『壹』 DDR、RAM和DRAM都是指的內存，那麼它們三者有什麼聯系嗎怎麼會有這三種說法
ram是隨機存儲器。dram是動態隨機存儲器（這和前者沒什麼不同）或者直接隨機存儲器（直接是指和CPU某種程度上直聯）。ddr 是指雙通道的ram。
隨機存取存儲器（英語：Random Access Memory，縮寫：RAM），也叫主存，是與CPU直接交換數據的內部存儲器。它可以隨時讀寫（刷新時除外），而且速度很快，通常作為操作系統或其他正在運行中的程序的臨時數據存儲介質。
RAM工作時可以隨時從任何一個指定的地址寫入（存入）或讀出（取出）信息。它與ROM的最大區別是數據的易失性，即一旦斷電所存儲的數據將隨之丟失。RAM在計算機和數字系統中用來暫時存儲程序、數據和中間結果。
存儲器是數字系統中用以存儲大量信息的設備或部件，是計算機和數字設備中的重要組成部分。存儲器可分為隨機存取存儲器（RAM）和只讀存儲器（ROM）兩大類。
隨機存取存儲器（RAM）既可向指定單元存入信息又可從指定單元讀出信息。任何RAM中存儲的信息在斷電後均會丟失，所以RAM是易失性存儲器。
ROM為只讀存儲器，除了固定存儲數據、表格、固化程序外，在組合邏輯電路中也有著廣泛用途。
『貳』 簡述SRAM和DRAM的區別
1、數據存儲不同：
SRAM不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。
而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內部的數據即會消失。
2、體積不同：
相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積。
同樣面積的矽片可以做出更大容量的DRAM。
3、特點不同：
SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，功耗較DRAM大 ，通常DRAM是有一個非同步介面的，這樣它可以隨時響應控制輸入的變化。
同步動態隨機存取內存（synchronous dynamic random-access memory，簡稱SDRAM）是有一個同步介面的動態隨機存取內存（DRAM）。
由於在現實中晶體管會有漏電電流的現象，導致電容上所存儲的電荷數量並不足以正確的判別數據，而導致數據毀損。因此對於DRAM來說，周期性地充電是一個無可避免的要件。由於這種需要定時刷新的特性，因此被稱為「動態」存儲器。
『叄』 dram存儲器為了保持存儲數據的正確反復對存儲單元進行充電的過程稱為什麼
動態RAM。動態RAM存儲器需要周期性的補充電荷以保證所存儲信息的正確。
『肆』 dram從外存取數據很大
對的，靜態存儲，dram從外存取數據是很大的。
SRAMVSDRAMSRAM不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。而DRAM（DynamicRandomAccessMemory）每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內部的數據即會消失。
RAM每一位數據都是通過晶元內的一個小電容充電（或低電平）存儲的。但隨著時間的推移，電容逐漸失去電荷。為避免丟失存儲的數據，必須定期刷新以將電荷（如果存在）恢復到其原始級別。此刷新過程包括讀取每個位的值，然後將其寫回。在此「刷新」期間，內存被佔用，無法執行載入或存儲位等正常操作。
DROM動態隨機存儲器(DRAM)具有速度快、密度高、成本低的優勢,被廣泛應用於計算機的主存.DRAM採用電容作為存儲單元,電容電荷的多少表示數字0或1.由於存在漏電現象,電容里的電荷會緩慢流失,造成數據丟失.為保證數據正確性,DRAM採用周期性的刷新操作,在數據丟失前,把數據讀出然後重新寫入存儲單元.刷新操作會阻礙正常訪存的執行,造成性能上的開銷;同時刷新操作會消耗額外的功耗,帶來功耗上的開銷.刷新的開銷與DRAM密度相關。隨著內存容量需求的增加，DRAM占系統整體功耗的比例可達40%。
『伍』 DRAM緩存和HMB緩存有何區別
摘要 你好，HMB全稱 HostMemory Buffer主機內存緩沖器，屬於NVM Express （NVMe）的基本特性之一。SSD肯定需要NAND快閃記憶體顆粒，同時由Controller主控調度，為了提升 隨機讀寫性能，有些硬碟會設計一個外置硬體的DRAM高速緩存，用來 緩沖數據和存儲 映射表（Map Table），主流比例是1000:1，也就是1GB容量搭配1MB緩存， 1TB的盤搭配1GB的緩存。性能表現會比差不多規格的DRAM-less無緩存方案好一點。當然也有模擬SLC Cache緩存方案，空閑後二次轉存、釋放空間。有些低價的盤沒裝緩存、甚至主控本身就不支持外置緩存，這時候就要用到HMB技術了，它可以 共享系統內存作為緩存，需要 NVMe1.2版本、在 Win10 1703版本之後就可以使用 （和SLC緩存不沖突、可以同時存在）。其實和NVIDIA的TC、AMD的HM共享顯存技術差不多，你顯存不夠用、爆了，就會調用內存。 （響應延遲、帶寬速度還是有差異的）（延遲：主控SRAM<HMB<FTL）Windows的HMB功能也有其局限性，它 最多隻能分配64MB共享緩存給NVMe SSD，比例太低，所以效果肯定和獨立外置DRAM緩存有差距，並且得走PCIe通道帶來 額外的延遲。
『陸』 DRAM存儲器是
RAM是隨機存儲器 ROM是只讀存儲器
DRAM是動態隨機存儲器，為防止數據丟失，需定時刷新， 現在電腦的內存條都屬於DRAM
SRAM，是靜態隨機存儲器，由於其價格較高，但不需定時刷新，多用於單片機等小容量系統。
