『壹』 東芝改名了，真的假的
大東芝沒有改，只是快閃記憶體業務部門東芝存儲，去年10月份的時候把品牌名改為鎧俠，也是為了更好運營。
『貳』 日本半導體人才跳槽中企為何被視為叛徒也不後悔呢
9月13日，東芝再次宣布將與2個多月前選擇的優先談判對象日美韓聯盟「加速協商」。在備受關注的出售談判背後，危機正悄然靠近。其他競爭企業已經增設生產設備，東芝的技術人員也正在不斷流失。不僅是韓國和美國，正在培養半導體產業的中國也在行動。
報道稱，雖然很難看到政府統計的數據，但日本經濟產業省擔憂的技術外流每時每刻都在發生。在東芝存儲器業務的出售過程中，經濟產業省視為金科玉律的「阻止技術外流」只不過是一紙空談。到東芝四日市工廠的一線傾聽，就能聽到「濱松町（東芝總部）什麼都不知道」的聲音。
報道稱，如果繼續這樣輕視一線，將被給出優厚待遇的競爭對手奪走優秀技術人才。半導體產業的有效招聘倍率在3年內從0.5倍提高至1.5倍。日本人才中介公司Recruit Career表示，隨著日本國內企業的裁員告一段落，今後招聘將日趨困難。
『叄』 內有乾坤 128GB東芝存儲USB 3.0快閃記憶體檔評測
【IT168 評測】在移動辦公中，快閃記憶體檔的需求依然是剛需，尤其是較大容量的快閃記憶體檔，相比移動硬碟的外觀尺寸都更為小巧，非常適合隨身攜帶，頻繁的文件交換，使用也更便利。東芝存儲最近推出了一款全新隨閃TM TransMemoryTM USB 3.0 高速快閃記憶體檔U365，128GB的容量，不僅機身小巧，還採用了可伸縮插口，可以說是獨具一格，而且搭配高速的傳輸介面，對於較大數據文件的傳輸更加給力，接下來我們就一睹為快，詳細了解一下這款東芝存儲U365高速快閃記憶體檔。
外觀：可伸縮式設計更貼心
東芝存儲U365高速快閃記憶體檔在外包裝上採用了紅色設計，封裝嚴密，包裝上標識了快閃記憶體檔的容量，以及最大讀取速度。快閃記憶體檔主體也可以輕易看到，下面的一個小凸起吸引了我的注意，這是什麼呢？
▲東芝存儲USB 3.0快閃記憶體檔包裝
包裝的背面是產品主要規格和適用，產地菲律賓，五年質保。
▲東芝存儲USB 3.0快閃記憶體檔
拆下包裝後就可以看到這款快閃記憶體檔還是比較小巧，插口內置，而側面那個就是推拉扣了。外觀方面，機身採用啞光材質外殼，標識了TOSHIBA的字樣，以及128GB容量，USB 3.0介面，插頭為藍色，很容易識別。此外，還可以看到，在尾端還設計了一個掛繩的小孔，非常適合隨身攜帶。
▲東芝存儲USB 3.0快閃記憶體檔
快閃記憶體檔採用了無蓋和滑動伸縮設計，不僅避免了用戶丟失蓋子的煩惱，同時還大幅度提升使用的便捷性。使用時，按住按鈕向前推出即可，介面伸出後會自動鎖死，可以非常輕松地插入到電腦的USB介面，不用時隱藏進去。
▲側面推拉式按鍵
經典的黑色外觀和圓潤外角，簡約大方，拿在手裡也非常舒適，而且這樣的設計還具備防塵、防摔、耐壓、抗震等特點，確保了快閃記憶體檔自身和數據的安全。
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東芝存儲USB 3.0快閃記憶體檔
在系統兼容性上，延續東芝存儲的超強兼容優勢，U365快閃記憶體檔同樣具有即插即用及支持多種設備操作系統的特點，例如OS X v10.9-v10.11、macOS v10.12-v10.13、Windows 7、Windows 8.1、Windows 10等。除此之外，U365快閃記憶體檔也十分適合用作超極本、平板電腦等設備的外置存儲器，可實現用非常小的物理體積換取超大數據存儲容量的效果，大幅度提升用戶的辦公娛樂體驗。
▲東芝存儲USB 3.0快閃記憶體檔
關於東芝存儲USB 3.0快閃記憶體檔的外觀我們就了解到這里，容量大，外觀小巧，推拉式的設計，以及掛繩孔的設計，都留給我們深刻的印象，但具體在使用中傳輸數據的能力究竟怎樣？我們還是得實際檢測了才能知道，所以我們首先採用一些專業的測試工具，然後再通過實際的數據讀寫，來看看這款快閃記憶體檔是不是也有著優異的表現呢？
評測的平台為華碩FX80G筆記本，Windows 10家庭中文版64位系統，第八代英特爾酷睿i7-8750H處理器，英偉達GTX 1060獨立顯卡，8GB內存，介面為USB 3.0。
讀寫測試：超過標稱速度
這款東芝存儲USB 3.0快閃記憶體檔的標稱容量為128GB，實際使用容量為116GB，為了便於大文件的存儲，文件系統我們格式化為exFAT。
▲東芝存儲USB 3.0快閃記憶體檔容量和文件系統識別
ATTO Disk Benchmark 是一款簡單易用的磁碟傳輸速率檢測軟體，可以用來檢測硬碟、U盤、存儲卡及其它可移動磁碟的讀取/寫入速率。我們採用軟體默認的方式進行檢測，可以看到這款東芝USB 3.0快閃記憶體檔讀取文件時的速度超過150MB/s，高於官方標稱的速度，但是寫入的速度約30多MB/s，相對不算高。
▲ATTO Disk Benchmark 測試讀寫
