① 半導體FRAM是什麼
半導體FRAM是ferromagnetic random access memory的英文縮寫，即鐵電存儲器，FRAM利用鐵電晶體的鐵電效應實現數據存儲。鐵電效應是指在鐵電晶體上施加一定的電場時，晶體中心原子在電場的作用下運動，並達到一種穩定狀態；當電場從晶體移走後，中心原子會保持在原來的位置。這是由於晶體的中間層是一個高能階，中心原子在沒有獲得外部能量時不能越過高能階到達另一穩定位置，因此FRAM保持數據不需要電壓，也不需要像DRAM一樣周期性刷新。由於鐵電效應是鐵電晶體所固有的一種偏振極化特性，與電磁作用無關，所以FRAM存儲器的內容不會受到外界條件（諸如磁場因素）的影響，能夠同普通ROM存儲器一樣使用，具有非易失性的存儲特性。
② FRAM鐵電存儲器較EEPROM有什麼優勢
FRAM與工業標准EEPROM完全兼容；性能比EEPROM更加突出；讀寫次數超過1萬億次（5V）、無限次（3.3V），寫速度快，沒有寫等待，按位元組操作；操作更省電，寫入功耗僅為EEPROM的1/20
③ 鐵電存儲器FRAM的SRAM的取代和擴展
鐵電存貯器（FRAM） 快速擦寫和非易失性等特點，令系統工程師可以把現有設計中的SRAM和EEPROM器件整合到一個鐵電存貯器（FRAM）里，或者簡單地作為SRAM擴展。
在多數情況下，系統使用多種存儲器類型，FRAM提供了只使用一個器件就能提供ROM,RAM和EEPROM功能的能力，節省了功耗, 成本, 空間，同時增加了整個系統的可靠性。最常見的例子就是在一個有外部串列EEPROM嵌入式系統中，FRAM能夠代替EEPROM,同時也為處理器提供了額外的SRAM功能。
典型應用：攜帶型設備中的一體化存儲器，使用低端控制器的任何系統。
④ 鐵電存儲器FRAM的鐵電應用
存儲器（FRAM）可以讓設計者更快、更頻繁地將數據寫入非易失性存儲器，而且價格比EEPROM低。數據採集通常包括採集和存儲兩部分，系統所採集的數據（(除臨時或中間結果數據外)需要在掉電後能夠保存，這些功能是數據採集系統或子系統所具有的基本功能。在大多數情況下，一些歷史記錄是很重要的。
典型應用：儀表 (電表、氣表、水表、流量表)、RF/ID、儀器,、和汽車黑匣子、安全氣袋、GPS定位系統、電力電網監控系統。 FRAM通過實時存儲數據幫助系統設計者解決了突然斷電數據丟失的問題。參數存儲用於跟蹤系統在過去時間內的改變，它的目的包括在上電狀態時恢復系統狀態或者確認一個系統錯誤。總的來說，數據採集是系統或子系統的功能，不論何種系統類型，設置參數存儲都是一種底層的系統功能。
典型應用： 影印機,列印機, 工業控制, 機頂盒 (Set-Top-Box), 網路設備（網路數據機）和大型家用電器。 鐵電存貯器（FRAM）可以在數據傳遞儲存在其它存儲器之前快速存儲數據。在此情況下，信息從一個子系統非實時地傳送到另一個子系統去.。由於資料的重要性, 緩沖區內的數據在掉電時不能丟失.，在某些情況下，目標系統是一個較大容量的存儲裝置。FRAM以其擦寫速度快、擦寫次數多使數據在傳送之前得到存儲。
典型應用：工業系統、銀行自動提款機 (ATM), 稅控機, 商業結算系統 (POS), 傳真機，未來將應用於硬碟非易失性高速緩沖存儲器。
⑤ 合肥長鑫和長江存儲兩個企業的存儲晶元和未來發展哪個更有潛力
長鑫是內存，長江是快閃記憶體。內存斷電數據丟失，快閃記憶體斷電數據依然在，技術層面，快閃記憶體技術難度更高！另外長鑫是買的國外底層技術，然後升級優化發展，發展有一定局限性，且與世界一流水平有2-3代的差距！而長存完全自主研發，技術幾乎達到世界一流水平。從市場發展來看，內存技術有天花板，需求市場幾乎停止增長，而快閃記憶體技術革新空間很大，市場需求每年更是以30%的增長速度擴張。綜合來看長江存儲發展前景更大！
兩家企業之間內部高層人員同屬於紫光派系。因此在產業結構分工上是協調合作方式。合肥長鑫主攻可讀存儲；長江存儲以研發可寫存儲。
