1. 在手機論壇中常可以看到「NAND」，「NAND」是什麼
NAND技術
NAND
Samsung、TOSHIBA和Fujistu支持NAND技術Flash Memory。這種結構的閃速存儲器適合於純數據存儲和文件存儲，主要作為SmartMedia卡、CompactFlash卡、PCMCIA ATA卡、固態盤的存儲介質，並正成為閃速磁碟技術的核心。
NAND技術Flash Memory具有以下特點：（1） 以頁為單位進行讀和編程操作，1頁為256或512B（位元組）；以塊為單位進行擦除操作，1塊為4K、8K或16KB。具有快編程和快擦除的功能，其塊擦除時間是2ms；而NOR技術的塊擦除時間達到幾百ms。（2） 數據、地址採用同一匯流排，實現串列讀取。隨機讀取速度慢且不能按位元組隨機編程。（3） 晶元尺寸小，引腳少，是位成本(bit cost)最低的固態存儲器，將很快突破每兆位元組1美元的價格限制。（4） 晶元包含有失效塊，其數目最大可達到3~35塊（取決於存儲器密度）。失效塊不會影響有效塊的性能，但設計者需要將失效塊在地址映射表中屏蔽起來。 Samsung公司在1999年底開發出世界上第一顆1Gb NAND技術閃速存儲器。據稱這種Flash Memory可以存儲560張高解析度的照片或32首CD質量的歌曲，將成為下一代攜帶型信息產品的理想媒介。Samsung採用了許多DRAM的工藝技術，包括首次採用0.15μm的製造工藝來生產這顆Flash。已經批量生產的K9K1208UOM採用0�18μm工藝，存儲容量為512Mb。
UltraNAND
AMD與Fujistu共同推出的UltraNAND技術，稱之為先進的NAND閃速存儲器技術。它與NAND標准兼容：擁有比NAND技術更高等級的可靠性；可用來存儲代碼，從而首次在代碼存儲的應用中體現出NAND技術的成本優勢；它沒有失效塊，因此不用系統級的查錯和校正功能，能更有效地利用存儲器容量。
與DINOR技術一樣，盡管UltraNAND技術具有優勢，但在當前的市場上仍以NAND技術為主流。UltraNAND 家族的第一個成員是AM30LV0064，採用0.25μm製造工藝，沒有失效塊，可在至少104次擦寫周期中實現無差錯操作，適用於要求高可靠性的場合，如電信和網路系統、個人數字助理、固態盤驅動器等。研製中的AM30LV0128容量達到128Mb，而在AMD的計劃中UltraNAND技術Flash Memory將突破每兆位元組1美元的價格限制，更顯示出它對於NOR技術的價格優勢。
3 AND技術
AND技術是Hitachi公司的專利技術。Hitachi和Mitsubishi共同支持AND技術的Flash Memory。AND技術與NAND一樣採用「大多數完好的存儲器」概念，目前，在數據和文檔存儲領域中是另一種占重要地位的閃速存儲技術。
Hitachi和Mitsubishi公司採用0.18μm的製造工藝，並結合MLC技術，生產出晶元尺寸更小、存儲容量更大、功耗更低的512Mb-AND Flash Memory，再利用雙密度封裝技術DDP（Double Density Package Technology），將2片512Mb晶元疊加在1片TSOP48的封裝內，形成一片1Gb晶元。HN29V51211T具有突出的低功耗特性，讀電流為2mA，待機電流僅為1μA，同時由於其內部存在與塊大小一致的內部RAM 緩沖區，使得AND技術不像其他採用MLC的閃速存儲器技術那樣寫入性能嚴重下降。Hitachi公司用該晶元製造128MB的MultiMedia卡和2MB的PC-ATA卡，用於智能電話、個人數字助理、掌上電腦、數字相機、攜帶型攝像機、攜帶型音樂播放機等。
4 由EEPROM派生的閃速存儲器