CrystalDiskMark也是大家檢測U盤、硬碟常用的一款軟體，給出的檢測數據，順序讀取的速度達到了200MB/s，遠遠超過標稱數據，而寫入的數據為25.8MB/s，與上面ATTO Disk Benchmark檢測的結果還是比較接近的。
▲CrystalDiskMark
TxBENCH是一款SSD檢測軟體，功能也比較強大，所以我們再用這款軟體進行讀/寫能力的測試，可以看到其在順序寫入和讀取的速度分別達到了198MB/s和33MB/s，表現也是相當不錯。
▲TxBENCH 讀/寫檢測
FastCopy是一款文件拷貝軟體，並能在Copy的同時記錄文件的大小，讀寫的時間，傳輸的速度等數據，所以我們也通過這款軟體來實際驗證一下這款東芝存儲USB3.0快閃記憶體檔的讀寫能力。
測試的文件一個是視頻，單文件大小10GB，另一個是多文件，98張圖片200MB，一般情況下，不管是快閃記憶體檔還是硬碟，對單文件的讀寫速度都比較快，對多文件、尤其是圖片的讀寫速度相對都比較慢。
我們分別設置文件從PC到快閃記憶體檔，快閃記憶體檔到PC，來看看實際的讀取數據。▲10GB單文件讀/寫測試
▲200MB、98張圖片讀/寫測試
經過以上一系列的專業檢測軟體，可以看到東芝的這款快閃記憶體檔在文件的讀取上速度還是不錯的，普遍超過150MB/s*(數據出自東芝測試環境)讀取的官方標稱數據，寫入時的速度在30MB/s以上，並不算高，但在讀寫測試的過程還是很穩定的。接下來我們採用系統復制粘貼的方式，更為直觀的進行檢測。
▲從東芝存儲USB3.0快閃記憶體檔復制文件到PC(讀取文件)
▲從PC端復制文件到東芝存儲USB3.0快閃記憶體檔(寫入文件)
我們使用同樣的兩組文件，一個是約10GB的單視頻文件，另一個是98張圖片200MB大小的文件夾。可以看到讀取的速度比較穩定在128MB/s，寫入的速度為37MB/s，而200MB的讀寫速度因為太快無法截圖，所以綜合而言，這款東芝存儲USB3.0快閃記憶體檔在速度上是無需擔心的，關鍵是十分穩定，品質和數據安全方面也更有保障。
評測總結：
盡管目前USB快閃記憶體檔的需求有所下降，但是對於大容量快閃記憶體檔的需求並沒有減少，首先就是體積小便於攜帶，另外在速度上也可以滿足較大文件的讀取，尤其是對於辦公文件的存取，可以說快閃記憶體檔依然是最佳的選擇。而我們評測的這款東芝存儲USB3.0快閃記憶體檔，在外觀上小巧，推拉式的設計，以及掛繩口的設計，都顯示著更加貼心，使用、攜帶都更為人性化。數據讀寫方面，尤其在讀取時的速度表現相當不錯，另外就是數據讀寫非常穩定，加上東芝的品牌品質，都讓這款快閃記憶體檔更加值得推薦。『肆』 硬碟屬於內存儲器還是外存儲器
硬碟屬於外存儲器。
硬碟（英語：Hard Disk Drive，簡稱HDD）是電腦上使用堅硬的旋轉碟片為基礎的非揮發性存儲設備，它在平整的磁性表面存儲和檢索數字數據，信息通過離磁性表面很近的磁頭，由電磁流來改變極性方式被電磁流寫到磁碟上，信息可以通過相反的方式讀取，例如讀頭經過紀錄數據的上方時磁場導致線圈中電氣信號的改變。硬碟的讀寫是採用隨機存取的方式，因此可以以任意順序讀取硬碟中的數據[2]。硬碟包括一至數片高速轉動的磁碟以及放在執行器懸臂上的磁頭。
早期的硬碟存儲介質是可替換的，不過今日典型的硬碟採用的是固定的存儲介質，碟片與磁頭被封裝在機身里（除了一個有過濾的氣孔，用來平衡工作時產生的熱量導致的氣壓差）。
硬碟是由IBM在1956年開始使用[3]，在1960年代初成為通用式電腦中主要的輔助存放設備，隨著技術的進步，硬碟也成為伺服器及個人電腦的主要組件。
硬碟按數據介面不同，大致分為ATA（IDE）和SATA以及SCSI和SAS。介面速度不是實際硬碟數據傳輸的速度，目前非基於快閃記憶體技術的硬碟數據實際傳輸速度一般不會超過300MB/s。
『伍』 東芝的業務領域
無論是在辦公室還是在家裡，在當今所有互聯網的世界，東芝都以其尖端技術不斷創造出獨特的數碼產品及解決方案。我們決心滿足數碼潮流時代的各種市場需求，這支撐著其在下述的關鍵產品領域里保持領先地位。
移動通信公司
通過充分利用包括高級成像技術和電腦連通性在內的數碼產品部門的各種強項，其將把重點置於具有高附加價值的行動電話上，在這競爭激烈的市場里，其將提供強調外觀設計和用途得到擴展的產品陣容，並推出功能得到提升的智能手機。
主要產品：行動電話和小靈通手機、智能手機
數碼媒體網路公司
該公司在數碼技術方面擁有廣泛的專業技術，它將創新的產品帶入了生活和業務場所。在「Regza」液晶電視機的豐富的產品陣容里，有以提供超清晰圖像的最新圖像放大技術為特點的旗艦型號，帶硬碟驅動器的DVD刻錄機、液晶電視與DVD組合機和DVD播放機使生活方式更豐富、更愉快。從伺服器和數據存儲系統直至電腦和家用電器行業以及汽車方面的應用，其在尖端硬碟驅動器方面的全球領先地位支撐著眾多產品領域里的創新發明。
主要產品：液晶電視機、工業和監視攝像機、硬碟與DVD刻錄機、硬碟驅動器
PC&；網路公司