長江存儲屬於國家隊，合肥長鑫地地道道屬省級隊。由此看來，長江存儲比合肥長鑫起步高。不過合肥長鑫率先將上市產品對標到世界同等級別，而長江存儲還需時日。
另外，眾所周知，玩存儲晶圓是個燒錢項目，風險變數極大，所以這些企業背靠的是有實力的大級別體量玩家。長江存儲背靠武漢，是國家傾盡全力打造的存儲之都；合肥近幾年靠集成晶元（京東方）實實在在是掙到百千億的，夾持國家科學中心名頭不可小覷！
綜敘，潛力誰大不好說，一個是小獅子，逐漸霸氣側漏想挑戰王位；一個是小老虎，虎虎生威欲佔山為王！
沖出重圍千億起步，強敵環伺巨頭統治。
存儲晶元的前景如何展望？
合肥長鑫，成立於2016年5月， 專注於DRAM領域 ，整體投資預計超過1500億元。目前一期已投入超過220億元，19nm8GbDDR4已實現量產，產能已達到2萬片/月，預計2020年一季度末達4萬片/月，三期完成後產能為36萬片/月， 有望成為全球第四大DRAM廠商。
長江存儲，成立於2016年7月， 專注於3DNANDFlash領域 ，整體投資額240億美元，目前64層產品已量產。根據集邦咨詢數據，2019年Q4長江存儲產能在2萬片/月，到2020年底有望擴產至7萬片/月，2023年目標擴產至30萬片/月產能， 有望成為全球第三大NANDFlash廠商。
最近利基型內存（Specialty DRAM）的價格大漲，我們今天就來聊聊 DRAM 是什麼？
Dynamic Random Access Memory，縮寫DRAM。動態隨機存取存儲器，作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡，來代表一個二進制比特是1還是0。這一段聽不懂，聽不懂沒關系，你只需要知道，它運算速度快、常應用於系統硬體的運行內存，計算機、手機中得有它，你可能沒聽說過DRAM，但你一定知道內存條， 沒錯，DRAM的最常見出現形式就是內存條。
近幾年的全球DRAM市場，呈現巨頭壟斷不變，市場規模多變的局面。
全球DRAM生產巨頭是三星、SK海力士和美光，分別占據了41.3%、28.2%和25%的市場份額。
2019年市場銷售額為620億美元，同比下降了37%。其中美國佔比39%排名第一，中國佔比34%排名第二，中美是全球DRAM的主要消費市場。細分市場，手機/移動端佔比40%，伺服器佔比34%。
總結來說，巨頭壟斷，使得中國企業沒有議價權，DRAM晶元受外部制約嚴重。 當前手機和移動設備是最大的應用領域，但未來隨著數據向雲端轉移，市場會逐步向伺服器傾斜。
未來，由於DRAM的技術路徑發展沒有發生明顯變化，微縮製程來提高存儲密度。那麼在進入20nm的存儲製程工藝後，製造難度越來越高，廠商對工藝的定義已不再是具體線寬，而是要在具體製程范圍內提升技術，提高存儲密度。
當前供需狀況，由於疫情在韓、美兩國發展速度超過預期，國內DRAM企業發展得到有利發展。
合肥長鑫、長江存儲 兩家都是好公司，都在各自的賽道中沖刺，希望他們能夠在未來打破寡頭壟斷的格局。
看哪家產品已經銷售了，其他吹得再好都是假的
目前看合肥長鑫優勢明顯
合肥長鑫和長江存儲兩個企業的存儲晶元和未來發展哪個更有潛力？快閃記憶體也好內存也罷都是國內相當薄弱的環節，都是要在國外壟斷企業口裡奪食，如果發展得好都是相當有潛力的企業。只是對於市場應用的廣度而言，合肥長鑫的內存可能相對來說更有潛力一些。
這兩家企業一家合肥長鑫以DRAM為主要的專注領域，長江存儲以NAND FLAH領域，而且投資都相當巨大，都是一千億元以上的投資。長江存儲除了企業投資之外，還有湖北地方產業基金，另外還有國家集成電路產業投資基金的介入，顯得更為有氣勢。而合肥長鑫主要以合肥地方投資為主，從投資來看看似長江存儲更有力度更有潛力一些。