EEPROM具有很高的靈活性，可以單位元組讀寫（不需要擦除，可直接改寫數據），但存儲密度小，單位成本高。部分製造商生產出另一類以EEPROM做閃速存儲陣列的Flash Memory，如ATMEL、SST的小扇區結構閃速存儲器（Small Sector Flash Memory）和ATMEL的海量存儲器（Data-Flash Memory）。這類器件具有EEPROM與NOR技術Flash Memory二者折衷的性能特點：（1） 讀寫的靈活性遜於EEPROM，不能直接改寫數據。在編程之前需要先進行頁擦除，但與NOR技術Flash Memory的塊結構相比其頁尺寸小，具有快速隨機讀取和快編程、快擦除的特點。（2） 與EEPROM比較，具有明顯的成本優勢。（3） 存儲密度比EEPROM大，但比NOR技術Flash Memory小，如Small Sector Flash Memory的存儲密度可達到4Mb，而32Mb的DataFlash Memory晶元有試用樣品提供。正因為這類器件在性能上的靈活性和成本上的優勢，使其在如今閃速存儲器市場上仍佔有一席之地。
Small Sector Flash Memory採用並行數據匯流排和頁結構（1頁為128或256B），對頁執行讀寫操作，因而既具有NOR技術快速隨機讀取的優勢，又沒有其編程和擦除功能的缺陷，適合代碼存儲和小容量的數據存儲，廣泛地用以替代EPROM。
DataFlash Memory是ATMEL的專利產品，採用SPI串列介面，只能依次讀取數據，但有利於降低成本、增加系統的可靠性、縮小封裝尺寸。主存儲區採取頁結構。主存儲區與串列介面之間有2個與頁大小一致的SRAM數據緩沖區。特殊的結構決定它存在多條讀寫通道：既可直接從主存儲區讀，又可通過緩沖區從主存儲區讀或向主存儲區寫，兩個緩沖區之間可以相互讀或寫，主存儲區還可藉助緩沖區進行數據比較。適合於諸如答錄機、尋呼機、數字相機等能接受串列介面和較慢讀取速度的數據或文件存儲應用。
三、 發展趨勢
存儲器的發展都具有更大、更小、更低的趨勢，這在閃速存儲器行業表現得尤為淋漓盡致。隨著半導體製造工藝的發展，主流閃速存儲器廠家採用0�18μm，甚至0.15μm的製造工藝。藉助於先進工藝的優勢，Flash Memory的容量可以更大：NOR技術將出現256Mb的器件，NAND和AND技術已經有1Gb的器件；同時晶元的封裝尺寸更小：從最初DIP封裝，到PSOP、SSOP、TSOP封裝，再到BGA封裝，Flash Memory已經變得非常纖細小巧；先進的工藝技術也決定了存儲器的低電壓的特性，從最初12V的編程電壓，一步步下降到5V、3.3V、2�7V、1.8V單電壓供電。這符合國際上低功耗的潮流，更促進了攜帶型產品的發展。
另一方面，新技術、新工藝也推動Flash Memory的位成本大幅度下降：採用NOR技術的Intel公司的28F128J3價格為25美元，NAND技術和AND技術的Flash Memory將突破1MB 1美元的價位，使其具有了取代傳統磁碟存儲器的潛質。
世界閃速存儲器市場發展十分迅速，其規模接近DRAM市場的1/4，與DRAM和SRAM一起成為存儲器市場的三大產品。Flash Memory的迅猛發展歸因於資金和技術的投入，高性能低成本的新產品不斷涌現，刺激了Flash Memory更廣泛的應用，推動了行業的向前發展。
2. 鎧俠SLC NAND快閃記憶體性能如何，求解答
鎧俠這個快閃記憶體性能還是不錯的。存儲容量、擦寫速度和壽命都表現的都很優秀，算是現在大容量存儲的首選了。?。我的回答不知你是否滿意？
3. 長江存儲是上市公司嗎
長江存儲不是上市公司。
長江存儲科技有限責任公司成立於2016年7月，總部位於「江城」武漢， 是一家專注於3D NAND快閃記憶體設計製造一體化的IDM集成電路企業，同時也提供完整的存儲器解決方案。長江存儲為全球合作夥伴供應3D NAND快閃記憶體晶圓及顆粒， 嵌入式存儲晶元以及消費級、企業級固態硬碟等產品和解決方案，廣泛應用於移動通信、消費數碼、計算機、伺服器及數據中心等領域。截至目前，長江存儲已在武漢、上海、北京等地設有研發中心，全球共有員工6000餘人，其中研發工程技術人員4000餘人。通過不懈努力和技術創新，長江存儲致力於成為全球領先的NAND快閃記憶體解決方案提供商。
【拓展資料】
世界晶元生產商：