其在家庭、辦公室和移動過程這三個無所不在的關鍵性網路通信環境里，把作為行業標準的專業技術應用到了筆記本電腦、電腦伺服器和商務通信系統上。從迷你型筆記本電腦到攜帶型筆記本電腦直至影音筆記本電腦，我們將繼續提供各類豐富產品以滿足市場需求，其公司的「Qosmio」影音筆記本電腦在計算機與高級影音功能的結合方面領導著行業新潮流，通過諸如「東芝四核高清處理器」的高級多媒體特性，為消費者提供了完整的個人娛樂解決方案。包括配備了大容量固態硬碟的最尖端型號在內，其生產的「輕薄型」系列繼續為筆記本電腦的超便攜和高性能定義新的標准。
主要產品：筆記本電腦、電腦伺服器、業務電話系統
東芝泰格有限公司
東芝泰格在流通信息系統與文件處理和通訊系統這兩個核心業務領域里，為當前及未來可能的需求提供完備的解決方案，在流通領域，東芝泰格為用戶的高效與盈利提供保障，而在文件處理與通訊方面，東芝泰格也在為用戶提供高效、可靠的方案。
主要產品：多功能數碼復合機、POS終端、電子收款機 為了在數碼式家電產品和移動設備等高成長領域、以及在包括中國和亞洲的快速成長市場的主要市場中取得成功，對公司的產品組合進行了最優化。其將通過高精尖技術方面的產業領導能力和戰略性投資，確保持續成長和盈利。
半導體公司
先進的加工技術、高度復雜的產品開發能力以及向全球客戶銷售各類器件的經驗，使東芝在世界半導體市場始終保持著領先的地位。為促進持續的擴展，我們專注於提高在高附加價值高性能的存儲器和系統大規模集成電路（LSI）方面的能力，並同時加強公司在分立元器件市場的世界龍頭地位。其固態硬碟（SSD）在抗振、傳輸速度、設計靈活性和電源效率方面具有卓越的性能，它為公司繼續在NAND快閃記憶體領域保持活力和市場領先地位作出了貢獻。
主要產品：NAND快閃記憶體、固態硬碟、MCP、寬頻系統大規模集成電路、多媒體SoC、客戶明知SoC、顯示激勵器、模擬集成電路、CMOS圖像感測器、通用性CMOS邏輯電路、小型信號裝置、電源裝置、光學半導體裝置
顯示元器件材料統括
在電子管、尖端材料和元件方面，該公司保證提供能夠確立市場規格的優良技術和產品。並且還在諸如DNA晶元、電子管、熱感印刷磁頭、尖端材料和元件等領域的性能和功能等方面努力進行突破和技術提升。現我們還率先開發作為攜帶型電子設備用電源的直接甲醇燃料電池（DMFC）並努力實現其實用化。
主要產品：速調管、同旋振盪管、X射線管、X射線影像放大器、熱感印刷磁頭、鎢鉬產品、塗磷產品、高純度噴鍍靶、非晶體磁性部件、精密陶瓷、微波爐磁控管、DNA晶元、直接甲醇燃料電池
東芝移動顯示株式會社
該公司的主要產品門類集中於中小型顯示器上，在低溫多晶硅TFT技術方面（不僅移動設備的首選顯示器，而且還包括有機發光二極體的基礎技術）、在一大批產品的新一代精選顯示器方面，它毋庸置疑地處於龍頭地位。在提供輕薄型、節能和圖像清晰的高附加價值的顯示器方面，這些具有領先優勢的實力為我們提供了技術支持。
主要產品：TFT液晶顯示器和有機發光二極體顯示器 通過提供電力系統、工業系統等社會必不可少的基礎設施，我們為社會福利和社會的持續發展提供了堅實的基礎。綜合解決方案的能力又確保了我們能夠獲得長期的成長和收益。
電力系統公司
電力系統公司提供支撐現代社會和產業的核電站、火電站、水電站，並且開發新能源技術。東芝，包括其集團公司西屋公司在內，憑借其在沸水反應堆和壓水反應堆這兩方面的技術實力，在世界核電行業處於領先地位。綜合性的研究和投資為該公司提高熱電發電效率、促進再生能源的使用、提高核電的安全性和效率提供了支持。為客戶提供了能源生成源地優化組合並減少了二氧化碳的排放。
二氧化碳捕獲與封存是另一個具有發展前途的領域，我們正為此投入主要的研發資源。與日本和國際合作夥伴結成的戰略聯盟，加強了成本競爭力，有利於開發新一代的解決方案，為世界各國的電力基礎設施建設作出貢獻。
主要產品：核電廠系統和服務（沸水反應堆、壓水反應堆）、水電、火電和地熱發電設備、燃料電池
電力流通·產業系統公司
電力流通·產業系統公司提供各類高效可靠的輸配電系統、在種類繁多的工業領域中提供各種綜合系統、融合最尖端的控制技術和信息技術，提供安全舒適的鐵道綜合系統，該公司的新能源解決方案中包括了應用於工業系統和車輛方面創新的超級充電離子電池SciB，和被普遍認為是解決地球溫室效應關鍵手段的太陽能光電系統。
主要產品：輸配電系統（變壓器、氣體絕緣裝置等）、控制測量系統和設備、工業計算機、鐵道車輛電氣系統、超級充電電池、太陽能光電系統及其他產品
社會系統公司
社會基礎設施系統公司將具有競爭優勢的IT系統應用到了社會基礎設施管理系統、給排水和環境系統、無線電應用系統和廣播與網路系統上。該公司還提供針對金融和物流行業的自動化系統。我們承諾及時開發和使用能為社會做貢獻和取得顧客長期信任、有利於實現富裕未來的尖端系統，而這一承諾正是建立於我們多年積累的技術訣竅之基礎上的。
主要產品：道路交通控制系統、樓宇能源管理系統、自來水和污水處理廠控制系統、環境系統、廣播系統、電信網路系統、航空管制和導航輔助系統、雷達和無線電應用系統、郵件處理系統、紙幣處理系統
東芝電梯株式會社
