一個可用的空間（如蘋果8G、16G等），還有一個RAM容量，很多人都不是很清楚，為什麼需要二個這樣的晶元做存儲呢，這就是我們下面要講到的。這二種存儲關鍵詞：NORflashNandflashFlaSh我們使用的智能手機除了有一個可用的空間（如蘋果8G、16G等），還有一個RAM容量，很多人都不是很清楚，為什麼需要二個這樣的晶元做存儲呢，這就是我們下面要講到的。這二種存儲設備我們都統稱為「FLASH」，FLASH是一種存儲晶元，全名叫FlashEEPROMMemory，通地過程序可以修改數據，即平時所說的「快閃記憶體」。Flash又分為NANDflash和NORflash二種。U盤和MP3里用的就是這種存儲器。相「flash存儲器」經常可以與相「NOR存儲器」互換使用。許多業內人士也搞不清楚NAND快閃記憶體技術相對於NOR技術的優越之處，因為大多數情況下快閃記憶體只是用來存儲少量的代碼，這時NOR快閃記憶體更適合一些。而NAND則是高數據存儲密度的理想解決方案。NORFlash的讀取和我們常見的SDRAM的讀取是一樣，用戶可以直接運行裝載在NORFLASH裡面的代碼，這樣可以減少SRAM的容量從而節約了成本。NANDFlash沒有採取內存的隨機讀取技術，它的讀取是以一次讀取一塊的形式來進行的，通常是一次讀取512個位元組，採用這種技術的Flash比較廉價。用戶不能直接運行NANDFlash上的代碼，因此好多使用NANDFlash的開發板除了使用NANDFlah以外，還作上了一塊小的NORFlash來運行啟動代碼。NORflash是intel公司1988年開發出了NORflash技術。NOR的特點是晶元內執行（XIP,eXecuteInPlace），這樣應用程序可以直接在flash快閃記憶體內運行，不必再把代碼讀到系統RAM中。NOR的傳輸效率很高，在1～4MB的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。Nand-flash內存是flash內存的一種，1989年，東芝公司發表了NANDflash結構。其內部採用非線性宏單元模式，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快等優點，適用於大量數據的存儲，因而在業界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。NANDflash和NORflash原理一、存儲數據的原理兩種快閃記憶體都是用三端器件作為存儲單元，分別為源極、漏極和柵極，與場效應管的工作原理相同，主要是利用電場的效應來控制源極與漏極之間的通斷，柵極的電流消耗極小，不同的是場效應管為單柵極結構，而FLASH為雙柵極結構，在柵極與硅襯底之間增加了一個浮置柵極。[attach]158[/attach]浮置柵極是由氮化物夾在兩層二氧化硅材料之間構成的，中間的氮化物就是可以存儲電荷的電荷勢阱。上下兩層氧化物的厚度大於50埃，以避免發生擊穿。二、浮柵的重放電向數據單元內寫入數據的過程就是向電荷勢阱注入電荷的過程，寫入數據有兩種技術，熱電子注入(hotelectroninjection)和F-N隧道效應(FowlerNordheimtunneling)，前一種是通過源極給浮柵充電，後一種是通過硅基層給浮柵充電。NOR型FLASH通過熱電子注入方式給浮柵充電，而NAND則通過F-N隧道效應給浮柵充電。在寫入新數據之前，必須先將原來的數據擦除，這點跟硬碟不同，也就是將浮柵的電荷放掉，兩種FLASH都是通過F-N隧道效應放電。三、0和1這方面兩種FLASH一樣，向浮柵中注入電荷表示寫入了'0'，沒有注入電荷表示'1'，所以對FLASH清除數據是寫1的，這與硬碟正好相反；對於浮柵中有電荷的單元來說，由於浮柵的感應作用，在源極和漏極之間將形成帶正電的空間電荷區，這時無論控制極上有沒有施加偏置電壓，晶體管都將處於導通狀態。而對於浮柵中沒有電荷的晶體管來說只有當控制極上施加有適當的偏置電壓，在硅基層上感應出電荷，源極和漏極才能導通，也就是說在沒有給控制極施加偏置電壓時，晶體管是截止的。如果晶體管的源極接地而漏極接位線，在無偏置電壓的情況下，檢測晶體管的導通狀態就可以獲得存儲單元中的數據，如果位線上的電平為低，說明晶體管處於導通狀態，讀取的數據為0，如果位線上為高電平，則說明晶體管處於截止狀態，讀取的數據為1。由於控制柵極在讀取數據的過程中施加的電壓較小或根本不施加電壓，不足以改變浮置柵極中原有的電荷量，所以讀取操作不會改變FLASH中原有的數據。四、連接和編址方式兩種FLASH具有相同的存儲單元，工作原理也一樣，為了縮短存取時間並不是對每個單元進行單獨的存取操作，而是對一定數量的存取單元進行集體操作，NAND型FLASH各存儲單元之間是串聯的，而NOR型FLASH各單元之間是並聯的；為了對全部的存儲單元有效管理，必須對存儲單元進行統一編址。NAND的全部存儲單元分為若干個塊，每個塊又分為若干個頁，每個頁是512byte，就是512個8位數，就是說每個頁有512條位線，每條位線下有8個存儲單元；那麼每頁存儲的數據正好跟硬碟的一個扇區存儲的數據相同，這是設計時為了方便與磁碟進行數據交換而特意安排的，那麼塊就類似硬碟的簇；容量不同，塊的數量不同，組成塊的頁的數量也不同。在讀取數據時，當字線和位線鎖定某個晶體管時，該晶體管的控制極不加偏置電壓，其它的7個都加上偏置電壓而導通，如果這個晶體管的浮柵中有電荷就會導通使位線為低電平，讀出的數就是0，反之就是1。