一、英特爾
英特爾是一家成立於1968年的個人計算機零件和CPU製造商，擁有50年的市場領導歷史，在1971年推出第一個微處理器，就為世界帶來了計算機和互聯網的革命，主要領域在半導體、微處理器、晶元組、板卡、系統及軟體等，位於福布斯2019全球企業2000強排行榜第44位，在2019年第一季度半導體市場以158億美元營收排在第一位，也是世界三大晶元生產商之首。
二、三星
三星是全球著名的跨國企業集團，三星電子作為旗下最大的子公司，主要領域涉及到IT解決方案、生活家電、無線、網路、半導體及LCD事業等，在1983年研製64K動態隨機存儲器成為了當時世界半導體領導者，之後在移動設備領域一直處在領先地位，也是智能手機市場份額最多的企業。
三、高通
高通公司是全球知名的移動設備和處理器製造商，旗下的驍龍處理器是業界最為領先的移動智能設備處理器，向多家製造商提供技術支持，在國內基本除了華為使用自己的研製的麒麟處理器外，小米、oppo、vivo等大部分手機製造商都會搭載驍龍處理器，也是知名的世界品牌500強之一。
四、超威
美國超威半導體AMD，也是知名的顯卡製造商，涉及CPU、顯卡、主板電腦硬體設備等領域，在計算機顯卡領域和英偉達占據大半市場，但近年來似乎有所下降。
五、美光
美光也是世界十大晶元公司之一，也是世界最大的半導體儲存及影像產品製造商之一，在全球擁有兩萬六千多名員工，在國內北京和深圳都營銷辦事處。
4. 武漢長江存儲是國企嗎
武漢長江存儲不是國企。
長江存儲科技有限責任公司於2016年7月26日在武漢東湖新技術開發區登記成立。法定代表人趙偉國，公司經營范圍包括半導體集成電路科技領域內的技術開發；集成電路及相關產品的設計等。
中國存儲晶元產業以投入NAND Flash市場的長江存儲、專注於移動存儲晶元的合肥長鑫以及致力於普通存儲晶元的晉華集成三大企業為主。以三家廠商的進度來看，試產時間預計將在2018年下半年，量產時間可能都在2019年上半年，這預示著2019年將成為中國存儲晶元生產元年。
2016年12月底，由長江存儲主導的國家存儲器基地正式動工，計劃分三個階段，共建三座3D-NAND Flash廠房。
第一階段的廠房已2017年9月完成建設，預計2018年第三季度開始搬入機台，第四季進行試產，初期投片量不超過1萬片，用於生產32層3D-NAND Flash產品，並預計在自家的64層技術成熟後，再視情況擬定第二、第三期的生產計劃。
2020年9月13日，中國安防半導體產業聯盟成立大會在深圳舉行。會上對長江存儲等第一屆成員進行授牌。
5. 請問國內外生產Nand Flash Memory 的公司有哪些，是生產商，不是代理商哦。
國內 。中芯國際。
韓國。 三星。現代
美國。英特爾。鎂光
日本。東芝。瑞薩。
歐洲。意法半導體，
剩下就是一些沒什麼名氣和市佔率的。台灣沒有能生產快閃記憶體晶元的公司。台灣只是晶元封裝廠和半導體代工廠比較多。
6. 長江存儲展出64層3D NAND：可輕松實現單盤1TB容量
在2019中國國際智能產業博覽會上，紫光集團展出旗下晶元及雲計算等領域的最新進展，首次公開旗下長江存儲研發的64層堆棧3D快閃記憶體，採用了Xstacking堆棧結構，核心容量也提升到256Gb。
長江存儲在2018年就小規模量產32層堆棧的3D快閃記憶體，但核心容量只有64Gb，年底真正量產的是64層堆棧的3D快閃記憶體，其核心容量將提升到256Gb，是32層快閃記憶體的4倍，雖然與512Gb到1Tb產品存在差距，但是256Gb核心的快閃記憶體在64層快閃記憶體已達主流水平，可輕松製造512GB到1TB容量的固態硬碟。
長江存儲預計在年底量產64層堆棧的3D快閃記憶體，明年逐步提升產能，2020年底可望將產能提升導月6萬片晶圓/月的規模。2020年會跳過96層堆棧直接殺向128層堆棧，進一步縮短與三星東芝等公司的差距。