東芝的尖端技巧和建築物綜合解決計劃的核心策略在高價值產品穩步發展的潮流中得到了體現，具備豐碩的產品系列，同時東芝還提出為已經安裝的體系供給完全的產品升級和維修服務許諾，因此東芝在全球的業務 有了敏捷增加，東芝在台北101大廈里安裝了世界最高速度的電梯，其運行速度最大可達每分鍾1，010米，被列入世界吉尼斯大全，東芝還獲得了向定於2012年竣工、高達610米的數碼電視塔「東京天空樹」供給日本最高速大容量電梯的主合同。
重要產品：電梯和主動扶梯
東芝解決計劃株式會社
東芝解決計劃公司供給從咨詢、設計、開發直至實行、業務外包和保護的普遍服務。作為東芝團體的IT解決計劃專業單位，該公司在「信賴」、質量和「技巧程度」、方面博得了顧客的好評，體現了其作為最佳IT解決計劃合作夥伴而不斷進步顧客滿意度的才能。
重要服務項目：軟體的咨詢、設計、開發、實行、業務外包和保護服務。製作業、流通和服務，媒體和電信、銀行、證券和保險業、電子政務體系的「產業解決計劃」。由普遍的聯盟夥伴和豐碩的專業技巧所支持的「平台解決計劃」，包含社會基本設施體系、嵌入式體系和半導系統統（製作）在內的、將最新的信息通訊技巧與我們的普遍經驗相聯合的「工程解決計劃」
東芝醫療體系株式會社
作為供給綜合性醫療解決計劃的全球性的公司，東芝醫療體系株式會社對東芝從開發設計直至製作、銷售、營銷、售後服務的所有保健護理業務進行了合並。能夠進行高性能診斷的尖端裝備增強了在非侵襲性診斷體系方面的龍頭位置，並最大水平地為患者供給舒適和進步他們的生涯質量。
重要產品：X射線體系；計算機斷層攝影體系（CT掃描儀）；超聲波體系；磁共振成像體系；核醫學體系；放射學信息體系；圖像存檔通訊體系 東芝家用電器控股株式會社
東芝家用電器控股株式會社的高附加價值電冰箱、洗衣機、小型家用電器和一次電池滿足了花費者在日常生涯中的需求，為他們進步生涯質量添磚加瓦，並推動進步環境效力和環保產品與服務的運動。東芝家用電器控股株式會社還為東芝家電株式會社和東芝電器銷售株式會社的運動、為東芝在空調、照明器具和其他電器方面的業務供給支撐。
重要產品：電冰箱；洗衣機；微波爐；吸塵器；電熨斗；電飯煲和主動洗碗機；照明和照明體系；室內、大樓與商用空調產品、體系和技巧；熱水體系；一次性電池；電池驅動家用電器
汽車業務與網路服務
主動電子和網路服務在東芝的成長業務中備受人們的關注。汽車體系部在諸如半導體、車載體系和照明、顯示器和電油混雜燃料車輛驅動體系等范疇里對東芝的內部公司和團體公司的汽車相干業務加以折衷推動。網路服務部開發能夠豐碩日常生涯和供給互聯網服務。例如，東芝數碼錄像機的用戶的錄像喜好，我們的電視節目推介服務向他們供給符合用戶趣味、即將播放的節目信息。這一服務運用了東芝在大批數據中需求有關信息的集體智能技巧。我們還供給在公司症結性義務體系與手機網站之間構建合作平台的網關技巧。
新照明體系
120年前，東芝開發和製作出了日本第一盞白熾燈，自此之後，東芝將照明業務推向了世界規模，成了世界上重要的製作商和供給商之一。研發和產品計劃都是以環保意識和減少二氧化碳排放的決心作為指點原則的。一個橫跨組織的管理部門正在引導貫徹一項籌劃，旨在2010年底之前終止白熾燈生產並在全球規模內參與高能源效力環保型家用/辦公室用發光二極體和熒光燈照明產品的新業務。
『陸』 東芝什麼產品主打
80年代以來，東芝從一個以家用電器、重型電機為主體的企業轉變為包括通訊、電子在內的綜合電子電器企業。進入90年代，東芝在數字技術、移動通信技術和網路技術等領域取得了飛速發展，東芝已成功地從家電行業的巨人轉變為IT行業的先鋒。
1875:田中久重在東京的新橋開設電信設備廠。
1890:藤崗市助和三吉正一在東京的京橋開設白熱舍。製造日本第一批白熾電燈泡。
1894:製造日本第一台水輪式發電機(60kW)。
1895:製造日本第一台感應電動機。
1899:白熱舍改名為東京電氣株式會社。
1921:發明電燈泡技術的6大發明之一的雙燈絲電燈泡。
1930:製造日本第一批電動洗衣機和電冰箱。
1939:東京電氣株式會社和芝浦製作所合並,成立東京芝浦電氣株式會社。
1954:為東京大學開發日本第一台數字式計算機TAC。
1955:開始銷售日本第一批電飯煲。
1959:開發日本第一批晶體管電視機。
1963:製成日本第一台12,500kW的核動力透平發電機。開發衛星通信用的發射台。
1967:製成世界上第一台郵政編碼自動識別裝置。
1970:開發世界上第一台彩色電視電話。
1971:開始銷售世界上第一批高集成電路化彩色電視機。
1972:推出世界上第一台帶黑色條紋陰極射線管的彩色電視機。
1978:開始銷售日本第一批文字處理機。
1979:製成世界上第一批光碟式文件生成系統。
1983:在世界上首次實現能夠識別漢字的光學字元識別技術的實用化。
1984:公司名稱改名為株式會社東芝。
1985:開發百萬位的CMOS隨機存取存儲器。開發並銷售世界上第一批膝上型個人電腦。
1989:開發並銷售筆記本型個人電腦「DynaBook」。
1991:開發世界上第一批4百萬位的與非型電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)。