NOR的每個存儲單元以並聯的方式連接到位線，方便對每一位進行隨機存取；具有專用的地址線，可以實現一次性的直接定址；縮短了FLASH對處理器指令的執行時間。五、性能NANDflash和NORflash的區別一、NANDflash和NORflash的性能比較flash快閃記憶體是非易失存儲器，可以對稱為塊的存儲器單元塊進行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內進行，所以大多數情況下，在進行寫入操作之前必須先執行擦除。NAND器件執行擦除操作是十分簡單的，而NOR則要求在進行擦除前先要將目標塊內所有的位都寫為0。由於擦除NOR器件時是以64～128KB的塊進行的，執行一個寫入/擦除操作的時間為5s，與此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的塊進行的，執行相同的操作最多隻需要4ms。執行擦除時塊尺寸的不同進一步拉大了NOR和NADN之間的性能差距，統計表明，對於給定的一套寫入操作(尤其是更新小文件時)，的擦除操作必須在基於NOR的單元中進行。這樣，當選擇存儲解決方案時，設計師必須權衡以下的各項因素。1、NOR的讀速度比NAND稍快一些。2、NAND的寫入速度比NOR快很多。3、NAND的4ms擦除速度遠比NOR的5s快。4、大多數寫入操作需要先進行擦除操作。5、NAND的擦除單元更小，相應的擦除電路更少。二、NANDflash和NORflash的介面差別NORflash帶有SRAM介面，有足夠的地址引腳來定址，可以很容易地存取其內部的每一個位元組。NAND器件使用復雜的I/O口來串列地存取數據，各個產品或廠商的方法可能各不相同。8個引腳用來傳送控制、地址和數據信息。NAND讀和寫操作採用512位元組的塊，這一點有點像硬碟管理此類操作，很自然地，基於NAND的存儲器就可以取代硬碟或其他塊設備。三、NANDflash和NORflash的容量和成本NANDflash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半，由於生產過程更為簡單，NAND結構可以在給定的模具尺寸內提供更高的容量，也就相應地降低了價格。NORflash占據了容量為1～16MB快閃記憶體市場的大部分，而NANDflash只是用在8～128MB的產品當中，這也說明NOR主要應用在代碼存儲介質中，NAND適合於數據存儲，NAND在CompactFlash、SecureDigital、PCCards和MMC存儲卡市場上所佔份額最大。四、NANDflash和NORflash的可靠性和耐用性採用flahs介質時一個需要重點考慮的問題是可靠性。對於需要擴展MTBF的系統來說，Flash是非常合適的存儲方案。可以從壽命(耐用性)、位交換和壞塊處理三個方面來比較NOR和NAND的可靠性。五、NANDflash和NORflash的壽命(耐用性)在NAND快閃記憶體中每個塊的最大擦寫次數是一百萬次，而NOR的擦寫次數是十萬次。NAND存儲器除了具有10比1的塊擦除周期優勢，典型的NAND塊尺寸要比NOR器件小8倍，每個NAND存儲器塊在給定的時間內的刪除次數要少一些。六、位交換所有flash器件都受位交換現象的困擾。在某些情況下(很少見，NAND發生的次數要比NOR多)，一個比特位會發生反轉或被報告反轉了。一位的變化可能不很明顯，但是如果發生在一個關鍵文件上，這個小小的故障可能導致系統停機。如果只是報告有問題，多讀幾次就可能解決了。當然，如果這個位真的改變了，就必須採用錯誤探測/錯誤更正(EDC/ECC)演算法。位反轉的問題見於NAND快閃記憶體，NAND的供應商建議使用NAND快閃記憶體的時候，同時使用七、EDC/ECC演算法這個問題對於用NAND存儲多媒體信息時倒不是致命的。當然，如果用本地存儲設備來存儲操作系統、配置文件或其他敏感信息時，必須使用EDC/ECC系統以確保可靠性。八、壞塊處理NAND器件中的壞塊是隨機分布的。以前也曾有過消除壞塊的努力，但發現成品率太低，代價太高，根本不劃算。NAND器件需要對介質進行初始化掃描以發現壞塊，並將壞塊標記為不可用。在已製成的器件中，如果通過可靠的方法不能進行這項處理，將導致高故障率。九、易於使用可以非常直接地使用基於NOR的快閃記憶體，可以像其他存儲器那樣連接，並可以在上面直接運行代碼。由於需要I/O介面，NAND要復雜得多。各種NAND器件的存取方法因廠家而異。在使用NAND器件時，必須先寫入驅動程序，才能繼續執行其他操作。向NAND器件寫入信息需要相當的技巧，因為設計師絕不能向壞塊寫入，這就意味著在NAND器件上自始至終都必須進行虛擬映射。十、軟體支持當討論軟體支持的時候，應該區別基本的讀/寫/擦操作和高一級的用於磁碟模擬和快閃記憶體管理演算法的軟體，包括性能優化。在NOR器件上運行代碼不需要任何的軟體支持，在NAND器件上進行同樣操作時，通常需要驅動程序，也就是內存技術驅動程序(MTD)，NAND和NOR器件在進行寫入和擦除操作時都需要MTD。使用NOR器件時所需要的MTD要相對少一些，許多廠商都提供用於NOR器件的更高級軟體，這其中包括M-System的TrueFFS驅動，該驅動被WindRiverSystem、Microsoft、QNXSoftwareSystem、Symbian和Intel等廠商所採用。驅動還用於對DiskOnChip產品進行模擬和NAND快閃記憶體的管理，包括糾錯、壞塊處理和損耗平衡。