根據長江存儲的介紹，3D快閃記憶體採用Xstacking堆棧結構，2018年推出的Xstacking 1.0，可在一片晶圓上獨立加工負責數據I/O及記憶單元操作的外圍電路。這種加工方式有利於選擇合適的先進邏輯工藝，以讓NAND獲取更高的I/O介面速度及更多的操作功能。存儲單元同樣在另一片晶圓上被獨立加工。當兩片晶圓各自完工後，創新的Xtacking技術只需一個處理步驟就可通過數百萬根金屬VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互聯通道)將二者鍵合接通電路，而且只增加了有限的成本。
長江存儲是紫光集團收購武漢新芯 科技 之後成立的，公司於2016年7月在中國武漢成立，是一家專注於3D NAND快閃記憶體晶元設計、生產和銷售的IDM存儲器公司。長江存儲為全球工商業客戶提供存儲器產品，廣泛應用於移動設備、計算機、數據中心和消費電子產品等領域。
7. 長江存儲股票代碼
長江存儲股票代碼（600206），長江存儲科技有限責任公司13日宣布其128層研發成功，並已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。 長江存儲是中國核心半導體製造企業紫光集團旗下公司，主要業務為3DNAND快閃記憶體設計製造。2016年底落地武漢，總投資240億美元。 作為業內首款128層QLC規格的3DNAND快閃記憶體，長江存儲X2-6070擁有業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND快閃記憶體晶元容量。
1.長江存儲市場與銷售高級副總裁龔翊表示，「作為快閃記憶體行業的新人，長江存儲用短短3年時間實現了從32層到64層再到128層的跨越。」 快閃記憶體和SSD(固態硬碟)領域市場研究公司ForwardInsights創始人兼首席分析師GregoryWong認為：「QLC降低了NAND快閃記憶體單位位元組(Byte)的成本，更適合作為大容量存儲介質。比如可以作為伺服器和數據中心的存儲介質，適合AI計算、機器學習和大數據讀取密集型應用。」長江存儲以「新十年，芯夢想，新格局」為主題召開市場合作夥伴年會，江波龍電子、群聯電子、威剛科技，國科微，憶聯、群聯電子、慧榮科技、聯芸科技、美滿電子科技(Marvell)等長江存儲的市場合作夥伴首次集體亮相。
2.第三代產品將推128層快閃記憶體晶元 「2020年是存儲器黃金十年新的開始。隨著5G、AI、大數據、物聯網、雲計算等技術的發展，存儲器市場需求將呈現指數級增長。」長江存儲董事長、紫光集團董事長兼首席執行官趙偉國在會上表示，「中國市場為集成電路發展提供了資本縱深、市場縱深和人才縱深；紫光、長存有實力、有能力，更有對發展中國存儲器、集成電路產業不變的決心。」 2017至2019年間，長江存儲陸續推出了32層、64層3D NAND快閃記憶體晶元及存儲器解決方案，得到市場的認可。據了解，隨著5G、AI、智能生活、智慧城市帶來的個人消費電子和大規模數據中心的快速發展，市場對3D NAND快閃記憶體的需求將愈發白熱化，高密度、高性能、高品質、低延遲的3D NAND快閃記憶體解決方案越來越成為市場的主流趨勢。
3. 長江存儲首席執行官楊士寧表示，長江存儲已規劃2020年將提供嵌入式存儲、固態硬碟(SSD)等完整解決方案產品，面向更多通訊、系統整機客戶。自長江存儲2019年三季度量產第二代64層3D NAND快閃記憶體到現在，市場總體給予了正面積極的評價，這離不開合作夥伴的深度配合及終端市場的歷練。下一步，長江存儲的第三代產品將跳過96層，直接上128層堆疊快閃記憶體。 國科微與長存啟動長期深入合作 A股公司國科微副總裁康毅在會上表示：通過將長江存儲3D NAND快閃記憶體導入國科微固態硬碟，我們一起為用戶提供更領先的存儲解決方案。展望2020年，國科微將進一步深化與長江存儲的全方位合作。
8. 合肥長鑫和長江存儲兩個企業的存儲晶元和未來發展哪個更有潛力