1995:開發高密度光碟DVD。實行DVD標准化。
1999:空調部門脫離公司總部與開利公司成立合資公司「東芝開利公司」。採用內部公司的體制。開發世界上速度最快的128位中央處理器。
2002:與松下電器成立合資企業,統一液晶顯示器業務。在世界上首次開發嵌入式動態隨機存取存儲器系統大規模集成電路用的65-納米CMOS處理技術。
2003:導入「設置委員會公司」體系。
2004:加入聯合國全球協議。開發世界上最小的0.85英寸硬碟驅動器。開發世界上最小、輸出能量100毫瓦的直接甲醇燃料電池(DMFC)。和佳能公司一起開發新一代的平板顯示器SED（表面導電電子發射顯示器）。
2005:和SanDisk公司一起採用70納米工藝技術開發8千兆位NAND快閃記憶體晶元。公布和IBM、索尼、索尼計算機娛樂公司共同開發的單元寬頻處理器的技術細節。
『柒』 東芝的發展歷程
1875：田中久重在東京的新橋開設電信設備廠。
1890：藤崗市助和三吉正一在東京的京橋開設白熱舍。製造日本第一批白熾電燈泡。
1894：製造日本第一台水輪式發電機（60kW）。
1895：製造日本第一台感應電動機。
1899：白熱舍改名為東京電氣株式會社。
1921：發明電燈泡技術的6大發明之一的雙燈絲電燈泡。
1930：製造日本第一批電動洗衣機和電冰箱。
1939：東京電氣株式會社和芝浦製作所合並,成立東京芝浦電氣株式會社。
1939至1945：開始為二戰中日本侵略中國和東南亞大量生產97、95中型坦克、重型機槍、各類山炮。是日本在「二戰」中立下汗馬功勞的日本五大軍用企業之一。
1954：為東京大學開發日本第一台數字式計算機TAC。
1955：開始銷售日本第一批電飯煲。
1959：開發日本第一批晶體管電視機。
1963：製成日本第一台12,500kW的核動力透平發電機。開發衛星通信用的發射台。
1967：製成世界上第一台郵政編碼自動識別裝置。
1970：開發世界上第一台彩色電視電話。
1971：開始銷售世界上第一批高集成電路化彩色電視機。
1972：推出世界上第一台帶黑色條紋陰極射線管的彩色電視機。
1978：開始銷售日本第一批文字處理機。
1979：製成世界上第一批光碟式文件生成系統。
1983：在世界上首次實現能夠識別漢字的光學字元識別技術的實用化。
1984：公司名稱改名為株式會社東芝。
1985：開發百萬位的CMOS隨機存取存儲器。開發並銷售世界上第一批膝上型個人電腦。
1989：開發並銷售筆記本型個人電腦「DynaBook」。
1991：開發世界上第一批4百萬位的與非型電可擦可編程只讀存儲器（EEPROM）。
1995：開發高密度光碟DVD。實行DVD標准化。
1999：空調部門脫離公司總部與開利公司成立合資公司「東芝開利公司」。採用內部公司的體制。
2002：在世界上首次開發嵌入式動態隨機存取存儲器系統大規模集成電路用的65納米CMOS處理技術。
2003：引進「公司內部委員會」體制。
2004：開發世界上最小、輸出能量100毫瓦的直接甲醇燃料電池（DMFC）。
2005：公布和IBM、索尼、索尼計算機娛樂公司共同開發的Cell處理器的技術細節。
2006：並購西屋公司的核電業務。
2007：開發只需轉一周就能夠捕捉心臟和腦部完整圖像的320層動態體積CT系統。
筆記本電腦的銷售累積達6,000萬台。
2008：發電廠監控系統在卡內基梅隆大學的軟體成就館展出。
2016：美的31億元購東芝白家電業務80%股權
『捌』 內存儲器的發展歷程
對於用過386機器的人來說，30pin的內存，我想在很多人的腦海里，一定或多或少的還留有一絲印象，這一次我們特意收集的7根30pin的內存條，並拍成圖片，怎麼樣看了以後，是不是有一種久違的感覺呀！
30pin 反面 30pin 正面
下面是一些常見內存參數的介紹：
bit 比特，內存中最小單位，也叫「位」。它只有兩個狀態分別以0和1表示
byte位元組，8個連續的比特叫做一個位元組。
ns（nanosecond）
納秒，是一秒的10億分之一。內存讀寫速度的單位，其前面數字越小表示速度越快。
72pin正面 72pin反面
72pin的內存，可以說是計算機發展史的一個經典，也正因為它的廉價，以及速度上大幅度的提升，為電腦的普及，提供了堅實的基礎。由於用的人比較多，目前在市場上還可以買得到。
SIMM（Single In-line Memory Moles）
單邊接觸內存模組。是5X86及其較早的PC中常採用的內存介面方式。在486以前，多採用30針的SIMM介面，而在Pentuim中更多的是72針的SIMM介面，或者與DIMM介面類型並存。人們通常把72線的SIMM類型內存模組直接稱為72線內存。
ECC（Error Checking and Correcting）
錯誤檢查和糾正。與奇偶校驗類似，它不但能檢測到錯誤的地方，還可以糾正絕大多數錯誤。它也是在原來的數據位上外加位來實現的，這些額外的位是用來重建錯誤數據的。只有經過內存的糾錯後，計算機操作指令才可以繼續執行。當然在糾錯是系統的性能有著明顯的降低。