不管時快閃記憶體還是內存，目前都被美國、韓國、日本等國外的幾家主要企業所壟斷，價格的漲跌幾乎都已經被操縱，國內企業已經吃過不少這方面的苦。DRAM領域的三星、海力士、鎂光，NAND領域有三星、東芝、新帝、海力士、鎂光、英特爾等，包括其他晶元一起，國內企業每一年花在這上面購買資金高達3000多億美金，並且一直往上攀升。
這兩家企業攜裹著大量投資進入該領域，但短時間之內要改變這種態勢還很難，一個是技術實力落後，另一個是市場號召力極弱。目前與國外的技術距離差不多在三年左右，況且這兩家的良品率和產能還並不高沒有完全釋放，在市場應用上的差距就更為懸殊。
從市場應用上來看，各種電子產品特別是手機及移動產品將會蓬勃發展，內存的應用地方相當多，甚至不可缺少，這帶來極大的需求量。相對而言，快閃記憶體應用地方可能要稍稍窄小一點，但需求同樣龐大。
國外三星、海力士等處於極強的強勢地位，而合肥長鑫和長江存儲要想從他們嘴裡爭奪是相當不容易的。不過有國內這個龐大的市場作後盾，相信這兩家未來都有不錯的前景，一旦發展起來被卡脖子的狀況將會大為改觀。
更多分享，請關注《東風高揚》。
理論上說長江存儲潛力更大，技術水平距離三星更近。長鑫的話製程跟三星還有一些差距，另外gddr5和ddr5長鑫都還沒影。
市場來說長鑫的dram內存價值更大。
但是不論nand還是dram存儲市場都是需要巨額投入和多年堅持的，所以誰錢多誰潛力大。
合肥長鑫是國產晶元的代表企業，主要從事存儲晶元行業中DRAM的研發、生產和銷售。企業計劃總投資超過 2200 億元，目前已經建立了一支擁有自主研發實力、工作經驗豐富的成建制國際化團隊，員工總數超過 2700 人，核心技術人員超過 500。
長江存儲成立於2016年7月，總部位於武漢，是一家專注於3D NAND快閃記憶體設計製造一體化的IDM集成電路企業。目前全球員工已超 6000 餘人，其中資深研發工程師約 2200人，已宣布 128 層 TLC/QLC 兩款產品研發成功，且進入加速擴產期，目前產能約 7.5 萬片/月，擁有業界最高的IO速度，最高的存儲密度和最高的單顆容量。
存儲晶元行業屬於技術密集型產業，中國存儲晶元行業起步晚，缺乏技術經驗累積。中國本土製造商長江存儲、合肥長鑫仍在努力追趕。
誰先做出產品誰就有潛力，兩家現在主要方向也不一樣，一個nand一個dram，也得看技術和頂級玩家三星的差距
當然是長江存儲更有潛力，長江存儲有自主知識產權的3d堆疊工藝平台，是國家存儲產業基地，長鑫買的外國專利授權，發展受到外國技術限制。長江存儲可以依靠3d堆疊工藝平台輕松殺入dram領域，而長鑫卻沒有可能進入nand領域。
⑥ 鐵電存儲器FRAM的FRAM優勢
FRAM有三種不同的特性使其優於浮柵技術器件：
1. 快速寫入
2. 高耐久性
3. 低功耗
以下列舉了FRAM在一些行業應用領域中與其他存儲器相比較的主要優勢：
頻繁掉電環境
任何非易失性存儲器可以保留配置。可是，配置更改或電源失效情況隨時可能發生，因此，更高寫入耐性的FRAM允許無任何限制的變更記錄。任何時間系統狀態改變，都將寫入新的狀態。這樣可以在電源關閉可用的時間很短或立即失效時狀態被寫入存儲器。
高雜訊環境
在嘈雜的環境下向EEPROM寫數據是很困難的。在劇烈的噪音或功率波動情況下，EEPROM的寫入時間過長會出現漏洞（以毫秒衡量），在此期間寫入可能被中斷。錯誤的概率跟窗口的大小成正比。FRAM的寫入執行窗口少於200ns。
RFID系統
在非接觸式存儲器領域里，FRAM提供一個理想的解決方案。低功耗訪問在RFID系統中至關重要，因為，能源消耗是以距離成指數下降的。想要以最小的能耗讀寫標簽數據就必須保持標簽有足夠近的距離。通過對射頻發射機和接收機改進寫入距離，降低運動的靈敏性（區域內的時間）以及降低射頻（RF）功率需求，使需要寫入的應用（i.e.借記卡，在生產工序中使用的標簽）獲得優勢。
診斷和維護系統