長鑫是內存，長江是快閃記憶體。內存斷電數據丟失，快閃記憶體斷電數據依然在，技術層面，快閃記憶體技術難度更高！另外長鑫是買的國外底層技術，然後升級優化發展，發展有一定局限性，且與世界一流水平有2-3代的差距！而長存完全自主研發，技術幾乎達到世界一流水平。從市場發展來看，內存技術有天花板，需求市場幾乎停止增長，而快閃記憶體技術革新空間很大，市場需求每年更是以30%的增長速度擴張。綜合來看長江存儲發展前景更大！
兩家企業之間內部高層人員同屬於紫光派系。因此在產業結構分工上是協調合作方式。合肥長鑫主攻可讀存儲；長江存儲以研發可寫存儲。
長江存儲屬於國家隊，合肥長鑫地地道道屬省級隊。由此看來，長江存儲比合肥長鑫起步高。不過合肥長鑫率先將上市產品對標到世界同等級別，而長江存儲還需時日。
另外，眾所周知，玩存儲晶圓是個燒錢項目，風險變數極大，所以這些企業背靠的是有實力的大級別體量玩家。長江存儲背靠武漢，是國家傾盡全力打造的存儲之都；合肥近幾年靠集成晶元（京東方）實實在在是掙到百千億的，夾持國家科學中心名頭不可小覷！
綜敘，潛力誰大不好說，一個是小獅子，逐漸霸氣側漏想挑戰王位；一個是小老虎，虎虎生威欲佔山為王！
沖出重圍千億起步，強敵環伺巨頭統治。
存儲晶元的前景如何展望？
合肥長鑫，成立於2016年5月， 專注於DRAM領域 ，整體投資預計超過1500億元。目前一期已投入超過220億元，19nm8GbDDR4已實現量產，產能已達到2萬片/月，預計2020年一季度末達4萬片/月，三期完成後產能為36萬片/月， 有望成為全球第四大DRAM廠商。
長江存儲，成立於2016年7月， 專注於3DNANDFlash領域 ，整體投資額240億美元，目前64層產品已量產。根據集邦咨詢數據，2019年Q4長江存儲產能在2萬片/月，到2020年底有望擴產至7萬片/月，2023年目標擴產至30萬片/月產能， 有望成為全球第三大NANDFlash廠商。
最近利基型內存（Specialty DRAM）的價格大漲，我們今天就來聊聊 DRAM 是什麼？
Dynamic Random Access Memory，縮寫DRAM。動態隨機存取存儲器，作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡，來代表一個二進制比特是1還是0。這一段聽不懂，聽不懂沒關系，你只需要知道，它運算速度快、常應用於系統硬體的運行內存，計算機、手機中得有它，你可能沒聽說過DRAM，但你一定知道內存條， 沒錯，DRAM的最常見出現形式就是內存條。
近幾年的全球DRAM市場，呈現巨頭壟斷不變，市場規模多變的局面。
全球DRAM生產巨頭是三星、SK海力士和美光，分別占據了41.3%、28.2%和25%的市場份額。
2019年市場銷售額為620億美元，同比下降了37%。其中美國佔比39%排名第一，中國佔比34%排名第二，中美是全球DRAM的主要消費市場。細分市場，手機/移動端佔比40%，伺服器佔比34%。
總結來說，巨頭壟斷，使得中國企業沒有議價權，DRAM晶元受外部制約嚴重。 當前手機和移動設備是最大的應用領域，但未來隨著數據向雲端轉移，市場會逐步向伺服器傾斜。
未來，由於DRAM的技術路徑發展沒有發生明顯變化，微縮製程來提高存儲密度。那麼在進入20nm的存儲製程工藝後，製造難度越來越高，廠商對工藝的定義已不再是具體線寬，而是要在具體製程范圍內提升技術，提高存儲密度。
當前供需狀況，由於疫情在韓、美兩國發展速度超過預期，國內DRAM企業發展得到有利發展。
合肥長鑫、長江存儲 兩家都是好公司，都在各自的賽道中沖刺，希望他們能夠在未來打破寡頭壟斷的格局。
看哪家產品已經銷售了，其他吹得再好都是假的
目前看合肥長鑫優勢明顯
合肥長鑫和長江存儲兩個企業的存儲晶元和未來發展哪個更有潛力？快閃記憶體也好內存也罷都是國內相當薄弱的環節，都是要在國外壟斷企業口裡奪食，如果發展得好都是相當有潛力的企業。只是對於市場應用的廣度而言，合肥長鑫的內存可能相對來說更有潛力一些。
這兩家企業一家合肥長鑫以DRAM為主要的專注領域，長江存儲以NAND FLAH領域，而且投資都相當巨大，都是一千億元以上的投資。長江存儲除了企業投資之外，還有湖北地方產業基金，另外還有國家集成電路產業投資基金的介入，顯得更為有氣勢。而合肥長鑫主要以合肥地方投資為主，從投資來看看似長江存儲更有力度更有潛力一些。