EDO DRAM（Extended Data Output RAM）
擴展數據輸出內存。是Micron公司的專利技術。有72線和168線之分、5V電壓、帶寬32bit、基本速度40ns以上。傳統的DRAM和FPM DRAM在存取每一bit數據時必須輸出行地址和列地址並使其穩定一段時間後，然後才能讀寫有效的數據，而下一個bit的地址必須等待這次讀寫操作完成才能輸出。EDO DRAM不必等待資料的讀寫操作是否完成，只要規定的有效時間一到就可以准備輸出下一個地址，由此縮短了存取時間，效率比FPM DRAM高20%—30%。具有較高的性/價比，因為它的存取速度比FPM DRAM快15%，而價格才高出5%。因此，成為中、低檔Pentium級別主板的標准內存。
DIMM（Dual In-line Memory Moles）
雙邊接觸內存模組。也就是說這種類型介面內存的插板兩邊都有數據介面觸片，這種介面模式的內存廣泛應用於現在的計算機中，通常為84針，由於是雙邊的，所以共有84×2=168線接觸，所以人們常把這種內存稱為168線內存。
PC133
SDRAM（Synchronous Burst RAM）
同步突發內存。是168線、3.3V電壓、帶寬64bit、速度可達6ns。是雙存儲體結構，也就是有兩個儲存陣列，一個被CPU讀取數據的時候，另一個已經做好被讀取數據的准備，兩者相互自動切換，使得存取效率成倍提高。並且將RAM與CPU以相同時鍾頻率控制，使RAM與CPU外頻同步，取消等待時間，所以其傳輸速率比EDO DRAM快了13%。SDRAM採用了多體（Bank）存儲器結構和突發模式，能傳輸一整數據而不是一段數據。
SDRAM ECC 伺服器專用內存
RDRAM（Rambus DRAM）
是美國RAMBUS公司在RAMBUSCHANNEL技術基礎上研製的一種存儲器。用於數據存儲的字長為16位，傳輸率極速指標有望達到600MHz。以管道存儲結構支持交叉存取同時執行四條指令，單從封裝形式上看，與DRAM沒有什麼不同，但在發熱量方面與100MHz的SDRAM大致相當。因為它的圖形加速性能是EDO DRAM的3-10倍，所以目前主要應用於高檔顯卡上做顯示內存。
Direct RDRAM
是RDRAM的擴展，它使用了同樣的RSL，但介面寬度達到16位，頻率達到800MHz，效率更高。單個傳輸率可達到1.6GB/s，兩個的傳輸率可達到3.2GB/s。
點評：
30pin和72pin的內存，早已退出市場，現在市場上主流的內存，是SDRAM，而SDRAM的價格越降越底，對於商家和廠家而言，利潤空間已縮到了極限，賠錢的買賣，有誰願意去做了？再者也沒有必要，畢竟廠家或商家們總是在朝著向「錢」的方向發展。
隨著 INTEL和 AMD兩大公司 CPU生產飛速發展，以及各大板卡廠家的支持，RAMBUS 和 DDRAM 也得到了更快的發展和普及，究竟哪一款會成為主流，哪一款更適合用戶，市場終究會證明這一切的。
機存取存儲器是電腦的記憶部件，也被認為是反映集成電路工藝水平的部件。各種存儲器中以動態存儲器（DRAM）的存儲容量為最大，使用最為普及，幾十年間它的存儲量擴大了幾千倍，存取數據的速度提高40多倍。存儲器的集成度的提高是靠不斷縮小器件尺寸達到的。尺寸的縮小，對集成電路的設計和製造技術提出了極為苛刻的要求，可以說是只有一代新工藝的突破，才有一代集成電路。
動態讀寫存儲器DRAM（Dynamic Random Access MeMory）是利用MOS存儲單元分布電容上的電荷來存儲數據位，由於電容電荷會泄漏，為了保持信息不丟失，DRAM需要不斷周期性地對其刷新。由於這種結構的存儲單元所需要的MOS管較少，因此DRAM的集成度高、功耗也小，同時每位的價格最低。DRAM一般都用於大容量系統中。DRAM的發展方向有兩個，一是高集成度、大容量、低成本，二是高速度、專用化。
從1970年Intel公司推出第一塊1K DRAM晶元後，其存儲容量基本上是按每三年翻兩番的速度發展。1995年12月韓國三星公司率先宣布利用0.16μm工藝研製成功集成度達10億以上的1000M位的高速（3lns）同步DRAM。這個領域的競爭非常激烈，為了解決巨額投資和共擔市場風險問題，世界范圍內的各大半導體廠商紛紛聯合，已形成若干合作開發的集團格局。
1996年市場上主推的是4M位和16M位DRAM晶元，1997年以16M位為主，1998年64M位大量上市。64M DRAM的市場佔有率達52%；16M DRAM的市場佔有率為45%。1999年64M DRAM市場佔有率已提高到78%，16M DRAM佔1%。128M DRAM已經普及，明年將出現256M DRAM。
高性能RISC微處理器的時鍾已達到100MHz～700MHz，這種情況下，處理器對存儲器的帶寬要求越來越高。為了適應高速CPU構成高性能系統的需要，DRAM技術在不斷發展。在市場需求的驅動下，出現了一系列新型結構的高速DRAM。例如EDRAM、CDRAM、SDRAM、RDRAM、SLDRAM、DDR DRAM、DRDRAM等。為了提高動態讀寫存儲器訪問速度而採用不同技術實現的DRAM有：