㈧ 用16K×8位的DRAM晶元構成64K ×32位存儲器

存儲總容量為64KB，故地址匯流排需16 位。現使用16K*8 位DRAM 晶元，共需16 片。晶元本身地址線佔14 位，所以採用位並聯與地址串聯相結合的方法來組成整個存儲器，其中使用一片2：4 解碼器。

根據已知條件，CPU 在1us 內至少訪存一次，而整個存儲器的平均讀/寫周期為0.5us，如果採用集中刷新，有64us 的死時間，字擴展有串聯 位擴展有並聯，要4*4=16個DRAM晶元。

工作原理

存儲器是用來存儲程序和各種數據信息的記憶部件。存儲器可分為主存儲器(簡稱主存或內存)和輔助存儲器(簡稱輔存或外存)兩大類。和CPU直接交換信息的是主存。

主存的工作方式是按存儲單元的地址存放或讀取各類信息，統稱訪問存儲器。主存中匯集存儲單元的載體稱為存儲體，存儲體中每個單元能夠存放一串二進制碼表示的信息，該信息的總位數稱為一個存儲單元的字長。存儲單元的地址與存儲在其中的信息是一一對應的，單元地址只有一個，固定不變，而存儲在其中的信息是可以更換的。

以上內容參考：網路-存儲器

㈨ nandflash和norflash的區別

nand flash和nor flash的區別如下：

1、開發的公司不同：

NOR flash是intel公司1988年開發出了NOR flash技術。NOR的特點是晶元內執行（XIP, eXecute In Place）。

Nand flash內存是flash內存的一種，1989年，東芝公司發表了NAND flash結構。其內部採用非線性宏單元模式，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。

2、存儲單元關系的不同：

兩種FLASH具有相同的存儲單元，工作原理也一樣，但NAND型FLASH各存儲單元之間是串聯的，而NOR型FLASH各單元之間是並聯的。為了對全部的存儲單元有效管理，必須對存儲單元進行統一編址。

3、擦除操作的不同：

NAND FLASH執行擦除操作是十分簡單的，而NOR FLASH則要求在進行擦除前先要將目標塊內所有的位都寫為0。

由於擦除NOR FLASH時是以64～128KB的塊進行的，執行一個寫入/擦除操作的時間為5s，與此相反，擦除NAND FLASH是以8～32KB的塊進行的，執行相同的操作最多隻需要4ms。

參考資料來源：網路-Nand flash

參考資料來源：網路-NOR Flash

㈩ 關於兩個硬碟的串聯方法

1、IDE硬碟進行主從設置，硬碟的主從設置是通過跳線來完成的。可以先在店裡買2個路線，這個東西不值錢，只要老闆不討厭，一般它會送的；在硬碟後面，也就是插接線的那一面，有標有「Master」、「Slave」、「Cable」地方，你找到它，「Master」是主要、主人的意思，這是主盤跳線的安裝位置，「Slave」則是從盤，剩下的那個「Cable」不用管，注意，同一塊硬碟只能安裝一個跳線設主從，即這塊硬碟你跳了「Master」，就不能再跳「Slave」了。
2、SATA不用主從設置，不過要在BIOS里設置第一啟動硬碟。