不管時快閃記憶體還是內存，目前都被美國、韓國、日本等國外的幾家主要企業所壟斷，價格的漲跌幾乎都已經被操縱，國內企業已經吃過不少這方面的苦。DRAM領域的三星、海力士、鎂光，NAND領域有三星、東芝、新帝、海力士、鎂光、英特爾等，包括其他晶元一起，國內企業每一年花在這上面購買資金高達3000多億美金，並且一直往上攀升。
這兩家企業攜裹著大量投資進入該領域，但短時間之內要改變這種態勢還很難，一個是技術實力落後，另一個是市場號召力極弱。目前與國外的技術距離差不多在三年左右，況且這兩家的良品率和產能還並不高沒有完全釋放，在市場應用上的差距就更為懸殊。
從市場應用上來看，各種電子產品特別是手機及移動產品將會蓬勃發展，內存的應用地方相當多，甚至不可缺少，這帶來極大的需求量。相對而言，快閃記憶體應用地方可能要稍稍窄小一點，但需求同樣龐大。
國外三星、海力士等處於極強的強勢地位，而合肥長鑫和長江存儲要想從他們嘴裡爭奪是相當不容易的。不過有國內這個龐大的市場作後盾，相信這兩家未來都有不錯的前景，一旦發展起來被卡脖子的狀況將會大為改觀。
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理論上說長江存儲潛力更大，技術水平距離三星更近。長鑫的話製程跟三星還有一些差距，另外gddr5和ddr5長鑫都還沒影。
市場來說長鑫的dram內存價值更大。
但是不論nand還是dram存儲市場都是需要巨額投入和多年堅持的，所以誰錢多誰潛力大。
合肥長鑫是國產晶元的代表企業，主要從事存儲晶元行業中DRAM的研發、生產和銷售。企業計劃總投資超過 2200 億元，目前已經建立了一支擁有自主研發實力、工作經驗豐富的成建制國際化團隊，員工總數超過 2700 人，核心技術人員超過 500。
長江存儲成立於2016年7月，總部位於武漢，是一家專注於3D NAND快閃記憶體設計製造一體化的IDM集成電路企業。目前全球員工已超 6000 餘人，其中資深研發工程師約 2200人，已宣布 128 層 TLC/QLC 兩款產品研發成功，且進入加速擴產期，目前產能約 7.5 萬片/月，擁有業界最高的IO速度，最高的存儲密度和最高的單顆容量。
存儲晶元行業屬於技術密集型產業，中國存儲晶元行業起步晚，缺乏技術經驗累積。中國本土製造商長江存儲、合肥長鑫仍在努力追趕。
誰先做出產品誰就有潛力，兩家現在主要方向也不一樣，一個nand一個dram，也得看技術和頂級玩家三星的差距
當然是長江存儲更有潛力，長江存儲有自主知識產權的3d堆疊工藝平台，是國家存儲產業基地，長鑫買的外國專利授權，發展受到外國技術限制。長江存儲可以依靠3d堆疊工藝平台輕松殺入dram領域，而長鑫卻沒有可能進入nand領域。
9. SST公司是一家什麼公司
別聽那傢伙瞎扯蛋，sst全稱-硅存儲技術公司，生產nandflash和norflash存儲晶元，和單片機，而不是什麼上市公司！flash就是--快閃記憶體晶元，具體是什麼可以查網路！
10. 江波龍這個企業怎麼樣
江波龍全稱為深圳市江波龍電子有限公司成立於1999年，是一家聚焦NAND快閃記憶體應用和存儲晶元定製、存儲軟體開發的技術型品牌公司, 總部位於深圳，在北京、上海、重慶、中山、香港、台北等地設有分公司或辦事處，江波龍在存儲行業還是有一定的知名度的。
目前，江波龍電子旗下擁有嵌入式存儲FORESEE和高端消費品牌Lexar：FORESEE深耕行業應用，嵌入式存儲、固態硬碟存儲、微存儲、汽車存儲四條產品線各自為營，全面深入手機、PC、汽車、IOT、安防、工業等諸多領域，正加速開拓全球市場。產品覆蓋SD存儲卡、microSD卡、U盤、讀卡器、固態硬碟等。
在IC固件設計、封裝基板設計等方面的實力和高於行業標準的全面質量管理，江波龍電子結合市場需求進行產品自主研發，持續為客戶提供應用廣泛、性能優異的創新性存儲產品和解決方案，並不斷擴展NAND型快閃記憶體產品的應用范圍。