在一個復雜的系統里，記錄系統失效時的操作歷史和系統狀態是非常寶貴的。如果沒有這些數據，能夠准確的解決或執行需求指令是很困難的。由於FRAM具備高耐久性的特點，可以生成一個理想的系統日誌。從計算機工作站到工業過程式控制制不同的系統，都能從FRAM中獲益。
⑦ 2022年上市，國產內存晶元實現量產，領先業界平均製程11~21納米
相較於PC端、智能手機晶元製程的更新換代速率， 汽車 、家用電器等傳統晶元製程過渡到尖端晶元製程的時間相對較長。步入2021年後，內存市場迎來了一波升級， 眼下PC端領域已經步入到DDR5時代 。低端的 DDR3內存逐漸被三星、SK海力士淘汰。 但對於國產廠商來說，這是 切入DDR3內存市場的最佳時機 。
2021年11月18日消息 ， 合肥長鑫重拾DDR3業務 ，為 兆易創新代工DDR3內存晶元 。據了解，合肥長鑫為兆易創新代工的DDR3內存晶元採用的是 19納米製程 。這比業界普遍使用的 30~40納米 製程的 DDR3晶元 ， 領先了11~21納米 。
目前合肥長鑫的19納米DDR3內存晶元還處在工廠測試階段， 出貨時間暫定在2022年第一季度，預計2022年下半年，合肥長鑫將增加DDR3內存晶元產能。 可能有些朋友會說，DDR3早已被淘汰了，眼下已經是DDR5時代，兆易創新委託合肥長鑫代工的DDR3內存晶元，用往何處呢？
正如前面所說的，比起PC端、智能手機行業，家電、燈具等利基市場產品所用晶元的更新換代速率較慢。 合肥長鑫為兆易創新代工的DDR3晶元用於家電、燈具當中 ，這些設備對內存晶元的性能、容量要求並不高。更何況合肥長鑫負責代工的DDR3內存晶元採用的是19納米製程，因此能夠滿足大多數智能家居設備的內存需求。
大數字智能時代的到來，各行各業都在朝著信息智能時代過渡，台燈、廚房油煙機、掃地機器人等家用設備對晶元的需求量不斷提高。雖說比起PC端、智能手機等高精尖設備，家電家居的利潤並不高，但「螞蟻再小也是肉」。顯然，相較於手機、PC端，燈具、家電設備的市場規模更大。
為了在短期內實現效益的最大化，三星、SK海力士、美光等內存晶元巨頭，將目光放在了DDR5身上。但DDR5對於大多數家居家電來說，有些性能過剩，容易造成製程浪費。兆易創新瞅准市場空檔期，趁此機會加大對DDR3的市場布局，一定程度上能夠提高兆易創新的營收以及市場競爭力。
當然，對於合肥長鑫來說，重拾DDR3製程，只是為了擴寬公司的業務營收，推動產業產品鏈多元化發展。作為國產存儲晶元巨頭，合肥長鑫採用自主研發技術於2019年實現了DDR4晶元的量產。關於製程更精密，設計難度更高的DDR5、LPDDR5等內存晶元，合肥長鑫不斷加大資金投入力度，爭取破冰技術壁壘。
值得一提的是，另一家國產存儲晶元巨頭，長江儲存於2021年7月29日率先攻堅128層快閃記憶體晶元技術壁壘，成功推出128層堆棧的快閃記憶體晶元。這拉動了我國內存晶元產業的發展。
相較於三星、SK海力士等內存晶元巨頭，雖說我們還與之存在一定的距離，但千里之行，始於足下。相信在長江儲存、合肥長鑫等國產內存晶元廠商的努力下，總有一天我們會實現對三星、SK海力士等內存晶元巨頭的持平、趕超。
對於合肥長鑫重拾DDR3內存晶元業務這件事情，大夥有什麼想說的呢？眼下長江儲存、合肥長鑫等國產內存晶元商不斷破冰技術壁壘，在內存晶元領域中取得了許多不錯的成績。你認為我們能否在內存晶元領域中與國外內存晶元技術實現持平呢？
歡迎在下方留言、評論。我是柏柏說 科技 ，資深半導體 科技 愛好者。關注我，帶你了解更多最新的半導體資訊，學習更多有用的半導體知識。
⑧ FRAM存儲器/MB85RC16PNF-G-JNERE1元器件有什麼用途，在立創商城中的MB85RC16PNF-G-JNERE1好不好
品牌： FUJITSU(富士通）
廠家型號： MB85RC16PNF-G-JNERE1
供應商：拍明芯城
封裝規格： SOIC-8_150mil
商品毛重： 0.000314 KG
屬性： 參數值
商品目錄： FRAM存儲器
存儲器構架(格式)： FRAM