『柒』 DRAM存儲器的中文含義是:_______
B、動態隨機存取存儲器。
內存是計算機運行的基礎。當與CPU結合使用時，可以運行指令集（程序）和存儲工作數據。隨機存取存儲器（RAM）是眾所周知的存儲器類型，因為它能夠以大致相同的時間延遲訪問存儲器中的任何位置。
動態隨機存取存儲器（DRAM）是一種特定類型的隨機存取存儲器，它允許以較低的成本獲得更高的密度。筆記本電腦和台式機中的內存模塊使用DRAM。
隨機存取存儲器是根據地址訪問數據，而不是順序的訪問數據。
隨機訪問存儲器，或稱隨機存取記憶體（RandomAccessMemory，簡稱RAM），是一種在計算機中用來暫時保存數據的元件。
它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統或其他正在運行中的程式之臨時資料存儲媒介。它可以令電腦的容量提升，不同隨機存取記憶體也有不同的容量。
當電源關閉時RAM不能保留數據。如果需要保存數據，就必須把它們寫入一個長期的儲存設備中。所以叫隨機存取存儲器。
動態隨機存取存儲器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一種半導體存儲器，主要的作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特（bit）是1還是0。
由於在現實中晶體管會有漏電電流的現象，導致電容上所存儲的電荷數量並不足以正確的判別數據，而導致數據毀損。
因此對於DRAM來說，周期性地充電是一個無可避免的要件。由於這種需要定時刷新的特性，因此被稱為「動態」存儲器。相對來說，靜態存儲器（SRAM）只要存入數據後，縱使不刷新也不會丟失記憶。
『捌』 書上說：DRAM為了保持數據，必須隔一段時間刷新一次，如果存儲單元沒有被刷新，數據就會丟失。
首先，DRAM SRAM ROM三者都是內存，所以內存每隔一段時間得刷新一下是不正確的。
DRAM是動態隨機存儲內存，需要定期刷新；
SRAM是靜態隨機存取內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據；
ROM是只讀內存，對用戶來說是只讀而不能寫的。只能有計算機生產廠商用特殊方式寫入
一些重要的軟體和數據，如引導程序、監控程序等，斷電後，其內容不會丟失。
『玖』 dram存儲器的再生意思
DRAM存儲器的中文是動態隨機存取存儲器。
為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。
寫操作時，寫選擇線為"1"，所以Q1導通，要寫入的數據通過Q1送到Q2的柵極，並通過柵極電容在一定時間內保持信息。
『拾』 比較動態存儲器dram和靜態存儲器sram的異同點
SRAM中文含義為靜態隨機訪問存儲器，它是一種類型的半導體存儲器。「靜態」是指只要不掉電，存儲在SRAM中的數據就不會丟失。這一點與動態RAM（DRAM）不同，DRAM需要進行周期性的刷新操作。然後，我們不應將SRAM與只讀存儲器（ROM）和Flash Memory相混淆，因為SRAM是一種易失性存儲器，它只有在電源保持連續供應的情況下才能夠保持數據。「隨機訪問」是指存儲器的內容可以以任何順序訪問，而不管前一次訪問的是哪一個位置。
SRAM中的每一位均存儲在四個晶體管當中，這四個晶體管組成了兩個交叉耦合反向器。這個存儲單元具有兩個穩定狀態，通常表示為0和1。另外還需要兩個訪問晶體管用於控制讀或寫操作過程中存儲單元的訪問。因此，一個存儲位通常需要六個MOSFET。對稱的電路結構使得SRAM的訪問速度要快於DRAM。SRAM比DRAM訪問速度快的另外一個原因是SRAM可以一次接收所有的地址位，而DRAM則使用行地址和列地址復用的結構。
SRAM不應該與SDRAM相混淆，SDRAM代表的是同步DRAM，這與SRAM是完全不同的。SRAM也不應該與PSRAM相混淆，PSRAM是一種偽裝成SRAM的DRAM。
從晶體管的類型分，SRAM可以分為雙極性與CMOS兩種。從功能上分，SRAM可以分為非同步SRAM和同步SRAM（SSRAM）。非同步SRAM的訪問獨立於時鍾，數據輸入和輸出都由地址的變化控制。同步SRAM的所有訪問都在時鍾的上升/下降沿啟動。地址、數據輸入和其它控制信號均於時鍾信號相關。
DRAM：動態隨機存取存儲器，需要不斷的刷新，才能保存數據。而且是行列地址復用的，許多都有頁模式。
SRAM：靜態的隨機存取存儲器，加電情況下，不需要刷新，數據不會丟失，而且，一般不是行列地址復用的。
SDRAM：同步的DRAM，即數據的讀寫需要時鍾來同步。主要是存儲單元結構不同導致了容量的不同。一個DRAM存儲單元大約需要一個晶體管和一個電容（不包括行讀出放大器等），而一個SRAM存儲單元大約需要六個晶體管。DRAM和SDRAM由於實現工藝問題，容量較SRAM大，但是讀寫速度不如SRAM。一個是靜態的，一個是動態的，靜態的是用的雙穩態觸發器來保存信息，而動態的是用電子，要不時的刷新來保持。 內存（即隨機存貯器RAM）可分為靜態隨機存儲器SRAM，和動態隨機存儲器DRAM兩種。我們經常說的「 內存」是指DRAM。而SRAM大家卻接觸的很少。
SRAM其實是一種非常重要的存儲器，它的用途廣泛。SRAM的速度非常快，在快速讀取和刷新時能夠保 持數據完整性。SRAM內部採用的是雙穩態電路的形式來存儲數據。所以SRAM的電路結構非常復雜。製造相同容量的SRAM比DRAM的成本高的多。正因為如此，才使其發展受到了限制。因此目前SRAM基本上只用於CPU 內部的一級緩存以及內置的二級緩存。僅有少量的網路伺服器以及路由器上能夠使用SRAM