（1） 快速頁面方式FPM DRAM
快速頁面方式FPM（Fast Page Mode）DRAM已經成為一種標准形式。一般DRAM存儲單元的讀寫是先選擇行地址，再選擇列地址，事實上，在大多數情況下，下一個所需要的數據在當前所讀取數據的下一個單元，即其地址是在同一行的下一列，FPM DRAM可以通過保持同一個行地址來選擇不同的列地址實現存儲器的連續訪問。減少了建立行地址的延時時間從而提高連續數據訪問的速度。但是當時鍾頻率高於33MHz時，由於沒有足夠的充電保持時間，將會使讀出的數據不可靠。
（2） 擴展數據輸出動態讀寫存儲器EDO DRAM
在FPM技術的基礎上發展起來的擴展數據輸出動態讀寫存儲器EDODRAM（Extended Data Out DRAM），是在RAM的輸出端加一組鎖存器構成二級內存輸出緩沖單元，用以存儲數據並一直保持到數據被可靠地讀取時為止，這樣就擴展了數據輸出的有效時間。EDODRAM可以在50MHz時鍾下穩定地工作。
由於只要在原DRAM的基礎上集成成本提高並不多的EDO邏輯電路，就可以比較有效地提高動態讀寫存儲器的性能，所以在此之前，EDO DRAM曾成為動態讀寫存儲器設計的主流技術和基本形式。
（3） 突發方式EDO DRAM
在EDO DRAM存儲器的基礎上，又發展了一種可以提供更高有效帶寬的動態讀寫存儲器突發方式EDO DRAM（Burst EDO DRAM）。這種存儲器可以對可能所需的4個數據地址進行預測並自動地預先形成，它把可以穩定工作的頻率提高到66MHz。
（4） 同步動態讀寫存儲器SDRAM
SDRAM（Synchronous DRAM）是通過同步時鍾對控制介面的操作和安排片內隔行突發方式地址發生器來提高存儲器的性能。它僅需要一個首地址就可以對一個存儲塊進行訪問。所有的輸入采樣如輸出有效都在同一個系統時鍾的上升沿。所使用的與CPU同步的時鍾頻率可以高達66MHz～100MHz。它比一般DRAM增加一個可編程方式寄存器。採用SDRAM可大大改善內存條的速度和性能，系統設計者可根據處理器要求，靈活地採用交錯或順序脈沖。
Infineon Technologies(原Siemens半導體)今年已批量供應256Mit SDRAM。其SDRAM用0.2μm技術生產，在100MHz的時鍾頻率下輸出時間為10ns。
（5） 帶有高速緩存的動態讀寫存儲器CDRAM
CDRAM（Cached DRAM）是日本三菱電氣公司開發的專有技術，1992年推出樣品，是通過在DRAM晶元，集成一定數量的高速SRAM作為高速緩沖存儲器Cache和同步控制介面，來提高存儲器的性能。這種晶元用單一+3.3V電源，低壓TTL輸入輸出電平。目前三菱公司可以提供的CDRAM為4Mb和16Mb，其片內Cache為16KB，與128位內部匯流排配合工作，可以實現100MHz的數據訪問。流水線式存取時間為7ns。
（6） 增強型動態讀寫存儲器EDRAM（Enhanced DRAM）
由Ramtron跨國公司推出的帶有高速緩沖存儲器的DRAM產品稱作增強型動態讀寫存儲器EDRAM（Enhanced DRAM），它採用非同步操作方式，單一+5V工作電源，CMOS或TTL輸入輸出電平。由於採用一種改進的DRAM 0.76μm CMOS工藝和可以減小寄生電容和提高晶體管增益的結構技術，其性能大大提高，行訪問時間為35ns，讀/寫訪問時間可以提高到65ns，頁面寫入周期時間為15ns。EDRAM還在片內DRAM存儲矩陣的列解碼器上集成了2K位15ns的靜態RAM高速緩沖存儲器Cache，和後寫寄存器以及另外的控制線，並允許SRAM Cache和DRAM獨立操作。每次可以對一行數據進行高速緩沖。它可以象標準的DRAM對任一個存儲單元用頁面或靜態列訪問模式進行操作，訪問時間只有15ns。當Cache未命中時，EDRAM就把新的一行載入到Cache中，並把選擇的存儲單元數據輸出，這需要花35ns。這種存儲器的突發數據率可以達到267Mbytes/s。
（7） RDRAM（Rambus DRAM）
Rambus DRAM是Rambus公司利用本身研製的一種獨特的介面技術代替頁面方式結構的一種新型動態讀寫存儲器。這種介面在處理機與DRAM之間使用了一種特殊的9位低壓負載發送線，用250MHz同步時鍾工作，位元組寬度地址與數據復用的串列匯流排介面。這種介面又稱作Rambus通道，這種通道嵌入到DRAM中就構成Rambus DRAM，它還可以嵌入到用戶定製的邏輯晶元或微處理機中。它通過使用250MHz時鍾的兩個邊沿可以使突發數據傳輸率達到500MHz。在採用Rambus通道的系統中每個晶元內部都有它自己的控制器，用來處理地址解碼和面頁高速緩存管理。由此一片存儲器子系統的容量可達512K位元組，並含有一個匯流排控制器。不同容量的存儲器有相同的引腳並連接在同一組匯流排上。Rambus公司開發了這種新型結構的DRAM，但是它本身並不生產，而是通過發放許可證的方式轉讓它的技術，已經得到生產許可的半導體公司有NEC、Fujitsu、Toshiba、Hitachi和LG等。