存儲器介面類型： I2C
存儲器容量： 16Kb (2K x 8)
工作電壓 ：2.7V ~ 3.6V
存儲器類型： Non-Volatile
⑨ 鐵電存儲器FRAM的FRAM技術
Ramtron的FRAM技術核心是鐵電。這就使得FRAM產品既可以進行非易失性數據存儲又可以像RAM一樣操作。
F-RAM晶元包含一個鋯鈦酸鉛[Pb(Zr,Ti)O3]的薄鐵電薄膜，通常被稱為PZT（如圖1）。PZT 中的Zr/Ti原子在電場中改變極性，從而產生一個二進制開關。與RAM器件不同，F-RAM在電源被關閉或中斷時，由於PZT晶體保持極性能保留其數據記憶。這種獨特的性質讓F-RAM成為一個低功耗、非易失性存儲器。
當一個電場被加到鐵電晶體時，中心原子順著電場的方向在晶體里移動，當原子移動時，它通過一個能量壁壘，從而引起電荷擊穿。 內部電路感應到電荷擊穿並設置記憶體。移去電場後中心原子保持不動，記憶體的狀態也得以保存。FRAM 記憶體不需要定時刷新，掉電後數據立即保存，它速度很快，且不容易寫壞。
F-RAM、ROM都屬於非易失性存儲器，在掉電情況下數據不會丟失。新一代ROM，像EEPROM（可擦可編程只讀存儲器）和Flash存儲器，可以被擦除，並多次重復編程，但它們需要高電壓寫入且寫入速度非常慢。基於ROM技術的存儲器讀寫周期有限（僅為1E5次），使它們不適合高耐性工業應用。
F-RAM比一般串口EEPROM器件有超過10,000倍的耐性，低於3,000倍的功耗和將近500倍的寫入速度（圖 2）。 F-RAM結合了RAM和ROM的優勢，與傳統的非易失存儲器相比，具有高速、低功耗、長壽命的特點。
FRAM存儲器技術和標準的CMOS製造工藝相兼容。鐵電薄膜被放於CMOS base layers之上，並置於兩電極之間，使用金屬互連並鈍化後完成鐵電製造過程。
Ramtron 的FRAM 記憶體技術從開始到現在已經相當成熟。 最初FRAM 記憶體採用二晶體管/ 二電容器的( 2T/2C) 結構，導致元件體積相對較大。 最近發展的鐵電材料和製造工藝不再需要在鐵電存儲器每一單元內配置標准電容器。 Ramtron 新的單晶體管/ 單電容器結構記憶體可以像DRAM一樣進行操作，它使用單電容器為存儲器陣列的每一列提供參考。與現有的2T/2C結構相比，它有效地把內存單元所需要面積減少一半。新的設計極大的改進了die leverage並且降低了FRAM存儲器產品的生產成本。
Ramtron公司現採用0.35微米製造工藝，相對於現有的0.5微米的製造工藝而言，這極大地降低晶元功耗，提高了成本效率。
這些令人振奮的發展使FRAM在人們日常生活的各個領域找到了應用的途徑。從辦公復印機、高檔伺服器到汽車安全氣囊和娛樂設備， FRAM 使一系列產品的性能得到改進並在全世界范圍內得到廣泛的應用。
⑩ 誰能給我講講FRAM產品是容量越大越好嗎最好能舉個例子對照著給我講！
FRAM就是鐵電存儲器，運用了鐵電效應，是一種高性能的非易失性存儲器，結合了傳統非易失性存儲器（快閃記憶體和E2PROM）和高速RAM（SRAM和DRAM）的優點, 在高速寫入、高耐受力、低功耗和防竄改方面具有優勢。
以富士通的V系列的FRAM產品MB85RC256V為例:
256Kb存儲容量基本能滿足很多領域的要求,不過具體選用多大容量的FRAM要看每種領域的具體要求；1012次的讀寫次數，這個是凸顯它的卓越的讀寫能力的，比較適合需要頻繁更新數據的領域, 1012 次讀寫次數基本上已經能滿足當今所有領域的要求；+85度數據能保存10年，這個應該說是FRAM的一個亮點，比較適合需要長期存儲數據的領域；每一個FRAM都會有電壓范圍，不同電壓范圍適合不同領域的需求,像MB85RC256V的2.7V-5.5V工作電壓范圍就比較適合工業控制領域。
當然在這里不能給你一一舉例子，相信隨著你的學習，你會發現FRAM其實是個很簡單的東西，知道原理後，做應用就會變得很容易。