被業界看好的下一代新型DRAM有三種：雙數據傳輸率同步動態讀寫存儲器（DDR SDRAM）、同步鏈動態讀寫存儲器（SLDRAM）和Rambus介面DRAM（RDRAM）。
（1） DDR DRAM（Double Data Rate DRAM）
在同步動態讀寫存儲器SDRAM的基礎上，採用延時鎖定環（Delay-locked Loop）技術提供數據選通信號對數據進行精確定位，在時鍾脈沖的上升沿和下降沿都可傳輸數據（而不是第一代SDRAM僅在時鍾脈沖的下降沿傳輸數據），這樣就在不提高時鍾頻率的情況下，使數據傳輸率提高一倍，故稱作雙數據傳輸率（DDR）DRAM，它實際上是第二代SDRAM。由於DDR DRAM需要新的高速時鍾同步電路和符合JEDEC標準的存儲器模塊，所以主板和晶元組的成本較高，一般只能用於高檔伺服器和工作站上，其價格在中低檔PC機上可能難以接受。
（2） SLDRAM（Synchnonous Link DRAM）
這是由IBM、HP、Apple、NEC、Fujitsu、Hyundai、Micron、TI、Toshiba、Sansung和Siemens等業界大公司聯合制定的一個開放性標准，委託Mosaid Technologies公司設計，所以SLDRAM是一種原本最有希望成為高速DRAM開放性工業標準的動態讀寫存儲器。它是一種在原DDR DRAM基礎上發展的一種高速動態讀寫存儲器。它具有與DRDRAM相同的高數據傳輸率，但是它比其工作頻率要低；另外生產這種存儲器不需要支付專利使用費，使得製造成本較低，所以這種存儲器應該具有市場競爭優勢。但是由於SLDRAM聯盟是一個鬆散的聯合體，眾多成員之間難以協調一致，在研究經費投入上不能達成一致意見，加上Intel公司不支持這種標准，所以這種動態存儲器反而難以形成氣候，敵不過Intel公司鼎立支持的Rambus公司的DRDRAM。SLDRAM可用於通信和消費類電子產品，高檔PC和伺服器。
（3） DRDRAM（Direct Rambus DRAM）
從1996年開始，Rambus公司就在Intel公司的支持下制定新一代RDRAM標准，這就是DRDRAM（Direct RDRAM）。這是一種基於協議的DRAM，與傳統DRAM不同的是其引腳定義會隨命令而變，同一組引腳線可以被定義成地址，也可以被定義成控制線。其引腳數僅為正常DRAM的三分之一。當需要擴展晶元容量時，只需要改變命令，不需要增加硬體引腳。這種晶元可以支持400MHz外頻，再利用上升沿和下降沿兩次傳輸數據，可以使數據傳輸率達到800MHz。同時通過把數據輸出通道從8位擴展成16位，這樣在100MHz時就可以使最大數據輸出率達1.6Gb/s。東芝公司在購買了Rambus公司的高速傳輸介面技術專利後，於1998年9月首先推出72Mb的RDRAM，其中64Mb是數據存儲器，另外8Mb用於糾錯校驗，由此大大提高了數據讀寫可靠性。
Intel公司辦排眾議，堅定地推舉DRDRAM作為下一代高速內存的標准，目前在Intel公司對Micro、Toshiba和Samsung等公司組建DRDRAM的生產線和測試線投入資金。其他眾多廠商也在努力與其抗爭，最近AMD宣布至少今年推出的K7微處理器都不打算採用Rambus DRAM；據說IBM正在考慮放棄對Rambus的支持。當前市場上同樣是64Mb的DRAM，RDRAM就要比其他標準的貴45美元。
由此可見存儲器的發展動向是：大容量化，高速化， 多品種、多功能化，低電壓、低功耗化。
存儲器的工藝發展中有以下趨勢：CHMOS工藝代替NMOS工藝以降低功耗；縮小器件尺寸，外圍電路仍採用ECL結構以提高存取速度同時提高集成度；存儲電容從平面HI-C改為深溝式，保證尺寸減少後的電荷存儲量，以提高可靠性；電路設計中簡化外圍電路結構，注意降低雜訊，運用冗餘技術以提高質量和成品率；工藝中採用了多種新技術；使DRAM的存儲容量穩步上升，為今後繼續開發大容量的新電路奠定基礎。
從電子計算機中的處理器和存儲器可以看出ULSI前進的步伐和幾十年間的巨大變化。
『玖』 東芝emmc每個字母所對應的含義
1.簡化手機存儲器的設計。eMMC目前是當前最紅的移動設備本地存儲解決方案，目的在於簡化手機存儲器的設計，由於NAND Flash晶元的不同廠牌包括三星、KingMax、東芝(Toshiba)或海力士(Hynix)、美光(Micron)等，所以都需要根據每家公司的產品和技術特性來重新設計，而過去並沒有技術能夠通用所有廠牌的NAND Flash晶元。
2.更新速度快。每次NAND Flash製程技術改朝換代，包括70納米演進至50納米，再演進至40納米或30納米製程技術，手機客戶也都要重新設計，但半導體產品每1年製程技術都會推陳出新，存儲器問題也拖累手機新機種推出的速度，因此像eMMC這種把所有存儲器和管理NAND Flash的控制晶元都包在1顆MCP上的概念，隨著不斷地發展逐漸流行在市場中。